CN102000893A - 一种led晶体微焊共晶方法 - Google Patents

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Abstract

一种LED晶体微焊共晶方法，该方法步骤依次焊料涂布、助焊剂清除、真空蒸镀金保护层、共晶。与现有技术相比，采用本发明方法生产的LED灯具具有如下优点：1.具有高导电、高导热性能；2.设置了保护层，具有较高的抗氧化性能；3.具有较高的抗热冲击性；4.焊料渗透性(湿润性)良好；5.便于采用自动化设备作业，工作效率高，无需专用设备对成品进行检测。

Description

一种LED晶体微焊共晶方法
技术领域
本发明属于LED制作技术领域，具体地说是一种LED晶体微焊共晶方法。
背景技术
现有的LED晶体共晶过程中，一般是使用约3um~25um的金锡钎焊片，然后加热至300摄氏度使金锡合金融化将LED晶体焊接于固定支架上。另一方法是使用有助焊剂的锡金焊膏直接加热焊接晶片。实际使用中，该两种方法存在如下缺点：1.因LED晶体与支架接触表面粗糙度不一致，间接接触面积太少，在加热时也容易造成锡金氧化，形成假焊，造成导热不良；2.使用锡金焊膏时，助焊剂涂布不均匀或者助焊剂没有挥发赶紧残留于支架表面，也会形成假焊或导热不良；3.LED晶体固定后无法用普通显微镜检测芯片与之间间是否紧密焊接，只能用价格昂贵的X光设备用非破坏的方式检测，检测非常不便。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种导热性能好、抗氧化性高的LED晶体微焊共晶方法。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案实现：
一种LED晶体微焊共晶方法，该方法步骤为：
1)、焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED晶体共晶位置上；
2)、助焊剂清除，在加热状态下，用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂；
3)、镀保护层，在加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在的焊料上镀金保护层。
其中，所述的保护层为金镀层，厚度约为0.1um~0.3um。
其中，所述的固定支架材料为氧化铝或硅或氮化铝或氮化硅或碳化硅。
其中，加热的方式为直接加热或超声波加热或点焊方式加热，加热温度为300±10摄氏度。
其中，加热时为氮气或氮氢混合气体或真空环境。
与现有技术相比，采用本发明方法生产的LED灯具具有如下优点：
1.具有高导电、高导热性能；
2.设置了保护层，具有较高的抗氧化性能；
3.具有较高的抗热冲击性；
4.焊料渗透性(湿润性)良好；
5.便于采用自动化设备作业，工作效率高，无需专用设备对成品进行检测。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面将结合具体实施例对本发明结构原理作进一步详细描叙：
本发明实施例揭示的LED晶体微焊共晶方法采用如下步骤实现：
首先，焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通过助焊剂加热至300±10摄氏度使焊料融化填充于支架LED晶体共晶位置；然后，在该加热状态下实施助焊剂清除，采用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂，将助焊剂从融化的焊料上清除掉；最后镀保护层，同样在该加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在融化的焊料上镀保护层，保护焊接部位不会直接暴露于外界空气中氧化。共晶时，再使用超声波或直接电加热微焊晶片。
本实施例中，保护层为金。
本实施例中，固定支架材料为氧化铝。此外，该固定支架材料也可以为氧化铝或硅或氮化铝或氮化硅。
本实施例中，加热的方式为直接家人。此外，该加热方式也可以为超声波加热或点焊方式加热。
本实施例中，加热时为氮气环境。此外，也可以为氮氢混合气体或真空环境。
本发明保证了LED晶体热量高效、迅速地传导散失，减少对LED晶体的损害，延长LED晶体的使用寿命。在本公司采用自动化设备批量实验来看，合格率已经可稳定在98％以上。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种LED晶体微焊共晶方法，其特征在于，该方法步骤为：
1)、焊料涂布，将膏状锡金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶体位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；
2)、助焊剂清除，在加热状态下，用纯水或皂化剂清洗清除助焊剂；
3)、镀保护层，在加热状态下，在氮气或氮氢混合气体或真空环境中在融化的焊料上镀保护层；
4)、加热方法，程序。
2.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于：所述的保护层为金。
3.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于：所述的固定支架材料为氧化铝或硅或氮化铝或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于：加热的方式为直接加热或超声波加热或点焊方式加热，加热温度为300±10摄氏度。
5.根据权利要求1所述的LED晶体微焊共晶方法，其特征在于：加热时为氮气或氮氢混合气体或真空环境。
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