CN109473644A - 一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法,属于锂离子电池材料与纳米制备技术领域,制备的负极材料具有优异的稳定性和完整性。本发明利用ALD技术精确控制厚度的优势,交替生长活性氧化物纳米薄膜和保护层氧化物纳米薄膜,获得活性氧化物/保护层氧化物纳米叠层结构的锂离子电池负极材料,制备的活性材料同时被上下两层保护层所包裹,纳米叠层之间由化学键连接,具有优异的稳定性和完整性。因此,该类纳米结构能够有效缓解电极材料体积膨胀所引起的粉化效应,有效提高电极材料的循环寿命。
Description
技术领域
本发明属于锂离子电池材料与纳米制备技术领域,尤其涉及一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法。
背景技术
锂离子电池由于其较高的能量密度和优良的循环性能等特点,在能量存储领域获得广泛的关注。然而,目前商业使用的石墨负极材料理论容量仅为372mAh/g,无法满足社会日益增长的需求。因此,开发高比容量、循环性能优异的新型电池电极材料显得尤为迫切。因而,高容量的金属氧化物被广泛研究,如氧化锌、氧化锡、氧化镍、氧化钴、氧化锰等,用于可替代石墨的负极材料。在这些材料中,氧化锡、氧化锌等具有较高的理论容量,如ZnO理论容量为978mAh/g,SnO2理论容量为781mAh/g。但是该类材料在充放电循环过程中会产生巨大的体积膨胀,如ZnO具有超过228%的体积膨胀,而SnO2体积膨胀达到300%。因此,在循环过程中会发生颗粒团聚、粉化等现象,导致活性材料与集电极失去接触,从而循环性能较差。针对这一问题,改善该类电极材料性能有效的方法是构建纳米结构和采用表面包覆修饰。
原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)是一种正在蓬勃发展中的新型材料沉积技术,具有表面反应具有自限制和自饱和的特点,因此ALD技术具备一系列独具特色的优点,例如优异的三维共形性和大面积的均匀性,简单精确的膜厚控制(仅与反应循环次数有关),特别适合复杂表面形貌的沉积,因此在纳米结构和修饰改性制备方面具有突出的优势。ALD技术已被广泛用于制备和修饰锂离子电池中的正极材料、负极材料和固态电解质。纳米叠层结构由不同纳米级别薄膜相互重叠形成的一种薄膜结构,ALD技术由于其精确的膜厚控制 在制备纳米叠层方面具有得天独厚的优势。
发明内容
本发明提供了一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法,应用ALD技术直接在集流极上交替沉积活性氧化物和保护层氧化物的纳米薄膜,形成纳米叠层结构的锂离子电池负极,制备的负极材料具有优异的稳定性和完整性,能够有效缓解电极材料体积膨胀所引起的粉化效应,有效提高电极材料的循环寿命。
为实现以上目的,本发明采用以下技术方案:
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料,包括:集流极上为活性氧化物/保护层氧化物的纳米叠层结构,保护层氧化物位于活性氧化物之上。
以上所述电池材料结构中,所述集流极为铜箔、不锈钢片、碳布或泡沫铜导电集流极,所述单层活性氧化物的厚度为1-20纳米,所述单层保护层氧化物薄膜厚度为1-5纳米,电极材料总厚度为50-500纳米;所述活性氧化物为高容量、体积膨胀较大的氧化物薄膜SnO2、ZnO、Fe2O3或Co3O4,所述保护层氧化物为体积膨胀较小的氧化物薄膜TiO2、无电化学活性的氧化物薄膜Al2O3、HfO2、ZrO2或La2O3。
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)衬底的准备:选用铜箔、不锈钢片、碳布、泡沫铜等导电集流极作为衬底,使用有机溶剂和去离子水超声清洗干净;
(2)沉积活性氧化物薄膜:将步骤(1)中处理后的衬底转移至ALD沉积腔中,沉积1-20纳米活性氧化物薄膜;
(3)沉积保护层氧化物薄膜:在步骤(2)所述活性氧化物薄膜上通过ALD沉积1-5纳米保护层氧化物薄膜;
(4)重复进行步骤(2)和(3),直至样品总厚度达到50-500纳米。
以上所述步骤中,步骤(2)和步骤(3)所述ALD沉积参数如下:
反应室温度:100℃~300℃;
脉冲和清洗时间:前驱体脉冲为0.1~5s;每次源脉冲之后,都紧接着用高纯氮气清洗4~15s,冲掉反应副产物和残留的反应源。
本发明的有益效果:本发明公开了一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料及其制备方法,应用ALD技术直接在集流极上交替沉积活性氧化物和保护层氧化物的纳米薄膜,形成纳米叠层结构的锂离子电池负极,制备具有超长循环寿命的锂离子电池负极材料,得到的负极材料结构具有如下的特点:(1)活性材料的厚度可调控至纳米甚至亚纳米级别;(2)活性材料将同时被上下两层保护层所包裹;(3)ALD制备的纳米叠层之间由化学键连接,具有优异的稳定性和完整性。因此,该类纳米结构能够有效缓解电极材料体积膨胀所引起的粉化效应,有效提高电极材料的循环寿命;(4)所形成的纳米叠层电极可直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂。
附图说明
图1为纳米叠层的结构示意图;
图2(a)纯ZnO和(b)ZnO/TiO2纳米叠层的扫描电镜(SEM)照片,(c-e)ZnO/TiO2纳米叠层的能量色散谱(EDS)元素面扫描结果;
图3为ZnO/TiO2纳米叠层的x射线光电子谱(XPS),其中,(a)为全谱、(b)为Zn 2p、(c)为Ti 2p、(d)为O 1s图谱;
图4为ZnO薄膜和ZnO/TiO2纳米叠层的循环性能和库伦效率;
图5为100循环后(a)ZnO薄膜和(b)ZnO/TiO2纳米叠层的SEM照片;
图6为ZnO/TiO2纳米叠层的超长循环性能和倍率性能;
图7为ZnO薄膜和ZnO/TiO2纳米叠层的循环性能。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明:
实施例1
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将铜箔用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水分别超声清洗5分钟;
(2)将步骤(1)中处理后的铜箔转移至ALD沉积腔中,沉积5纳米ZnO薄膜;
ALD沉积ZnO薄膜的参数为:
反应腔温度:130℃;
反应源:使用二乙基锌(DEZ,Zn(CH2CH3)2)和去离子水,源温均为室温;
脉冲和清洗时间:DEZ和水的脉冲均为0.3s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗6s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(3)在上述步骤(2)的基础上沉积1纳米TiO2保护层氧化物薄膜;
ALD沉积TiO2薄膜的参数为:
反应腔温度:130℃;
反应源:使用四氯化钛(TiCl4)和去离子水,源温均为室温;
脉冲和清洗时间:TiCl4和水的脉冲均为0.3s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗6s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(4)重复步骤(2)和(3)20次,直至样品总厚度达到120纳米,该纳米叠层可标记为(5nm ZnO-1nm TiO2)*20。
负极材料的性能表征:
图2SEM形貌表征显示TiO2薄膜的引入使得ZnO薄膜的晶界变大,此外,EDS和XPS成分分析显示薄膜中同时存在Ti、Zn元素,如图2和图3所示,证实获得了ZnO/TiO2纳米叠层叠层。
将ZnO/TiO2纳米叠层直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂,与金属锂片组成半电池。如图4电池循环性能所示,ZnO/TiO2纳米叠层的稳定性和库伦效率要远高于单纯的ZnO薄膜。图5SEM图显示ZnO/TiO2纳米叠层在循环后能保持原有的结构,而ZnO薄膜则发生了明显的粉化现象。此外,ZnO/TiO2纳米叠层电极还具有超长的循环稳定性(1200循环)和优异的倍率性能,如图6所示。
实施例2
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将不锈钢片用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水分别超声清洗5分钟;
(2)将步骤(1)中不锈钢片转移至ALD沉积腔中,沉积20纳米ZnO薄膜;
ALD沉积ZnO薄膜的参数为:
反应腔温度:200℃;
反应源:使用二乙基锌(DEZ)和去离子水,源温均为室温;
脉冲和清洗时间:DEZ和水的脉冲均为0.2s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗5s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(3)在步骤(2)所述的ZnO薄膜上沉积4纳米TiO2保护层氧化物薄膜;
ALD沉积TiO2薄膜的参数为:
反应腔温度:200℃;
反应源:使用TiCl4和去离子水,源温均为室温;
脉冲和清洗时间:TiCl4和水的脉冲均为0.2s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗5s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(4)重复步骤(2)和(3)6次,直至样品总厚度达到144纳米,该纳米叠层可标记为(20nm ZnO-4nm TiO2)*6。
将ZnO/TiO2纳米叠层直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂,与金属锂片组成半电池,如图7电池循环性能所示,ZnO/TiO2纳米叠层的稳定性要明显好于单纯的ZnO薄膜。
实施例3
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将碳布用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水分别超声清洗5分钟;随后用浓硝酸浸泡处理12小时,随后用去离子水淋洗干净,并烘干;
(2)将步骤(1)所述的处理后的碳布转移至ALD沉积腔中,沉积8纳米SnO2薄膜;
ALD沉积SnO2薄膜的参数为:
反应腔温度:250℃;
反应源:使用四二甲氨基锡(TDMA-Sn)和去离子水,TDMA-Sn源温55℃,去离子水为室温;
脉冲和清洗时间:TDMA-Sn和水的脉冲均为0.5s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗10s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(3)在步骤(2)所述的SnO2薄膜上沉积2纳米Al2O3保护层氧化物薄膜;
ALD沉积Al2O3薄膜的参数为:
反应腔温度:250℃;
反应源:使用三甲基铝(TMA)和去离子水,源温均为室温;
脉冲和清洗时间:TMA和水的脉冲均为0.5s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗10s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(4)重复步骤(2)和(3)50次,直至样品总厚度达到500纳米,该纳米叠层可标记为(8nm SnO2-2nm Al2O3)*50。
将SnO2/Al2O3纳米叠层直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂。
实施例4
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将泡沫铜用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水分别超声清洗5分钟,随后用20%盐酸溶液处理10分钟,随后用去离子水淋洗干净,并烘干;
(2)将步骤(1)中处理过的泡沫铜转移至ALD沉积腔中,沉积6纳米Fe2O3薄膜;
ALD沉积Fe2O3薄膜的参数为:
反应腔温度:300℃;
反应源:使用二茂铁(FeCp2)和臭氧,FeCp2源温45℃;
脉冲和清洗时间:FeCp2脉冲为3s,臭氧脉冲为5s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗15s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(3)在步骤(2)所述的Fe2O3薄膜上沉积2纳米HfO2保护层氧化物薄膜;
ALD沉积HfO2薄膜的参数为:
反应腔温度:300℃;
反应源:使用四甲乙氨基铪(TEMAH)和去离子水,TEMAH源温为150℃,去离子水源温为室温;
脉冲和清洗时间:TMA和水的脉冲均为1s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗8s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(4)重复步骤(2)和(3)50次,直至样品总厚度达到400纳米,该纳米叠层可标记为(6nm Fe2O3-2nm HfO2)*50。
将Fe2O3/HfO2纳米叠层直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂。
实施例5
一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将铜箔用丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水分别超声清洗5分钟;
(2)将步骤(1)处理后的铜箔转移至ALD沉积腔中,沉积1纳米Co3O4薄膜;
ALD沉积Co3O4薄膜的参数为:
反应腔温度:300℃;
反应源:使用二羰基环戊二烯基钴(CoCp(CO)2)和臭氧,CoCp(CO)2源温45℃;
脉冲和清洗时间:CoCp(CO)2脉冲为2s,臭氧为5s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗10s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(3)在步骤(2)所述的Co3O4薄膜上沉积1纳米ZrO2保护层氧化物薄膜;
ALD沉积ZrO2薄膜的参数为:
反应腔温度:300℃;
反应源:使用四甲乙氨基锆(TEMAZr)和去离子水,TEMAZr源温为150℃,去离子水源温为室温;
脉冲和清洗时间:TEMAZr和水的脉冲均为2s,每次脉冲之后使用高纯氮气清洗6s,冲掉反应副产物和残留的反应源;
(4)重复步骤(2)和(3)100次,直至样品总厚度达到200纳米,该纳米叠层可标记为(1nm Co3O4-1nm ZrO2)*100。
将Co3O4/ZrO2纳米叠层直接用作锂离子负极材料使用,无须添加导电剂和粘合剂。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料,其特征在于,包括:集流极上为活性氧化物/保护层氧化物的纳米叠层结构,保护层氧化物位于活性氧化物之上。
2.根据权利要求1所述的纳米叠层结构锂离子电池负极材料,其特征在于,所述负极材料总厚度为50-500纳米。
3.根据权利要求1或2所述的纳米叠层结构锂离子电池负极材料,其特征在于,所述单层活性氧化物的厚度为1-20纳米,所述单层保护层氧化物薄膜厚度为1-5纳米。
4.根据权利要求3所述的纳米叠层结构锂离子电池负极材料,其特征在于,所述活性氧化物为循环过程中体积膨胀较大的SnO2、ZnO、Fe2O3或Co3O4;所述保护层氧化物为循环过程中体积膨胀较小的TiO2,或者无电化学活性的Al2O3、HfO2、ZrO2或La2O3。
5.根据权利要求1所述的纳米叠层结构锂离子电池负极材料,其特征在于,所述集流极为铜箔、不锈钢片、碳布或泡沫铜导电集流极。
6.一种纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)衬底的准备:选用铜箔、不锈钢片、碳布、泡沫铜等导电集流极作为衬底,使用有机溶剂和去离子水超声清洗干净;
(2)沉积活性氧化物薄膜:将步骤(1)中处理后的衬底转移至ALD沉积腔中,沉积1-20纳米活性氧化物薄膜;
(3)沉积保护层氧化物薄膜:在步骤(2)所述活性氧化物薄膜上沉积1-5纳米保护层氧化物薄膜;
(4)重复进行步骤(2)和(3),直至样品总厚度达到50-500纳米。
7.根据权利要求6所述的纳米叠层结构锂离子电池负极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(3)所述ALD沉积参数如下:
反应室温度:100℃~300℃;
脉冲和清洗时间:前驱体脉冲为0.1~5s;每次源脉冲之后,都紧接着用高纯氮气清洗4~15s,冲掉反应副产物和残留的反应源。
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