CN109410854A - 数据驱动电路及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种数据驱动电路,包括:驱动单元,该驱动单元用于接入数据驱动信号,其包括模拟缓冲器以及乘法器,该模拟缓冲器的两个输出端分别与该乘法器的两个输入端连接;第一开关单元,所述第一开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的一个公共节点连接,所述第一开关单元的另一端通过一第一存储电容接地;第二开关单元,所述第二开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的另一个公共节点连接,所述第二开关单元的另一端通过一第二存储电容接地。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示领域,具体涉及一种数据驱动电路及液晶显示器。
背景技术
在现有技术中,数据驱动芯片内的模拟缓冲器模块将经过DAC转换输出的低带载能力电压转换成高带载能力的模拟电压,模拟数据信号的驱动能力提升之后转移到输出多路转换器中;液晶需要交流电压驱动,故像素电压极性相对于Vcom电位来说是正负交替的。重载模式下在第一个TP下降沿时数据驱动电压从V2升到正极性电压V1,在下一个TP的下降沿时降到负极性V2,从TP下降沿开始数据驱动电压要升到高压V1,上升时间较短,功耗较大,在电压下降时同理,因此造成Source IC温度较高,具有烧毁IC的风险。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请的目的是提供一种数据驱动电路及液晶显示器,具有降低重载画面下数据驱动芯片的温度的效果。
本申请实施例提供了一种数据驱动电路,包括:
驱动单元,该驱动单元用于接入数据驱动信号,其包括模拟缓冲器以及乘法器,该模拟缓冲器的两个输出端分别与该乘法器的两个输入端连接;
第一开关单元,所述第一开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的一个公共节点连接,所述第一开关单元的另一端通过一第一存储电容接地;
第二开关单元,所述第二开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的另一个公共节点连接,所述第二开关单元的另一端通过一第二存储电容接地。
在本申请所述的数据驱动电路中,在该数据驱动信号的第N高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第一预设电压上升到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压上升到第三预设电压;
在该数据驱动信号的第N+1高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第三预设电压下降到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压下降到第一预设电压,其中,N为奇数。
在本申请所述的数据驱动电路中,在该第N高电平与该第N+1高电平期间,该模拟缓冲器的输出端电压保持在第三预设电压。
在本申请所述的数据驱动电路中,在第N高电平的上升沿时,该第一开关单元打开,该第一存储电容电容放电使得该模拟缓冲器的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第一开关单元关闭,该模拟缓冲器的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第一开关单元打开,该模拟缓冲器的输出端电压同时给第一存储电容充电;
在第N高电平的上升沿时,该第二开关单元打开,该第二存储电容电容放电使得该模拟缓冲器的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第二开关单元关闭,该模拟缓冲器的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第二开关单元打开,该模拟缓冲器的输出端电压同时给第二存储电容充电。
在本申请所述的数据驱动电路中,所述驱动单元还包括移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器;
所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器以及所述模拟缓冲器依次连接。
在本申请所述的数据驱动电路中,所述第二缓存器为线缓冲器。
在本申请所述的数据驱动电路中,所述第一开关单元以及所述第二开关单元均为场效应晶体管。
在本申请所述的数据驱动电路中,所述第一开关单元以及所述第二开关单元均为NMOS管。
在本申请所述的数据驱动电路中,还包括一分控芯片,所述分控芯片与所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端连接。
一种液晶显示器,包括上述任一项所述的数据驱动电路。
本申请通过该通过第一存储电容以及第二存储电容的充放电提高数据电压利用率,降低重载画面下数据驱动芯片的温度。
附图说明
图1是本申请实施例中的数据驱动电路的一种结构示意图。
图2是本申请实施例中的数据驱动电路的驱动时序图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1,图1是本申请一实施例中的数据驱动电路的结构示意图,其用于液晶显示器中,该数据驱动电路,包括:驱动单元10、第一开关单元20、第二开关单元40、第一存储电容30以及第二存储电容50。
其中,该驱动单元用于接入数据驱动信号,其包括移位寄存器16、第二缓存器15、电平移位器14、D\A转换器13、模拟缓冲器12以及乘法器11,该模拟缓冲器12的两个输出端分别与该乘法器11的两个输入端连接。移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器以及所述模拟缓冲器依次连接。在本申请所述的数据驱动电路中,所述第二缓存器为线缓冲器。该第一开关单元20的一端与所述模拟缓冲器12以及乘法器11的一个公共节点连接,所述第一开关单元20的另一端通过一第一存储电容30接地;第二开关单元40的一端与所述模拟缓冲器12以及乘法器11的另一个公共节点连接,所述第二开关单元40的另一端通过一第二存储电容50接地。
其中,该第一开关单元20以及所述第二开关单元40均为场效应晶体管。第一开关单元20以及所述第二开关单元40均为NMOS管。
在一些实施例中,该数据驱动电路还包括一分控芯片,所述分控芯片与所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端连接。分控芯片用于控制该第一开关单元以及所述第二开关单元的导通与截止。
请同时参照图2,工作时,在该数据驱动信号的第N高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第一预设电压上升到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压上升到第三预设电压;在该数据驱动信号的第N+1高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第三预设电压下降到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压下降到第一预设电压,其中,N为奇数。在该第N高电平与该第N+1高电平期间,该模拟缓冲器的输出端电压保持在第三预设电压。
具体地,在第N高电平的上升沿时,该第一开关单20元打开,该第一存储电容30放电使得该模拟缓冲器的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第一开关单元关闭,该模拟缓冲器12的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第一开关单元20打开,该模拟缓冲器12的输出端电压同时给第一存储电容30充电;在第N高电平的上升沿时,该第二开关单元40打开,该第二存储电容50电容放电使得该模拟缓冲器12的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第二开关单元40关闭,该模拟缓冲器12的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第二开关单元打开,该模拟缓冲器的输出端电压同时给第二存储电容充电。
本申请通过该通过第一存储电容以及第二存储电容的充放电提高数据电压利用率,降低重载画面下数据驱动芯片的温度。
本申请还提供了一种液晶显示器,其包括上述任一项所述的数据驱动电路。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种数据驱动电路,其特征在于,包括:
驱动单元,该驱动单元用于接入数据驱动信号,其包括模拟缓冲器以及乘法器,该模拟缓冲器的两个输出端分别与该乘法器的两个输入端连接;
第一开关单元,所述第一开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的一个公共节点连接,所述第一开关单元的另一端通过一第一存储电容接地;
第二开关单元,所述第二开关单元的一端与所述模拟缓冲器以及乘法器的另一个公共节点连接,所述第二开关单元的另一端通过一第二存储电容接地。
2.根据权利要求1所述的数据驱动电路,其特征在于,在该数据驱动信号的第N高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第一预设电压上升到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压上升到第三预设电压;
在该数据驱动信号的第N+1高电平的上升沿与下降沿之间,该模拟缓冲器的输出端电压先由第三预设电压下降到第二预设电压,然后在该下降沿到来之后由第二预设电压下降到第一预设电压,其中,N为奇数。
3.根据权利要求2所述的数据驱动电路,其特征在于,在该第N高电平与该第N+1高电平期间,该模拟缓冲器的输出端电压保持在第三预设电压。
4.根据权利要求2所述的数据驱动电路,其特征在于,在第N高电平的上升沿时,该第一开关单元打开,该第一存储电容电容放电使得该模拟缓冲器的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第一开关单元关闭,该模拟缓冲器的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第一开关单元打开,该模拟缓冲器的输出端电压同时给第一存储电容充电;
在第N高电平的上升沿时,该第二开关单元打开,该第二存储电容电容放电使得该模拟缓冲器的输出端电压先爬升到第二预设电压,在该第N高电平的下降沿时该第二开关单元关闭,该模拟缓冲器的输出端电压上升到第三预设电压,在第N+1高电平的上升沿时,该第二开关单元打开,该模拟缓冲器的输出端电压同时给第二存储电容充电。
5.根据权利要求1所述的数据驱动电路,其特征在于,所述驱动单元还包括移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器;
所述移位寄存器、第二缓存器、电平移位器、D\A转换器以及所述模拟缓冲器依次连接。
6.根据权利要求5所述的数据驱动电路,其特征在于,所述第二缓存器为线缓冲器。
7.根据权利要求1所述的数据驱动电路,其特征在于,所述第一开关单元以及所述第二开关单元均为场效应晶体管。
8.根据权利要求6所述的数据驱动电路,其特征在于,所述第一开关单元以及所述第二开关单元均为NMOS管。
9.根据权利要求1所述的数据驱动电路,其特征在于,还包括一分控芯片,所述分控芯片与所述第一开关单元以及所述第二开关单元的控制端连接。
10.一种液晶显示器,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的数据驱动电路。
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