CN109390250A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。根据本发明的一个实施例的基板处理装置，其包括：处理液供给管；喷嘴部，从所述处理液供给管供给处理液，并向基板吐出处理液；光源部，对从所述喷嘴部吐出的处理液进行紫外线照射。根据本发明，通过向经过处理液供给管的过程中带电的处理液进行紫外线照射来对处理液进行除电，最小化因上述原因导致基板被周围颗粒物所污染或基板上发生电弧现象的问题。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，用于对基板执行液处理。
背景技术
在半导体或显示器的制作工序中，需要使用装置对半导体晶片或玻璃基板等被处理基板供给处理液来执行液处理。例如，这种装置是去除基板表面附着的颗粒物或污染物的清洗装置等。
清洗装置包括向基板供给处理液的喷嘴，通过处理液供给管，喷嘴与储藏处理液的处理液储存罐连接。处理液供给管通常由诸如PFA(四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物：Perfluoroalkoxy)的绝缘材料制成。
另外，处理液在处理液供给管内部流动的过程中，会发生处理液带电现象。例如，当去离子水(De-ionized water)在PFA管内流动时，PFA管带负电(-)，去离子水则带正电(+)。
如此，这种带电处理液供给到基板表面时，存在于基板周围的带电粒子由于引力而移动到基板表面，导致污染基板或由于静电而产生电弧现象(Arcing)的问题发生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，可以对带电处理液进行除电。
并且，本发明的另一个目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够最小化基板因带电处理液导致基板被其周围颗粒物污染或基板上发生电弧现象的问题。
为了达成上述目的，根据本发明实施例中所述的基板处理装置，其特征在于:处理液供给管；喷嘴部，从所述处理液供给管供给处理液，并向基板吐出处理液；光源部，对从所述喷嘴部吐出的处理液进行紫外线照射。
所述光源部具有紫外线照射范围，对供给到基板上面的处理液进行紫外线照射。或者对从所述喷嘴部吐出而尚未达到基板的处理液进行紫外线照射。又或者对从所述喷嘴部吐出而尚未到达基板的处理液和已供给到基板上面的处理液进行紫外线照射。
所述光源部可包括：罩；以及紫外灯，设置于所述罩，用于发射紫外线，所述罩设置有用于反射紫外线的反射面，由所述反射面决定从所述光源部发射的紫外线的照射范围。在此，所述反射面包括角度不同的多个反射面，所述反射面根据不同的方向而具有不同的光发射角。
可包括驱动部，用于将所述喷嘴部从等待位置移动到工序位置，所述光源部通过所述驱动部进行移动。或者所述光源部通过与所述驱动部不同的驱动部进行移动。
所述光源部可包括：紫外灯，用于发射紫外线；导光部，连接于所述紫外灯，以传输紫外线；以及光照射部，用于照射经过所述导光部传输的紫外线。所述导光部设置有多个，多个所述导光部与一个紫外灯连接。
另，还可包括照射范围调节装置，用于调节所述光源部发出的紫外线的照射范围。
所述紫外线具有紫外线C的波长范围。
所述处理液供给管由绝缘材料制成，所述处理液在通过所述处理液供给管的过程中带正电。
根据本发明另一实施例的基板处理装置，用于向基板供给处理液来执行液处理工序，其包括：处理液存储部；喷嘴部，向基板吐出处理液；处理液供给管，将处理液从所述处理液存储部传输到所述喷嘴部；处理液供给阀，设置于所述处理液供给管，用于进行开闭操作；光源部，包括紫外灯，所述紫外灯向从所述喷嘴部吐出的处理液照射紫外线；开关，对所述紫外灯进行开/关操作；以及控制部，控制所述处理液供给阀的开闭操作及所述紫外灯的开/关操作，所述控制部联合控制所述处理液供给阀的开闭操作和所述紫外灯的开/关操作。
所述控制部先开放所述处理液供给阀，在经过规定的延迟时间后，再控制开关开启所述紫外灯。
根据本发明另一个基板处理方法，使用上述基板处理装置的基板，其特征在于，包括：开放所述处理液供给阀的步骤；从开放所述处理液供给阀的步骤经过规定的延迟时间后开启所述紫外灯的步骤。
所述规定的延迟时间设置为，从开放所述处理液供给阀到从所述喷嘴部吐出的处理液到达基板上面为止所需要的时间以上。
或者，所述规定的延迟时间设置为，从开放所述处理液供给阀到从所述喷嘴部开始吐出处理液为止所需要的时间以下。
发明效果
根据本发明的实施例，通过向经过处理液供给管的过程中带电的处理液进行紫外线照射，从而具有对带电处理液的除电效果。
并且根据本发明的实施例，可最小化由于供给带电处理液而导致基板被周围颗粒物所污染的问题，或基板上发生电弧现象的问题。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖视图。
图2至图8是根据本发明的实施例的用于说明基板处理装置的光源部的局部剖视图。
图9是根据本发明的一个实施例的用于说明基板处理方法的概略图。
图10是根据本发明的一个实施例的用于说明基板处理方法的控制流程图。
附图标记说明
1:基板处理装置 10:腔室
20:杯部 40:支撑部件
60:升降部件 80:处理液供给部件
82:喷嘴臂 84:喷嘴部
86:支撑架 88:驱动部
90:处理液供给管 92:处理液供给阀
100,200:光源部 110:罩
110a,10b:反射面 120:紫外灯
122:开关 130,230:支撑臂
140:照射范围调节装置 210:光照射部
220:导光部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明进行详细说明。以下说明虽包括具体的实施例，但不应当解释为被本发明已说明的实施例所限定或限制。在对本发明进行说明的过程中，若对相关公知技术进行具体说明被判断为使本发明的要点变得模糊时，可省略其详细的说明。
图1是根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖视图。虽然在图1中将清洗装置作为示例来对本发明进行了说明，然而，本发明的基板处理装置并不限于清洗装置。
参照图1，基板处理装置1包括：腔室10、杯部20、支撑部件40、升降部件60、处理液供给部件80及光源部100。
腔室10用于提供对基板W进行液处理工序的内部空间。液处理工序可以在常压或真空中进行，因此，腔室10上可以连接真空泵(未图示)，由此来形成真空。
杯部20位于腔室10内的空间，并且可包括第一杯部件22、第二杯部件24、以及第三杯部件26。杯部20是用于提供基板处理空间，并回收已使用的处理液，因此，第一杯部件22、第二杯部件24、第三杯部件26可具有环形的平面形状，以围绕基板W周围。在此，第一杯部件22位于内侧，第二杯部件24设置为包围第一杯部件22，第三杯部件26以包围第二杯部件24的形态设置在最外侧。由各第一杯部件22、第二杯部件24、第三杯部件26形成的第一开口部22a、第二开口部24a、第三开口部26a可作为回收从旋转的基板W放射出的处理液的流入口，分别可回收不同的处理液。第一杯部件22、第二杯部件24、第三杯部件26的底面分别连接有向下方延长的回水管22b、回水管24b、回水管26b。各回水管22b、回水管24b、回水管26b排出通过各开口部22a、开口部24a、开口部26a而流入的处理液。被排出的处理液可通过外部的处理液再生装置(未图示)进行再生后重新使用。
支撑部件40在工序处理期间支撑基板并旋转基板。支撑部件40包括旋转头42、支撑针44、卡盘销46、驱动轴48和支撑部件驱动部49。旋转头42具有从上方看呈现为大致圆形的上表面。旋转头42的底面与驱动部48结合，驱动部48通过支撑部件驱动轴49而旋转。当驱动轴48旋转时，旋转头42进行旋转，从而基板W也一同进行旋转。支撑部件40包括支撑针44和卡盘销46，用来支撑基板。多个支撑针44从旋转头42的上表面凸出以支撑基板W背面。在比支撑针44更远离旋转头42的中心的位置，配置有多个卡盘销46。卡盘销46可以在旋转头42和基板W进行旋转时支撑基板W的侧面，以使基本W不脱离正位置。卡盘销46可设置成沿着旋转头42的径向在等待位置和支撑位置之间直线移动。等待位置位于相比于支撑位置更远离旋转头42的中心的位置。当在支撑部件40上载入或载出基板时，卡盘销46位于等待位置，对基板执行工序时，卡盘销46则位于支撑位置。在支撑位置时卡盘销46接触基板的侧部。
升降部件60可以用于对杯部20进行升降。升降部件60可以对杯部20的第一杯部件22、第二杯部件24、第三杯部件26同时或单独进行升降操作。根据杯部20的上下移动，对于支撑部件40的杯部20的相对高度改变。升降部件60具有支架62、升降轴64和升降驱动部66。支架62固定在杯部20的外壁，并且根据升降驱动部66沿上下方向移动的升降轴64固定在支架62上。当基板W被放置到支撑部件40或当基板W从支撑部件40拾起时，为了使杯部20不会干扰基板搬运机器人(未图示)，可驱动杯部20下降。并且在进行基板处理工序时，可调节杯部20的高度，以便根据供给到基板W上的处理液种类，将处理液分别流入到已设定好的开口部22a、开口部24a、开口部26a。但也可与上述方案不同地，采用旋转头42沿上下方向移动的方式代替杯部20的上下移动。
处理液供给部件80是用于向基板W供给处理液，处理液供给部件80可包括喷嘴臂82、喷嘴部84、支撑架86和驱动部88。支撑架86在竖直方向上设置，支撑架86的下端与驱动部88结合。驱动部88可驱动支撑架86进行旋转及/或升降。喷嘴臂82结合于支撑架86的上端，并可沿着水平方向延长。嘴喷部84位于喷嘴臂82的末端下面，以向基板排出处理液。通过驱动部88，喷嘴部84向工序位置或等待位置移动。工序位置是位于杯部20的竖直上方，使得喷嘴部84向基板W的上面供给处理液，等待位置则是位于喷嘴部84远离杯部20的竖直上方的位置。通过驱动部88旋转驱动支撑架86，可使与支撑架86结合的喷嘴臂82和喷嘴部84在工序位置和等待位置之间进行回动。可设置一个或多个处理液供给部件80。当设置多个处理液供给部件80时，每个处理液供给部件80可供给不同的处理液。
处理液可包括硫磺酸、磷酸等清洁液或者去离子水等冲洗液。处理液经过处理液供给管90从处理液存储部(未图示)向喷嘴部84流动，而处理液供给管90可嵌入喷嘴臂82的内部。处理液供给管90可由绝缘材料制成，也可以是PFA(Perfluroalkoxy)管。
光源部100是用于对从喷嘴部84排出并向基板W供给的处理液F进行紫外线照射而设置的。由光源部100照射的紫外线波长可以是约280nm以下的紫外线C(Ultra-Violet C)。
下面参照图2及图3，详细说明根据本发明一个实施例的光源部100的结构及效果。
光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯120，并且可具有罩110,罩110内部配置有紫外灯120。在罩110内部可形成反射面110a，使得在规定的方向及范围内限定从光源部100发射的光的发射角。
图2是表示在未启动光源部100而没有照射紫外线UV的状态下，对基板W执行液处理工序的图。如图所示，当处理液F从喷嘴部84向旋转的基板W的上面吐出时，会在基板的上面形成处理液F的膜。此时，由于处理液F在经过处理液供给管90的过程而呈带电状态，因此基板的上表面也会形成带电状态的液膜。若处理液供给管90的材质由像PFA管一样容易带负电(-)的材质制成的情况，处理液F会带正电(+)，因此会吸引基板W周围的颗粒物中带有负电(-)的颗粒物。而这些颗粒物会成为对基板W的污染源。并且由于带电的处理液F，可能会在基板W发生电弧现象，可能会导致基板表面损伤。若基板表面形成微型图案时，这些颗粒物或电弧现象会对基板的性能或收率上造成严重的问题。
反之，如图3所示，开启光源部100，则会由光源部100放射的紫外线UV对处理液F进行除电。根据紫外线UV的除电原理可以有多种，例如，由紫外线生成的光电子(photoelectron)或者其它负(-)离子与处理液F的正(+)电荷结合而进行除电。而为了生成光电子等，需要高能量的紫外线，因此光源部100可包括发射波长为约280nm以下的紫外线C(Ultra-Violet C)的紫外灯120。
并且，为了不使基板处理装置1的配件因高能量的紫外线的照射而导致损坏，可将紫外线照射的范围限制在基板W的处理液供给范围。为此，需要具有围绕紫外灯120的反射面110a。使得从紫外灯120发射的紫外线仅向基板W的方向照射。由于在液处理工序中基板W进行旋转，因此，如图3所示，使紫外线UV照射的范围覆盖从基板的中心至边缘的大致为半径的范围，则可以将所有向基板W的上表面供给的处理液F进行紫外线UV照射。
图2、图3所示的实施例是将光源部100设置在处理液供给部件80的规定位置，优选设置在喷嘴臂82，因此不需要单独设置驱动源，也可以移动到工序位置或等待位置。即，为了进行液处理工序，当驱动部88驱动支撑架86进行旋转而将喷嘴部84移动到工序位置时，结合于喷嘴臂82的光源部100也会一同移动到工序位置。
当有多个处理液供给部件80的情况，光源部100也需要设置多个，分别设置在每个处理液供给部件80。
图4是根据本发明的另一实施例的用于说明光源部100的图。参照图4，光源部100对从喷嘴部84吐出的处理液进行紫外线UV照射。具体来说，光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯120，并且光源部100可具有内部配置有紫外灯120的罩110。罩110内部有反射面110a，以此来调节从光源部100照射的紫外线UV的光发射角，以使光源部100对从喷嘴部84吐出并到达基板W之前的处理液进行照射。
根据图4的实施例，当经过处理液供给管90的过程中成为带电状态的处理液从喷嘴部84吐出并供给到基板W之前可以进行除电。由此，可以最小化由于供给带电处理液而导致基板W被周围颗粒物所污染的问题，可以最小化带电处理液供给至基板W的时间点可能会发生的电弧现象。另外，还可以最小化高能量紫外线UV照射到基板W时，可能会发生的基板或微型图案损坏、由紫外线UV产生的臭氧(O3)引起的基板表面的氧化。
如果根据图4的实施例，仅对从喷嘴部84吐出的处理液照射紫外线UV即可，紫外线UV可以不覆盖从基板的中心到边缘的大致半径的范围。因此，可以设置相对较小的光源部100。
根据图4的实施例的基板处理装置1中，光源部100设置在处理液供给部件80的规定位置，优选设置在喷嘴臂82，因此不需要单独设置驱动源，也可以移动到工序位置或等待位置。并且，当有多个处理液供给部件80的情况，光源部100也需要设置多个，分别设置在每个处理液供给部件80。
图5是根据本发明的另一实施例的用于说明光源部100的图。参照图5，光源部100对从喷嘴部84吐出的处理液和已供给到基板100的处理液F全部进行紫外线UV照射。具体来说，光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯120，并且光源部100可具有内部配置有紫外灯120的罩110。罩110内部设置有具有相互不同角度的多个反射面110a、反射面110b，从光源部100发射的紫外线UV构成为大致覆盖从喷嘴部84的下端到基板W的边缘。即，光源部100可设置为根据不同方向而具有不同的光发射角。根据这种配置，不仅对刚从喷嘴部84吐出还未供给到基板W的处理液F进行紫外线UV照射，还可以对已供给到旋转状态的基板W上面的处理液F进行紫外线UV照射。
根据图5的实施例，当经过处理液供给管90的过程中成为带电状态的处理液从喷嘴部84吐出并供给到基板W之前可以进行除电。由此，可以最小化由于供给带电处理液而导致基板W被周围颗粒物所污染的问题，可以最小化带电处理液供给至基板W的时间点可能会发生的电弧现象。并且，由于还可以对已供给到基板W的处理液F进行紫外线UV照射，可进一步增加除电效果。
根据图5的实施例的基板处理装置1中，光源部100设置在处理液供给部件80的规定位置，优选设置在喷嘴臂82，因此不需要单独设置驱动源，也可以移动到工序位置或等待位置。并且，当有多个处理液供给部件80的情况，光源部100也需要备多个，分别设置在每个处理液供给部件80。
图6是根据本发明的另一实施例的用于说明光源部100的图。图6的实施例与图2至图5的实施例的不同之处在于，单独设置有光源部100，而并非光源部100设置在处理液供给部件80。
具体来说，光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯120，并且光源部100可具有内部设置有紫外灯120的罩110，及设置有罩110的支撑臂130。支撑臂130与处理液供给部件80的喷嘴臂82是单独设置的。由此，由处理液供给部件80的驱动部88对喷嘴臂82及喷嘴部84进行的驱动，与光源部100的驱动是独立形成的。
支撑臂130可以固定设置在腔室10的规定位置，或者也可以构成为根据独立设置的支撑臂驱动部(未图示)而使支撑臂130从等待位置移动到紫外线照射位置。若具有支撑臂驱动部(未图示)时，光源部100由支撑臂驱动部(未图示)驱动支撑臂130而移动到紫外线照射位置或等待位置。紫外线照射位置例如可以是杯部20的竖直上方，使得光源部100可以向预定的照射范围照射紫外线UV，而等待位置则可以是从光源部100远离杯部20的竖直上方的位置。
根据图6的实施例，即使设置有多个处理液供给部件80，也可以仅设置一个光源部100。而且对光源部100的维护也会相对容易。
图6中虽图示了反射面110a在罩110内部形成，使得从光源部100发射的紫外线UV大致覆盖从基板W中心到边缘的位置，但这仅是示例。也可以构成为，如图6所示，不将光源部100设在处理液供给部件80，而单独设置光源部100的基础上，可以配置成如图4所示，对从喷嘴部84吐出并未供给到基板W的处理液照射紫外线UV，或者可以配置成图5所示，对从喷嘴部84吐出的处理液F和已供给到基板W上的处理液F全部进行紫外线UV照射。
图7是根据本发明的另一实施例的用于说明光源部100的图。图7的实施例与其它实施例的不同之处在于，具有照射范围调节装置140，用来调节光源部100的紫外线UV照射范围。
参照作为示例图的图7，光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯120，并可具有内部设有紫外灯120的罩110及设置有罩110的支撑臂130。此时，罩100可设置为，相对于支撑臂130以旋转轴140为中心进行旋转。虽然未示出，但也可具有固定构件(未图示)，用于固定旋转至规定角度的罩110。
根据图7的实施例，考虑到处理液F的带电状态、基板W的类型、基板处理装置1的结构、腔室10内部部件、紫外线UV的波长等，可以任意变更紫外线UV的照射范围并适用。例如，如图7所示，可以将紫外线UV照射到从基板W的中心到边缘的大致半径的范围，或者以旋转轴140为中心，将罩110旋转至规定角度，从而调节对从喷嘴部84吐出的处理液F进行的紫外线UV照射。
虽然旋转轴140在图7示出为照射范围调节装置，但仅仅是示例。虽然未示出，但照射范围调节装置也可以是将罩110沿着X、Y、Z方向进行移动的移动装置。
照射范围调节装置140也可以适用于图2至图5的实施例中。即，可以设置成使罩110相对喷嘴臂82进行规定角度的旋转或者也可以设置成沿着X、Y、Z方向进行移动。根据这种配置，可以细微调整或变更紫外线UV的照射范围。
图8是根据本发明的另一实施例用于说明光源部200的图。图8的实施例与其它实施例的不同之处在于，通过从远程配置的紫外灯(未图示)发出的紫外线通过导光部220及光照射部210照射到处理液F上。
具体来说，光源部100包括发射紫外线UV的紫外灯(未图示)、连接紫外灯和光照射部210的导光部220及将经过导光部220传送的紫外线照射到处理液F的光照射部210。导光部220及光照射部210可设置在支撑臂230。
图8的实施例中，以紫外灯(未图示)为例，紫外灯可远程配置在腔室外部等位置上，因此紫外灯的替换及修理等很方便。并且设计光照射部210时，可以不考虑紫外灯的形状及尺寸，因此可以更自由地调节紫外线UV的照射范围。
如图8所示，支撑臂230可以与处理液供给部件80的喷嘴臂82单独设置，或者支撑臂230可以与喷嘴臂82构成为同一个。即，导光部220及光照射部210可以设置在喷嘴臂82，而不需要单独设置支撑臂230。当导光部220及光照射部210设置在喷嘴臂82的情况，处理液供给部件80为多个时，每个喷嘴臂82都可设置导光部220及光照射部210。这种情况，也可以只需要一个远程的紫外灯(未图示)来连接多个导光部220。
以下参照图9及图10，说明根据本发明中一个实施例的基板处理方法。
参照图9，喷嘴部84通过处理液供给管90连接到处理液存储部。处理液供给管90具有处理液供给阀92，由控制部控制处理液供给阀92的开闭。控制部还连接于可控制用于操作光源部100的紫外灯开/关的开关122，以控制开关122。
图9中所示的t1至t5表示时间。t1是根据控制部的阀开放控制信号，开放处理液供给阀92的时间、t2是根据处理液供给阀92的开放，从喷嘴部84开始吐出处理液F的时间、t3是从喷嘴部84吐出的处理液F供给到基板W上面的时间、t4是根据基板的旋转，供给到基板W的处理液到达基板边缘的时间、t5根据控制部的控制，紫外灯开启(ON)的时间。
参照图10，根据本发明的基板处理方法包括开放处理液供给阀92的阶段S1及延迟规定时间Δt后开启(ON)紫外灯的阶段S2。在此，规定时间Δt可根据实施形态进行调整。
例如，与图3的实施例，若想对供已给至基板W的处理液F照射紫外线UV时，规定时间Δt则是t3-t1以上，优选可设置为t4-t1以上。如上所述，在开放处理液供给阀92的同时不开启(ON)紫外灯，而是延迟规定时间后开启(ON)，则可以控制高能量的紫外线UV不会照射到尚未提供处理液F的基板W。
并且根据图4的实施例，若想使处理液F尚未供给到基板W上面时进行除电的情况，则将规定时间Δt设置成t3-t1以下，最好设置成t2-t1以下。通过这种设置，可控制经过处理液供给管90的带电处理液F供给到基板W上面之前暴露在紫外线UV中。
上述说明的规定延迟时间Δt仅是示例，可根据实施形态做出多种调整。即，根据本发明的基板处理方法的其特征在于联合控制处理液供给阀92的开闭操作和紫外灯的开/关(On/Off)操作。
以下基于测试结果说明本发明的处理液除电效果。
<对供给到基板表面的处理液照射紫外线>
使用本发明的基板处理装置1对处理液除电效果进行了测试。将光源部100设置为图3所示，对供给到基板W的处理液F照射紫外线。使基板W旋转，从喷嘴部84喷射去离子水(DIW)的喷射工序及仅高速旋转基板而不供给处理液的干燥工序设为一个周期，并测试了随着工序周期重复而产生的带电量。喷射工序持续60秒，在300rpm下进行；干燥工序持续25秒，在1800rpm下进行。带电量是用静电测量仪进行测量，对完成周期后已干燥的基板W表面执行测量。
[表1]是根据是否照射紫外线来比较测量的结果。未照射紫外线的情况，从工序前的5V开始，随着工序的进行大大增加了带电量，执行3个周期后，已然增加到160V。相反，在喷射工序及干燥工序中，开启(ON)紫外灯进行照射的情况，从工序前的10V，反而减少并稳定维持在4V以下。
[表1]
<对未供给到基板表面的处理液照射紫外线>
将光源部100设置为如图4所示，对尚未供给到基板W的处理液F照射紫外线，并测量带电量。将静电测量仪朝向从喷嘴部84吐出后尚未供给到基板W的处理液方向，测量处理液未接触基板W前的处理液带电状态。
未照射紫外线时，测量的结果为50V～100V。相反，开启(ON)紫外灯后测量的结果，大幅减少至3V。由此可以确认，当紫外线UV照射到经过处理液供给管90并从喷嘴部84吐出的处理液时，可以向基板W上供给已除电的处理液。
以上虽然对本发明限定的实施例及附图进行了说明，但这仅仅是实施例，对本领域技术人员来说完全可以在不脱离本发明的技术思想范围内实施多种变形。例如，根据本发明的基板处理装置不限定于清洗装置，也可以适用于涂装装置、刻蚀装置、曝光装置等执行液处理工序的多种装置上，而对每个实施例可全部或选择性组合的方式来实施。因此，本发明的保护范围要根据专利请求范围的记载及其均等范围而定。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其中，包括：
处理液供给管；
喷嘴部，从所述处理液供给管供给处理液，并向基板吐出处理液；
光源部，对从所述喷嘴部吐出的处理液进行紫外线照射。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述光源部具有紫外线照射范围，以对供给到基板上面的处理液进行紫外线照射。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述光源部具有紫外线照射范围，以对从所述喷嘴部吐出而尚未达到基板的处理液进行紫外线照射。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述光源部具有紫外线照射范围，以对从所述喷嘴部吐出而尚未到达基板的处理液和已供给到基板上面的处理液进行紫外线照射。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述光源部包括：
罩；以及
紫外灯，设置于所述罩，用于发射紫外线，
所述罩设置有用于反射紫外线的反射面，由所述反射面决定从所述光源部发射的紫外线的照射范围。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述反射面包括角度不同的多个反射面，所述反射面根据不同的方向而具有不同的光发射角。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，包括：
驱动部，用于将所述喷嘴部从等待位置移动到工序位置，所述光源部通过所述驱动部进行移动。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，包括：
驱动部，用于将所述喷嘴部从等待位置移动到工序位置，所述光源部通过与所述驱动部不同的驱动部进行移动。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述光源部包括：
紫外灯，用于发射紫外线；
导光部，连接于所述紫外灯，以传输紫外线；以及
光照射部，用于照射经过所述导光部传输的紫外线。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述导光部设置有多个，多个所述导光部与一个紫外灯连接。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，包括：
照射范围调节装置，用于调节所述光源部发出的紫外线的照射范围。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述照射范围调节装置是旋转轴。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述紫外线具有紫外线C的波长范围。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给管由绝缘材料制成，所述处理液在通过所述处理液供给管的过程中带正电。
15.一种基板处理装置，用于向基板供给处理液来执行液处理工序，其包括：
处理液存储部；
喷嘴部，向基板吐出处理液；
处理液供给管，将处理液从所述处理液存储部传输到所述喷嘴部；
处理液供给阀，设置于所述处理液供给管，用于进行开闭操作；
光源部，包括紫外灯，所述紫外灯向从所述喷嘴部吐出的处理液照射紫外线；
开关，对所述紫外灯进行开/关操作；以及
控制部，控制所述处理液供给阀的开闭操作及所述紫外灯的开/关操作，
所述控制部联合控制所述处理液供给阀的开闭操作和所述紫外灯的开/关操作。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
所述控制部先开放所述处理液供给阀，在经过规定的延迟时间后，再控制开关开启所述紫外灯。
17.一种基板处理方法，使用权利要求15所述的基板处理装置，其中，包括：
开放所述处理液供给阀的步骤；
从开放所述处理液供给阀的步骤经过规定的延迟时间后开启所述紫外灯的步骤。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，
所述规定的延迟时间设置为，从开放所述处理液供给阀到从所述喷嘴部吐出的处理液到达基板上面为止所需要的时间以上。
19.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，
所述规定的延迟时间设置为，从开放所述处理液供给阀到从所述喷嘴部开始吐出处理液为止所需要的时间以下。
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