CN109285843B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109285843B
CN109285843B CN201811130634.3A CN201811130634A CN109285843B CN 109285843 B CN109285843 B CN 109285843B CN 201811130634 A CN201811130634 A CN 201811130634A CN 109285843 B CN109285843 B CN 109285843B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
conductive
electrically connected
pixel circuit
emitting diodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811130634.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109285843A (zh
Inventor
奚鹏博
林振祺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of CN109285843A publication Critical patent/CN109285843A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109285843B publication Critical patent/CN109285843B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置包括基板、第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路、保护层、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、多个第一发光二极管、多个第二发光二极管以及多个第三发光二极管。第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路位于基板上。第二像素电路位于第一像素电路与第三像素电路之间。保护层覆盖第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路。第一导电结构通过保护层的第一开孔而电性连接至第一像素电路。多个第一发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路，且电性连接至第一导电结构。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，且特别涉及一种包括三个发光二极管电性连接至四个导电结构的显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一种发光元件，因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管搬运到具有像素电路的驱动背板上的技术称为巨量转移(MassTransfer)。然而，现有技术在转移发光二极管时，为了配合像素电路的配置，通常需要转动部分的发光二极管，这容易产生发光二极管转置错误的问题，严重地影响显示装置的显示品质。因此，目前亟需一种能解决上述问题的方案。
发明内容
本发明提供一种显示装置，能改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置，包括基板、第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路、保护层、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、多个第一发光二极管、多个第二发光二极管以及多个第三发光二极管。第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路位于基板上。第二像素电路位于第一像素电路与第三像素电路之间。保护层覆盖第一像素电路、第二像素电路以及第三像素电路。第一导电结构通过保护层的第一开孔而电性连接至第一像素电路。第二导电结构通过保护层的第二开孔而电性连接至第二像素电路。第三导电结构通过保护层的第三开孔而电性连接至第三像素电路。多个第一发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路，且电性连接至第一导电结构。多个第二发光二极管重叠于第一像素电路以及第二像素电路，且电性连接至第二导电结构。多个第三发光二极管重叠于第三像素电路，且电性连接至第三导电结构。
本发明的目的之一为改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题。
本发明的目的之一为降低显示装置中的阻抗。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1F是依照本发明一实施例的一种显示装置的部分元件的俯视图。
图2A是根据图1C的剖面线A-A’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。
图2B是根据图1E的剖面线B-B’示出的显示装置的剖面示意图。
图2C是依照本发明一实施例的一种像素电路的电路示意图。
图3是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
图4是根据图3的剖面线C-C’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。
图5是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
图6是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。
附图标记说明：
10、20、30、40：显示装置
110：基板
120：元件
122、124：电极
130：保护层
131：第一开孔
132：第二开孔
133：第三开孔
134：第四开孔
140、168：绝缘层
141：第一导孔
142：第二导孔
143：第三导孔
144：第四导孔
145：第五导孔
146：第六导孔
147：第七导孔
148：第八导孔
150：粘着层
151、152、153、154、155、156、157、158：通孔
162：第一半导体层
164：发光层
166：第二半导体层
A-A’、B-B’、C-C’：剖面线
BM：遮光元件
C1、C2、C3：色彩转换元件
CH：通道
CL1、CL2：导电层
CO1：第一导电氧化物
CO2：第二导电氧化物
CO3：第三导电氧化物
CO4：第四导电氧化物
CO5：第五导电氧化物
CO6：第六导电氧化物
CO7：第七导电氧化物
CO8：第八导电氧化物
CS1：第一导电结构
CS2：第二导电结构
CS3：第三导电结构
CS4：第四导电结构
D：漏极
E1：第一电极
E2：第二电极
G：栅极(闸极)
GI：栅极绝缘层(闸绝缘层)
IL1：第一绝缘层
IL2：第二绝缘层
ILD：层间介电层
LED1：第一发光二极管
LED2：第二发光二极管
LED3：第三发光二极管
O：开口
PC：像素电路
PC1：第一像素电路
PC2：第二像素电路
PC3：第三像素电路
R：反射层
S：源极
SL1、SL2、SL3、SL4：信号线
T、T1、T2、T3：主动元件
VDD：电压
W：导线
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的构思或范围。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或(and/or)公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
图1A至图1F是依照本发明一实施例的一种显示装置的部分元件的俯视图。图2A是根据图1C的剖面线A-A’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。图2B是根据图1E的剖面线B-B’示出的显示装置的剖面示意图。图2C是依照本发明一实施例的一种像素电路的电路示意图。
请参考图1A至图1E以及图2B，显示装置10包括基板110、第一像素电路PC1、第二像素电路PC2、第三像素电路PC3、保护层130、第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3、多个第一发光二极管LED1、多个第二发光二极管LED2以及多个第三发光二极管LED3。在本实施例中，显示装置10还包括第四导电结构CS4、导线W、反射层R、绝缘层140、粘着层150、第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3、第四导电氧化物CO4、第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7、第八导电氧化物CO8、导电层CL1以及导电层CL2，但本发明不以此为限。
请参考图1A～1C与图2A，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3位于基板110上。第二像素电路PC2位于第一像素电路PC1与第三像素电路PC3之间。第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3各自包括元件120、栅极绝缘层GI、主动元件T以及层间介电层ILD，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3还各自包括其他驱动元件(未示出)，但本发明不以此为限。
请参考图2A，主动元件T位于基板110上。主动元件T具有通道CH、栅极G、源极S以及漏极D。通道CH位于基板110上。通道CH可为单层或多层结构，且其材料包含非晶硅、纳米晶硅、微晶硅、多晶硅、单晶硅、氧化物半导体材料、有机半导体材料、纳米碳管/杆、钙钛矿材料或其它合适的半导体材料。
栅极G重叠于通道CH，且与通道CH之间夹有栅极绝缘层GI。栅极G的材质为导电材料。举例而言，栅极G的材质例如包括铜(Copper,Cu)、钼(Molybdenum,Mo)、钛(Titanium,Ti)、铝(Aluminum,Al)、钨(Tungsten,W)、银(Silver,Ag)、金(Gold,Au)、上述金属的合金或上述材料的组合。栅极G可为单层结构或多层结构。
导电层122位于基板110上。栅极绝缘层GI同时覆盖基板110、通道CH以及导电层122。通道CH以及导电层122位于栅极绝缘层GI与基板110之间。在本实施例中，导电层122与通道CH属于相同的导电膜层，且通道CH以及导电层122是于同一道图案化制程中所形成的，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导电层122也可以与通道CH属于不同的导电膜层。
导电层124重叠于导电层122。导电层124位于绝缘层GI上。在本实施例中，导电层124与栅极G属于相同的导电膜层，且栅极G以及导电层124是于同一道图案化制程中所形成的，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导电层124也可以与栅极G属于不同的导电膜层。导电层122与导电层124例如为元件120的一部分，元件120例如为主动元件或无源元件(被动元件)。在本实施例中，元件120例如为电容。
层间介电层ILD同时覆盖栅极绝缘层GI、栅极G以及导电层124。栅极G以及导电层124位于层间介电层ILD与栅极绝缘层GI之间。
漏极D与源极S位于层间介电层ILD上，且电性连接至通道CH。漏极D与导电层124电性连接。在本实施例中，主动元件T是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，上述的主动元件T也可是以底部栅极型薄膜晶体管。
请参考图1B与图2A，保护层130覆盖第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3。保护层130具有第一开孔131、第二开孔132以及第三开孔133，在本实施例中，保护层130还具有第四开孔134。保护层130可为有机材料或是无机材料。保护层130的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、其它合适的材料或上述的组合)、其它合适的材料或上述的组合。在本实施例中，保护层130包括第一绝缘层IL1以及第二绝缘层IL2，但本发明不以此为限。
第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4位于保护层130上。第一导电结构CS1通过保护层130的第一开孔131而电性连接至第一像素电路PC1。第二导电结构CS2通过保护层130的第二开孔132而电性连接至第二像素电路PC2。第三导电结构CS3通过保护层130的第三开孔133而电性连接至第三像素电路PC3。第四导电结构CS4通过保护层130的第四开孔134而电性连接至第三像素电路PC3。
导线W位于第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3上。导线W为具有多个开口O的网状结构。在本实施例中，导线W、第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4属于相同的导电膜层，且导线W、第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4是于同一道图案化制程中所形成的，但本发明不以此为限。
反射层R位于导线W的开口O中。在本实施例中，反射层R结构上分离于导线W、第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4，但本发明不以此为限。在一些实施例中，反射层R可以与导线W、第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3及第四导电结构CS4中的至少一者电性连接。
请参考图1C与图2A，绝缘层140覆盖第一导电结构CS1、第二导电结构CS2、第三导电结构CS3、第四导电结构CS4以及保护层130。绝缘层140具有第一导孔141、第二导孔142、第三导孔143、第四导孔144、第五导孔145、第六导孔146、第七导孔147以及第八导孔148。
第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3、第四导电氧化物CO4、第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7以及第八导电氧化物CO8位于绝缘层140上。
第一导电氧化物CO1通过绝缘层140的第一导孔141而电性连接至第一导电结构CS1。第二导电氧化物CO2通过绝缘层140的第二导孔142而电性连接至第二导电结构CS2。第三导电氧化物CO3通过绝缘层140的第三导孔143而电性连接至第三导电结构CS3。第四导电氧化物CO4通过绝缘层140的第四导孔144而电性连接至第四导电结构CS4。
第五导电氧化物CO5通过绝缘层140的第五导孔145而电性连接至导线W。第六导电氧化物CO6通过绝缘层140的第六导孔146而电性连接至导线W。第七导电氧化物CO7通过绝缘层140的第七导孔147而电性连接至导线W。第八导电氧化物CO8通过绝缘层140的第八导孔148而电性连接至导线W。
请参考图1A与图1D，多个第一发光二极管LED1重叠于第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2。多个第二发光二极管LED2重叠于第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2。多个第三发光二极管LED3重叠于第三像素电路PC3。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3对应于导线W的多个开口O设置。第一发光二极管LED1沿着第一方向D1排列。第二发光二极管LED2沿着第一方向D1排列。第三发光二极管LED3沿着第二方向D2排列。第一方向D1不同于第二方向D2。
在一些实施例中，至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于第一发光二极管LED1于基板110上的垂直投影以及第二发光二极管LED2于基板110上的垂直投影之间。至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于两相邻的第三发光二极管LED3于基板110上的垂直投影之间。至少部分导线W于基板110上的垂直投影重叠于第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2。在本实施例中，导线W没有设置于两相邻的第一发光二极管LED1之间以及两相邻的第二发光二极管LED2之间，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导线W可以设置于两相邻的第一发光二极管LED1之间及/或两相邻的第二发光二极管LED2之间。
请参考图1D及图2B，在本实施例中，粘着层150覆盖绝缘层140、第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3、第四导电氧化物CO4、第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7以及第八导电氧化物CO8。第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3、第四导电氧化物CO4、第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7以及第八导电氧化物CO8位于粘着层150与绝缘层140之间。粘着层150具有多个通孔151～158。
粘着层150位于第一发光二极管LED1与保护层130之间、第二发光二极管LED2与保护层130之间以及第三发光二极管LED3与保护层130之间。
在本实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3位于粘着层150上。第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3例如是先形成于生长基板上，接着再利用巨量转移技术转置于粘着层150上。在本实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3可通过物理或化学的方法吸附粘着层150上，然而本发明不限于此。在其他实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3可以通过例如焊料与基板上的电极垫电性连接。
在一些实施例中，粘着层150包括固化后的光刻胶(光阻)材料。在一些实施例中，先于保护层130的上方涂布光刻胶材料，将第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3放置于光刻胶材料上后，再固化所述光刻胶材料。更详而言之，在一些实施例中，先于绝缘层140上涂布光刻胶材料，将第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3放置于光刻胶材料上后，再固化所述光刻胶材料。接着利用微影蚀刻的方式于光刻胶材料上形成通孔151～158，然而本发明不以此为限。
请参考图1E以及图2B，在本实施例中，转移至粘着层150上的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自包括依序堆叠的第一电极E1、第一半导体层162、发光层164、第二半导体层166、第二电极E2以及绝缘层168。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一电极E1于基板110上的垂直投影凸出第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一半导体层162于基板110上的垂直投影。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一电极E1分别与导电层CL1电性连接。导电层CL1通过粘着层150的多个通孔151～154而电性连接至第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3以及第四导电氧化物CO4。具体而言，与多个第一发光二极管LED1电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔151而电性连接至第一导电氧化物CO1；与多个第二发光二极管LED2电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔152而电性连接至第二导电氧化物CO2；与部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔153而电性连接至第三导电氧化物CO3；与另一部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔154而电性连接至第四导电氧化物CO4。
多个第一发光二极管LED1的第一电极E1电性连接至第一导电结构CS1。多个第二发光二极管LED2的第一电极E1电性连接至第二导电结构CS2。部分第三发光二极管LED3的第一电极E1电性连接至第三导电结构CS3。另一部分第三发光二极管LED3的第一电极E1电性连接至第四导电结构CS4。在一些实施例，多个第三发光二极管LED3同时电性连接至第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4，第三导电结构CS3以及第四导电结构CS4会被施加相同的信号。
在本实施例中，绝缘层168具有至少一个开口以暴露出第二电极E2的部分顶面。第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第二电极E2分别与导电层CL2电性连接。导电层CL2通过粘着层150的多个通孔155～158而电性连接至第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7以及第八导电氧化物CO8。具体而言，与多个第一发光二极管LED1电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔155而电性连接至第五导电氧化物CO5；与多个第二发光二极管LED2电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔156而电性连接至第六导电氧化物CO6；与部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔157而电性连接至第七导电氧化物CO7；与另一部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔158而电性连接至第八导电氧化物CO8。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3电性连接至导线W。
第一发光二极管LED1的第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第一导电氧化物CO1与第五导电氧化物CO5。第一导电氧化物CO1于基板110上的垂直投影位于第一发光二极管LED1于基板110上的垂直投影的第一侧。第五导电氧化物CO5于基板110上的垂直投影位于第一发光二极管LED1于基板110上的垂直投影的第二侧。
第二发光二极管LED2的第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第二导电氧化物CO2与第六导电氧化物CO6。第二导电氧化物CO2于基板110上的垂直投影位于第二发光二极管LED2于基板110上的垂直投影的第一侧。第六导电氧化物CO6于基板110上的垂直投影位于第二发光二极管LED2于基板110上的垂直投影的第二侧。第一导电氧化物CO1、第五导电氧化物CO5、第二导电氧化物CO2与第六导电氧化物CO6依序排列，例如是沿着第二方向D2依序排列。
第三发光二极管LED3电性连接至第三导电氧化物CO3、第四导电氧化物CO4、第七导电氧化物CO7与第八导电氧化物CO8。举例来说，部分第三发光二极管LED3的第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第三导电氧化物CO3与第七导电氧化物CO7，而另一部分第三发光二极管LED3的第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第四导电氧化物CO4与第八导电氧化物CO8。第三导电氧化物CO3、第七导电氧化物CO7、第四导电氧化物CO4与第八导电氧化物CO8依序排列，例如是沿着第二方向D2依序排列。
请参考图1F，在一些实施例中，显示装置10还包括色彩转换板。色彩转换板包括色彩转换元件C1～C3以及遮光元件BM。色彩转换元件C1～C3例如为滤光元件、荧光材料及/或量子点材料。色彩转换元件C1～C3例如为不同颜色的色彩转换元件，例如分别为红色、绿色以及蓝色。色彩转换元件C1重叠于第一发光二极管LED1。色彩转换元件C2重叠于第二发光二极管LED2。色彩转换元件C3重叠于第三发光二极管LED3。换句话说，色彩转换元件C1对应于第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2设置，色彩转换元件C2对应于第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2设置，色彩转换元件C3对应于第三像素电路PC3设置。
在本实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一电极E1在巨量转移技术转置后可以有相同的转动角度，也就是说第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3可以在相同的转置过程中完成，而不用使第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2及第三发光二极管LED3中的任一者为了配合像素电路而与其他者具有不同的转动方向，借此能改善转置错误的问题，并且降低显示装置中的阻抗。
图2C为本发明一实施例中的一种像素电路的电路示意图，像素电路PC例如为第一像素电路PC1、第二像素电路PC2及第三像素电路PC3中的一者，本实施例是以像素电路PC为第一像素电路PC1为例。
请参考图2C，在本实施例中，像素电路PC包括主动元件T1。主动元件T1的栅极电性连接于信号线SL1，主动元件T1的源极电性连接于信号线SL2，主动元件T1的漏极电性连接于主动元件T2的栅极。信号线SL1例如是扫描线，且信号线SL2例如是数据线。
主动元件T2的源极电性连接于电压VDD。主动元件T2的漏极与主动元件T3的漏极电性连接于多个第一发光二极管LED1的一端，例如通过，而多个第一发光二极管LED1的另一端电性连接于导线W。在一些实施例中，导线W电性连接于电压VSS。
主动元件T3的栅极电性连接于信号线SL3，主动元件T3的源极电性连接于信号线SL4。信号线SL3例如是扫描线，且信号线SL4例如是数据线。
基于上述，本发明的显示装置10可以改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题且降低显示装置中的阻抗，提升显示装置的显示品质。
图3是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。图4是根据图3的剖面线C-C’示出的显示装置的部分元件的剖面示意图。在此必须说明的是，图3、图4的实施例沿用图1E、图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3、图4的实施例与图1E、图2B的实施例的区别的特点在于：发光二极管的形式不同。
请参考图3及图4，转移至粘着层150上的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2及第三发光二极管LED3各自包括第一电极E1、第一半导体层162、发光层164、第二半导体层166、第二电极E2以及绝缘层168，其中第一半导体层162、发光层164、第二半导体层166是依序堆叠的。在本实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2及第三发光二极管LED3具有类似的结构。
在本实施例中，第二半导体层166与部分第一半导体层162重叠。绝缘层168具有至少两个开口，分别暴露出第一电极E1与第二电极E2。
在本实施例中，第一电极E1与发光层164位于第一半导体层162的同一侧，在图4中，第一电极E1与发光层164皆位于第一半导体层162的上侧。第一电极E1电性连接第一半导体层162。第二电极E2电性连接第二半导体层166。第二半导体层166位于第二电极E2与发光层164之间。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第二电极E2分别与导电层CL1电性连接。导电层CL1通过粘着层150的多个通孔151～154而电性连接至第一导电氧化物CO1、第二导电氧化物CO2、第三导电氧化物CO3以及第四导电氧化物CO4。具体而言，与多个第一发光二极管LED1电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔151而电性连接至第一导电氧化物CO1；与多个第二发光二极管LED2电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔152而电性连接至第二导电氧化物CO2；与部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔153而电性连接至第三导电氧化物CO3；与另一部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔154而电性连接至第四导电氧化物CO4。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一电极E1分别与导电层CL2电性连接。导电层CL2通过粘着层150的多个通孔155～158而电性连接至第五导电氧化物CO5、第六导电氧化物CO6、第七导电氧化物CO7以及第八导电氧化物CO8。具体而言，与多个第一发光二极管LED1电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔155而电性连接至第五导电氧化物CO5；与多个第二发光二极管LED2电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔156而电性连接至第六导电氧化物CO6；与部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL2通过粘着层150的通孔157而电性连接至第七导电氧化物CO7；与另一部分第三发光二极管LED3电性连接的导电层CL1通过粘着层150的通孔158而电性连接至第八导电氧化物CO8。
在本实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3各自的第一电极E1在巨量转移技术转置后可以有相同的转动角度，也就是说第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2以及第三发光二极管LED3可以在相同的转置过程中完成，而不用使第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2及第三发光二极管LED3中的任一者为了配合像素电路而与其他者具有不同的转动方向，借此能改善转置错误的问题，并且降低显示装置中的阻抗。
基于上述，本发明的显示装置20可以改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题且降低显示装置中的阻抗，提升显示装置的显示品质。
图5是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图5的实施例与图1E的实施例的区别的特点在于：导线W的形状不同。
在本实施例中，至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于第一发光二极管LED1于基板110上的垂直投影以及第三发光二极管LED3于基板110上的垂直投影之间。至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于第二发光二极管LED2于基板110上的垂直投影以及第三发光二极管LED3于基板110上的垂直投影之间。至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于第一像素电路PC1以及第三像素电路PC3之间。至少部分导线W于基板110上的垂直投影位于第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3之间。因此，本实施例的导线W可以具有较低的阻抗值。
基于上述，本发明的显示装置30可以改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题且降低显示装置中的阻抗，提升显示装置的显示品质。
图6是本发明另一实施例的一种显示装置的俯视图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图1E的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图6的实施例与图1E的实施例的区别的特点在于：图6的实施例不具有第四导电结构CS4。
在本实施例中，多个第三发光二极管LED3皆通过第三导电结构CS3而电性连接至第三像素电路PC3。举例来说，导电结构CS3通过第三导孔143电性连接至第三导电氧化物CO3，导电结构CS3通过第四导孔144电性连接至第四导电氧化物CO4。
由于第三导电氧化物CO3与第四导电氧化物CO4皆电性连接至导电结构CS3，因此可以减少第四导电结构CS4(绘于图1B)以及第四开孔134(绘于图1B)的设置。
基于上述，本发明的显示装置40可以改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题且降低显示装置中的阻抗，提升显示装置的显示品质。
综上所述，本发明的显示装置，可以改善发光二极管利用巨量转移技术转置时造成的转置错误的问题，并且降低显示装置中的阻抗，提升显示装置的显示品质。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1.一种显示装置，包括：
一基板；
一第一像素电路、一第二像素电路以及一第三像素电路，位于该基板上，其中该第二像素电路位于该第一像素电路与该第三像素电路之间；
一保护层，覆盖该第一像素电路、该第二像素电路以及该第三像素电路；
一第一导电结构，通过该保护层的一第一开孔而电性连接至该第一像素电路；
一第二导电结构，通过该保护层的一第二开孔而电性连接至该第二像素电路；
一第三导电结构，通过该保护层的一第三开孔而电性连接至该第三像素电路；
多个第一发光二极管，重叠于该第一像素电路以及该第二像素电路，且电性连接至该第一导电结构，其中所述多个第一发光二极管通过该第一导电结构而电性连接至该第一像素电路；
多个第二发光二极管，重叠于该第一像素电路以及该第二像素电路，且电性连接至该第二导电结构，其中所述多个第二发光二极管通过该第二导电结构而电性连接至该第二像素电路；以及
多个第三发光二极管，重叠于该第三像素电路，且电性连接至该第三导电结构。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括一第四导电结构，通过该保护层的一第四开孔而电性连接至该第三像素电路，所述多个第三发光二极管电性连接至该第四导电结构。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述多个第一发光二极管沿着一第一方向排列，所述多个第二发光二极管沿着该第一方向排列，所述多个第三发光二极管沿着一第二方向排列，且该第一方向不同于该第二方向。
4.如权利要求1所述的显示装置，还包括一粘着层，位于所述多个第一发光二极管与该保护层之间、所述多个第二发光二极管与该保护层之间以及所述多个第三发光二极管与该保护层之间。
5.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
一导线，电性连接至所述多个第一发光二极管、所述多个第二发光二极管以及所述多个第三发光二极管，其中该导线为具有多个开口的网状结构，所述多个第一发光二极管、所述多个第二发光二极管以及所述多个第三发光二极管对应于所述多个开口设置。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中至少部分该导线于该基板上的垂直投影位于所述多个第一发光二极管于该基板上的垂直投影以及所述多个第二发光二极管于该基板上的垂直投影之间，并且重叠于该第一像素电路以及该第二像素电路。
7.如权利要求5所述的显示装置，其中至少部分该导线于该基板上的垂直投影位于所述多个第一发光二极管于该基板上的垂直投影以及所述多个第三发光二极管于该基板上的垂直投影之间。
8.如权利要求5所述的显示装置，还包括一第四导电结构，通过该保护层的一第四开孔而电性连接至该第三像素电路，所述多个第三发光二极管电性连接至该第四导电结构，其中至少部分该导线于该基板上的垂直投影位于两相邻的所述多个第三发光二极管于该基板上的垂直投影之间。
9.如权利要求8所述的显示装置，还包括：
一绝缘层，覆盖该第一导电结构、该第二导电结构以及该第三导电结构；
一第一导电氧化物，通过该绝缘层的一第一导孔而电性连接至该第一导电结构；
一第二导电氧化物，通过该绝缘层的一第二导孔而电性连接至该第二导电结构；以及
一第三导电氧化物，通过该绝缘层的一第三导孔而电性连接至该第三导电结构；
一第四导电氧化物，通过该绝缘层的一第四导孔而电性连接至该第四导电结构；
一第五导电氧化物，通过该绝缘层的一第五导孔而电性连接至该导线；
一第六导电氧化物，通过该绝缘层的一第六导孔而电性连接至该导线；以及
一第七导电氧化物，通过该绝缘层的一第七导孔而电性连接至该导线；以及
一第八导电氧化物，通过该绝缘层的一第八导孔而电性连接至该导线，其中该第一导电氧化物与该第五导电氧化物电性连接所述多个第一发光二极管，该第二导电氧化物与该第六导电氧化物电性连接所述多个第二发光二极管，该第三导电氧化物、该第四导电氧化物、该第七导电氧化物与该第八导电氧化物电性连接所述多个第三发光二极管。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中：
该第一导电氧化物于该基板上的垂直投影位于所述多个第一发光二极管于该基板上的垂直投影的一第一侧；
该第五导电氧化物于该基板上的垂直投影位于所述多个第一发光二极管于该基板上的垂直投影的一第二侧；
该第二导电氧化物于该基板上的垂直投影位于所述多个第二发光二极管于该基板上的垂直投影的一第一侧；
该第六导电氧化物于该基板上的垂直投影位于所述多个第二发光二极管于该基板上的垂直投影的一第二侧。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中所述多个第三发光二极管沿着一第二方向排列，且该第三导电氧化物、该第七导电氧化物、该第四导电氧化物与该第八导电氧化物沿着该第二方向依序排列。
CN201811130634.3A 2018-07-16 2018-09-27 显示装置 Active CN109285843B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107124532 2018-07-16
TW107124532A TWI688933B (zh) 2018-07-16 2018-07-16 顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109285843A CN109285843A (zh) 2019-01-29
CN109285843B true CN109285843B (zh) 2021-04-30

Family

ID=65182444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811130634.3A Active CN109285843B (zh) 2018-07-16 2018-09-27 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10825801B2 (zh)
CN (1) CN109285843B (zh)
TW (1) TWI688933B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109786421B (zh) * 2019-02-28 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、显示背板及制作方法
WO2020196271A1 (ja) * 2019-03-22 2020-10-01 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
KR20210054119A (ko) * 2019-11-04 2021-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20210177500A1 (en) 2019-12-12 2021-06-17 Intuitive Surgical Operations, Inc. Surgical instruments having non-linear cam slots
KR20200028350A (ko) * 2020-02-25 2020-03-16 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
TWI737484B (zh) * 2020-06-05 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN114255703B (zh) * 2020-09-21 2023-06-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
TWI814434B (zh) * 2022-04-01 2023-09-01 友達光電股份有限公司 發光二極體陣列基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123538A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sony Corp 有機電界発光表示装置
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法
CN108074953A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
KR100719924B1 (ko) 2005-04-29 2007-05-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 유기 전계발광 표시장치
TWI312639B (en) 2005-08-09 2009-07-21 Chang Sin Mi Method and apparatus for stereoscopic display employing an array of pixels each employing an organic light emitting diode
JP5157825B2 (ja) 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR20110129531A (ko) 2010-05-26 2011-12-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소배열구조
KR101189025B1 (ko) 2010-05-31 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소배열구조
TWI527210B (zh) * 2013-12-04 2016-03-21 群創光電股份有限公司 主動矩陣電致發光顯示裝置
KR20170080459A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI649736B (zh) * 2016-12-16 2019-02-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 電致發光顯示裝置
KR102605174B1 (ko) * 2016-12-19 2023-11-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009123538A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Sony Corp 有機電界発光表示装置
CN106328673A (zh) * 2015-07-03 2017-01-11 三星显示有限公司 透明显示设备及制造该透明显示设备的方法
CN108074953A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200020672A1 (en) 2020-01-16
US10825801B2 (en) 2020-11-03
TWI688933B (zh) 2020-03-21
TW202006695A (zh) 2020-02-01
CN109285843A (zh) 2019-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109285843B (zh) 显示装置
CN109671740B (zh) 显示面板
CN105870125B (zh) 显示装置
CN104733499B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN109300430B (zh) 发光装置及其制造方法
US10838565B2 (en) Display device, with touch sensor, to suppress disconnection of lead-out wiring
KR102022396B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104064679B (zh) 像素结构
TWI760011B (zh) 顯示裝置及其製造方法
US11177340B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
US11963402B2 (en) Display device having auxiliary wiring line electrically connected to metal nanowire
CN109166877A (zh) 显示面板及发光组件基板的检测方法
TW201729394A (zh) 自發光型顯示器
CN114667504A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
TWI679788B (zh) 畫素結構
CN102812540A (zh) 挠性半导体装置及其制造方法、使用该挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法
US11502158B2 (en) Display device including fan-out wiring arranged in peripheral area adjacent to display area and also being disposed in sealing area surrounding display area
US20210111238A1 (en) Display device including a sealing area overlapping transfer wirings
WO2022041022A1 (zh) 显示基板及显示装置
CN113964107A (zh) 显示装置
TWI817287B (zh) 顯示裝置
TWI842313B (zh) 主動元件基板
CN220963346U (zh) 显示装置
US20240213264A1 (en) Active device substrate
KR101116824B1 (ko) 절연층의 필링을 방지하는 유기 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant