CN109368605A - 一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 - Google Patents
一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109368605A CN109368605A CN201811292943.0A CN201811292943A CN109368605A CN 109368605 A CN109368605 A CN 109368605A CN 201811292943 A CN201811292943 A CN 201811292943A CN 109368605 A CN109368605 A CN 109368605A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tellurium
- tellurium nano
- wire
- silica
- nano
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 65
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 41
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 18
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 14
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007144 microwave assisted synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- WFGOJOJMWHVMAP-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) telluride Chemical compound [Te]=[W]=[Te] WFGOJOJMWHVMAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置，以碲粉为原料，在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长；所述物理气相沉积的气相为氩气和氢气的混合气体，氩气和氢气的总流量为70sccm；所述理气相沉积的温度为600～800℃。即使用物理气相沉积法直接在二氧化硅/硅衬底上制备出碲纳米线。该实验以制备方法工艺简单，不涉及化学反应，具有环境友好等特点，成本低廉，所制备的碲纳米线质量高，纳米线的长径比可进行可控调节。碲纳米线可以作为气敏传感器、催化剂、热电材料、光电材料、太阳能电池以及场效应晶体管材料。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料领域，涉及一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置。
背景技术
碲(Te)是p型半导体，其体积带隙为～0.35eV，单层带隙为～1eV。具有由螺旋链组成的各向异性晶体结构。碲材料许多有趣的物理性质，包括光电导，压电，热电，非线性光学响应，可用于辐射冷却装置，气体传感器，场效应器件，和红外声光偏转器等。一维半导体纳米结构由于其优异的物理性质和在未来纳米器件中的潜在应用而引起了很多关注。为了获得1D纳米结构提供的潜力，最重要的问题之一是如何用方便的方法大量合成1D纳米结构。目前有离子液体中的微波辅助合成技术，气相生长技术和液相合成技术来合成1D结构的碲纳米线。其中气相生长技术对碲材料在光电器件应方面的应用具有重大意义。目前已经有科研工作者从事一维的碲材料的制备并取得了一定的成果。如中国发明专利(CN201210428109.6)公开了一种超细碲纳米线的宏量制备方法，其制备的材料属于湿法反应，制备的碲材料均一，可批量制备，但工艺相对复杂。
发明内容
针对现有技术中的缺陷和不足，本发明提供了一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置，本实验工艺过程简单，原料获取容易，制备出的碲化钨纳米线质量好，长径比可进行可控调节。
为达到上述目的，本发明采取的技术方案包括：
一种碲纳米线材料的制备方法，以碲粉为原料，在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长；
所述物理气相沉积的气相为氩气和氢气的混合气体，氩气和氢气的总流量为70sccm；
所述理气相沉积的温度为600～800℃。
可选的，所述氢气的流量为5～20sccm。
可选的，所述氢气的升温速率为20～50℃/min。
可选的，所述的沉积生长的时间为4～30min。
可选的，采用石英喷嘴将碲粉通过氩气和氢气的混合气体的携带沉积在衬底的二氧化硅面上；
所述的石英喷嘴的喷嘴口径为1mm；石英喷嘴的管体直径为1.2cm。
可选的，具体包括：
(1)将直径为1.2cm的石英管单端加工成直径约为1mm的石英喷嘴，过量的碲粉置于石英喷嘴管中；
(2)将二氧化硅/硅衬底裁剪成2cm*4cm的片状并用气枪吹净，面朝下倒扣在刚玉坩埚上；
(3)将刚玉坩埚置于石英管中，使得石英喷嘴正对衬底的二氧化硅面；采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长。
一种碲纳米线材料，包括二氧化硅/硅衬底，在所述的二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用本发明所述的方法进行碲纳米线的生长。
一种碲纳米线材料的生长装置，包括石英喷嘴，所述的石英喷嘴的喷嘴口径为1mm；石英喷嘴的管体直径为1.2cm。
可选的，还包括刚玉坩埚和石英管，石英管为物理气相沉积的反应室，刚玉坩埚为衬底的支架，石英喷嘴对准待沉积衬底表面。
本发明成功在二氧化硅/硅衬底上制备出了尺寸较为均一的碲纳米线，制备过程简单，并且通过氢气/氩气的比例可以有效控制制备碲纳米线的长径比。
附图说明
图1为本发明中碲纳米线材料的生长装置的实施例及对比例的实验制备示意图；
图2为本发明中实施例1制备得到的碲纳米线材料的光学显微镜照片；
图3为本发明中实施例1制备得到的碲纳米线材料的Raman图谱；
图4为本发明中实施例2制备得到的碲纳米线材料的光学显微镜照片；
图5为本发明中实施例2制备得到的碲纳米线材料的Raman图谱；
图6为本发明中对比例1制备得到的碲纳米线材料的光学显微镜照片；
以下结合说明书附图和具体实施方式对本发明做具体说明。
具体实施方式
本发明所制备的碲纳米线材料，采用物理气相沉积法直接在二氧化硅/硅衬底上生长。通过反应温度、反应时间及气流比例等因素获得了碲纳米线材料工艺简单，成本低廉。
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步详细说明，并通过对对比例的分析来体现本发明的优势。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一：
本实施例给出一种在二氧化硅/硅衬底上制备碲纳米线的方法，包括以下步骤：
步骤一：将直径为1.2cm的石英管单端加工成直径约为1mm的石英喷嘴，结构如图1所示；
步骤二：将二氧化硅/硅衬底裁剪成2cm*4cm的片状并用气枪吹净，面朝下倒扣在刚玉坩埚上；将刚玉坩埚置于石英管中，使得喷嘴正对二氧化硅一侧，结构如图1所示。
步骤三：先往石英管中通入100sccm的氩气，通气时间为30min，以彻底清除管中残留氧气。切换气路，然后往石英喷嘴的石英管中通入50sccm的氩气和20sccm的氢气，并将管式气氛炉加热至750℃，加热速率为37.5℃/min，保温4min。随后关闭加热器，自然冷却至室温，此时获得的碲纳米线如图2所示，拉曼光谱如图3所示。
图2光学照片说明PVD方法合成的材料是一维的纳米线结构，图3拉曼光谱说明纳米线材料具有碲的拉曼特征峰，表明合成的材料是碲。其长径比约为800-1000。
实施例二：
本实施例给出一种在二氧化硅/硅衬底上制备碲纳米线的方法，包括以下步骤：
步骤一：将直径为1.2cm的石英管单端加工成直径约为1mm的石英喷嘴，结构如图1所示；
步骤二：将二氧化硅/硅衬底裁剪成2cm*4cm的片状并用气枪吹净，面朝下倒扣在刚玉坩埚上；将刚玉坩埚置于石英管中，使得喷嘴正对二氧化硅一侧，结构如图1所示。
步骤三：先往石英管中通入100sccm的氩气，通气时间为30min，以彻底清除管中残留氧气。切换气路，然后往石英喷嘴的石英管中通入60sccm的氩气和10sccm的氢气，并将管式气氛炉加热至700℃，加热速率为35℃/min，保温30min。随后关闭加热器，自然冷却至室温，此时获得的碲纳米线如图4所示，拉曼光谱如图5所示。
图4光学照片说明PVD方法合成的材料是一维的纳米线结构，图5拉曼光谱说明纳米线材料具有碲的拉曼特征峰，表明合成的材料是碲。其长径比约为50-250。
对比例：
本对比例给出一种不使用喷嘴来制备材料的方法，包括以下步骤，
步骤一：将含有碲源的石英坩埚放在与实施例一相同的位置；
步骤二：将二氧化硅/硅衬底裁剪成2cm*4cm的片状并用气枪吹净，面朝下倒扣在刚玉坩埚上；将刚玉坩埚置于石英管中，放在与实施例一相同的位置。
步骤三：先往石英管中通入100sccm的氩气，通气时间为30min，以彻底清除管中残留氧气。然后往石英管中通入50sccm的氩气和20sccm的氢气，并将管式气氛炉加热至750℃，加热速率为37.5℃/min，保温4min。随后关闭加热器，自然冷却至室温，此时获得的结果如图6所示。
对比可以显示，不采用喷嘴结构，其他条件不变的情况下，在衬底上合成的材料为球形颗粒，没有形成纳米线结构。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，以碲粉为原料，在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长；
所述物理气相沉积的气相为氩气和氢气的混合气体，氩气和氢气的总流量为70sccm；
所述理气相沉积的温度为600～800℃。
2.根据权利要求1所述的碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，所述氢气的流量为5～20sccm。
3.根据权利要求1所述的碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，所述氢气的升温速率为20～50℃/min。
4.根据权利要求1所述的碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，所述的沉积生长的时间为4～30min。
5.根据权利要求1所述的碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，采用石英喷嘴将碲粉通过氩气和氢气的混合气体的携带沉积在衬底的二氧化硅面上；
所述的石英喷嘴的喷嘴口径为1mm；石英喷嘴的管体直径为1.2cm。
6.根据权利要求1所述的碲纳米线材料的制备方法，其特征在于，具体包括：
(1)将直径为1.2cm的石英管单端加工成直径约为1mm的石英喷嘴，过量的碲粉置于石英喷嘴管中；
(2)将二氧化硅/硅衬底裁剪成2cm*4cm的片状并用气枪吹净，面朝下倒扣在刚玉坩埚上；
(3)将刚玉坩埚置于石英管中，使得石英喷嘴正对衬底的二氧化硅面；采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长。
7.一种碲纳米线材料，其特征在于，包括二氧化硅/硅衬底，在所述的二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用权利要求1-6中任一权利要求所述的方法进行碲纳米线的生长。
8.一种碲纳米线材料的生长装置，其特征在于，包括石英喷嘴，所述的石英喷嘴的喷嘴口径为1mm；石英喷嘴的管体直径为1.2cm。
9.根据权利要求7所述的碲纳米线材料的生长装置，其特征在于，还包括刚玉坩埚和石英管，石英管为物理气相沉积的反应室，刚玉坩埚为衬底的支架，石英喷嘴对准待沉积衬底表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811292943.0A CN109368605B (zh) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | 一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811292943.0A CN109368605B (zh) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | 一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109368605A true CN109368605A (zh) | 2019-02-22 |
| CN109368605B CN109368605B (zh) | 2021-10-19 |
Family
ID=65397285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811292943.0A Expired - Fee Related CN109368605B (zh) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | 一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109368605B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110510585A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-11-29 | 福州大学 | 一种大面积薄层二维碲烯的制备方法 |
| CN114032510A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-11 | 中国科学院半导体研究所 | 碲纳米线垂直阵列的生长方法 |
| CN114203892A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 中国科学院金属研究所 | 一种基于碲纳米线垂直结构的热电-压电器件及制作方法 |
| CN115404460A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-29 | 西北工业大学宁波研究院 | 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法 |
| CN116374998A (zh) * | 2023-04-20 | 2023-07-04 | 温州大学 | 一种以硅氧化合物直接生长单壁碳纳米管水平阵列的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101435067A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-05-20 | 北京航空航天大学 | 基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法 |
| CN101456580A (zh) * | 2009-01-06 | 2009-06-17 | 华东理工大学 | 一种二氧化锡纳米线的制备方法 |
| US7842135B2 (en) * | 2006-01-09 | 2010-11-30 | Aixtron Ag | Equipment innovations for nano-technology aquipment, especially for plasma growth chambers of carbon nanotube and nanowire |
| US20110182115A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-07-28 | The Industry & Academic Cooperation In Chungnam National University (Iac) | METHOD FOR FABRICATING INDIUM (In)-ANTIMONY (Sb)-TELLURIUM (Te) NANOWIRES AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING THE NANOWIRES |
| CN103496675A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-08 | 国家纳米科学中心 | 一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用 |
-
2018
- 2018-11-01 CN CN201811292943.0A patent/CN109368605B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7842135B2 (en) * | 2006-01-09 | 2010-11-30 | Aixtron Ag | Equipment innovations for nano-technology aquipment, especially for plasma growth chambers of carbon nanotube and nanowire |
| CN101435067A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-05-20 | 北京航空航天大学 | 基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法 |
| CN101456580A (zh) * | 2009-01-06 | 2009-06-17 | 华东理工大学 | 一种二氧化锡纳米线的制备方法 |
| US20110182115A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-07-28 | The Industry & Academic Cooperation In Chungnam National University (Iac) | METHOD FOR FABRICATING INDIUM (In)-ANTIMONY (Sb)-TELLURIUM (Te) NANOWIRES AND PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING THE NANOWIRES |
| CN103496675A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-08 | 国家纳米科学中心 | 一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 翟庆洲: "《纳米技术》", 31 March 2006, 兵器工业出版社 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110510585A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-11-29 | 福州大学 | 一种大面积薄层二维碲烯的制备方法 |
| CN114032510A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-11 | 中国科学院半导体研究所 | 碲纳米线垂直阵列的生长方法 |
| CN114203892A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 中国科学院金属研究所 | 一种基于碲纳米线垂直结构的热电-压电器件及制作方法 |
| CN115404460A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-29 | 西北工业大学宁波研究院 | 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法 |
| CN115404460B (zh) * | 2022-09-02 | 2023-08-08 | 西北工业大学宁波研究院 | 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法 |
| CN116374998A (zh) * | 2023-04-20 | 2023-07-04 | 温州大学 | 一种以硅氧化合物直接生长单壁碳纳米管水平阵列的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109368605B (zh) | 2021-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109368605A (zh) | 一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置 | |
| Li et al. | Copper-catalyzed ZnO nanowires on silicon (1 0 0) grown by vapor–liquid–solid process | |
| CN101550531B (zh) | 硅纳米结构的制备方法 | |
| CN104389016B (zh) | 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 | |
| Zhang et al. | Synthesis of thin Si whiskers (nanowires) using SiCl4 | |
| CN108118395A (zh) | 一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法 | |
| CN107287578B (zh) | 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法 | |
| Wang et al. | Control growth of catalyst-free high-quality ZnO nanowire arrays on transparent quartz glass substrate by chemical vapor deposition | |
| CN109267036B (zh) | 一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料 | |
| CN111285401B (zh) | 一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法 | |
| Van Hieu et al. | A facile thermal evaporation route for large-area synthesis of tin oxide nanowires: characterizations and their use for liquid petroleum gas sensor | |
| CN1396300A (zh) | 物理气相沉积制备大面积氧化锌纳米线膜层的方法 | |
| CN113957412A (zh) | 一种晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜及其制备方法 | |
| CN105481002B (zh) | 自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法 | |
| Awad et al. | Synthesis and thermal stability of ZnO nanowires | |
| CN109336069A (zh) | 一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料 | |
| CN105399061B (zh) | 一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法 | |
| CN109721103B (zh) | 一种沿＜010＞晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法 | |
| CN105752947B (zh) | 一种制备硒化锡纳米带和硒化锡纳米线的方法 | |
| Wong et al. | Controlled growth of silicon nanowires synthesized via solid–liquid–solid mechanism | |
| CN102432060A (zh) | 一种空气气氛下快速制备氧化锌纳米带的方法 | |
| CN107385508A (zh) | 重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法 | |
| JP4016105B2 (ja) | シリコンナノワイヤーの製造法 | |
| Noda et al. | Microstructures and IR spectra of long amorphous SiO2/Si nanowires | |
| JP3571287B2 (ja) | 酸化珪素のナノワイヤの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20211019 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |