CN109461806A - 一种共晶led的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：S1涂覆共晶焊料；S2一次焊接；S3点助焊剂；S4安装LED；S5二次焊接。本发明提供的共晶LED的制造方法，通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落，排空共晶焊料位内部的所有空气，减小空洞率，通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙，进一步减小空洞率，提供LED的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED封装技术领域，尤其涉及一种共晶LED芯片的制造方法。
背景技术
现有LED的共晶安装过程一般均包括在基板上涂覆共晶焊料、固晶以及焊接等步骤，其中，固晶前，共晶焊料呈球状涂敷于基板上，固晶时，LED芯片会压迫共晶焊料，导致共晶焊料溢出，仅留下焊盘腔体内部的共晶焊料实现导电，然而，由于共晶焊料为共晶粉末加助焊剂混合形成膏体材料，共晶焊料在达到共晶点温度时，共晶焊料熔化浸润晶片与支架焊盘，熔化的共晶焊料颗粒在表面张力的作用下凝聚在一起，排出共晶焊料内部的空气和助焊剂，焊盘腔体内的共晶焊料体积缩小，无法填满整个腔体而造成空洞。
由于LED芯片的电及位置再晶片底部，晶片四周为蓝宝石材料，只有阻焊特性，溢出的共晶焊料熔化后，由于无法浸润蓝宝石而变成锡珠留在LED芯片的四周。
如此一来，LED芯片与焊盘之间，通过具有空洞的共晶焊料实现电连接，连接的稳定性差，导电的电阻大，不能满足市场需求，因此有必要提出一种新型的制造方法，解决以上问题。
本发明提出一种共晶LED的制造方法，在共晶前对共晶焊料进行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种共晶LED的制造方法，在共晶前对共晶焊料进行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。
为了解决上述技术问题，本发明提出一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料：将共晶焊料涂覆于基板上，得到待焊基板；
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板；
S3点助焊剂：将助焊剂涂覆于共晶焊料的上，得到待安装LED的基板；
S4安装LED：将LED芯片安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED；
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片与共晶焊料之间排出，得到成型的LED。
优选地，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。
优选地，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
优选地，包括：在S5步骤中，二次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。
优选地，在S5步骤中，二次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
优选地，在S1步骤中，所述待焊基板上设有至少一个LED芯片安装位，一个LED芯片安装位包括两个共晶焊料位，分别为第一共晶焊料位和第二共晶焊料位；
共晶焊料位于所述共晶焊料位内部。
优选地，S4步骤中，LED芯片上设有正电极和负电极，所述正电极与位于所述第一共晶焊料位处的共晶焊料相接触，所述负电极与位于所述第二共晶焊料位处的共晶焊料相接触。
优选地，在S1步骤中，采用钢网模板印刷工艺方式，将共晶焊料涂覆于基板上。
优选地，S3步骤中，通过钢网模板印刷工艺或机器点胶的方式，将助焊剂涂覆于共晶焊料的上。
优选地，所述共晶焊料位呈腔体结构。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明提供的共晶LED的制造方法，通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落，排空共晶焊料位内部的所有空气，减小空洞率，通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙，进一步减小空洞率，提供LED的可靠性。
附图说明
图1为本发明共晶LED的制造方法的流程图；
图2为本发明共晶LED的制造方法的制造过程的结构示意图；
图3为本发明共晶LED的制造方法的涂覆共晶焊料的基板的结构示意图；
图4为传统共晶LED的制造方法的流程图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和优选实施例对本发明作进一步的详细说明。
图1给出了本实施例的共晶LED的制造方法流程图，下面结合附图予以具体说明。
如图1至图3所示，一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料1：采用钢网模板印刷工艺，将共晶焊料1涂覆于基板2上，得到待焊基板，其中所述待焊基板上设有至少一个LED芯片安装位21，一个LED芯片安装位包括两个共晶焊料位21，分别为第一共晶焊料位21a和第二共晶焊料位21b，所述共晶焊料位21呈腔体结构，此处，通过钢网模板印刷工艺)将共晶焊料1涂敷于所述共晶焊料位21内部。
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板。
其中，一次焊接的真空压力为4-10pa，具体为5pa、6pa、7pa、8pa或9pa，本实施例中，一次焊接的真空压力为5pa。
一次焊接的温度为220-240℃，具体为：225℃、230℃或235℃，本实施例中，一次焊接的温度为230℃。
一次焊接的时间为9-11s，具体为9.5s、10s或10.5s，本实施例中，一次焊接的时间为10s。
需要说明的是，温度过低或时间过短无法将共晶材料完全熔化，温度过高或时间太久，则会导致基板黄化，降低光源的品质。理论上来说真空度越高则氧化物及气泡的排出效果越好，然而其生产成本也就越高，本实施例取其平衡。将真空度设置在4-10pa的范围内，生产成本在接受的范围内，其氧化物及气泡排出达到最大化。
此处，通过一次焊接，使得共晶焊料1被熔化，被熔化后的共晶焊料1在表面张力的作用下凝聚在一起，由于依次焊接在真空负压的条件下进行，便于熔化的共晶焊料1将共晶焊料位21腔体内的空气和助焊剂排出，并能阻止共晶焊料1内部氧化物的产生，进一步减小焊接的空洞率，保证焊接的稳定性，提高共晶焊接的稳定性。
S3点助焊剂3：为了使得LED芯片4能够顺利安装于固化后的待焊基板上，通过钢网模板印刷工艺或机器点胶的方式，将助焊剂3涂覆于共晶焊料1的上，得到待安装LED的基板。
S4安装LED：将LED芯片4安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED。其中LED芯片4上设有正电极和负电极，所述正电极与位于所述第一共晶焊料位21a处的共晶焊料1相接触，所述负电极与位于所述第二共晶焊料位21b处的共晶焊料1相接触，实现LED芯片4的固定及电连接。
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂3从LED芯片4与共晶焊料1之间排出，得到成型的LED。
其中，二次焊接的真空压力为4-10pa，具体为5pa、6pa、7pa、8pa或9pa，本实施例中，二次焊接的真空压力为5pa。
二次焊接的温度为220-240℃，具体为：225℃、230℃或235℃，本实施例中，二次焊接的温度为230℃。
二次焊接的时间为9-11s，具体为9.5s、10s或10.5s，本实施例中，二次焊接的时间为10s。
需要说明的是，温度过低或时间过短无法将共晶材料完全熔化，温度过高或时间太久，则会导致基板黄化，降低光源的品质。理论上来说真空度越高则氧化物及气泡的排出效果越好，然而其生产成本也就越高，本实施例取其平衡。将真空度设置在4-10pa的范围内，生产成本在接受的范围内，其氧化物及气泡排出达到最大化。
此处，通过二次焊接，使得助焊剂3变成气体会发出去，共晶焊料1被熔化后呈液体状，LED芯片4漂浮于熔化的共晶焊料1表面，且由于表面张力的作用，熔化的共晶焊料1填充于LED芯片4电极和共晶焊料位之间，保证共晶焊料位内部的空气均被排出，进一步减小空洞率，保证焊接的稳定性，提供共晶焊接的稳定性。
通过传统方法制作的LED，共晶焊料内部的空洞的体积占共晶焊料总体积的20％以上，采用本方法制作的LED，共晶焊料内部的空洞的体积占共晶焊料总体积的5％以下，甚至可达3％以下，大大降低了空洞率，提高了共晶LED的稳定性。
对比实施例
如图4所示，图4为本实施例的制造方法流程图，本实施例的制作方法为传统的LED的制造方法，用于与本发明进行对比，包括以下步骤：
S10涂覆共晶焊料：将共晶焊料涂覆于基板上，得到待焊基板。
S20安装LED：将LED芯片安装于待焊基板上，得到待成形LED。其中LED芯片的电极与共晶焊料相接触，实现LED芯片的固定及电连接。
S30焊接：将待成形LED进行焊接，使得助焊剂从LED芯片与共晶焊料之间排出，得到成型的LED。其中，本实施例焊接的温度为230℃，时间为10秒。
经检测，通过该实施方式得到的LED中，空洞体积占共晶焊料的总体积的23％。
实施例一：
一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料1：将共晶焊料1涂覆于基板2上，得到待焊基板。
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板。
其中，一次焊接的真空压力为4pa，温度为220℃，时间为9s。
S3点助焊剂3：为了使得LED芯片能够顺利安装于固化后的待焊基板上，通过钢网模板印刷工艺，将助焊剂涂覆于共晶焊料1的上，得到待安装LED的基板。
S4安装LED：将LED芯片4安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED。其中LED芯片4的电极与共晶焊料1相接触，实现LED芯片4的固定及电连接。
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片4与共晶焊料1之间排出，得到成型的LED。
其中，二次焊接的真空压力为4pa，温度为220℃，时间为9s。
经检测，通过该实施方式得到的LED中，空洞体积占共晶焊料的总体积的2.5％。
实施例二：
一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料1：将共晶焊料1涂覆于基板2上，得到待焊基板。
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板。
其中，一次焊接的真空压力为10pa，温度为240℃，时间为11s。
S3点助焊剂3：为了使得LED芯片4能够顺利安装于固化后的待焊基板上，通过钢网模板印刷工艺，将助焊剂3涂覆于共晶焊料1的上，得到待安装LED的基板。
S4安装LED：将LED芯片4安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED。其中LED芯片4的电极与共晶焊料1相接触，实现LED芯片4的固定及电连接。
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片4与共晶焊料1之间排出，得到成型的LED。
其中，二次焊接的真空压力为10pa，温度为240℃，时间为11s。
经检测，通过该实施方式得到的LED中，空洞体积占共晶焊料的总体积的5％。
实施例三：
一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料1：将共晶焊料1涂覆于基板2上，得到待焊基板。
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板。
其中，一次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
S3点助焊剂3：为了使得LED芯片4能够顺利安装于固化后的待焊基板上，通过钢网模板印刷工艺，将助焊剂3涂覆于共晶焊料1的上，得到待安装LED的基板。
S4安装LED：将LED芯片4安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED。其中LED芯片4的电极与共晶焊料1相接触，实现LED芯片4的固定及电连接。
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片4与共晶焊料1之间排出，得到成型的LED。
其中，二次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
经检测，通过该实施方式得到的LED中，空洞体积占共晶焊料的总体积的3％。
根据上述实施例的结果可以得到，采用真空焊接的方式进行的共晶LED的制造方法，大大降低了空洞率，提高了LED的稳定性。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明提供的共晶LED的制造方法，通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落，排空共晶焊料位内部的所有空气，减小空洞率，通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙，进一步减小空洞率，提供LED的可靠性。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种共晶LED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1涂覆共晶焊料：将共晶焊料涂覆于基板上，得到待焊基板；
S2一次焊接：将步骤S1得到的待焊基板在真空环境中进行一次焊接，得到固化后的待焊基板；
S3点助焊剂：将助焊剂涂覆于共晶焊料的上，得到待安装LED的基板；
S4安装LED：将LED芯片安装于待安装LED的基板上，得到待成形LED；
S5二次焊接：将待成形LED在真空环境下进行二次焊接，使得助焊剂从LED芯片与共晶焊料之间排出，得到成型的LED。
2.根据权利要求1所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。
3.根据权利要求1或2所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，在S2步骤中，一次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
4.根据权利要求1所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，包括：在S5步骤中，二次焊接的真空压力为4-6pa，温度为220-240℃，时间为9-11s。
5.根据权利要求1或4所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，在S5步骤中，二次焊接的真空压力为5pa，温度为230℃，时间为10s。
6.根据权利要求1所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，在S1步骤中，所述待焊基板上设有至少一个LED芯片安装位，一个LED芯片安装位包括两个共晶焊料位，分别为第一共晶焊料位和第二共晶焊料位；
共晶焊料位于所述共晶焊料位内部。
7.根据权利要求6所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，S4步骤中，LED芯片上设有正电极和负电极，所述正电极与位于所述第一共晶焊料位处的共晶焊料相接触，所述负电极与位于所述第二共晶焊料位处的共晶焊料相接触。
8.根据权利要求1所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，在S1步骤中，采用钢网模板印刷工艺方式，将共晶焊料涂覆于基板上。
9.根据权利要求1所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，S3步骤中，通过钢网模板印刷工艺或机器点胶的方式，将助焊剂涂覆于共晶焊料的上。
10.根据权利要6所述的共晶LED的制造方法，其特征在于，所述共晶焊料位呈腔体结构。
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