CN109296870B - 一种真空绝热板用阻隔膜及其制备方法和用途 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种真空绝热板用阻隔膜及其制备方法和用途，所述阻隔膜包括基底和依次设置在所述基底上的氧化硅涂层和镀铝层。本发明中的阻隔膜将氧化硅涂层与传统的镀铝层结合起来，获得阻隔性能更加优异的阻隔膜，并可用于真空绝热板；具体而言，该阻隔膜结合了真空紫外辐照PHPS制得的氧化硅涂层良好的水蒸气阻隔性能，和真空蒸镀镀铝层良好的氧气阻隔性能，其氧气透过率OTR和水蒸气透过率WVTR分别可低至0.97cm3·m‑2·d‑1和0.69g·m‑2·d‑1。

Description

一种真空绝热板用阻隔膜及其制备方法和用途
技术领域
本发明属于层状产品技术领域，具体涉及一种真空绝热板用阻隔膜及其制备方法和用途。
背景技术
真空绝热板(VIP)是近年来出现的一种新型超高效绝热板材，通常由芯材、阻隔膜、吸气剂三部分构成。真空绝热板可通过最大限度提高板内真空度并填充芯层绝热材料而实现隔绝热传导，从而达到保温、节能等目的。由于阻隔膜和热封口的漏气率严重影响真空绝热板的寿命，这就要求阻隔膜有较好的气体阻隔性能，同时不产生热桥效应。因此，寻找气体阻隔性能高的、无热桥效应的阻隔膜至关重要。但现有技术中，阻隔膜中阻气层基材主要采用的是聚合物薄膜，其内在的无序性和不致密性导致其制成的薄膜材料的阻隔性能很难满足要求。
早期的阻隔膜结构从外到内依次是：PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜、铝箔、PE(聚乙烯)膜。以铝箔作为阻气层，但其较高的导热系数会使得没有填充芯材的部位与相邻有芯材填充的部位形成热桥，降低真空绝热板的隔热性能。为了解决上述问题，中国专利文献CN101963267A公开了一种真空绝热板的隔气结构及其封装方法，该隔气结构由阻热层、阻气层和热封层构成，其中，阻热层是聚烯烃材料，阻气层是聚乙烯醇。采用聚乙烯醇代替铝箔作为阻气层，很大程度上降低了热桥效应，但相同厚度的聚乙烯醇气体阻隔能力远远低于铝箔。此外，聚乙烯醇中由于羟基的存在，对水蒸气的阻隔能力很差。
现有技术中，还有人采用真空蒸镀的方法在塑料薄膜上镀铝，作为阻气层。中国专利文献CN103057212A公开了一种在塑料薄膜上通过真空蒸镀稳定沉积铝层的方法。镀铝的塑料薄膜较好地解决了隔热问题，同时镀铝层的氧气阻隔能力较好，但是水蒸气的阻隔性能较差，不能满足真空绝热板的要求。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种真空绝热板用阻隔膜及其制备方法，所述阻隔膜是一种在基底上依次设置有氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜。本发明中的阻隔膜将氧化硅涂层与传统的镀铝层结合起来，获得了阻隔性能更加优异的阻隔膜。为了进一步增加阻隔膜的耐磨性和耐候性，在镀铝层之上设置了保护层。
本发明另一个目的在于提供一种上述的阻隔膜的用途，所述阻隔膜可用于真空绝热板。
本发明提供如下技术方案：
一种真空绝热板用阻隔膜，所述阻隔膜包括基底和依次设置在所述基底上的氧化硅涂层和镀铝层。
根据本发明，所述基底为聚合物薄膜。
根据本发明，所述聚合物为聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺或聚酰亚胺。
根据本发明，所述氧化硅涂层在所述基底上的附着力至少为1级。
根据本发明，所述氧化硅涂层的厚度在0.1-10μm之间，优选为0.2-2μm。
根据本发明，所述氧化硅涂层由包括如下组分的涂料组合物涂覆、固化形成：全氢聚硅氮烷(PHPS)、催化剂和溶剂。
根据本发明，所述涂料组合物包括以下质量百分比的组分：
PHPS 1％～17％，优选2％～10％；
催化剂 0.001％～2％，优选0.05％～1％；
溶剂 81％～98％，优选89％～97.95％；
其中，所述PHPS、催化剂和溶剂的质量百分比之和为100％。
优选地，所述PHPS数均分子量在300-30000之间，优选数均分子量在800-3000之间。
根据本发明，所述镀铝层的厚度为10-150nm，优选厚度为50-140nm，例如可以为130nm。
根据本发明，所述阻隔膜还进一步包括设置在镀铝层之上的保护层。
根据本发明，所述保护层由包括以下组分的组合物涂覆、固化形成：有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂。
优选地，其质量百分比如下：
有机聚硅氮烷 1％～16％，优选2％-11％；
催化剂 0.001％～3％，优选0.05％-2％；
溶剂 82％～98％，优选88％～97％；
其中，所述有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂的质量百分比之和为100％。
根据本发明，所述保护层的厚度为0.1-10μm，优选为0.2-2μm。
本发明还提供一种上述阻隔膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在基底上制备氧化硅涂层；
(2)在氧化硅涂层之上制备镀铝层。
根据本发明，所述方法进一步包括以下步骤：
(3)在镀铝层之上制备保护层，得到所述阻隔膜。
根据本发明，所述方法包括如下步骤：
(1’)制备包括全氢聚硅氮烷PHPS、催化剂和溶剂的涂料组合物，将涂料组合物涂覆在基底上，固化，形成氧化硅涂层；
(2’)将形成氧化硅涂层的基底放置于镀铝室内，在氧化硅涂层之上真空蒸镀铝，形成镀铝层；
(3’)制备包括有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂的组合物，将该组合物涂覆在镀铝层之上，固化，得到所述阻隔膜。
根据本发明，步骤(1)或(1’)中，在基底上制备氧化硅涂层前，对所述基底进行电晕或等离子体处理。
根据本发明，步骤(1’)中，所述固化为真空紫外固化。具体地，所述固化在172nm的真空紫外条件下进行。优选地，固化时间为0.1-3小时。优选地，氧气体积浓度为0-10％。优选地，紫外辐照的次数至少一次。
根据本发明，步骤(2’)中，基底放置于镀铝室内的速度，也称为放卷速度为150-350m/min；优选地，纯度为99.99％的铝丝送丝速度为150-800mm/min；优选地，镀铝室内温度为1250-1350℃，真空度在2×10-2Pa以上，例如为，2×10-2～4×10-2Pa。
根据本发明，步骤(2’)中，镀铝结束后，还包括向镀铝室内充入氮气的步骤。优选地，氮气压力为800-1500Pa；优选地，冲入氮气的时间为8-12小时。
根据本发明，步骤(1’)或(3’)中，所述溶剂在使用前须经过干燥除水处理，除水方法包括分子筛吸附干燥、分子筛回流、钠回流和氢化钙回流中的一种方法或多种方法的组合。
根据本发明，步骤(1’)或(3’)中，所述涂覆，可采用狭缝挤压、辊涂、喷涂、旋涂、浸涂、擦涂、滴涂等方式。
根据本发明，步骤(3’)中，所述固化可在温度0-200℃，湿度0-100％条件下进行，固化时间1-240小时。优选温度40-100℃，湿度30％-100％，固化时间2-120小时。
本发明还提供一种上述阻隔膜的用途，所述阻隔膜可用于真空绝热板。
本发明中的阻隔膜采用在基底上制备叠层涂层的方法制备得到，采用本发明的制备方法得到了在基底上依次设置有氧化硅涂层和镀铝层以及进一步的保护层的阻隔膜。本发明中的阻隔膜将氧化硅涂层与传统的镀铝层结合起来，获得阻隔性能更加优异的阻隔膜，并可用于真空绝热板；具体而言，该阻隔膜结合了真空紫外辐照PHPS制得的氧化硅涂层良好的水蒸气阻隔性能，和真空蒸镀镀铝层良好的氧气阻隔性能，其氧气透过率OTR和水蒸气透过率WVTR分别可低至0.97cm3·m-2·d-1和0.69g·m-2·d-1。
附图说明
图1是本发明的阻隔膜的截面示意图。其中，1：聚合物薄膜基底，2：氧化硅涂层，3：镀铝层，4：保护层。
图2是实施例9中阻隔膜截面的扫描电镜图。
具体实施方式
如前所述，阻隔膜中的氧化硅涂层是由包括如下组分的涂料组合物涂覆、固化形成：全氢聚硅氮烷PHPS、催化剂和溶剂。具体的，所述固化为真空紫外辐照固化。
在一个优选的实施方式中，本发明所涉及的PHPS是采用公开的合成方法(专利ZL201410315655)制备得到，具体为：以H2SiCl2为原料，并将其溶解于溶剂中，通过向其中通入NH3气体进行氨解反应，反应结束后，产物经过滤、浓缩得到PHPS。
在一个优选的实施方式中，上述涂料组合物中的催化剂包括至少一种胺类催化剂和/或至少一种金属类催化剂。
所述胺类催化剂可为脂肪胺，脂环族胺，醇胺，芳香胺中的一种或多种。所述脂肪胺选自二乙胺、三乙胺、三乙烯四胺等中的一种或多种；所述脂环族胺选自三亚乙基二胺、哌嗪、哌啶、吗啉等中的一种或多种；所述醇胺选自N，N-二甲基乙醇胺、二异丙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺等中的一种或多种；所述芳香胺选自苯胺、邻苯二胺、联苯胺、N,N-二甲基苯胺等中的一种或多种。
金属类催化剂可为有机锡催化剂或钯类催化剂中的一种或多种。所述有机锡催化剂选自二丁基锡二月桂酸脂、辛酸亚锡、二甲基锡、三苯基锡等中的一种或多种；所述钯类催化剂选自碳/钯、氯化钯、丙酸钯盐、乙酸钯盐、三苯基磷钯等中的一种或多种。
在一个优选的实施方式中，上述涂料组合物中的溶剂包括烷烃类溶剂，醚类溶剂，酮类溶剂，苯衍生物类溶剂中的一种或多种。所述烷烃类溶剂选自正己烷、正辛烷、正癸烷、三氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烯、矿物油等中的一种或多种；所述醚类溶剂选自乙醚、石油醚、二丁醚等中的一种或多种；所述酮类溶剂选自丙酮、甲乙酮、环己酮、异佛尔酮等中的一种或多种；所述苯衍生物类溶剂选自甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二甲苯、氯苯等中的一种或多种。
如前所述，所述保护层由包括以下组分的组合物涂覆、固化形成：有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂。
在一个优选实施方式中，所述有机聚硅氮烷为具有如式1所示重复单元的聚硅氮烷或其两种以上的混合物，
Figure BDA0001358933910000061
其中，R1和R2相同或不同，分别彼此独立地选自-H、C1-C4烷基、-CH＝CH2、-C6H5或-NH2中的一种；
优选为C1-C4直链烷基中的一种；
优选为-CH3、-CH2CH3或-CH2CH2CH3中的一种。
优选地，式1所示重复单元的个数为3-3000之间的整数，优选20-100之间的整数。
在一个优选实施方式中，形成保护层的组合物中的催化剂与上述形成氧化硅涂层的涂料组合物中的催化剂的选择范围相同。
在一个优选实施方式中，上述形成保护层的组合物中的溶剂包括烷烃类溶剂，醚类溶剂，酮类溶剂，苯衍生物类溶剂，酯类溶剂中的一种或多种。所述烷烃类溶剂选自正己烷、正辛烷、正癸烷、三氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烯、矿物油等中的一种或多种；所述醚类溶剂选自乙醚、石油醚、二丁醚等中的一种或多种；所述酮类溶剂选自丙酮、甲乙酮、环己酮、异佛尔酮等中的一种或多种；所述苯衍生物类溶剂选自甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二甲苯、氯苯等中的一种或多种；所述酯类溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸辛酯等中的一种或多种。
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。此外，应理解，在阅读了本发明所公开的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本发明所限定的保护范围之内。
所述方法如无特别说明均为常规方法。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径获得。
下述实施例中，附着力采用划格法按照GB/9286-1998进行测试，微观形貌采用型号为Hitach S-4800的扫描电镜进行观察，氧化硅涂层表面元素通过ESCALab 250Xi型多功能电子能谱仪进行分析，气体阻隔性能氧气透过率(OTR)和水蒸气透过率(WVTR)分别采用型号为
Figure BDA0001358933910000071
OX2、230
Figure BDA0001358933910000072
W3/330的仪器进行测试。
实施例1 PHPS的制备
本发明所涉及的PHPS是采用专利CN201410315655中公开的合成方法制备得到。具体方法如下：
采用1000ml三口玻璃烧瓶为反应容器，装配机械搅拌，转速400转/min，先用氮气置换反应瓶中的空气三次，使反应容器内为氮气氛，加入溶剂石油醚500ml，使反应瓶内温度降为-30℃。加入H2SiCl2 101g(1mol)，搅拌20min后，开始通入原料氨气，通入速率为40ml/min，氨气常压状态下为0.77g/L，折合共通入68g(4mol)，通氨过程中保持体系温度为-30℃。通氨完毕后，继续搅拌反应8小时。反应产物静止6小时后，采用0.1微米滤膜过滤，滤液进一步在真空加热状态下浓缩，真空度80Pa，加热温度40℃，浓缩至滤液质量不再变化为止，得到液体PHPS产物30g，数均分子量为980。
实施例2 氧化硅涂层用涂料组合物的制备
采用实施例1中的PHPS配制氧化硅涂层用涂料组合物，其具体质量百分比组成为：
实施例1制备的PHPS 2％
N，N-二甲基乙醇胺 0.05％
二丁醚 97.95％。
实施例3 氧化硅涂层用涂料组合物的制备
采用实施例1中的PHPS配制氧化硅涂层用涂料组合物，其具体质量百分比组成为：
实施例1制备的PHPS 5％
N，N-二甲基乙醇胺 0.05％
二丁醚 94.95％。
实施例4 氧化硅涂层用涂料组合物的制备
采用实施例1中的PHPS配制氧化硅涂层用涂料组合物，其具体质量百分比组成为：
实施例1制备的PHPS 8％
N，N-二甲基乙醇胺 0.05％
二丁醚 91.95％。
实施例5 包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜的制备
采用实施例2中的涂料组合物涂覆在经电晕处理的厚度为13μm的PET薄膜上，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，采用172nm真空紫外设备辐照，辐照时间为0.5小时，辐照距离为20mm，氧气浓度小于5％；得到包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜。
固化后形成的氧化硅涂层的厚度为100nm，采用划格法测试的涂层附着力为1级，采用X射线光电子能谱XPS对氧化硅涂层的表面元素进行分析，O/Si比例为1.75，与纯SiO2中O/Si比例为2相比较为接近，说明紫外固化的PHPS转化程度较高。
实施例6 包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜的制备
采用实施例3中的涂料组合物涂覆在经电晕处理的PET薄膜上，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，采用172nm真空紫外设备辐照，辐照时间为0.5小时，辐照距离为20mm，氧气浓度小于5％；得到包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜。
固化后形成的氧化硅涂层的厚度为440nm，采用划格法测试的涂层附着力为1级，采用XPS对氧化硅涂层的表面元素进行分析，O/Si比例为1.73，与纯SiO2中O/Si比例为2相比较为接近，说明紫外固化的PHPS转化程度较高。
实施例7 包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜的制备
采用实施例4中的涂料组合物涂覆在经电晕处理的PET薄膜上，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，采用172nm真空紫外设备辐照，辐照时间为0.5小时，辐照距离为20mm，氧气浓度小于5％；得到包括基底和氧化硅涂层的阻隔膜。
固化后形成的氧化硅涂层的厚度为700nm，采用划格法测试的涂层附着力为1级，采用XPS对氧化硅涂层的表面元素进行分析，O/Si比例为1.74，与纯SiO2中O/Si比例为2相比较为接近，紫外固化的PHPS转化程度较高。
实施例8 含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜的制备
将实施例5的阻隔膜放置在镀铝室内进行真空镀铝，镀铝室内温度为1300℃，真空度2×10-2Pa，实施例5的阻隔膜放卷速度为180m/min，纯度在99.99％以上的铝丝的送丝速度为200mm/min，最后在阻隔膜上形成了厚度为130nm的镀铝层。镀铝结束后，向所述的镀铝室内充入氮气，压力为1200Pa，时间为8小时。得到含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜。
实施例9 含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜的制备
将实施例6的阻隔膜放置在镀铝室内进行真空镀铝，镀铝室内温度为1300℃，真空度2×10-2Pa，实施例6的阻隔膜放卷速度为180m/min，纯度在99.99％以上的铝丝的送丝速度为200mm/min，最后在阻隔膜上形成了厚度为130nm的镀铝层。镀铝结束后，向所述的镀铝室内充入氮气，压力为1200Pa，时间为8小时。得到含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜。
所制备出的含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜截面的扫描电镜图如图2所示。
实施例10 含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜的制备
将实施例7的阻隔膜放置在镀铝室内进行真空镀铝，镀铝室内温度为1300℃，真空度2×10-2Pa，实施例7的阻隔膜放卷速度为180m/min，纯度在99.99％以上的铝丝的送丝速度为200mm/min，最后在阻隔膜上形成了厚度为130nm的镀铝层。镀铝结束后，向所述的镀铝室内充入氮气，压力为1200Pa，时间为8小时。得到含有基底、氧化硅涂层和镀铝层的阻隔膜。
对比例1 含有基底和镀铝层的阻隔膜的制备
将经电晕处理的PET薄膜放置在镀铝室内进行真空镀铝，镀铝室内温度为1300℃，真空度2×10-2Pa，PET薄膜的放卷速度为180m/min，纯度在99.99％以上的铝丝的送丝速度为200mm/min，最后在基底上形成了厚度为130nm的镀铝层。镀铝结束后，向所述的镀铝室内充入氮气，压力为1200Pa，时间为8小时。得到含有基底和镀铝层的阻隔膜。
实施例5-10和对比例1中的阻隔膜的性能测试结果见表1。
表1 实施例5-10和对比例1中阻隔膜的性能测试结果
Figure BDA0001358933910000101
从表1的数据可见，实施例8-10的OTR和WVTR与实施例5-7的相比，下降了一个数量级；实施例5-7的WVTR与对比例1的相比，下降了一个数量级；实施例8-10的OTR与对比例1相比，下降了一个数量级；实施例8-10的WVTR与对比例1的相比，下降了两个数量级。说明致密的氧化硅涂层能显著降低水蒸气透过率，镀铝层可降低氧气透过率，且所述氧化硅涂层与镀铝层结合使用时还具有显著的协同作用。
实施例11 保护层用组合物的制备
保护层用组合物中，组分及重量百分比为：
有机聚硅氮烷 10％
N，N-二甲基乙醇胺 0.15％
乙酸乙酯 89.85％；
所述有机聚硅氮烷为具有下述式(1)所示重复单元的聚硅氮烷或其两种以上的混合物：
Figure BDA0001358933910000111
其中，各个R1和R2彼此独立地相同或不同，分别地选自-H、C1-C4烷基(优选C1-C4直链烷基，更优选-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3)、-CH＝CH2、-C6H5和-NH2；
所述重复单元的个数为3-3000之间的整数，优选20-100之间的整数。
实施例12 阻隔膜的制备
采用实施例11中的组合物在实施例8的阻隔膜的镀铝层上进行涂覆，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，转移至恒温恒湿箱，采用表2中所列的固化程序固化，固化后得到阻隔膜。
表2 实施例12中保护层的固化程序
步骤 温度(℃) 湿度(％) 时间(h)
1 40 90 0.5
2 60 60 1
实施例13 阻隔膜的制备
采用实施例11中的组合物在实施例9的阻隔膜的镀铝层上进行涂覆，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，转移至恒温恒湿箱，采用表3中所列的固化程序固化，固化后得到阻隔膜。
表3 实施例13中保护层的固化程序
步骤 温度(℃) 湿度(％) 时间(h)
1 40 90 0.5
2 60 60 2
实施例14 阻隔膜的制备
采用实施例11中的组合物在实施例10的阻隔膜的镀铝层上进行涂覆，涂覆方式为擦涂；待溶剂挥发后，转移至恒温恒湿箱，采用表4中所列的固化程序固化，固化后得到阻隔膜。
表4 实施例14中保护层的固化程序
步骤 温度(℃) 湿度(％) 时间(h)
1 40 90 0.5
2 60 60 2
3 80 60 1
经测试，实施例12-14中所制备的带有保护层的阻隔膜的耐磨性能和耐候性能明显优于实施例5-10中不带有保护层的阻隔膜。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (24)

1.一种真空绝热板用阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜包括基底和依次设置在所述基底上的氧化硅涂层和镀铝层；所述氧化硅涂层在所述基底上的附着力至少为1级；
所述氧化硅涂层由包括如下质量百分比的组分的涂料组合物涂覆、固化形成：
全氢聚硅氮烷PHPS 2％～10％；
催化剂 0.05％～1％；和
溶剂 89％～97.95％；
其中，所述PHPS、催化剂和溶剂的质量百分比之和为100％；
所述PHPS数均分子量在800-3000之间；
其中，所述氧化硅涂层的厚度在0.1-10μm之间；所述镀铝层的厚度为10-150nm。
2.根据权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述基底为聚合物薄膜。
3.根据权利要求2所述的阻隔膜，其特征在于，所述聚合物为聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺或聚酰亚胺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜还进一步包括设置在镀铝层之上的保护层。
5.根据权利要求4所述的阻隔膜，其特征在于，所述保护层由包括以下组分的组合物涂覆、固化形成：有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂。
6.根据权利要求5所述的阻隔膜，其特征在于，所述保护层由包括以下质量百分比的组分的组合物涂覆、固化形成：
有机聚硅氮烷 2％-11％；
催化剂 0.05％-2％；
溶剂 88％～97％；
其中，所述有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂的质量百分比之和为100％。
7.根据权利要求4所述的阻隔膜，其特征在于，所述保护层的厚度为0.1-10μm。
8.一种根据权利要求1-3任一项所述的阻隔膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在基底上制备氧化硅涂层；
(2)在氧化硅涂层之上制备镀铝层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述方法进一步包括以下步骤：(3)在镀铝层之上制备保护层，得到所述阻隔膜。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1’)制备包括全氢聚硅氮烷PHPS、催化剂和溶剂的涂料组合物，将涂料组合物涂覆在基底上，固化，形成氧化硅涂层；
(2’)将形成氧化硅涂层的基底放置于镀铝室内，在氧化硅涂层之上真空蒸镀铝，形成镀铝层；
(3’)制备包括有机聚硅氮烷、催化剂和溶剂的组合物，将该组合物涂覆在镀铝层之上，固化，得到所述阻隔膜。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)或(1’)中，在基底上制备氧化硅涂层前，对所述基底进行电晕或等离子体处理。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(1’)中，所述固化为真空紫外固化。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述固化在172nm的真空紫外条件下进行，固化时间为0.1-3小时。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，氧气体积浓度为0-10％。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，紫外辐照的次数至少一次。
16.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(2’)中，基底放置于镀铝室内的速度，也称为放卷速度为150-350m/min。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，纯度为99.99％的铝丝送丝速度为150-800mm/min。
18.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，镀铝室内温度为1250-1350℃，真空度在2×10-2Pa以上。
19.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(2’)中，镀铝结束后，还包括向镀铝室内充入氮气的步骤，氮气压力为800-1500Pa；冲入氮气的时间为8-12小时。
20.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(1’)或(3’)中，所述溶剂在使用前须经过干燥除水处理，除水方法包括分子筛吸附干燥、分子筛回流、钠回流和氢化钙回流中的一种方法或多种方法的组合。
21.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(1’)或(3’)中，所述涂覆采用狭缝挤压、辊涂、喷涂、旋涂、浸涂、擦涂或滴涂。
22.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(3’)中，所述固化在温度0-200℃，湿度0-100％条件下进行，固化时间1-240小时。
23.根据权利要求22所述的制备方法，其特征在于，温度为40-100℃，湿度为30％-100％，固化时间为2-120小时。
24.一种根据权利要求1-7任一项所述的阻隔膜的用途，其特征在于，所述阻隔膜用于真空绝热板。
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