CN109467459A - 一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用 - Google Patents

一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用。该釉料由以下组分组成：SiO2、Al2O3、Sb2O3、K2O、Na2O、ZrO2、ZnO、CaO、MgO和助色剂。本发明通过Sb2O3与釉料中的其他成分的相互作用，成功制备出具有抗静电作用的渗花釉料，同时发明人意外发现Sb2O3有助于渗花墨水在陶坯中的渗透，使得制备得到的渗花陶瓷颜色较为鲜艳、图案立体感较强、视觉效果更优异。

Description

一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用
技术领域
本发明涉及陶瓷技术领域，尤其涉及一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用。
背景技术
陶瓷渗花技术是近几年发展的新技术，利用呈色较强的可溶性色料，经过适当的工艺处理、通过丝网印刷工艺，将预先设计好的图案印刷到瓷质砖坯体上，依靠坯体对渗花釉的吸附和助渗剂对坯体的润湿作用渗入到坯体内部，烧成抛光后呈现色彩或花纹的陶瓷砖。
CN107777886A公开了以50～70％钾长石、10～20％钠长石、6～10％水洗高岭土、8～12％煅烧高岭土、10～15％％石英、1～3％煅烧滑石、3～6％纳米二氧化硅、0.1～0.3％纳米二氧化钛为组分的喷墨渗透陶瓷釉料；CN106587628A公开了以30-36份水、2.0-10份发色剂/着色剂、5-20份基本釉料、1-5份助色剂、0.1-1份润湿分散剂、0.1-0.5份增稠剂为组分的渗花抛光砖釉料，并且还公开了发色剂/着色剂为过渡金属化合物的水性配合物，基本釉料的主要成分为三氧化二硼、二氧化硅、三氧化二铝、氧化铅、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化钙、氧化镁、氧化锌、氧化钡、无氧化二磷、二氧化钛、二氧化锆中的至少一种。
然而，现有的渗花釉料制备的渗花砖或渗花陶瓷不具有抗静电的作用，限制的其应用领域，因而，有必要提供一种具备抗静电作用的渗花釉料，以满足市场需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗静电渗花陶瓷及其应用。
本发明所采取的技术方案是：
本发明的目的之一在于提供一种抗静电渗花陶瓷釉料，所述釉料由以下质量份数的组分组成：40～60份SiO2、10～20份Al2O3、0.5～10份Sb2O3、1～5份K2O、0.5～2份Na2O、2～8份ZrO2、0.1～1份ZnO、2～8份CaO、3～5份MgO和0.5～3份助色剂。
优选地，上述釉料的组分为：45～55份SiO2、12～15份Al2O3、1～8份Sb2O3、1～3份K2O、0.5～1份Na2O、3～5份ZrO2、0.1～0.5份ZnO、3～5份CaO、3～4份MgO和0.5～2份助色剂。
更优选地，上述釉料的组分为：50份SiO2、13份Al2O3、3份Sb2O3、2份K2O、0.8份Na2O、3.5份ZrO2、0.3份ZnO、3.5份CaO、4份MgO和1.5份助色剂。
优选地，上述助色剂为超细二氧化硅，所述超细二氧化硅的原生粒径≤500nm，比表面积≥10m2/g。
更优选地，上述超细化二氧化硅的原生粒径介于10nm～80nm之间，比表面积介于10m2/g～100m2/g。
本发明的另一目的在于提供一种抗静电陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、烧制、抛光，得抗静电渗花陶瓷，
其中，步骤1)中所述的釉料为上述所述的釉料。
优选地：上述步骤1)中布施釉料的厚度为0.2～0.4mm。
优选地，上述步骤2)中的烧制温度为1050～1400℃，烧制时间为0.5～3h。
更优选地，上述骤2)中的烧制温度为1100～1200℃。烧制温度为0.5～2h。
本发明还提供了一种抗静电陶瓷，所述的陶瓷中包含釉层，所述釉层由上述所述的抗静电渗花釉料形成；或按上述所述的制备方法制备得到。
本发明的有益效果是：
本发明通过Sb2O3与釉料中的其他成分的相互作用，成功制备出具有抗静电作用的渗花釉料，同时发明人意外发现Sb2O3有助于渗花墨水在陶坯中的渗透，使得制备得到的渗花陶瓷颜色较为鲜艳、图案立体感较强、视觉效果更优异。
具体实施方式
下面进一步列举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域技术人员根据本发明阐述的原理做出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适范围内的选择，而并非要限定于下文示例的具体数据。
实施例1
一种抗静电渗花陶瓷釉料，有以下质量份数的组分组成：
40份SiO2、10份Al2O3、0.5份Sb2O3、1份K2O、0.5份Na2O、2份ZrO2、0.2份ZnO、2.5份CaO、3.2份MgO和0.5份助色剂。
一种抗静电渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，使得釉料的厚度为0.2mm，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、在1000℃下烧制1h、抛光，得抗静电渗花陶瓷。
经测试，该抗静电渗花陶瓷的表面电阻1.2×109Ω，该渗花陶瓷的颜色鲜艳，立体效果良好，视觉效果好。
实施例2
一种抗静电渗花陶瓷釉料，有以下质量份数的组分组成：
58份SiO2、18份Al2O3、8.5份Sb2O3、5份K2O、1.8份Na2O、7.2份ZrO2、0.85份ZnO、8份CaO、5份MgO和2.8份助色剂。
一种抗静电渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，使得釉料的厚度为0.2mm，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、在1350℃下烧制2.5h、抛光，得抗静电渗花陶瓷。
经测试，该抗静电渗花陶瓷的表面电阻2×109Ω，该渗花陶瓷的颜色鲜艳，图案立体感较优，视觉效果好。
实施例3
一种抗静电渗花陶瓷釉料，有以下质量份数的组分组成：
50份SiO2、13份Al2O3、3份Sb2O3、2份K2O、0.8份Na2O、3.5份ZrO2、0.3份ZnO、3.5份CaO、4份MgO和1.5份助色剂。
一种抗静电渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，使得釉料的厚度为0.2mm，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、在1150℃下烧制2h、抛光，得抗静电渗花陶瓷。
经测试，该抗静电渗花陶瓷的表面电阻1.5×108Ω，该渗花陶瓷的颜色鲜艳，图案立体感优异，视觉效果佳。
对比例1
一种渗花陶瓷釉料，有以下质量份数的组分组成：
52份SiO2、14份Al2O3、2份K2O、0.8份Na2O、3.5份ZrO2、0.3份ZnO、3.5份CaO、4份MgO和1.5份助色剂。
一种渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，使得釉料的厚度为0.2mm，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、在1150℃下烧制2h、抛光，得渗花陶瓷。
经测试，该抗静电渗花陶瓷的表面电阻1.5×1011Ω，该渗花陶瓷的颜色较暗，图案立体感较弱，视觉效果较差。

Claims (10)

1.一种抗静电渗花陶瓷釉料，其特征在于：所述釉料由以下质量份数的组分组成：40～60份SiO2、10～20份Al2O3、0.5～10份Sb2O3、1～5份K2O、0.5～2份Na2O、2～8份ZrO2、0.1～1份ZnO、2～8份CaO、3～5份MgO和0.5～3份助色剂。
2.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于：所述釉料的组分为：45～55份SiO2、12～15份Al2O3、1～8份Sb2O3、1～3份K2O、0.5～1份Na2O、3～5份ZrO2、0.1～0.5份ZnO、3～5份CaO、3～4份MgO和0.5～2份助色剂。
3.根据权利要求2所述的釉料，其特征在于：所述釉料的组分为：50份SiO2、13份Al2O3、3份Sb2O3、2份K2O、0.8份Na2O、3.5份ZrO2、0.3份ZnO、3.5份CaO、4份MgO和1.5份助色剂。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的釉料，其特征在于：所述助色剂为超细二氧化硅，所述超细二氧化硅的原生粒径≤500nm，比表面积≥10m2/g。
5.根据权利要求4所述的釉料，其特征在于：所述超细化二氧化硅的原生粒径介于10nm～80nm之间，比表面积介于10m2/g～100m2/g。
6.一种抗静电渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
1)在胚体上布施釉料，得陶坯；
2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、烧制、抛光，得抗静电渗花陶瓷，其中，步骤1)中所述的釉料为权利要求1～5任意一项所述的釉料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中布施釉料的厚度为0.2～0.4mm。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的烧制温度为1050～1400℃，烧制时间为0.5～3h。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述骤2)中的烧制温度为1100～1200℃。烧制温度为0.5～2h。
10.一种抗静电渗花陶瓷，其特征在于：所述陶瓷中包含釉层，所述釉层由权利要求1～5任意一项权利要求所述的抗静电渗花釉料形成；或按权利要求6～8任意一项权利要求所述的制备方法制备得到。
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