CN109387736A - 基板处理设备和检查方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，位于处理室中以支撑基板；气体供应单元，配置成将处理气体供应到处理室的内部；等离子体产生单元，包括具有供处理气体流过的通孔的上电极，以及具有孔的喷头，所述喷头的孔用于供处理气体通过以被喷射到处理空间内；以及检查单元，配置成在将光纤插入在上电极和喷头之间时检查喷头和上电极的联接状态。

Description

基板处理设备和检查方法
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及基板处理方法和检查方法，更具体地，涉及用于检查喷头和上电极的联接状态的检查方法。
背景技术
为了制造半导体器件，通过执行如下各种工艺在基板上形成所需图案：例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁。其中，蚀刻工艺是去除在基板上形成的膜的选定加热区域的工艺，并且包括湿法蚀刻和干法蚀刻。
对于干法蚀刻，使用利用等离子体的蚀刻设备。通常，为了形成等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场，并且电磁场将提供到腔室中的处理气体激发成等离子体状态。
等离子体是指包括离子、电子和自由基的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。在半导体器件制造工艺中，通过使用等离子体执行蚀刻工艺。对于蚀刻工艺，将处理气体供应到处理室。
传统上，通过组装喷头和上电极的外观以及手动测量来监测喷头和上电极的组装误差，使得难以精确测量喷头的联接状态，并且在喷头暴露于等离子体之后随时间推移进行蚀刻，难以准确地确定喷头的更换时间，因为是在当特定时间过去时以常规任意方式更换喷头。也就是说，即使当喷头的蚀刻没有充分进行时也会更换喷头，使得喷头可能被浪费，或者在喷头的更换时间已经过去之后更换喷头时，处理效率可能劣化。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了基板处理设备和检查方法，通过该基板处理设备和检查方法，可以通过在喷头和上电极之间设置光纤来检查喷头和上电极的联接状态。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
根据本发明构思的一个方面，提供了一种基板处理设备，其包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，位于处理室中以支撑基板；气体供应单元，配置成将处理气体供应到处理室的内部；等离子体产生单元，包括具有供处理气体流过的通孔的上电极，以及具有孔的喷头，所述喷头的孔用于供处理气体通过以被喷射到处理空间内；以及检查单元，配置成在将光纤插入在上电极和喷头之间时检查喷头和上电极的联接状态。
检查单元可以包括：光纤，设置在上电极和喷头之间；光源，配置成将光照射到光纤；以及测量单元，配置成通过检测穿过光纤的光来监测喷头和上电极的联接状态。
测量单元可以计算检测到的光的相位变化，并且可以基于光的相位变化来确定喷头和上电极的联接状态。
光纤可以插入在形成于喷头上的下凹槽和形成于上电极下方的上凹槽之间。
光纤可以以螺旋形状设置在形成于喷头的上表面上的下凹槽中。
当喷头和上电极彼此紧密附接时，上凹槽的顶点和下凹槽的底点之间的间隔可以小于光纤的直径。
当喷头和上电极彼此联接时，通过向光纤部分地提供压力，光纤可以部分地变形。
上凹槽和下凹槽的截面可以具有沿宽度方向延伸的椭圆的部分形状。
下凹槽的深度可以大于上凹槽的深度。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种检查方法，其包括：通过一种设备来检查喷头和设置在喷头上的上电极的联接状态，所述设备用于通过以下来处理基板：通过形成喷头中的孔来供应气体，将光纤设置在上电极和喷头之间，以及通过检测照射到光纤的光来监测喷头和上电极的联接状态。
联接状态的监测可以包括：计算所检测到的光的相位变化并基于计算出的光的相位变化来确定喷头和上电极的联接状态。
可以在喷头和上电极彼此联接并且执行处理之前进行对联接状态的监测。
可以在喷头和上电极彼此联接之后通过将气体供应到基板来处理基板的同时执行对联接状态的监测。
当喷头和上电极的联接状态异常时，可以停止供应气体。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板处理设备，其包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，位于处理室中以支撑基板；气体供应单元，配置成将处理气体供应到处理室的内部；等离子体产生单元，配置成通过使用处理气体来产生等离子体；环组件，包括围绕支撑单元的周缘的绝缘环和将等离子体集中在基板上的聚焦环；以及检查单元，配置成在将光纤插入绝缘环和聚焦环之间时检查绝缘环和聚焦环的联接状态。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种检查方法，其包括：通过一种基板处理设备检查绝缘环和设置在绝缘环上的聚焦环的联接状态，所述基板处理设备用于：通过包括绝缘环和聚焦环的环组件来支撑基板的周边区域，将光纤设置在绝缘环和聚焦环之间，以及通过检测照射到光纤的光来监测绝缘环和聚焦环的联接状态。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的上述和其它目的和特征将变得显而易见。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的横截面图；
图2是示出根据本发明构思的实施方式的光纤的设置位置的视图；
图3是示出根据本发明构思的实施方式的光纤设置在上电极中的形式的视图；
图4是示出第一变型的视图，其中设置有光纤的凹槽的形状不同；
图5是示出图4中的光纤变形的外观的视图；
图6是示出第二变型的视图，其中设置有光纤的凹槽的形状不同；
图7是示出根据本发明构思的实施方式的通过测量穿过光纤的光而获得的结果的视图；以及
图8是示出根据本发明构思的实施方式的检查方法的流程图。
具体实施方式
可以以各种形式修改本发明构思的实施方式，并且本发明构思的范围不应被解释为受以下描述的本发明构思的实施方式的限制。提供本发明构思的实施方式是为了向本领域技术人员更完整地描述本发明构思。因此，夸大了附图中的部件的形状等以强调更清楚的描述。
在本发明构思的实施方式中，将描述用于通过使用等离子体清洁基板的基板处理设备。然而，本发明构思不限于此，而是可以应用于各种类型的设备，其加热位于其上的基板。
此外，在本发明构思的实施方式中，将静电卡盘描述为支撑单元的示例。然而，本发明构思不限于此，支撑单元可以通过机械夹持或通过使用真空来支撑基板。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备10的横截面图。基板处理设备10通过使用等离子体处理基板W。在本发明构思的实施方式中，将描述通过使用等离子体蚀刻基板W的设备作为示例。然而，本发明构思的技术特征不限于此，并且可以应用于通过使用等离子体处理基板W的各种类型的设备。
参考图1，基板处理设备10具有处理室100、衬里单元130、支撑单元200、气体供应单元300、等离子体产生单元400和检查单元600。
处理室100具有用于在其内部执行处理的空间。排气孔103形成在处理室100的底表面上。排气孔103连接到排气管线121，泵122安装在排气管线121上。在该处理中产生的反应副产物和停留在处理室100的内部的气体排出到排气孔103，通过排气管线121。因此，它们可以被排出到处理室100的外部。此外，处理室100的内部空间的压力通过排气过程减小到特定压力。作为一个示例，排气孔103可以设置在与衬里单元130的通孔150直接连通的位置处，这将在下面描述。
开口104形成在处理室100的侧壁中。开口104用作通道，基板通过该通道被引入处理室100并从处理室100中取出。开口104通过门组件(未示出)打开和关闭。根据一个实施方式，门组件(未示出)具有外门、内门和连接板。外门设置在处理室的外壁中。内门设置在处理室的内壁中。外门和内门通过连接板彼此固定连接。连接板通过开口从处理室的内部延伸到外部。门驱动器向上和向下移动外门。门驱动器可以包括液压/气压缸或马达。
支撑单元200位于处理室100的内部的下部区域中。支撑单元200通过使用静电力来支撑基板W。与此不同，支撑单元200可以以各种方案支撑基板W，例如机械夹持。
支撑单元200具有支撑板210、环组件260和气体供应管线部分270。基板S位于支撑板210上。支撑板210具有基座220和静电卡盘240。静电卡盘240通过使用静电力在其上表面上支撑基板W。静电卡盘240固定地连接到基座220上。
环组件260具有环形形状。环组件260设置成围绕支撑板210的周缘。作为一个示例，环组件260设置成围绕静电卡盘240的周缘。环组件260支撑基板W的周边区域。根据一个实施方式，环组件260具有聚焦环262和绝缘环264。聚焦环262设置成围绕静电卡盘240，并将等离子体集中在基板W上。绝缘环264设置成围绕聚焦环262。选择性地，环组件260可以包括边缘环(未示出)，其设置在聚焦环262的周缘处以紧密地附接到聚焦环262，使得可以防止静电卡盘240的侧表面被等离子体损坏。与上述不同，环组件260的结构可以被进行各种改变。
气体供应管线部分270包括气体供应源272和气体供应管线274。气体供应管线274设置在环组件260和支撑板210之间。气体供应管线274供应气体以去除停留在环组件260的上表面上或支撑板210的周边区域中的异物。例如，气体可以是氮气(N2)。选择性地，可以供应另一种气体或清洁剂。气体供应管线274可以形成为在支撑板210的内部将聚焦环262和静电卡盘240连接。与此不同，气体供应管线274可以设置在聚焦环262的内部，并且可以弯曲以连接聚焦环262和静电卡盘240。
根据一个实施方式，静电卡盘240可以由陶瓷材料形成，聚焦环262可以由硅材料形成，并且绝缘环264可以由石英材料形成。在处理期间将基板W保持在处理温度的加热构件282和冷却构件284可以被设置到静电卡盘240或基座220。多个加热构件282可以是加热线。冷却构件284可以是供制冷剂流过的冷却管线。根据一个实施方式，加热构件282可以设置在静电卡盘240中，并且冷却构件284可以设置在基座220中。
气体供应单元300将处理气体供应到处理室100中。气体供应单元300包括气体存储单元310、气体供应管线320和分配器330。气体供应管线320连接气体存储器单元310和气体引入端口(未示出)。气体供应管线320将储存在气体存储单元310中的处理气体供应到气体引入端口(未示出)。作为一个示例，气体引入端口可以形成在上电极420上。选择性地，气体供应管线320可以将处理气体供应到上电极420上。用于打开和关闭通道或调节流过通道的流体流量的阀322可以安装在气体供应管线320中。
气体供应管线320可以具有中心气体供应管线322和周边气体供应管线324。中心气体供应管线322将处理气体供应到上电极420的中心区域。周边气体供应管线324将处理气体供应到上电极420的周边区域。分配器330可以分配供应到中心气体供应管线322和周边气体供应管线324的处理气体的量。
等离子体产生单元400从停留在排出空间中的处理气体产生等离子体。排出空间对应于处理室100中的支撑单元200的上部区域。等离子体产生单元400可以具有电容耦合等离子体源。
等离子体产生单元400具有上电极部分420、下电极440和高频电源460。上电极部分420和下电极440设置成彼此上下面对。上电极部分420具有喷头422和上电极424。喷头422可以定位成朝向静电卡盘240，并且可以具有比静电卡盘240的直径更大的直径。喷头422具有孔422a和联接构件422b。处理气体通过孔422a喷射。联接构件422b联接喷头422和上电极424。可以提供多个联接构件422b。联接构件422b可以是螺栓。选择性地，联接构件422b可以是另一种类型的联接构件。上电极424设置在喷头422上。上电极424设置成朝向喷头422，并且联接到喷头422。上电极424设置成接触喷头422以电连接到喷头422。供处理气体流过的通孔424a和424b形成在上电极424的内部。再次参考图1，通孔424a和424b可以是与中心气体供应管线322连通的中心通孔424a和与周边气体供应管线324连通的周边通孔424b。根据一个示例，喷头422可以由硅形成。选择性地，喷头422可以由金属材料形成。
下电极440可以设置在静电卡盘240中。根据一个实施方式，上电极部分420可以接地429，并且高频电源460可以连接到下电极440。选择性地，高频电源460可以连接到上电极部分420，且下电极440可以接地。此外，选择性地，高频电源460可以连接到上电极部分420和下电极440两者。根据一个实施方式，高频电源460可以连续地向上电极部分420或下电极440施加电力，或者可以用脉冲向上电极部分420或下电极440施加电力。
检查单元600包括光纤610、光源620和测量单元630。检查单元600可以通过使用光检查喷头422和上电极424的联接状态。具体地，光纤610可以设置在上电极424和喷头422之间，并且如果从光源620照射的光穿过光纤610，则测量单元630可以检测穿过光纤610的光并监测喷头422和上电极424的联接状态。
检查单元600可以计算检测到的光的相位变化，并且可以基于光的相位变化来确定喷头422和上电极424的联接状态。例如，当检测到的光的相位变化超过预设值时，检查单元600可以确定喷头422和上电极424的联接状态是异常的。在检查单元600中，光源620可以安装在处理室100的一侧，并且测量单元630可以安装在光源620的相对侧，使得可以接收从光源620照射并穿过光纤610的光。然而，本发明构思不限于此，并且光源620和测量单元630可以安装在其中光可以照射到光纤610并可以接收穿过光纤610的光的多个位置处。此外，光纤610可以以螺旋形状设置在喷头422的上表面上。
作为另一示例，根据本发明构思的实施方式的光纤610可以设置在聚焦环262和绝缘环264之间，并且检查单元600可以检查聚焦环262和绝缘环264的联接状态。具体地，光纤610可以设置在聚焦环262和绝缘环264之间，并且如果从光源620照射的光穿过光纤610，则测量单元630可以检测穿过光纤610的光并监测聚焦环262和绝缘环264的联接状态。
作为另一示例，光纤610可以设置在绝缘环264下方，并且检查单元600可以检查绝缘环264的组件平行度。也就是说，除了喷头422之外，光纤610可以设置在聚焦环262和绝缘环264中，并且可以检查聚焦环262和绝缘环264的联接状态，或者检查绝缘环264的组装平行度是否有问题，此外，光纤610可以设置在基板处理设备10中的各个部分中，并且可以监测联接状态是否正常。
这样，通过在将光纤610设置在喷头422、聚焦环262等中时检测穿过光纤610的光，根据本发明构思的实施方式的检查单元600可以准确地检查喷头422和上电极424的联接状态以及聚焦环262和绝缘环264的联接状态。
图2是示出根据本发明构思的实施方式的光纤的设置位置的视图。
作为一个示例，光纤610可以设置在喷头422和上电极424之间。具体地，多个凹槽424a可以形成在上电极424下方，并且多个凹槽422a可以形成在喷头422上。光纤610可以设置在多个凹槽422a和424a之间。形成在喷头422中的多个凹槽422a可以形成在喷头422的多个孔之间。
当从喷头422的顶部观察时，形成在喷头422中的凹槽422a可以具有螺旋形状，如图3中所示。也就是说，当从喷头422的顶部观察时，可以形成螺旋凹槽，并且光纤610可以以螺旋形状设置在形成在喷头422中的凹槽422a中。因此，可以通过检测穿过光纤610的光来精确地确定喷头422和上电极424的联接状态异常的位置。此外，与图中所示的不同，形成在喷头422中的凹槽422a可以具有环形形状，并且光纤610可以具有环形形状。
作为另一示例，光纤610可设置在聚焦环262和绝缘环264之间。多个凹槽264a可以形成在绝缘环264上，多个凹槽262a可以形成在聚焦环262下方，并且光纤610可以设置在多个凹槽262a和264a之间。此外，形成在绝缘环264中的多个凹槽264a可以彼此间隔开特定距离，并且当从顶部观察时，可以具有螺旋形状。因此，光纤610可以以螺旋形状设置在聚焦环262和绝缘环264之间，并且可以精确地确定聚焦环262和绝缘环264的联接状态的位置。
在下文中，喷头422和绝缘环264将被称为下板720，并且上电极424和聚焦环262将被称为上板710。此外，形成在上板710中的凹槽将被称为上凹槽710a，并且形成在下板720中的凹槽将被称为下凹槽720a。
上凹槽710a和下凹槽720a可以具有类似于半圆的截面形状。此外，当上板710和下板720彼此接触时，上凹槽710a的顶点和下凹槽720a的底点之间的间隔可以小于光纤610的直径。这是因为当上板710和下板720彼此联接以彼此间隔开时，可以通过该结构防止上凹槽710a或下凹槽720a之间的间隙。
此外，当上板710和下板720彼此接触或彼此紧密地联接时，上凹槽710a的顶点与下凹槽720a的底点之间的间隔可以小于光纤610的直径，并且光纤610通过向上/向下的力而变形。这样，当上板710和下板720的联接状态不均匀并且上板710和下板720之间的间隔距离变得不同时，沿着光纤610传播的光的形状变化。通过光的相位变化，可以检查上板710和下板720的联接状态是否正常。
图4是示出第一变型的视图，其中设置有光纤的凹槽的形状是不同的。图5是示出图4中的光纤变形的外观的图。
参考图4和图5，上凹槽710a和下凹槽720a的截面可以具有沿宽度方向延伸的椭圆形状的部分。因此，在具有圆形截面的光纤610的侧表面上形成间隔空间。这是为了在上板710和下板720彼此联接时允许光纤610通过向上/向下的压力而变形。
参考图5，如果上板710和下板720彼此接触或者彼此紧密地联接，则光纤610的截面可以变形为具有椭圆形状。
图6是示出第二变型的图，其中设置有光纤的凹槽的形状不同。
参考图6，下凹槽720a的深度可以大于上凹槽710a的深度。此外，下凹槽720a的入口的直径可以与光纤610的直径相同或者更大，使得具有圆形截面的光纤610可以容易地插入下凹槽720a的入口中。使下凹槽720a的深度大于上凹槽710a的深度，以防止当上板710和下板720彼此联接时由于施加到侧面的力而使光纤610偏离。同时，与附图不同，可以去掉上凹槽710a。
接下来，将描述通过检查单元600检查喷头422和上电极422的联接状态的方法。
图7是示出根据本发明构思的实施方式的通过测量穿过光纤的光而获得的结果的视图。
例如，参考图7，当喷头422和上电极424在上电极424的7点钟方向上的联接状态异常时，检查单元600检测到的光的相位变化可能发生在7点钟和2点钟(7点钟的相对侧)的方向上。也就是说，因为如果喷头422和上电极424的联接状态有问题，则穿过喷头422和上电极424的联接状态有问题的位置的光的相位变化，并且由于喷头422和上电极424的联接状态的不对称性，穿过相应位置的光的相位在联接状态有问题的位置的相对侧变化，所以检查单元600可以基于光的相位变化来确定喷头422和上电极的联接状态是否异常。
图8是示出根据本发明构思的实施方式的检查方法的流程图。
首先，将光照射到设置在上电极和喷头之间的光纤(S510)。
随后，如果照射到光纤的光穿过光纤，则通过检测穿过光纤的光来监测喷头和上电极的联接状态(S520)。具体地，可以计算穿过光纤的光的相位变化，并且可以基于光的相位变化来确定喷头和上电极的联接状态。
如上所述，根据本发明构思的各种实施方式，通过在将光纤设置在上电极和喷头之间时检测穿过光纤的光，可以容易且准确地监测喷头和上电极的联接状态。
同时，可以提供一种非暂时性计算机可读介质，程序以在该非暂时性计算机可读介质中依次执行根据本发明构思的实施方式的检查方法。
非暂时性计算机可读介质不是指在短时间内存储数据的介质，例如寄存器、高速缓存或存储器，而是指半永久性地存储数据并由计算机读取的介质。具体地，上述各种应用程序或程序可以存储在非暂时性计算机可读介质，例如CD、DVD、硬盘、蓝光盘、USB、存储卡或ROM中。
尽管在实施方式中已经通过使用等离子体执行蚀刻工艺，但是基板处理工艺不限于此，而是可以应用于使用等离子体的各种基板处理工艺，例如沉积工艺、灰化工艺和清洁工艺。此外，在本实施方式中，等离子体产生单元是电容耦合等离子体源的结构。然而，与此不同，等离子体产生单元可以是电感耦合等离子体(ICP)装置。电感耦合等离子体装置可以包括天线。此外，基板处理设备还可以包括等离子体边界限制单元。作为一个示例，等离子体边界限制单元可以具有环形形状，并且可以设置成围绕排出空间以抑制等离子体排出到外部。
如上所述，根据本发明构思的各种实施方式，通过在将光纤设置在上电极和喷头之间时检测穿过光纤的光，可以容易且精确地监测喷头和上电极的联接状态。
以上描述是本公开的技术精神的简单示例，并且本公开可以由本公开所属领域的技术人员进行各种修正和修改而不脱离本公开的必要特征。因此，本发明构思的公开实施方式不限制本发明构思的技术精神而是说明性的，并且本发明构思的技术精神的范围不受本公开的实施方式的限制。本公开的范围应该由权利要求来解释，并且应当理解，等同范围内的所有技术精神都落入本公开的范围内。

Claims (16)

1.一种基板处理设备，包括：
处理室，在其内部具有处理空间；
支撑单元，位于所述处理室中以支撑基板；
气体供应单元，配置成将处理气体供应到所述处理室的内部；
等离子体产生单元，包括：具有供所述处理气体流过的通孔的上电极，和具有孔的喷头，所述喷头的孔用于供所述处理气体通过以被喷射到所述处理空间内；以及
检查单元，配置成在将光纤插入在所述上电极和所述喷头之间时检查所述喷头和所述上电极的联接状态。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述检查单元包括：
光纤，设置在所述上电极和所述喷头之间；
光源，配置成将光照射到所述光纤；以及
测量单元，配置成通过检测穿过所述光纤的光来监测所述喷头和所述上电极的联接状态。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述测量单元计算所述光的相位变化，并且基于所述光的相位变化来确定所述喷头和所述上电极的联接状态。
4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述光纤插入在形成于所述喷头的上表面上的下凹槽和形成于所述上电极的下表面上的上凹槽之间。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述光纤以螺旋形状设置在形成于所述喷头的上表面上的下凹槽中。
6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述上凹槽的深度和所述下凹槽的深度之和小于所述光纤的直径。
7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，当所述喷头和所述上电极彼此联接时，通过向所述光纤部分地提供压力，所述光纤部分地变形。
8.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述上凹槽和所述下凹槽的截面具有沿所述喷头和所述上电极的宽度方向延伸的椭圆的部分形状。
9.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述下凹槽的深度大于所述上凹槽的深度。
10.一种检查方法，包括：
通过插入在喷头和上电极之间的光纤来检查所述喷头和所述上电极的联接状态，其中所述检查所述联接状态包括：
将光照射到所述光纤上，
检测照射到所述光纤上的所述光，以及
通过使用所述光来监测所述喷头和所述上电极的联接状态。
11.根据权利要求10所述的检查方法，其中，所述监测联接状态包括：
计算检测到的光的相位变化；并且
基于计算出的光的相位变化来确定所述喷头和所述上电极的联接状态。
12.根据权利要求11所述的检查方法，其中，在所述喷头和所述上电极彼此联接并且执行处理之前进行对所述联接状态的监测。
13.根据权利要求11所述的检查方法，其中，在所述喷头和所述上电极彼此联接之后通过将所述气体供应到所述基板来处理所述基板的同时执行对所述联接状态的监测。
14.根据权利要求13所述的检查方法，其中，当所述喷头和所述上电极的联接状态异常时，停止供应所述气体。
15.一种基板处理设备，包括：
处理室，在其内部具有处理空间；
支撑单元，位于所述处理室中以支撑基板；
气体供应单元，配置成将处理气体供应到所述处理室的内部；
等离子体产生单元，配置成通过使用所述处理气体来产生等离子体；
环组件，包括围绕所述支撑单元的周缘的绝缘环和将所述等离子体集中在所述基板上的聚焦环；以及
检查单元，配置成在将光纤插入所述绝缘环和所述聚焦环之间时检查所述绝缘环和所述聚焦环的联接状态。
16.一种检查方法，包括：
通过插入在绝缘环和聚焦环之间的光纤来检查所述绝缘环和所述聚焦环的联接状态，
其中检查所述联接状态包括：
将光照射到所述光纤，
检测照射到所述光纤的所述光，以及
通过使用所述光来监测所述绝缘环和所述聚焦环的联接状态。
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