CN109280908B - 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统 - Google Patents

一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109280908B
CN109280908B CN201710590311.1A CN201710590311A CN109280908B CN 109280908 B CN109280908 B CN 109280908B CN 201710590311 A CN201710590311 A CN 201710590311A CN 109280908 B CN109280908 B CN 109280908B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gold
plating solution
nickel
gold plating
electroless
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710590311.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109280908A (zh
Inventor
傅新民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Haoding environmental protection technology (Hubei) Co.,Ltd.
Original Assignee
Haoding Environmental Protection Technology Hubei Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Haoding Environmental Protection Technology Hubei Co ltd filed Critical Haoding Environmental Protection Technology Hubei Co ltd
Priority to CN201710590311.1A priority Critical patent/CN109280908B/zh
Publication of CN109280908A publication Critical patent/CN109280908A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109280908B publication Critical patent/CN109280908B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths

Abstract

本发明是一种化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统，包含无电镀金镀浴槽、分离单元、杂质移除单元、回流混合单元及镀液储存筒，可在含镍膜层的基板上通过化学的置换反应以生成金膜层而形成含金膜层的基板，其中金膜层是沉积在镍膜层的表面上。利用主要螯合剂以螯合金离子而形成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合型离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质。因此，本发明可达到每分钟0.0075～0.0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0.12μm的优良金膜层。

Description

一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统
技术领域
本发明是有关于一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，尤其是利用主要螯合剂而与金离子螯合成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合型离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质，可达到每分钟0 .0075～0 .0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0 .12μm的优良金膜层，满足一般实务上金膜层的厚度需求。
背景技术
在一般的电路板制程中，除了需要在基板上形成电路层外，还需要形成高质量的连接垫，用以连接电子组件，形成电气回路。这类的连接垫常常使用镍膜层当作中间媒介层，并在镍膜层上形成金膜层，因为电子组件比较容易焊接至金膜层。
在现有技术中，镍膜层上形成金膜层的方式可使用包含金离子的镍可置换金溶液，并通过化学置换反应而将金属镍置换成金属金，也就是，在不施加任何电流下，金离子与金属镍通过氧化还原反应而相互置换。
上述现有技术的缺点在于镍可置换金溶液的普遍问题是会发生侵蚀现象，尤其是会完全覆盖金膜层的表面。例如，当浸泡时间不足时，会在经过一段时间后发生这种侵蚀现象。主要是取决于化学配方以及浸泡时间的控制是否到达适当范围内，而且该现象会损害到表面的外观。
现有技术的另一问题是由镍引起，不过有时是来自PCB的光阻层的凹陷的铜或来自底下的Ni-P层的磷，因为镍、铜、磷都会溶解在镍可置换金溶液中，进而影响表面金纯化，甚至是会超过镍杂质容许量的150～200ppm，导致电阻的大幅增加。
此外，本发明的镍可置换金溶液不含金-还原剂，比如抗坏血酸(ascorbic acid)、甲醛(formaldehyde)、二甲氨基苯甲醛(Dimethylaminobenzaldehyde)，所以在反应进行后，来自还原剂的副产物不会累积在镀浴中而影响到金膜层的质量。
因此，需要一种新式化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，利用主要螯合剂而与金离子螯合成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质，不仅可达到每分钟0 .0075～0 .0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0 .12μm的优良金膜层，满足一般实务上金膜层的厚度需求，而且还可延长无电镀金镀液的使用时间，进而解决上述现有技术的问题。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，包含无电镀金镀浴槽、分离单元、杂质移除单元、回流混合单元以及镀液储存筒，用以在含镍膜层的基板上通过无电镀的化学置换反应以生成金膜层而形成含金膜层的基板，其中金膜层是沉积在镍膜层的表面上。
无电镀金镀浴槽可容置无电镀金镀液，其中无电镀金镀液包含金错合物以及主要螯合剂，主要螯合剂为四(2-羟丙基)乙二胺(Tetra(2-hydrxypropyl)ethylenediamine)，浓度为5～20g/L；而金错合物的金浓度为0 .6～2 .0g/L。
分离单元连接无电镀金镀浴槽，用以将无电镀金镀浴槽中的无电镀金镀液抽离，并对无电镀金镀液中的金错合物进行选择性分离(selective segregation)处理，以此形成并传送含高浓度金错合物的浓缩溶液及含低浓度金错合物的渗透溶液。
杂质移除单元连接分离单元，可接收渗透溶液，并对渗透溶液中的镍杂质及铜杂质进行渗透、吸收处理而移除，进而形成纯化溶液。
回流混合单元连接分离单元及杂质移除单元，分别接收浓缩溶液以及纯化溶液，同时接收由外部已配置好的新鲜的无电镀金镀液，并经回流、混合处理后形成所需的无电镀金镀液并输送至镀液储存筒而储存。镀液储存筒的无电镀金镀液进一步输送至无电镀金镀浴槽。
无电镀金镀液是供含镍膜层的基板浸泡以进行化学置换反应，而含镍膜层的基板包含基板、电路层及镍膜层，电路层是在基板上，而镍膜层是在电路层上。此外，镍膜层的表面上的金属镍是在与无电镀金镀液接触时，经置换反应而生成金膜层，进而形成含金膜层的基板。
本发明可有效的回收、再利用金错合物，避免浪费，同时改善金膜层的质量，尤其是利用主要螯合剂而与金离子螯合成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质，不仅可达到每分钟0 .0075～0 .0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0 .12μm的优良金膜层，满足一般实务上金膜层的厚度需求，而且还可延长无电镀金镀液的使用时间。
附图说明
图1表示本发明实施例一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统的整体示意图；
图2表示用于本发明连续纯化系统的基板的示意图。
其中图中：10、无电镀金镀浴槽；20、分离单元；30、杂质移除单元；40、回流混合单元；50、镀液储存筒；60、输送带；61、输入滚筒；62、输出滚筒；A、含镍膜层的基板；A1、基板；A2、电路线；A3、镍膜层；B、含金膜层的基板；B1、金膜层；LA、新鲜的无电镀金镀液；L1、无电镀金镀液；L2、浓缩溶液；L3、渗透溶液；L4、纯化溶液。
具体实施方式
以下配合图标及组件符号对本发明的实施方式做更详细的说明，以使本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
请参阅图1，本发明实施例一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统的整体示意图。如图1所示，本发明实施例一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统包含无电镀金镀浴槽10、分离单元20、杂质移除单元30、回流混合单元40以及镀液储存筒50，用以在含镍膜层的基板A上生成金膜层而形成含金膜层的基板B，其中金膜层是沉积在镍膜层上，达到连续性纯化无电镀金镀液而达到循环、再利用的目的。
具体而言，无电镀金镀浴槽10容置来自镀液储存筒50的无电镀金镀液L1，而且含镍膜层的基板A是被输送到无电镀金镀浴槽10中，比如利用输送带60及输入滚筒61的方式输送，其中输送带60承载含镍膜层的基板A，而且含镍膜层的基板A是浸泡到无电镀金镀浴槽10的无电镀金镀液中，以此进行化学电镀而在含镍膜层的基板A上经置换反应生成金膜层，形成含金膜层的基板B，接着，利用输出滚筒62卷动输送带60而将含金膜层的基板B带离开无电镀金镀浴槽10。
要注意的是，上述的输送带60、输入滚筒61、输出滚筒62只是用以说明将含镍膜层的基板A传送到无电镀金镀浴槽10并将形成的含金膜层的基板B带离无电镀金镀浴槽10的示范性实例而已，并非用以限定本发明的范围，也就是，传送含镍膜层的基板A、含金膜层的基板B的任何方式都应涵盖于本发明。
如图2所示，含镍膜层的基板A包含基板A1、电路线A2、镍膜层A3，其中电路线A2是在基板A1上，而镍膜层A3是在电路线A2上。一般，电路线A2是由金属铜构成。
上述的无电镀金镀液L1是一种用于镀浴化学的镀液，可对镍膜层A3进行镍置换反应而生成金膜层B1，形成含金膜层的基板B。上述生成金膜层B1的制程一般称作化学电镀(chemical electroplating)或无电电镀(electroless plating)。
无电镀金镀液L1主要是包含金错合物及主要螯合剂(chelating agent)，其中主要螯合剂为四(2-羟丙基)乙二胺(Tetra(2-hydroxypropyl)ethylenediamine)，且无电镀金镀液L1可用于氰化金(cynide gold)镀浴或无氰化金(non-cynide gold)镀浴，尤其是当作主要螯合剂的四(2-羟丙基)乙二胺为本发明最为关键的成分。在用于氰化金镀浴时，金错合物可为氰化金钾(gold(I)potassium cyanide)，而用于无氰化金镀浴时，金错合物可为二亚硫酸金(I)三钠(gold trisodium disulphite)。此外，针对氰化金镀浴或无氰化金镀浴，无电镀金镀液L1还额外包含其他特定的成分。
举例而言，用于氰化金镀浴的无电镀金镀液L1是包含氰化金钾、四(2-羟丙基)乙二胺、柠檬酸氨(ammonium citrate)、苹果酸(malic acid)、甘胺酸(glycine)以及氢氧化钠(sodium hydroxide)，其中氰化金钾的金浓度为0 .6～1 .2g/L，四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为5～20g/L。再者，用于无氰化金镀浴的无电镀金镀液是包含二亚硫酸金(I)三钠、四(2-羟丙基)乙二胺、柠檬酸钠(sodium citrate)、苹果酸以及硫酸钠(sodium sulfite)，其中二亚硫酸金(I)三钠的金浓度为1 .0～2 .0g/L，四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为10～15g/L。
无电镀金镀液L1的主要功能在于利用无电镀金镀液L1中的金离子与镍膜层A3的表面上的金属镍进行置换反应而生成金属金的金膜层B1于镍膜层A3的表面上。进一步而言，沉积出金膜层B1的驱动因素是来自电极电位差，也就是，发生在镍膜层A3的表面上的氧化还原反应，其中无电镀金镀液L1中的氧化物及/或螯合剂会与在镍膜层A3反应而释放电子，而无电镀金镀液L1中的金离子是当作电子补捉体，用接收被释放的电子而在镍膜层A3的表面上进行还原反应，进而还原出金属金，形成金膜层B1，达成电子平衡。因此整体而言，镍膜层A3的金属镍被氧化成镍离子，而金离子被还原成金属金的金膜层B1。较佳的，这种金膜层B1具有良好的附着力，而且在金膜层B1形成过程中未通上任何电流，所以不会对基板A1上的电路线A2产生任何影响。
更加具体而言，无电镀金镀液L1中金错合物的金离子会与主要螯合剂相互螯合后形成金错合物，且金错合物是具有20～18nm结构的颗粒大小。
再回到图1，分离单元20是连接无电镀金镀浴槽10，用以将无电镀金镀浴槽10中的无电镀金镀液L1抽离，并对无电镀金镀液L1中的金错合物进行选择性分离(selectivesegregation)处理，形成并传送含高浓度金错合物的浓缩溶液L2及含低浓度金错合物的渗透溶液L3。较佳的，无电镀金镀液L1中的金错合物是经由具20～18nm孔隙大小的逆渗透膜而选择性分离，比如由聚乙烯(polyethylene，PE)构成的逆渗透膜。要注意的是，一般的聚酰胺( p o l y a m i d e ，P A ) 薄膜的孔隙大小为1.2nm 或0.2nm ，而聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)薄膜的孔隙大小为100nm，且陶瓷(ceramic)薄膜的孔隙大小为约120nm，所以皆不适用于本发明。
杂质移除单元30连接分离单元20，用以接收渗透溶液L3，并对渗透溶液L3中的镍杂质及铜杂质进行渗透、吸收处理而移除，进而形成纯化溶液L4。较佳的，杂质移除单元30是利用螯合离子交换树脂而达到选择性吸收镍杂质及铜杂质。
回流混合单元40连接分离单元20及杂质移除单元30，分别接收来自分离单元20的浓缩溶液L2以及来自杂质移除单元30的纯化溶液L4，同时接收由外部已配置好的新鲜的无电镀金镀液LA，经回流、混合处理后输送到镀液储存筒50，其中新鲜的无电镀金镀液LA包含新添加的金离子，而且金离子的含量是等于无电镀金镀浴槽10中置换反应的金膜层的生成量，以此达到金离子的质量守恒。
因此，镀液储存筒50所储存的无电镀金镀液L1具有稳定的金离子浓度以供应无电镀金镀浴槽10，使得金膜层可维持稳定的生成速率，比如高达每分钟0 .0075～0 .0084μm的沉积速率，进而沉积出厚度高达0 .12μm的优良金膜层。须知，一般实务上的金膜层需要0.05μm、0 .074μm、0 .10μm的厚度，所以本发明确实能满足所需厚度。
本发明的特点在于利用大分子的化学药剂而与金离子螯合后获得金错合物，使得螯合后的金错合物是具有将近20～18nm结构的颗粒大小，可方便在分离单元中利用具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而将金错合物分离，达到回收、再利用的目的，尤其是，无电镀金镀液的配方是特别包含大分子的四(2-羟丙基)乙二胺(tetra(2-hydrxypropyl)ethylenediamine)以及柠檬酸钠(sodium citrate)，其中四(2-羟丙基)乙二胺的分子量为292g/mol，而柠檬酸钠的分子量为258g/mol。
本发明的另一特点在于所使用的无电镀金镀液不含任何金-还原剂，比如抗坏血酸(ascorbic acid)、甲醛、二甲氨基苯甲醛 (Dimethylaminobenzaldehyde)，所以来自还原剂的副产物也不会累积在无电镀金镀液中，能确保金膜层的稳固质量，因为一直都是沉积出纯金，尤其是，杂质移除单元已利用螯合型离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质。此外，无电镀金镀液可使用一段很长的时间，比如在凤凰使用模式(phoenix use mode)中，而即便是有镍杂质溶解，也能经由本发明中杂质移除单元的处理而连续性恢复无电镀金镀液。
以上所述者仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。

Claims (4)

1.一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，其特征在于，包括：一无电镀金镀浴槽，是用以容置一无电镀金镀液，且该无电镀金镀液包含一金错合物以及一主要螯合剂，该主要螯合剂为四(2-羟丙基)乙二胺，该金错合物的金浓度为0.6～ 2.0g/L，该四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为5～20g/L；
一分离单元，是连接至该无电镀金镀浴槽，用以将该无电镀金镀浴槽中的该无电镀金镀液抽离，并对该无电镀金镀液中的金错合物进行一选择性分离处理，以此形成并传送含高浓度金错合物的一浓缩溶液及含低浓度金错合物的一渗透溶液，且该分离单元是利用具孔隙大小为20～18nm的一PE逆渗透膜而将该金错合物分离；
一杂质移除单元，是连接至该分离单元，用以接收该渗透溶液，并对该渗透溶液中的镍杂质及铜杂质进行渗透、吸收处理而移除，进而形成一纯化溶液，且该杂质移除单元是利用一螯合型离子交换树脂而选择性吸收该渗透溶液中的该镍杂质及该铜杂质；
一回流混合单元，是连接至该分离单元及该杂质移除单元，用以分别接收该浓缩溶液以及该纯化溶液，同时接收由外部已配置好的一新鲜的无电镀金镀液，并经回流、混合处理后形成该无电镀金镀液并输送；
以及一镀液储存筒，是连接至该回流混合单元，用以接收该无电镀金镀液而储存，且该电镀金镀液进一步输送至该无电镀金镀浴槽；
其中该无电镀金镀浴槽的该无电镀金镀液是供一含镍膜层的基板浸泡以进行一化学电镀的一置换反应，该含镍膜层的基板包含一基板、一电路层及一镍膜层，且该电路层是在该基板上，而该镍膜层是在该电路层上，该镍膜层的表面上的金属镍是在与该无电镀金镀液接触时经该置换反应而生成一金膜层，进而形成一含金膜层的基板。
2.根据权利要求1所述的化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，其特征在于，该无电镀金镀液包含氢氧化钠、柠檬酸氨、苹果酸以及甘胺酸，且该金错合物为氰化金钾，该氰化金钾的金浓度为0.6～1.2g/L，该四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为5～20g/L。
3.根据权利要求1所述的化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，其特征在于，该无电镀金镀液进一步包含柠檬酸钠、苹果酸以及硫酸钠，该金错合物为二亚硫酸金(I)三钠，该二亚硫酸金(I)三钠的金浓度为1.0～2.0g/L，该四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为10～15g/L。
4.根据权利要求1所述的化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统，其特征在于，该金膜层的生成速率为每分钟0.0075～0.0084μm，且该金膜层的厚度可达0.12μm。
CN201710590311.1A 2017-07-19 2017-07-19 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统 Active CN109280908B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710590311.1A CN109280908B (zh) 2017-07-19 2017-07-19 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710590311.1A CN109280908B (zh) 2017-07-19 2017-07-19 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109280908A CN109280908A (zh) 2019-01-29
CN109280908B true CN109280908B (zh) 2021-03-02

Family

ID=65184438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710590311.1A Active CN109280908B (zh) 2017-07-19 2017-07-19 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109280908B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098063B (zh) * 2019-03-29 2020-12-22 华东师范大学 一种柔性金电极及制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232895B (en) * 2000-10-20 2005-05-21 Boc Group Inc Object plating method and system
TWI455750B (zh) * 2012-06-04 2014-10-11 Arps Inc 表面處理濕製程含磷無電鎳之鍍液成分的循環利用系統

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3767359D1 (de) * 1986-05-16 1991-02-21 Electroplating Eng Verfahren und geraet zur wiedergewinnung einer edelmetallverbindung.
JPS63223200A (ja) * 1987-03-13 1988-09-16 Nippon Mining Co Ltd 金めつき液の再生方法
JPH0347972A (ja) * 1989-07-14 1991-02-28 C Uyemura & Co Ltd 無電解金めっき液の分解防止方法
JP3842063B2 (ja) * 2001-04-10 2006-11-08 日本高純度化学株式会社 金めっき液の再生処理方法
US6974776B2 (en) * 2003-07-01 2005-12-13 Freescale Semiconductor, Inc. Activation plate for electroless and immersion plating of integrated circuits
CN201321502Y (zh) * 2008-11-10 2009-10-07 昆山鼎鑫电子有限公司 除铜树脂滤袋
CN202529922U (zh) * 2012-03-08 2012-11-14 昆山伯昌环保设备有限公司 电镀金槽废水在线回收系统
CN106567058B (zh) * 2015-10-09 2019-03-19 凯基有限公司 无铬环保镀金属膜结构系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232895B (en) * 2000-10-20 2005-05-21 Boc Group Inc Object plating method and system
TWI455750B (zh) * 2012-06-04 2014-10-11 Arps Inc 表面處理濕製程含磷無電鎳之鍍液成分的循環利用系統

Also Published As

Publication number Publication date
CN109280908A (zh) 2019-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3455709B2 (ja) めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体
CN104773887A (zh) 从含铜废水中回收电解铜的工艺及装置
JP6529445B2 (ja) 電気めっきセル、及び金属皮膜の製造方法
US5217751A (en) Stabilized spray displacement plating process
US5211831A (en) Process for extending the life of a displacement plating bath
US20160230287A1 (en) Reductive electroless gold plating solution, and electroless gold plating method using the plating solution
CN109280908B (zh) 一种化学置换含有杂质镍、铜的镀金溶液的连续纯化系统
EP1427869B1 (en) Regeneration method for a plating solution
IL103896A (en) Process for extending the life of a bath for coating by replacement
CN201737744U (zh) 一种电镀清洗废水减排与双膜法多点分质回用处理装置
JP2006328536A (ja) 電解質のイオン濃度を設定する方法及びその装置
TWI612180B (zh) 化學置換鍍金溶液及雜質鎳及雜質銅的連續純化系統
CN106987829A (zh) 应用在柔性线路板化学镍钯金镀层的化学镍配方
US8057678B2 (en) Maintenance of metallization baths
TWI494280B (zh) Surface treatment of wet process phosphorus containing electroless nickel bath composition of the recycling method
CN104030480A (zh) 含氰漂洗废水的处理方法
JP3842063B2 (ja) 金めっき液の再生処理方法
JP5859072B1 (ja) 表面処理鋼板の製造方法
TW201350182A (zh) 表面處理濕製程含磷無電鎳之鍍液成分的循環利用系統
CN117026303A (zh) 酸性蚀刻废液回收铜协同再生蚀刻液的方法
CA2193007C (en) Process for extending the life of a displacement plating bath
JP2006037194A (ja) シアン含有水溶液からＡｕを回収する方法およびその装置
KR20100049390A (ko) 무전해 도금조의 도금액 농도 제어장치 및 도금액 농도 제어방법
CN111439875A (zh) 一种电镀铑钌清洗废水的铑钌资源化回收及水回用工艺
CN102795732A (zh) 表面处理湿制程清洗液中金及氰化物的循环利用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200708

Address after: Chinese Taiwan Taoyuan County, Zhongli Jingzhong Street No. 20 two 4 floor

Applicant after: Fu Xinmin

Address before: Victoria offshore cooperation centre, Mahe, Seychelles

Applicant before: KGI Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200714

Address after: 433000 east end of development avenue of new material industrial park, high tech Industrial Development Zone, Xiantao City, Hubei Province (Zhoutan village, Xiliuhe town)

Applicant after: Haoding environmental protection technology (Hubei) Co.,Ltd.

Address before: Chinese Taiwan Taoyuan County, Zhongli Jingzhong Street No. 20 two 4 floor

Applicant before: Fu Xinmin

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant