CN109576780A - 一种籽晶熔接方法及设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种籽晶熔接方法。包括：检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；液面为熔硅液面；检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与液面接触；获取籽晶周围光圈的直径，判断光圈的直径变化情况是否符合预设条件；在光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持籽晶位置不变进行熔接。本发明还提供一种籽晶熔接设备。本发明可实现自动化的籽晶熔接过程，解决现有熔接方法依赖人员技能及等径成功率低的问题。

Description

一种籽晶熔接方法及设备

技术领域

本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种籽晶熔接方法及设备。

背景技术

在直拉法生产单晶硅过程中，从多晶硅料到拉制出单晶硅棒需要经过多个工艺步骤，包括引晶、放肩、转肩、等径和收尾等工艺步骤。其中的引晶过程为单晶的生长过程，单晶的生长过程中需要籽晶（也叫晶种）配合。引晶开始前需要将籽晶缓慢下降插入熔硅液面中，使籽晶温度接近熔硅温度，籽晶再与熔硅接触，通常称此过程为“下种”。“下种”后籽晶与熔硅进行熔接，待液面温度达到单晶生长要求时即可控制液面温度和籽晶的提升速度来实现单晶的生长。

现有技术中，籽晶的下降过程必须操作者手动操作，通过肉眼判断熔接状态，而且熔接过程需要操作者全程监控，这样不仅增加了劳动强度，并且由于人为的参与，使籽晶熔接过程中籽晶熔接温度和籽晶下降距离控制不一致，导致生长出的单晶硅棒等径成功率较低。

发明内容

本发明所要解决上述技术问题，提供一种籽晶熔接方法及设备，用于实现籽晶熔接过程中的自动化控制，提高单晶硅棒等径成功率。

本发明采取的技术方案是：一种籽晶熔接方法，包括：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

采用上述技术方案，首先通过检测液面温度，当液面温度达到第一预设温度后，自动控制籽晶下降到达预热位置并进行预热；检测液面温度达到第二预设温度后，自动控制籽晶下降并与液面接触；通过对获取的籽晶周围光圈的直径进行自动判断，判断光圈的直径变化情况是否符合预设条件，当符合预设条件时，保持籽晶位置不变进行籽晶熔接。该整个温度判断过程和籽晶周围光圈直径判断过程均无需人工直接参与，可以大大降低劳动强度，同时由于人工参与度低，可以有效降低籽晶熔接温度和籽晶下降距离控制不一致，进而可以保证单晶硅棒等径成功率高。

进一步地，所述方法还包括：在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离。再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

进一步地，所述判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件，包括：获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径。判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值。

进一步地，所述光圈的直径变化情况符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值。所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

进一步地，所述检测液面温度，包括：通过设置在单晶炉上的测温仪检测所述液面温度。所述获取所述籽晶周围光圈的直径，包括：通过设置在所述单晶炉上的测径仪获取所述籽晶周围光圈的直径。

进一步地，所述第一预设温度为：1380℃至1410℃；所述第二预设温度为：1430℃至1460℃；所述第一预设距离为：5mm至10mm；所述第二预设距离为：6mm至12mm。

进一步地，所述第三预设温度为：2℃至5℃；所述第三预设距离为：1mm至3mm。

本发明还提供了一种籽晶熔接设备，包括：接口、总线、存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

进一步地，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；

再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

进一步地，

所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：

获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径；

判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

采用本发明对操作人员无技能要求，不会出现熔接温度低的情况，熔接温度一致性强；熔接过程不需要人员参与，人力资源释放；由设备自动控制熔接过程，避免人为因素的干扰，大大提高等径成功率。

附图说明

图1为本发明实施例一中籽晶熔接方法流程图；

图2为本发明实施例二单晶炉的结构示意图；

图3为本发明实施例三籽晶熔接装置示意图；

图4为本发明实施例四籽晶熔接设备示意图。

附图标记说明：

21测温仪；22测径仪；23籽晶；03籽晶熔接装置；31处理模块；32判断模块；04籽晶熔接设备；41接口；42总线；43存储器；44处理器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清除、完整地描述。

图1为本发明实施例一中籽晶熔接方法流程图，如图1所示，本发明实施例提供的籽晶熔接方法可以应用在籽晶熔接装置（以下简称装置）上，该方法可以包括如下步骤：

步骤101、检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面。

装置在检测到液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热。

步骤102、检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触。

装置在检测到液面温度大于或等于第二预设温度时，控制籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触。

步骤103、获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件。

装置在获取到所述籽晶周围光圈的直径后，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件。

步骤104、在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

装置在判断所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

本发明实施例提供的籽晶熔接方法，通过检测液面温度，当液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降第一预设距离，对籽晶进行加热，该加热过程可以起到对籽晶预热的作用；通过检测液面温度，当液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离，并使籽晶与所述液面接触；籽晶与液面接触一定时间后，籽晶周围会出现光圈，通过测量不同时间点光圈直径的变化，可以判断籽晶是否符合熔接的预设条件。本发明所述籽晶熔接方法，采用自动控温、自动判断熔接条件，可以有效避免人为因素的参与导致籽晶熔接时熔接温度与籽晶下降距离不一致的问题，从而可以大大提高单晶硅棒等径成功率。

为了更加体现出本发明的目的，在上述实施例的基础上，进一步举例说明。

在实施例一的基础上，该方法具体可以包括如下解释说明：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面。

装置在检测到液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热。其中，第一预设温度为1380℃至1410℃时，第一预设距离为5mm至10mm。

例如，可以通过设置在单晶炉上的测温仪检测所述液面温度，当检测到液面温度大于或等于1380℃至1410℃时，将籽晶下降到离液面5mm至10mm处对籽晶进行加热。

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触。

装置在检测到液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触。其中，第二预设温度为1430℃至1460℃；第二预设距离为6mm至12mm。

例如，通过装置上的测温仪检测到液面温度大于或等于1430℃至1460℃时，将籽晶下降6mm至12mm，并与所述液面接触。

获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；其中，两个时间点之间的间隔可以根据实际需求进行设置，在此不加以限定。

装置在籽晶与液面接触20秒至30秒后，籽晶周围出现光圈，通过设置在装置上的测径仪获取获取两个时间点的所述光圈直径，得到第一直径及第二直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件。具体为，籽晶周围出现光圈后，测量光圈的直径得到第一直径，待光圈稳定一定时间后，再次测量光圈得到第二直径，判断光圈的直径变化情况是否符合预设条件。

例如，通过装置上的测径仪，测得光圈的第一直径后，待稳定60秒后，利用测径仪再次对光圈直径进行测定，得到第二直径，判断所述光圈的第一直径和第二直径的变化情况是否符合预设条件。

判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件的具体判断过程如下：

在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值时，所述光圈的直径变化情况符合预设条件，保持所述籽晶位置不变进行熔接；

装置在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值时，所述光圈的直径变化情况符合预设条件，保持所述籽晶位置不变进行熔接；其中，预设阈值可以根据实际需求进行设置，在此不加以限定。

例如，预设阈值设置为1mm时，当测得的第一直径与第二直径之间的差值小于1mm时，也就是光圈直径缩小在1mm范围内时，保持籽晶位置不变，熔接30分钟。

在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值时，所述光圈的直径变化情况未符合预设条件。将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

装置在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值时，所述光圈的直径变化情况未符合预设条件。将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。其中，所述第三预设温度为2℃至5℃；第三预设距离为1mm至3mm。

例如，当测得的第一直径与第二直径之间的差值大于或等于1mm时，也就是光圈直径缩小大于或等于1mm时，装置自动降温2℃至5℃，同时籽晶自动下降1mm至3mm，待稳定20秒至30秒后，再次判断两个时间点的光圈的直径变化差值是否小于1mm。如果满足两个时间点的光圈的直径变化差值小于1mm，则保持籽晶位置不变，熔接30分钟；若仍不满足两个时间点的光圈的直径变化差值小于1mm，再重复将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；再次判断，直至光圈直径缩小在1mm范围内时，保持籽晶位置不变，熔接30分钟。

这里需要说明的是，上述第一预设温度、第一预设距离、第二预设温度、第二预设距离、第三预设温度及第三预设距离可以在上述各自的限定范围内任意取值。

图2为本发明实施例二单晶炉的结构示意图，如图2所示，本发明提供的单晶炉，包括：

设置在单晶炉上的测温仪21，用于检测液面温度大于或等于第一预设温度时，测温仪21指示单晶炉将籽晶23下降到离液面第一预设距离处对籽晶23进行加热；所述液面为熔硅液面。

测温仪21还用于检测液面温度大于或等于第二预设温度时，测温仪21指示单晶炉将籽晶23下降第二预设距离并与所述液面接触。

设置在单晶炉上的测径仪22，用于获取所述籽晶23周围光圈的直径；并指示单晶炉判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶23位置不变进行熔接。

本发明实施例提供的单晶炉，通过测温仪检测液面温度，当液面温度大于或等于第一预设温度时，单晶炉将籽晶下降第一预设距离，对籽晶进行加热，该加热过程可以起到对籽晶预热的作用；通过测温仪检测液面温度，当液面温度大于或等于第二预设温度时，单晶炉将籽晶下降第二预设距离，并使籽晶与所述液面接触；籽晶与液面接触一定时间后，籽晶周围会出现光圈，通过测径仪测量不同时间点光圈直径的变化，单晶炉可以判断籽晶是否符合熔接的预设条件。本发明所述单晶炉，采用测温仪和测径仪自动控温、自动判断熔接条件，可以有效避免人为因素的参与导致籽晶熔接时熔接温度与籽晶下降距离不一致的问题，从而可以大大提高单晶硅棒等径成功率。

进一步地，所述测径仪22在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，通过测温仪21指示单晶炉调整所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶23下降第三预设距离；再次通过测径仪22指示单晶炉判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

进一步地，所述测径仪22具体用于获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径；所述测径仪22具体指示单晶炉判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值。

进一步地，所述光圈的直径变化情况符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值；所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

进一步地，所述第一预设温度为：1380℃至1410℃；所述第二预设温度为：1430℃至1460℃；所述第一预设距离为：5mm至10mm；所述第二预设距离为：6mm至12mm。

进一步地，所述第三预设温度为：2℃至5℃；所述第三预设距离为：1mm至3mm。

本实施例的单晶炉，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，再次不在赘述。

图3为本发明实施例三籽晶熔接装置示意图，如图3所示，本发明提供的籽晶熔接装置03，包括：

处理模块31，用于检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

处理模块31还用于检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

判断模块32，用于获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

判断模块32，还用于在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

进一步地，所述处理模块31，还用于在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离。

所述判断模块32，还用于再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

进一步地，所述判断模块32，具体用于在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值。

进一步地，所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

进一步地，所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

进一步地，所述处理模块31，具体用于通过设置在单晶炉上的测温仪检测所述液面温度；

所述处理模块31，具体用于通过设置在所述单晶炉上的测径仪获取所述籽晶周围光圈的直径。

进一步地，所述第一预设温度为：1380℃至1410℃；所述第二预设温度为：1430℃至1460℃；所述第一预设距离为：5mm至10mm；所述第二预设距离为：6mm至12mm。

进一步地，所述第三预设温度为：2℃至5℃；所述第三预设距离为：1mm至3mm。

本实施例装置，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，再次不在赘述。

图4为本发明实施例四籽晶熔接设备示意图，如图4所示，本发明实施例提供的籽晶熔接设备04，包括：接口41、总线42、存储器43与处理器44，所述接口41、存储器43与处理器44通过所述总线42相连接，所述存储器43用于存储可执行程序，所述处理器44被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

进一步地，所述处理器44被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；

再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

进一步地，所述处理器44被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：

获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径；

判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值。

进一步地，所述光圈的直径变化情况符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值；

所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

进一步地，所述处理器44被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：

通过设置在单晶炉上的测温仪检测所述液面温度；

所述处理器44被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：

通过设置在所述单晶炉上的测径仪获取所述籽晶周围光圈的直径。

进一步地，所述第一预设温度为：1380℃至1410℃；所述第二预设温度为：1430℃至1460℃；所述第一预设距离为：5mm至10mm；所述第二预设距离为：6mm至12mm。

进一步地，所述第三预设温度为：2℃至5℃；所述第三预设距离为：1mm至3mm。

本实施例设备，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，再次不在赘述。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明可采用硬件实施例、软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、装置（设备）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方杠的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

上述实施方式及实施例旨在举例说明本发明可为本领域专业技术人员实现或使用，对上述实施方式进行修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，故本发明包括但不限于上述实施方式，任何符合本权利要求书或说明书描述，符合与本文所公开的原理和新颖性、创造性特点的方法、工艺、产品，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种籽晶熔接方法，其特征在于，包括：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；

再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件，包括：

获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径；

判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述光圈的直径变化情况符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值小于所述预设阈值；

所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测液面温度，包括：

通过设置在单晶炉上的测温仪检测所述液面温度；

所述获取所述籽晶周围光圈的直径，包括：

通过设置在所述单晶炉上的测径仪获取所述籽晶周围光圈的直径。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为：1380℃至1410℃；所述第二预设温度为：1430℃至1460℃；所述第一预设距离为：5mm至10mm；所述第二预设距离为：6mm至12mm。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三预设温度为：2℃至5℃；所述第三预设距离为：1mm至3mm。

8.一种籽晶熔接设备，其特征在于，包括：接口、总线、存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：

检测液面温度大于或等于第一预设温度时，将籽晶下降到离液面第一预设距离处对籽晶进行加热；所述液面为熔硅液面；

检测液面温度大于或等于第二预设温度时，将籽晶下降第二预设距离并与所述液面接触；

获取所述籽晶周围光圈的直径，判断所述光圈的直径变化情况是否符合预设条件；

在所述光圈的直径变化情况符合预设条件时，保持所述籽晶位置不变进行熔接。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述光圈的直径变化情况未符合预设条件时，将所述液面温度降低第三预设温度，并将所述籽晶下降第三预设距离；

再次判断所述光圈的直径变化是否符合预设条件。

10.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序具体实现如下步骤：

获取两个时间点的所述光圈的直径，得到第一直径及第二直径；

判断所述第一直径及所述第二直径之间的差值是否小于预设阈值；

所述光圈的直径变化情况未符合预设条件为：在所述两个时间点的所述光圈的所述第一直径及所述第二直径之间的差值大于或等于所述预设阈值。