CN109449311A - 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用 - Google Patents

一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN109449311A
CN109449311A CN201811069900.6A CN201811069900A CN109449311A CN 109449311 A CN109449311 A CN 109449311A CN 201811069900 A CN201811069900 A CN 201811069900A CN 109449311 A CN109449311 A CN 109449311A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
solution
perovskite
perovskite thin
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811069900.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109449311B (zh
Inventor
彭俊彪
黄国辉
谢淦澂
邹建华
王娟红
江从彪
麦超晃
王坚
曹镛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201811069900.6A priority Critical patent/CN109449311B/zh
Publication of CN109449311A publication Critical patent/CN109449311A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109449311B publication Critical patent/CN109449311B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明属于钙钛矿的技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。方法：1)采用有机溶剂将PbI2配成溶液，获得PbI2溶液；2)将碘化铯、甲脒氢碘酸盐与1‑萘甲基碘化铵加入PbI2溶液，搅拌，获得钙钛矿前驱体溶液；3)采用有机溶剂将聚环氧乙烷配成溶液，获得聚环氧乙烷溶液；将钙钛矿前驱体溶液与聚环氧乙烷溶液混合，成膜，获得钙钛矿薄膜。本发明的方法简单，制备的钙钛矿薄膜中钙钛矿α相多，晶粒尺寸小，具有较高薄膜覆盖率和规整度，在发光器件中具有具有优异地光学特性。所述钙钛矿薄膜用于发光器件。

Description

一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用
技术领域
本发明属于钙钛矿的技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法及与在发光器件中的应用。
背景技术
近几年，钙钛矿在太阳电池领域取得了较好的成绩，功率转换效率(PCE)超过了22％；而钙钛矿材料可通过调节卤素的比例来调节钙钛矿的能隙，进而得到不同波长的发射光，这些发射光的色纯度高、电致发光半峰宽窄，其在发光器件方面的研究也是热门的研究领域。这其中，钙钛矿薄膜的制备最为关键，在制备钙钛矿薄膜的过程中，一步旋涂法由于简便、易操作被研究者广泛使用。
在红光方面，现阶段主要有两类钙钛矿材料，一类是有机无机杂化钙钛矿材料，即APbI3(A＝CH3NH3，HC(NH2)2)类型材料，由于在一步旋涂过程中，晶粒生产较快，尺寸较大，激子结合能较小，激子辐射复合效率低，导致发光器件性能较低。另一类全无机钙钛矿材料(CsPbI3)的热稳定性好，但铯离子半径小，钙钛矿晶格容忍因子偏离1，晶体堆砌不完整，导致发光器件的激子瞬态寿命减小，降低了发光器件的性能。
另外，含碘钙钛矿材料存在两种晶相：α相和δ相，其中δ相不具有光学活性。在钙钛矿成膜过程中，我们需要抑制不具有光学活性δ相的产生。
综上所述，通过一步旋涂法制备光学特性优良的CsxFA1-xPbI3钙钛矿薄膜，需要同时考虑CsxFA1-xPbI3钙钛矿的晶粒尺寸和晶型。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的目的在于提供一种钙钛矿薄膜(CsxFA1-xPbI3钙钛矿薄膜)及其制备方法。本发明的方法简便，能够通过旋涂法一步制备小尺寸、光学活性相多的钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜具有优异地光学特性。
本发明的另一目的在于提供上述钙钛矿薄膜的应用。所述钙钛矿薄膜在发光器件中的应用，用于制备发光器件。所述发光器件包括上述钙钛矿薄膜；还包括第一电极层，第二电极层，钙钛矿薄膜位于第一电极层和第二电极层之间。
本发明目的通过以下技术方案实现：
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用有机溶剂将PbI2配成溶液，获得PbI2溶液；
(2)将碘化铯(CsI)、甲脒氢碘酸盐(FAI)与1-萘甲基碘化铵(NMAI)加入PbI2溶液，搅拌，获得钙钛矿前驱体溶液；
(3)采用有机溶剂将聚环氧乙烷配成溶液，获得聚环氧乙烷溶液；将钙钛矿前驱体溶液与聚环氧乙烷溶液混合，成膜，获得钙钛矿薄膜。
所述1-萘甲基碘化铵的用量为碘化铯、甲脒氢碘酸盐与1-萘甲基碘化铵总摩尔量的5％～20％；(碘化铯+甲脒氢碘酸盐+1-萘甲基碘化铵)：PbI2的摩尔比为(1.05～1.75):1。
所述碘化铯与甲脒氢碘酸盐的摩尔比为(1～0.8)：(0～0.2)。
所述聚环氧乙烷溶液和CsxFA1-xPbI3钙钛矿前驱体溶液共混的体积比为(0.5～2):(0.5～2)。
所述PbI2溶液浓度为0.2mmol/ml～0.6mmol/mL；所述聚环氧乙烷溶液浓度为4mg/mL～10mg/mL。
步骤(1)和(3)中所述有机溶剂为极性溶剂，具体包括二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、γ-丁内酯(GBL)中一种以上。
步骤(2)中所述搅拌是指在50℃～70℃下搅拌，搅拌时间为4～12h；
步骤(3)中所述混合是指在50℃～70℃下搅拌，搅拌时间为1～4h。
步骤(3)中所述成膜是指采用一步旋涂法旋涂，然后退火处理，获得钙钛矿薄膜；
所述一步旋涂法的条件为旋涂速度为4000rpm～7000rpm，旋涂时间为30s～60s，在旋涂第6s～12s进行反溶剂处理；所述反溶剂为甲苯、氯苯或氯仿中一种以上；
所述热退火处理的温度为60℃～100℃，热退火处理的时间为10min～20min。
相对于现有技术，本发明的钙钛矿薄膜及其制备方法具有如下优点及有益效果：
(1)本发明将聚环氧乙烷(PEO)和1-萘甲基碘化铵(NMAI)作为共掺杂物加入到CsxFA1-xPbI3钙钛矿前驱体溶液中，在制得钙钛矿薄膜中，PEO和NMAI的共同作用促进了钙钛矿α-相的形成和减小了晶粒尺寸，最终得到了晶粒尺寸在18nm～80nm的CsxFA1-xPbI3钙钛矿，同时提高了薄膜的覆盖率及规整性；
(2)本发明制得的CsxFA1-xPbI3钙钛矿薄膜的PL光谱纯，半峰宽为30nm～35nm；
(3)本发明的方法简单，在一步旋涂法下，通过同时掺杂PEO和NMAI就能获得尺寸小、具有光学活性的CsxFA1-xPbI3钙钛矿薄膜。
附图说明
图1是实施例1中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的CsPbI3钙钛矿薄膜的吸收光谱图；
图2是实施例1中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的CsPbI3钙钛矿薄膜的PL光谱图；
图3是实施例1中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的CsPbI3钙钛矿薄膜的SEM电镜照片；
图4是实施例2中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为20％的CsPbI3钙钛矿薄膜的吸收光谱图；
图5是实施例2中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为20％的CsPbI3钙钛矿薄膜的PL光谱图；
图6是实施例2中前驱体摩尔比为(CsI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为20％的CsPbI3钙钛矿薄膜的SEM电镜照片；
图7是实施例3中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为5％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的吸收光谱图；
图8是本发明实施例3中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为5％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的PL光谱图；
图9是实施例3中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为5％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的SEM电镜照片；
图10是实施例4中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的吸收光谱图；
图11是实施例4中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的PL光谱图；
图12是实施例4中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.05:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的SEM电镜照片；
图13是实施例5中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.75:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的吸收光谱图；
图14是实施例5中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.75:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的PL光谱图；
图15是实施例5中前驱体摩尔比为(CsI+FAI+NMAI):PbI2＝1.75:1，NMAI掺杂量为10％的Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的SEM电镜照片；
图16是实施例6中制备的钙钛矿发光器件的J-V-L特性曲线图；
图17是实施例6中制备的钙钛矿发光器件的电流效率曲线图；
图18是实施例6中制备的钙钛矿发光器件的EL光谱图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅加入1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅(PbI2)溶液；
(2)将0.2835mmol(73.65mg)碘化铯(CsI)、0.0315mmol(8.974mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌12h，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷加入2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液进行一步法旋涂，匀胶机转速为6000rpm，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min，获得CsPbI3钙钛矿薄膜。
所得CsPbI3钙钛矿薄膜的特征吸收边在691nm，PL峰在688nm，钙钛矿晶粒的平均尺寸为35nm，其吸收光谱图、PL荧光光谱图和SEM电镜照片见图1、图2和图3。
实施例2
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅于1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅溶液；
(2)将0.2520mmol(65.47mg)碘化铯(CsI)、0.063mmol(17.95mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)并加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌过夜(12h)，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷于2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液进行一步法旋涂，匀胶机转速为6000rpm/min，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min，获得CsPbI3钙钛矿薄膜。
所得CsPbI3钙钛矿薄膜的特征吸收边在689nm，PL峰在686nm，钙钛矿晶粒的平均尺寸为23nm，其吸收光谱图、PL荧光光谱图和SEM电镜照片图见图4、图5和图6。
实施例3
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅于1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅溶液；
(2)将0.2394mmol(62.20mg)碘化铯(CsI)、0.0599mmol(10.29mg)甲脒氢碘酸盐(FAI)、0.0158mmol(4.487mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)并加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌过夜(12h)，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷于2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液进行一步法旋涂，匀胶机转速为6000rpm/min，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min，获得Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜。
所得Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的特征吸收边在714nm，PL峰在713nm，钙钛矿晶粒的平均尺寸为58nm，其吸收光谱图、PL荧光光谱图和SEM电镜照片见图7、图8和图9。
实施例4
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅于1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅溶液；
(2)将0.2268mmol(58.92mg)碘化铯(CsI)、0.0567mmol(9.747mg)甲脒氢碘酸盐(FAI)、0.0315mmol(8.974mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)并加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌过夜(12h)，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷于2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液进行一步法旋涂，匀胶机转速为6000rpm/min，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min，Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜。
所得Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的特征吸收边在705nm，PL峰在697nm，钙钛矿晶粒的平均尺寸为18nm，其吸收光谱图、PL荧光光谱图和SEM电镜照片见图10、图11和图12。
实施例5
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅于1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅溶液；
(2)将0.3780mmol(98.20mg)碘化铯(CsI)、0.0945mmol(16.24mg)甲脒氢碘酸盐(FAI)、0.0525mmol(14.96mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)并加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌过夜(12h)，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷于2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液进行一步法旋涂，匀胶机转速为6000rpm/min，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min，Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜。
所得Cs0.8FA0.2PbI3钙钛矿薄膜的特征吸收边在727nm，PL峰在734nm，钙钛矿晶粒的平均尺寸为80nm，其吸收光谱图、PL荧光光谱图和SEM电镜照片见图13、图14和图15。
实施例6
一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)取0.3mmol(138.3mg)碘化铅于1mL二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,在手套箱内加热50℃使碘化铅溶解，配制成0.3mmol/mL的碘化铅溶液；
(2)将0.324mmol(84.18mg)碘化铯(CsI)、0.081mmol(13.92mg)甲脒氢碘酸盐(FAI)、0.045mmol(12.82mg)1-萘甲基碘化铵(NMAI)并加入碘化铅溶液中，50℃下搅拌过夜(12h)，获得NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液；
(3)将12mg聚环氧乙烷于2mL二甲基甲酰胺溶剂中，在手套箱内加热50℃使聚环氧乙烷溶解，配制成6mg/mL的聚环氧乙烷溶液；
(4)将NMAI掺杂的钙钛矿前驱体溶液和聚环氧乙烷溶液等体积混合，并于50℃下搅拌2h，获得混合溶液；
(5)将混合溶液在发光器件的ITO/PEDOT:PSS上进行旋涂，制备发光器件。
所述发光器件的结构为ITO/PEDOT:PSS/Perovskite(钙钛矿薄膜)/TPBi/Ba/Al，其中，PEDOT：PSS旋涂在经过Plasma处理10min后的ITO片上，170℃退火处理10min；接着在手套箱中旋涂上述制备的混合溶液(步骤(4)制备的混合溶液)，匀胶机转速为6000rpm/min，旋涂时间为50s，在旋涂第8s进行甲苯反溶剂处理，接着将制得的薄膜置于70℃热台退火处理15min；随后分别蒸镀40nm TPBi、4nm Ba和120nm Al。器件的J-V-L特性曲线图、电流效率曲线图和EL光谱图见图16、图17和图18。
本发明的钙钛矿薄膜在制备过程中，甲脒氢碘酸盐的用量为0～0.2，当使用甲脒氢碘酸盐时，甲脒氢碘酸盐的用量优选为0.001～0.2。在CsPbI3体系中掺杂少量离子半径大的FA阳离子，可以使晶格更匹配，能够増加CsPbI3钙钛矿体系的激子瞬态寿命，从而改善发光器件的性能。
本发明采用的聚环氧乙烷(PEO)的分子量优选为600000～1200000。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)采用有机溶剂将PbI2配成溶液，获得PbI2溶液；
(2)将碘化铯、甲脒氢碘酸盐与1-萘甲基碘化铵加入PbI2溶液，搅拌，获得钙钛矿前驱体溶液；
(3)采用有机溶剂将聚环氧乙烷配成溶液，获得聚环氧乙烷溶液；将钙钛矿前驱体溶液与聚环氧乙烷溶液混合，成膜，获得钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述1-萘甲基碘化铵的用量为碘化铯、甲脒氢碘酸盐与1-萘甲基碘化铵总摩尔量的5％～20％；(碘化铯+甲脒氢碘酸盐+1-萘甲基碘化铵)：PbI2的摩尔比为(1.05～1.75):1。
3.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述碘化铯与甲脒氢碘酸盐的摩尔比为(1～0.8)：(0～0.2)。
4.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述钙钛矿前驱体溶液与聚环氧乙烷溶液的体积比为(0.5～2):(0.5～2)。
5.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述PbI2溶液浓度为0.2mmol/ml～0.6mmol/mL；
步骤(3)中所述聚环氧乙烷溶液浓度为4mg/mL～10mg/mL。
6.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)和(3)中所述有机溶剂独自为极性溶剂；
步骤(2)中所述搅拌是指在50℃～70℃下搅拌，搅拌时间为4～12h；
步骤(3)中所述混合是指在50℃～70℃下搅拌，搅拌时间为1～4h。
7.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述成膜是指采用一步旋涂法旋涂，然后退火处理，获得钙钛矿薄膜。
8.根据权利要求7所述钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述一步旋涂法的条件为旋涂速度为4000rpm～7000rpm，旋涂时间为30s～60s，在旋涂第6s～12s进行反溶剂处理；
所述热退火处理的温度为60℃～100℃，热退火处理的时间为10min～20min。
9.一种由权利要求1～8任一项所述制备方法得到的钙钛矿薄膜。
10.根据权利要求9所述钙钛矿薄膜在发光器件中的应用。
CN201811069900.6A 2018-09-13 2018-09-13 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用 Active CN109449311B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811069900.6A CN109449311B (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811069900.6A CN109449311B (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109449311A true CN109449311A (zh) 2019-03-08
CN109449311B CN109449311B (zh) 2020-04-28

Family

ID=65532951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811069900.6A Active CN109449311B (zh) 2018-09-13 2018-09-13 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109449311B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110305660A (zh) * 2019-06-14 2019-10-08 上海大学 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法
CN111244291A (zh) * 2020-01-21 2020-06-05 上海交通大学 一种高性能高稳定的FACs钙钛矿薄膜的制备方法
CN112409402A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 中国科学院大连化学物理研究所 一种超宽光谱钙钛矿白光材料及其制备和应用
CN112812772A (zh) * 2021-01-12 2021-05-18 上海电力大学 Cs/Pb/I钙钛矿材料的制备方法
CN113073377A (zh) * 2020-11-16 2021-07-06 扬州大学 一种零维有机铅碘钙钛矿光电材料的制备方法
CN113422286A (zh) * 2021-06-07 2021-09-21 南京邮电大学 具有三阳离子钙钛矿的激光器
CN113929131A (zh) * 2021-09-28 2022-01-14 桂林理工大学 一种FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107316943A (zh) * 2017-07-14 2017-11-03 合肥工业大学 基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器及其制备方法
CN107620052A (zh) * 2017-09-20 2018-01-23 合肥工业大学 一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法及基于其的光伏器件
US20180090709A1 (en) * 2015-06-19 2018-03-29 Peking University Shenzhen Graduate School Planar electroluminescent devices and uses thereof
CN108054284A (zh) * 2017-12-19 2018-05-18 天津大学 一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法
CN108276989A (zh) * 2018-01-10 2018-07-13 天津大学 一种具有高增益特性的2d钙钛矿量子阱薄膜的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180090709A1 (en) * 2015-06-19 2018-03-29 Peking University Shenzhen Graduate School Planar electroluminescent devices and uses thereof
CN107316943A (zh) * 2017-07-14 2017-11-03 合肥工业大学 基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器及其制备方法
CN107620052A (zh) * 2017-09-20 2018-01-23 合肥工业大学 一种甲脒铯铅碘钙钛矿薄膜的化学气相沉积制备方法及基于其的光伏器件
CN108054284A (zh) * 2017-12-19 2018-05-18 天津大学 一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法
CN108276989A (zh) * 2018-01-10 2018-07-13 天津大学 一种具有高增益特性的2d钙钛矿量子阱薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JUNQIANG LI.ETC: "Single-Layer Light-Emitting Diodes Using Organometal Halide Perovskite/Poly(ethylene oxide) Composite Thin Films", 《ADVANCED MATERIALS》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110305660A (zh) * 2019-06-14 2019-10-08 上海大学 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法
CN110305660B (zh) * 2019-06-14 2022-07-12 上海大学 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法
CN112409402A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 中国科学院大连化学物理研究所 一种超宽光谱钙钛矿白光材料及其制备和应用
CN112409402B (zh) * 2019-08-20 2022-01-11 中国科学院大连化学物理研究所 一种超宽光谱钙钛矿白光材料及其制备和应用
CN111244291A (zh) * 2020-01-21 2020-06-05 上海交通大学 一种高性能高稳定的FACs钙钛矿薄膜的制备方法
CN111244291B (zh) * 2020-01-21 2023-08-18 上海交通大学 一种高性能高稳定的FACs钙钛矿薄膜的制备方法
CN113073377A (zh) * 2020-11-16 2021-07-06 扬州大学 一种零维有机铅碘钙钛矿光电材料的制备方法
CN112812772A (zh) * 2021-01-12 2021-05-18 上海电力大学 Cs/Pb/I钙钛矿材料的制备方法
CN112812772B (zh) * 2021-01-12 2023-03-14 上海电力大学 Cs/Pb/I钙钛矿材料的制备方法
CN113422286A (zh) * 2021-06-07 2021-09-21 南京邮电大学 具有三阳离子钙钛矿的激光器
CN113929131A (zh) * 2021-09-28 2022-01-14 桂林理工大学 一种FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109449311B (zh) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109449311A (zh) 一种钙钛矿薄膜及其制备方法与应用
Yang et al. 25.24%‐Efficiency FACsPbI3 Perovskite Solar Cells Enabled by Intermolecular Esterification Reaction of DL‐Carnitine Hydrochloride
Zhao et al. Precise stress control of inorganic perovskite films for carbon-based solar cells with an ultrahigh voltage of 1.622 V
Zhang et al. Auto-passivation of crystal defects in hybrid imidazolium/methylammonium lead iodide films by fumigation with methylamine affords high efficiency perovskite solar cells
Zhou et al. Ultrabroad photoluminescence and electroluminescence at new wavelengths from doped organometal halide perovskites
Ji et al. Recent developments in and perspectives on three-coordinate boron materials: a bright future
CN105047825B (zh) 一种有机/无机钙钛矿电池及其制备方法
Peng et al. Modified conducting polymer hole injection layer for high-efficiency perovskite light-emitting devices: enhanced hole injection and reduced luminescence quenching
CN109478596A (zh) 卤化物钙钛矿薄膜和包含其的太阳能电池及其形成方法
Zhao et al. Simple and efficient green-light-emitting diodes based on thin organolead bromide perovskite films via tuning precursor ratios and postannealing temperature
CN107240643B (zh) 溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池及其制作方法
CN106384785B (zh) 一种锡掺杂甲基铵基碘化铅钙钛矿太阳能电池
Sun et al. Rare earth doping in perovskite luminescent nanocrystals and photoelectric devices
TW201607071A (zh) 鈣鈦礦太陽能電池的製造方法
CN107442183A (zh) 一种石墨烯/纳米晶/钙钛矿光催化膜及其制备方法
Xiao et al. Achieving mixed halide perovskite via halogen exchange during vapor-assisted solution process for efficient and stable perovskite solar cells
Gui et al. Efficient organic solar cells employing ytterbium ion-doped zinc oxide as cathode transporting layer
CN110085747A (zh) 钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
She et al. Inorganic–organic hybrid with one-dimensional face-sharing iodoplumbate chain showing novel dielectric anomaly and semiconductor emission
Ji et al. Synthesis, Structure, and Photoluminescence of Color-Tunable and White-Light-Emitting Lanthanide Metal–Organic Open Frameworks Composed of AlMo6 (OH) 6O183–Polyanion and Nicotinate
Ferdowsi et al. Host-guest complexation in hybrid perovskite optoelectronics
Meng et al. Enhanced photoluminescence of all-inorganic manganese halide perovskite-analogue nanocrystals by lead ion incorporation
Fan et al. New insight into the grafted transition metal ions in trilacunary Keggin polyoxometalates dopants for efficient and stable perovskite solar cells
Shi et al. Influence of altering chlorine substitution positions on the photovoltaic properties of small molecule donors in all-small-molecule organic solar cells
Sun et al. Synergistic modification of benzimidazole and bromohexyl for highly efficient and stable perovskite solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant