CN109274876A - 感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 - Google Patents

Abstract

一种感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，感光组件的封装方法包括：提供滤光片，包括待键合面以及与所述待键合面相背的光入射面；形成至少覆盖滤光片侧壁的缓冲层；提供感光芯片，包括光信号接收面；使所述光信号接收面和待键合面相对设置，并使所述滤光片和感光芯片相结合。本发明形成至少覆盖滤光片侧壁的缓冲层，在后续形成塑封层的过程中，有利于降低滤光片发生破裂的概率，从而提高封装工艺的可靠性和良率。

Description

感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备

技术领域

本发明实施例涉及镜头模组领域，尤其涉及一种感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，业余生活也更加丰富，摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段，因此具有拍摄功能的电子设备(例如：手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中，具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。

具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组，镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有图像传感器芯片的感光组件以及固定于所述感光组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。其中，图像传感器芯片是一种能够感受外部入射光并将其转换为电信号的电子器件。

随着摄像头技术的发展，位于图像传感器芯片和镜头之间的红外滤光玻璃片(infrared filter，IR filter)也得到了普遍的应用，通过红外滤光玻璃片滤除不必要的光线(例如：红外光)，防止图像传感器产生伪色或波纹等问题，有利于提高图像分辨率和色彩还原性，从而使得镜头模组的性能和可靠性得到了提高。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种感光组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，提高封装工艺的可靠性和良率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种感光组件的封装方法，包括：提供滤光片，包括待键合面以及与所述待键合面相背的光入射面；形成至少覆盖所述滤光片侧壁的缓冲层；提供感光芯片，包括光信号接收面；使所述光信号接收面和待键合面相对设置，并使所述滤光片和感光芯片结合。

相应的，本发明实施例还提供一种感光组件，包括：感光芯片，包括光信号接收面；滤光片，与所述光信号接收面相对设置且与所述感光芯片相结合；缓冲层，至少覆盖所述滤光片的侧壁。

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组，包括：本发明实施例所述的感光组件。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：本发明实施例所述的镜头模组。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例形成至少覆盖滤光片侧壁的缓冲层，所述缓冲层能够起到应力缓冲的作用，在后续形成塑封层时，有利于减小所述滤光片受到的应力，从而降低所述滤光片发生破裂的概率，进而提高封装工艺的可靠性和良率，相应有利于提高所形成镜头模组的可靠性和良率。

可选方案中，所述滤光片包括待键合面以及与所述待键合面相背的光入射面，所述缓冲层还覆盖所述光入射面的部分表面，所述缓冲层还能对所述光入射面起到应力缓冲的作用，从而进一步降低所述滤光片发生破裂的概率。

附图说明

图1至图2是一种镜头模组的封装方法中各步骤对应的结构示意图；

图3至图15是本发明感光组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图16是本发明镜头模组一实施例的结构示意图；

图17是本发明电子设备一实施例的结构示意图。

具体实施方式

目前，为了减小镜头模组的厚度，一种封装方法是将结合在一起的滤光片和感光芯片贴装在电路板上后，在电路板上形成塑封层。但是，上述封装方法相应也容易导致封装工艺的可靠性和良率下降。现结合一种镜头模组的封装方法分析其可靠性和良率下降的原因。参考图1至图2，示出了一种镜头模组的封装方法中各步骤对应的结构示意图。

参考图1，提供相对设置且相结合的感光芯片20和滤光片40，所述感光芯片20包括面向滤光片40的光信号接收面21；提供电路板10；将所述感光芯片20背向所述光信号接收面21的面贴装至所述电路板10上。

参考图2，在所述电路板10上形成塑封层12，所述塑封层12覆盖感光芯片20，且还会覆盖滤光片40的部分顶面(如图2中虚线圈A所示)；形成所述塑封层12后，将镜头组件50粘合于塑封层12上，以完成镜头模组60的封装。

但是，所述塑封层12和滤光片40相接触后，所述塑封层12会对滤光片40产生应力，这容易导致滤光片40受到应力影响而发生破裂，从而降低封装工艺的可靠性和良率。

为了解决所述技术问题，本发明实施例形成至少覆盖滤光片侧壁的缓冲层，缓冲层能够起到应力缓冲的作用，在后续形成塑封层时，有利于减小所述滤光片受到的应力，从而降低所述滤光片发生破裂的概率，进而提高封装工艺的可靠性和良率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图3至图15是本发明感光组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

结合参考图3和图4，图4是图3中一个滤光片的放大图，提供滤光片400，包括待键合面401以及与所述待键合面401相背的光入射面402。

所述滤光片400用于与感光芯片相贴合，以免后续封装工艺对感光芯片的光信号接收面造成污染，相应避免后续封装工艺对感光芯片性能造成不良影响。

为了实现镜头模组的正常功能，所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对感光芯片性能的影响，有利于提高成像效果。

具体地，所述滤光片400为红外截止滤光片(infrared cut filter，IRCF)。其中，所述红外截止滤光片可以为蓝玻璃红外截止滤光片，或者，所述红外截止滤光片包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜(IR cut coating)。

本实施例中，所述滤光片400包括待键合面401以及与所述待键合面401相背的光入射面402。其中，所述待键合面401为后续用于与感光芯片相结合的面，即后续用于面向所述感光芯片的面；所述光入射面402指的是所述滤光片400中用于使外部入射光进入的面，即后续用于背向感光芯片的面。

具体地，在所述滤光片400为蓝玻璃红外截止滤光片的情况下，蓝玻璃红外截止滤光片的一个表面镀有增透膜或抗反射膜，所述增透膜或抗反射膜表面为所述光入射面402；在所述滤光片400包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜的情况下，形成有所述红外截止膜的玻璃表面为所述光入射面402。在其他实施例中，当所述滤光片为全透光谱滤光片时，所述全透光谱滤光片的任一表面为所述光入射面。

如图4所示，所述滤光片400包括透光区400a以及环绕所述透光区400a的边缘区400b。形成镜头模组后，所述滤光片400的透光区400a用于使外部入射光透过，从而使感光芯片的光信号接收面接收光信号，以保证镜头模组的正常使用功能；所述边缘区400b用于为后续实现滤光片400和感光芯片的结合预留空间位置，从而通过所述边缘区400b将所述滤光片400贴装于感光芯片上。

需要说明的是，为了提高工艺可操作性、提高封装效率，所述滤光片400的数量为多个，且所述多个滤光片400通过对滤光片母板进行切割所获得。相应的，对所述滤光片母板进行切割之前，还包括：采用贴膜工艺，在所述待键合面401对应的滤光片母板表面上贴附第一UV(ultraviolet rays，紫外)膜310，用于对所述滤光片母板进行定位，以提高切割精度，且还能对切割后所获得的多个滤光片400进行固定和定位。

具体地，采用贴膜机使所述第一UV膜310紧贴滤光片母板表面，且还贴附于直径大于所述滤光片母板的第一框架315底部，通过所述第一框架315，以起到绷膜的作用，以便于后续工艺的进行。对所述第一UV膜310和第一框架315的具体描述，本实施例在此不再赘述。

需要说明的是，通过使所述待键合面401面向第一UV膜310的方式，后续通过吸附设备提起所述滤光片400的方式将所述滤光片400从第一UV膜310上取下后，即可将所述待键合面401键合于承载基板上，从而为后续工艺提供工艺基础，工艺较为简便，且还能避免对所述光入射面402的质量产生影响。

结合参考图5至图7，形成至少覆盖所述滤光片400(如图6所示)侧壁的缓冲层450(如图6所示)。

所述缓冲层450能够起到应力缓冲的作用，后续形成塑封层时，所述缓冲层450有利于减小滤光片400受到的应力，从而降低滤光片400发生破裂的概率，进而提高封装工艺的可靠性和良率，相应提高感光组件的可靠性和良率。

尤其是，所述滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片，玻璃片受到应力影响而发生破裂的可能性较高，因此通过所述缓冲层450，能够显著降低所述滤光片400发生破裂的概率。

本实施例中，所述缓冲层450为光敏缓冲胶。所述缓冲层450具有粘性，能够提高所述缓冲层450在滤光片400上的粘附性，从而提高封装工艺的可靠性和良率；所述缓冲层450还具有可光刻特性，因此可通过光刻的方式形成所述缓冲层450，这不仅有利于提高所述缓冲层450的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，且通过光刻的方式，还能减小对缓冲层450的粘结强度所产生的影响，使得所述缓冲层450在滤光片400上的粘附性得到保障。

具体地，所述缓冲层450的材料为环氧类胶。环氧类胶即为环氧树脂胶(epoxyresin adhesive)，其成分中含有感光剂，可通过光刻实现图形化，且环氧类胶还具有形式多样性，通过改变其成分可获得不同弹性模量的材料，从而能够根据实际情况，对所述滤光片400受到的应力进行调控。

本实施例中，所述缓冲层450还延伸至所述光入射面402的部分表面，即所述缓冲层450还覆盖所述光入射面402的部分表面。位于所述光入射面402的缓冲层450能够对所述光入射面402起到应力缓冲的作用，能够进一步降低所述滤光片400发生破裂的概率。

需要说明的是，位于所述光入射面402的缓冲层450宽度W(如图6所示)不宜过小，也不宜过大。如果所述宽度W过小，所述缓冲层450和光入射面402的接触面过小，相应会降低所述缓冲层450对光入射面402的保护效果，且还容易增加形成所述缓冲层450的工艺难度、降低所述缓冲层450的形貌质量和宽度W精准度；如果所述宽度W过大，后续将所述滤光片400和感光芯片相贴合后，位于所述光入射面402的缓冲层450容易遮挡所述感光芯片的感光区，从而对所述感光芯片的光学性能产生不良影响。为此，本实施例中，位于所述光入射面402的缓冲层450宽度W为20μm至30μm。其中，所述宽度W可根据滤光片400宽度和感光区尺寸进行调整。

而且，当后续采用(injection molding)注塑工艺形成塑封层时，模具头尺寸通常小于滤光片400尺寸，因此，所述宽度W还可以根据所述滤光片400和模具头的尺寸差值进行调整，从而显著降低模具头与光入射面402相接触的概率。例如：所述滤光片400的横截面形状为第一矩形、模具头的横截面形状为第二矩形，所述宽度W则根据第一矩形和第二矩形所对应变长的差值而定。

还需要说明的是，所述缓冲层450的厚度T(如图6所示)不宜过小，也不宜过大。如果所述厚度T过小，则容易降低缓冲层450用于缓解应力的效果，后续滤光片400发生破裂的概率较高；如果所述厚度T过大，则会增加后续感光组件的体积，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求，且还会造成成本和时间的增加。为此，本实施例中，所述缓冲层450的厚度T为5μm至10μm。

本实施例中，形成所述缓冲层450的步骤包括：

参考图5，提供第一承载基板320；将所述滤光片400的待键合面401临时键合于所述第一承载基板320上。

所述第一承载基板320用于为后续缓冲层450(如图6所示)的形成提供工艺平台，从而提高工艺可操作性；而且通过临时键合(temporary bonding，TB)的方式，还便于后续将所述滤光片400和第一承载基板320进行分离。

本实施例中，所述第一承载基板320为载体晶圆(carrier wafer)。在其他实施例中，所述第一承载基板还可以为其他类型的基板。

本实施例中，通过第一胶粘层325将所述待键合面401临时键合于所述第一承载基板320上。所述第一胶粘层325用于作为剥离层，便于后续将所述滤光片400和所述第一承载基板320进行分离

本实施例中，采用贴附工艺(即lamination工艺)在所述第一承载基板320的任一表面上形成所述第一胶粘层325，从而使得所述第一胶粘层325能够无气泡地贴附在所述第一承载基板320的任一表面上，进而有利于降低所述多个滤光片400发生脱落的概率。

本实施例中，所述第一胶粘层325为发泡膜。发泡膜包括相对的微粘面和发泡面，发泡膜在常温下具有粘性，且所述发泡面贴附于所述第一承载基板320上，后续通过对所述发泡膜进行加热，即可使所述发泡面失去粘性，从而将所述滤光片400和所述第一承载基板320进行分离。在另一些实施例中，所述第一胶粘层还可以为粘片膜(die attach film，DAF)。

相应的，对所述滤光片母板进行切割以获得多个所述滤光片400后，对单个滤光片400位置处的第一UV膜310(如图3所示)进行紫外光照射，使受到紫外光照射的第一UV膜310失去粘性，并通过顶针将单个滤光片400顶起，随后通过吸附设备提起所述滤光片400，依次将所述滤光片400从所述第一UV膜310上剥离下来并将所述待键合面401临时键合于所述第一承载基板320上。其中，通过将所述滤光片400逐个键合于所述第一承载基板320上的方式，有利于提高所述滤光片400在第一承载基板320上的位置精准度，使相邻滤光片400保持适当间距，以便于后续工艺的正常进行。

需要说明的是，在其他实施例中，还可以将滤光片母板临时键合于第一承载基板上后，对滤光片母板进行切割以获得多个滤光片，实现晶圆级键合效果。

参考图6，在所述临时键合步骤之后，形成至少覆盖所述滤光片400侧壁的所述缓冲层450。

本实施例中，通过光刻工艺形成所述缓冲层450。通过选用光刻工艺，可实现晶圆级生产工艺，能够有效提高生产效率，且还能提高所述缓冲层450的尺寸精度(例如：位于所述光入射面402上的缓冲层450宽度W)。

具体地，形成所述缓冲层450的步骤包括：形成缓冲材料层，所述缓冲材料层保形覆盖滤光片400侧壁、光入射面402以及滤光片400露出的第一胶粘层325；通过光刻工艺图形化所述缓冲材料层，去除所述滤光片400上部分区域的缓冲材料层，并至少保留所述滤光片400侧壁上的所述缓冲材料层，在所述光刻工艺后，所述滤光片400上的剩余缓冲材料层作为所述缓冲层450。

所述缓冲材料层覆盖第一承载基板320上的所有滤光片400，通过光刻工艺可同时在所有滤光片400上形成所述缓冲层450，提高了生产效率。

本实施例中，在所述光刻工艺后，去除所述第一胶粘层325上以及部分光入射面402上的缓冲材料层，保留所述光入射面402的部分表面以及滤光片400侧壁上的缓冲材料层作为所述缓冲层450，从而使所述缓冲层450延伸至所述光入射面402的部分表面。

需要说明的是，在其他实施例中，还可以通过点胶工艺形成所述缓冲层。

本实施例中，形成缓冲层450后，进行第一解键合处理，解键合滤光片400和第一承载基板320，露出待键合面401，从而为实现滤光片400和感光芯片的贴合做好工艺准备。

具体地，所述第一胶粘层325为发泡膜，因此采用热解键合工艺进行第一解键合处理。具体地，对所述发泡膜进行加热处理，使所述发泡膜的发泡面失去粘性，从而去除所述第一承载基板320；去除所述第一承载基板320后，采用撕除的方式去除所述第一胶粘层325。

结合参考图7，还需要说明的是，形成所述缓冲层450后，解键合所述滤光片400和第一承载基板320(如图6所示)之前，还包括：将所述缓冲层450贴附至第二UV膜330上。

通过将缓冲层450贴附至第二UV膜330上，为后续临时键合步骤做好工艺准备；而且，所述缓冲层450能够在第一解键合处理之后，对滤光片400提供支撑和固定的作用；此外，由于所述第二UV膜330在紫外光的照射下粘附力会减弱，后续易于将缓冲层450从所述第二UV膜330上取下。

相应的，使所述第二UV膜330紧贴所述缓冲层450背向所述第一承载基板320的表面，所述第二UV膜330还贴附于第二框架335底部。对所述第二UV膜330和第二框架335的具体描述，可参考前述对所述第一UV膜310(如图3所示)和第一框架315(如图3所示)的相应描述，在此不再赘述。

结合参考图8至图12，提供感光芯片200(如图10所示)，包括光信号接收面201(如图10所示)；使所述光信号接收面201和待键合面401(如图12所示)相对设置，并使所述滤光片400(如图12所示)和感光芯片200相结合。

通过使所述滤光片400和感光芯片200相结合的方式，使所述滤光片400至所述感光芯片200的距离大幅减小，因此显著减小了感光组件的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD(charge coupled device，电荷耦合器)图像传感器芯片。

具体地，如图10和图11所示，图11是图10中一个感光芯片的放大图，所述感光芯片200包括感光区200a(如图11所示)以及环绕所述感光区200a的外围区200b(如图11所示)，所述感光芯片200的光信号接收面201位于所述感光区200a，所述感光芯片200通过光信号接收面201接收感测光辐射信号。

所述感光芯片200包括多个像素单元，因此感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于所述半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)，滤光膜用于对光信号接收面201接收的光信号进行选择性吸收和通过。

本实施例中，所述感光芯片200还包括：位于所述滤光膜上的微透镜210(如图11所示)，所述微透镜210与所述半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。相应的，所述光信号接收面201指的是所述微透镜210的顶面。

需要说明的是，所述感光芯片200还包括位于所述外围区200b的焊盘(图未示)，所述焊盘用于实现所述感光芯片200与其他电路的电连接。

还需要说明的是，所述感光芯片200通常采用半导体制造工艺所制成，因此所述感光芯片200的数量为多个，且所述多个感光芯片200通过对集成有所述多个感光芯片200的晶圆(图未示)进行切割所获得。因此，对所述晶圆进行切割之前，还包括：在所述晶圆背向所述光信号接收面201的面贴附第三UV膜350，用于对集成有所述感光芯片200的晶圆进行定位，以提高切割精度，且还能在切割后对所述多个感光芯片200进行固定和定位。

具体地，所述第三UV膜350紧贴所述晶圆背向所述光信号接收面201的表面，且还贴附于第三框架355底部。对所述第三UV膜350和第三框架355的具体描述，可参考前述对所述第一UV膜310(如图3所示)和第一框架315(如图3所示)的相应描述，在此不再赘述。

为此，本实施例中，所述光信号接收面201背向所述第三UV膜350。

如图12所示，本实施例中，所述滤光片400和感光芯片200通过设置于二者之间的粘合结构410相贴合，所述粘合结构410位于所述外围区200b(如图11所示)且环绕所述光信号接收面201。

所述粘合结构410用于实现所述感光芯片200和滤光片400的物理连接。

通过所述粘合结构410，避免所述滤光片400与光信号接收面201直接接触，使光信号接收面201上方的滤光片400位于感光芯片200的感光路径上，从而避免所述滤光片400对感光芯片200的光学性能产生不良影响。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻材料，因此可以通过光刻工艺形成所述粘合结构410，这不仅有利于提高所述粘合结构410的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，而且，还能够减小对所述粘合结构410的粘结强度所产生的影响。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。

需要说明的是，所述粘合结构410可以形成于所述感光芯片200上，也可以形成于所述滤光片400上。本实施例中，为了降低形成所述粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤，在所述滤光片400上形成所述粘合结构410。

具体地，使所述滤光片400和感光芯片200相结合的步骤包括：

继续参考图8，提供第二承载基板340(如图8所示)；将所述滤光片400的光入射面402和所述第二承载基板340相对设置，使形成有所述缓冲层450的滤光片400临时键合于所述第二承载基板340上。

所述第二承载基板340用于为后续形成所述粘合结构410(如图9所示)提供工艺平台。本实施例中，所述第二承载基板340为载体晶圆。

本实施例中，通过第二胶粘层345将所述缓冲层450临时键合于所述第二承载基板340上。对所述第二胶粘层345的具体描述，可参考前述对所述第一胶粘层325(如图5所示)的相关描述，在此不再赘述。

具体地，依次将形成有所述缓冲层450的滤光片400从第二UV膜330(如图7所示)上剥离下来，并将所述缓冲层450背向所述待键合面401的表面临时键合于所述第二承载基板340上。对所述剥离步骤的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。

需要说明的是，通过先将缓冲层450贴附至第二UV膜330上、再将形成有缓冲层450滤光片400逐个转移至第二承载基板340上的方式，有利于提高滤光片400在第二承载基板340上的位置精准度，易于调整相邻滤光片400的间距，以便于后续工艺的进行；且由于所述待键合面401背向第二UV膜330，因此将滤光片400从第二UV膜330上剥离下来后，即可将所述光入射面402临时键合于第二承载基板340上，无需再进行倒置的步骤，工艺较为简便。

在其他实施例中，根据实际情况，也可以将缓冲层临时键合于第二承载基板上后，解键合滤光片和第一承载基板，即省去将缓冲层贴附至第二UV膜上的步骤，以简化封装步骤。

继续参考图9，使形成有所述缓冲层450的滤光片400临时键合于所述第二承载基板340上后，在所述滤光片400的边缘区400b(如图4所示)形成环形粘合结构410。

具体地，形成所述粘合结构410的步骤包括：形成覆盖所述滤光片400的粘合材料层(图未示)；采用光刻工艺图形化所述粘合材料层，保留所述边缘区400b的剩余粘合材料层作为所述粘合结构410。

本实施例中，所述粘合结构410还覆盖所述缓冲层450与所述待键合面401齐平的表面，从而增加后续所述粘合结构410和感光芯片200(如图12所示)的接触面面积，有利于进一步提高所述滤光片400和感光芯片200的结合强度。

继续参考图12，使所述光信号接收面201面向环形粘合结构410，将所述感光芯片200的外围区200b(如图11所示)贴装于所述环形粘合结构410上。

具体地，将所述感光芯片200逐一从所述第三UV膜350(如图10所示)上剥离下来后，将所述感光芯片200逐一贴装于环形粘合结构410上。对所述感光芯片200和第三UV膜350分离步骤的具体描述，可参考前述所述滤光片400和第一UV膜310(如图10所示)分离步骤的相应描述，在此不再赘述。

在其他实施例中，使所述滤光片和感光芯片相贴合的步骤中，还可以将所述滤光片倒置于所述感光芯片上。

需要说明的是，本实施例中，在形成所述缓冲层450之后形成所述粘合结构410，且在形成所述粘合结构410之后，使所述感光芯片200和滤光片400相结合，从而尽可能多地减少工艺步骤。在另一些实施例中，还可以先形成所述粘合结构，再形成所述缓冲层，随后使感光芯片和滤光片相结合。在又一些实施例中，还可以在所述滤光片和感光芯片相结合之后，形成所述缓冲层。

本实施例中，所述滤光片400和感光芯片200相结合后，进行第二解键合处理，去除第二承载基板340和第二胶粘层345，从而为后续装配工艺和电连接工艺提供工艺基础。对所述第二解键合处理的描述，可参考前述第一解键合处理的相应描述，在此不再赘述。

结合参考图13，需要说明的是，使所述滤光片400和感光芯片200相结合后，去除所述第二承载基板340(如图12所示)之前，还包括：将所述感光芯片200背向光信号接收面201的面贴附至第四UV膜360上。

通过将所述感光芯片200贴附至第四UV膜360上，从而为后续装配步骤做好工艺准备，而且，第四UV膜360用于在去除所述第二承载基板340之后，对相贴合的感光芯片200和滤光片400提供支撑和固定的作用。

相应的，所述第四UV膜360紧贴所述感光芯片200背向所述光信号接收面201的面，且还贴附于第四框架365底部。对所述第四UV膜360和第四框架365的具体描述，可参考前述对所述第一UV膜310(如图3所示)和第一框架315(如图3所示)的相应描述，在此不再赘述。

参考图14，提供基板100；将结合在一起的滤光片400和感光芯片200贴装在所述基板100上，且所述感光芯片200背向所述光信号接收面201的面贴装于所述基板100上。

所述基板100用于对感光芯片200起到机械支撑作用，从而为后续工艺提供工艺平台。

本实施例中，所述基板100为电路板，后续实现所述基板100和感光芯片200的电连接后，所述基板100还起到电信号传输的作用，从而将感光芯片200的电信号传输到后端。

本实施例中，根据实际工艺需求，所述电路板包括但不限于PCB板(printedcircuit board，印刷电路板)、FPC板(flexible printed circuit board，柔性电路板)或RFPC板(rigid-flex printed circuit board，软硬结合板)。例如：当所形成的镜头模组适用于手机时，所述电路板100可以为FPC板或RFPC板。

本实施例中，利用板上芯片(chip on board，COB)封装工艺，将所述感光芯片200背向光信号接收面201的面粘贴至基板100上。通过将所述感光芯片200直接粘贴在基板100上，且在后续制程中实现所述感光芯片200和所述基板100的电连接，从而有利于提高封装工艺的可靠性和良率，且还有利于减小所形成镜头模组的体积。其中，板上芯片封装工艺是一种将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后通过打线工艺(wire bond)实现电连接的方式。

在其他实施例中，所述基板还可以为承载基板。

本实施例中，所述封装方法还包括：提供被动元件(passive components)210；采用表面贴装工艺(surface mounted technology，SMT)将所述被动元件210贴装至所述基板100上。

通过表面贴装工艺，将所述被动元件210贴装至所述基板100，并通过表面贴装工艺所采用的锡膏实现所述被动元件210和基板100的电连接，从而为后续实现所述被动元件210和感光芯片200的集成封装提供工艺基础。

所述被动元件210用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件210又称为无源器件，可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。为了便于图示，仅示意出了一个被动元件210，但所述被动元件210的数量不仅限于一个。

继续参考图14，将所述感光芯片200贴装至所述基板100上后，还包括：形成电连接所述感光芯片200和基板100的电连接结构110。

所述感光芯片200和基板100通过所述电连接结构110实现电连接，从而使所述基板100对所述感光芯片200起到电信号传输的作用。

本实施例中，利用板上芯片封装工艺实现所述感光芯片200和基板100的集成，因此采用打线工艺形成所述电连接结构110。打线工艺是集成电路封装工艺中最常采用的电路连接方式，其方式使将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的键合点上而形成电路连接。

相应的，本实施例中，所述电连接结构110为引线，例如为：金线或铝线。具体地，所述电连接结构110的一端与所述感光芯片200的焊盘(图未示)相连，所述电连接结构110的另一端与所述基板100相连。

参考图15，在所述感光芯片200露出的基板100上形成塑封层120，所述塑封层120还覆盖所述缓冲层450。

与传统支架与电路板结合的方案相比，通过所述塑封层120，减少了支架所占用的空间，从而有利于减小所形成镜头模组的厚度和尺寸。

本实施例中，所述塑封层120还覆盖所述电连接结构110和被动元件210，从而将所述感光芯片200、被动元件210、电连接结构110整合至一个封装结构中，以完成感光组件500的封装。

所述塑封层120能够起到绝缘、密封以及防潮的作用，所述塑封层120可以减小所述被动元件210和电连接结构110受损、被污染或被氧化的概率，因此还有利于提高所形成镜头模组的可靠性。

本实施例中，所述塑封层120的材料为环氧树脂。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。

适当增加塑封层120的厚度，有利于提高所述塑封层120的覆盖程度，从而有利于提高所形成镜头模组的可靠性。因此，本实施例中，在提高可靠性的同时，避免所述塑封层120对所述感光芯片200的光学性能产生不良影响，所述塑封层120还覆盖位于光入射面402上的缓冲层450。其中，所述塑封层120覆盖光入射面402上的部分缓冲层450的方式，还能避免注塑工艺所采用的模具头与光入射面402直接接触，有利于进一步降低滤光片400发生破裂的概率。

需要说明的是，所述缓冲层450还覆盖所述光入射面402的部分表面，所述缓冲层450还能减小塑封层120对光入射面402产生的应力，所述滤光片400发生破裂的概率较低。

在另一些实施例中，根据位于所述光入射面上的缓冲层宽度，所述塑封层还可以全面覆盖所述缓冲层表面。在其他实施例中，所述塑封层顶面与所述缓冲层顶面齐平，或者，所述塑封层顶面低于所述缓冲层顶面。

本实施例中，形成所述塑封层120的工艺为注塑工艺。注塑工艺具有生产速度快、效率高、操作可实现自动化等特点，通过采用注塑工艺，有利于提高产量、降低工艺成本。

还需要说明的是，本实施例中，在形成所述缓冲层450之后，将感光芯片200贴装至基板100上之前，使所述滤光片400和感光芯片200相结合，从而避免所述缓冲层450的形成对感光芯片200或电连接步骤的影响。在其他实施例中，还可以在滤光片和感光芯片相结合之后，将感光芯片贴装至基板上之前，形成所述缓冲层；或者，在滤光片和感光芯片相贴合的步骤、以及将感光芯片贴装至基板上的步骤之后，形成所述缓冲层。

相应的，本发明实施例还提供一种感光组件。继续参考图15，示出了本发明感光组件一实施例的结构示意图。

所述感光组件500包括：感光芯片200，包括光信号接收面201；滤光片400，与所述光信号接收面201相对设置且与所述感光芯片200相结合；缓冲层450，至少覆盖所述滤光片400的侧壁。

本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD图像传感器芯片。

为此，所述感光芯片200包括感光区200a(如图11所示)以及环绕所述感光区200a的外围区200b(如图11所示)，且所述感光芯片200具有位于所述感光区200a的光信号接收面201。

需要说明的是，所述感光芯片200包括多个像素单元，因此所述感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于所述半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)。本实施例中，所述感光芯片200还包括：位于所述滤光膜上的微透镜210(如图11所示)，所述微透镜210与所述半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至所述半导体光敏器件。相应的，所述光信号接收面201指的是所述微透镜210的顶面。

还需要说明的是，所述感光芯片200还包括位于所述外围区200b的焊盘(图未示)，所述焊盘用于实现所述感光芯片200与其他电路的电连接。

所述滤光片400与所述感光芯片200相结合，且所述光信号接收面201面向所述滤光片400，所述滤光片400能够避免所述封装工艺对所述感光芯片200的成像区(即所述光信号接收面201)造成污染，相应避免所述感光芯片200的性能受到不良影响，进而提高镜头模组的成像质量。而且，所述滤光片400和感光芯片200相结合的方式，显著减小了镜头模组的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

因此，所述滤光片400包括背向所述感光芯片200的光入射面402。所述光入射面402指的是所述滤光片400中用于使外部入射光进入的面。

为了实现镜头模组的正常功能，所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片。

本实施例中，所述滤光片400包括透光区400a(如图4所示)以及环绕所述透光区400a的边缘区400b(如图4所示)。在镜头模组中，所述滤光片400的透光区400a用于使外部入射光透过，从而使感光芯片200的光信号接收面201能够接收光信号，进而保证镜头模组的正常使用功能；所述滤光片400通过所述边缘区400b贴装于感光芯片200上。

本实施例中，至少所述滤光片400的侧壁上形成有所述缓冲层450。在形成塑封层时，所述缓冲层450用于减小所述滤光片400受到的应力，以降低所述滤光片400发生破裂的概率，进而提高感光组件500的可靠性和良率。

本实施例中，所述缓冲层450为光敏缓冲胶。所述缓冲层450具有粘性，可以提高所述缓冲层450在滤光片400上的粘附性，相应有利于提高所述感光组件500的可靠性和良率；而且，所述缓冲层450具有可光刻性，这不仅有利于提高所述缓冲层450的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，并使得所述缓冲层450在滤光片400上的粘附性得到保障。

具体地，所述缓冲层450的材料为环氧类胶。

本实施例中，所述缓冲层450还覆盖所述光入射面402的部分表面。位于所述光入射面402的缓冲层450能够对所述光入射面402起到应力缓冲的作用，能够进一步降低所述滤光片400发生破裂的概率。

需要说明的是，位于所述光入射面402的缓冲层450宽度W(如图6所示)不宜过小，也不宜过大。如果宽度W过小，缓冲层450和光入射面402的接触面过小，相应会降低缓冲层450对光入射面402的保护效果，且还容易增加形成所述缓冲层450的工艺难度、降低所述缓冲层450的形貌质量和宽度W精准度；如果宽度W过大，位于所述光入射面402的缓冲层450容易遮挡感光区200a，从而对感光芯片200的光学性能产生不良影响。为此，本实施例中，位于所述光入射面402上的缓冲层450宽度W为20μm至30μm。

具体地，位于所述光入射面402上的缓冲层450宽度W可根据所述滤光片400的宽度以及感光芯片200感光区200a的尺寸进行调整。

还需要说明的是，所述缓冲层450厚度T(如图6所示)不宜过小，也不宜过大。如果所述厚度T过小，则容易降低缓冲层450用于缓解应力的效果，滤光片400发生破裂的概率较高；如果所述厚度T过大，则会增加所述感光组件500的体积，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求，且还会造成成本和时间的增加。为此，本实施例中，所述缓冲层450厚度T为5μm至10μm。

本实施例中，所述滤光片400和感光芯片200通过设置于二者之间的粘合结构410相结合，所述粘合结构410位于所述外围区200b且环绕所述光信号接收面201。

所述粘合结构410用于实现所述感光芯片200和滤光片400的物理连接，且避免所述滤光片400与光信号接收面201直接接触，以免所述滤光片400对所述感光芯片200的光学性能产生不良影响。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻材料，从而简化形成所述粘合结构410的工艺步骤，且有利于保证所述粘合结构410的粘结强度。

本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺、可光刻的聚苯并恶唑或可光刻的苯并环丁烯。

本实施例中，所述粘合结构410还位于所述缓冲层450和感光芯片200之间，从而增大了所述粘合结构410和感光芯片200的接触面，有利于进一步提高所述滤光片400和感光芯片200的结合强度。

本实施例中，所述感光组件500还包括：基板100，与所述感光芯片200背向所述光信号接收面201的面相贴合。

所述基板100用于对结合在一起的感光芯片200和滤光片400起到机械支撑作用，从而为后续封装工艺的进行提供工艺平台。

本实施例中，所述基板100为电路板，所述基板100和感光芯片200实现电连接后，所述基板100还起到电信号传输的作用，从而将感光芯片200的电信号传输到后端。

本实施例中，根据实际工艺需求，所述基板100包括但不限于PCB板、FPC板或RFPC板。例如：当所形成的镜头模组适用于手机时，所述基板100可以为FPC板或RFPC板。

在其他实施例中，所述基板还可以为承载基板。

本实施例中，所述感光芯片200通过COB封装工艺粘贴至所述基板100上，有利于所述感光组件500的可靠性和体积。

为此，所述感光组件500还包括：电连接结构110，电连接所述感光芯片200和基板100。所述电连接结构110电连接所述感光芯片200和基板100，从而使所述基板100对感光芯片200起到电信号传输的作用。

本实施例中，利用COB封装工艺实现所述感光芯片200和基板100的集成，所述电连接结构110相应为引线，例如为：金线或铝线。具体地，所述电连接结构110的一端与所述感光芯片200的焊盘(图未示)相连，所述电连接结构110的另一端与所述基板100相连。

需要说明的是，所述感光组件500还包括：被动元件210，贴装于基板100上且与所述基板100电连接。其中，所述被动元件210可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。

具体地，所述被动元件210通过SMT工艺贴装于所述基板100上，相应的，所述被动元件210和所述基板100通过设置于两者之间的锡膏实现物理连接和电学连接。为了便于图示，仅示意出了一个被动元件210，但所述被动元件210的数量不仅限于一个。

本实施例中，所述感光组件500还包括：塑封层120，位于所述感光芯片200露出的基板100上，所述塑封层120还覆盖所述缓冲层450。

本实施例中，所述塑封层120覆盖电连接结构110和被动元件210，从而将所述感光芯片200、被动元件210、电连接结构110整合至一个封装结构中。

与传统支架与电路板结合的方案相比，通过所述塑封层120，减少了支架所占用的空间，从而有利于减小所形成镜头模组的厚度和尺寸；而且，所述塑封层120能够起到绝缘、密封以及防潮的作用，可以减小所述被动元件210和电连接结构110受损、被污染或被氧化的概率，使得感光组件500的可靠性和良率得以提升。本实施例中，所述塑封层120的材料为环氧树脂。

本实施例中，为了提高可靠性，且避免塑封层120对感光芯片200的光学性能产生不良影响，所述塑封层120还覆盖位于光入射面402上的缓冲层450。其中，所述缓冲层450还覆盖所述光入射面402的部分表面，所述缓冲层450还能减小塑封层120对光入射面402产生的应力，所述滤光片400发生破裂的概率较低。

本实施例中，所述塑封层120覆盖位于光入射面402上的部分缓冲层450。在另一些实施例中，根据位于所述光入射面上的缓冲层宽度，所述塑封层还可以全面覆盖所述缓冲层表面。在其他实施例中，所述塑封层顶面与所述缓冲层顶面齐平，或者，所述塑封层顶面低于所述缓冲层顶面。

本实施例所述感光组件可以采用前述实施例所述的封装方法所形成，也可以采用其他封装方法所形成。对本实施例所述感光组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。

相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组。参考图16，示出了本发明镜头模组一实施例的结构示意图。

本实施例中，所述镜头模组600包括本发明实施例所述的感光组件500。

所述感光组件500中的滤光片400完整性较好，使得所述感光组件500的良率和可靠性较高，相应提高了所述镜头模组600的良率和可靠性。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备。参考图17，示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。

本实施例中，所述电子设备700包括本发明实施例所述的镜头模组600。

所述镜头模组600的可靠性较高，相应提高了所述电子设备700的拍摄质量。

而且，所述镜头模组600的整体厚度较小，有利于提高用户的使用感受度。

具体地，所述电子设备700可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (23)

1.一种感光组件的封装方法，其特征在于，包括：

提供滤光片，包括待键合面以及与所述待键合面相背的光入射面；

形成至少覆盖所述滤光片侧壁的缓冲层；

提供感光芯片，包括光信号接收面；

使所述光信号接收面和待键合面相对设置，并使所述滤光片和感光芯片相结合。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲层还覆盖所述光入射面的部分表面。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤包括：形成保形覆盖所述滤光片侧壁和光入射面的缓冲材料层；

通过光刻工艺图形化所述缓冲材料层，去除所述滤光片上部分区域的缓冲材料层，并至少保留所述滤光片侧壁上的所述缓冲材料层。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述缓冲层之后，使所述滤光片和感光芯片相结合；

或者，使所述滤光片和感光芯片结合之后，形成所述缓冲层。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤包括：提供第一承载基板；

将所述滤光片的待键合面临时键合于所述第一承载基板上；

在所述临时键合步骤之后，形成所述缓冲层；

形成所述缓冲层后，解键合所述滤光片和第一承载基板。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述感光芯片还包括环绕所述光信号接收面的外围区；

所述滤光片和感光芯片通过设置于二者之间的粘合结构相结合，所述粘合结构位于所述外围区且环绕所述光信号接收面。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，使所述滤光片和感光芯片相结合的步骤包括：

提供第二承载基板；

将所述滤光片的光入射面和所述第二承载基板相对设置，使形成有所述缓冲层的滤光片临时键合于所述第二承载基板上；

在所述滤光片的边缘区形成环形粘合结构，所述粘合结构还覆盖所述缓冲层与所述待键合面齐平的表面；

将所述感光芯片的外围区贴装于所述环形粘合结构上；

进行解键合处理，去除所述第二承载基板。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：提供基板；

将结合在一起的滤光片和感光芯片贴装于所述基板上，且所述感光芯片背向所述光信号接收面的面贴装于所述基板上；

在所述感光芯片露出的基板上形成塑封层，所述塑封层还覆盖所述缓冲层。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为光敏缓冲胶。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为环氧类胶。

11.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，位于所述滤光片光入射面上的缓冲层宽度为20μm至30μm。

12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5μm至10μm。

13.一种感光组件，其特征在于，包括：

感光芯片，包括光信号接收面；

滤光片，与所述光信号接收面相对设置且与所述感光芯片相结合；

缓冲层，至少覆盖所述滤光片的侧壁。

14.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述滤光片包括背向所述感光芯片的光入射面；所述缓冲层还覆盖所述光入射面的部分表面。

15.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述感光芯片还包括环绕所述光信号接收面的外围区；

所述滤光片和感光芯片通过设置于二者之间的粘合结构相结合，所述粘合结构位于所述外围区且环绕所述光信号接收面，所述粘合结构还位于所述缓冲层和感光芯片之间。

16.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述感光组件还包括：基板，与所述感光芯片背向所述光信号接收面的面相贴合；

塑封层，位于所述感光芯片露出的基板上，所述塑封层还覆盖所述缓冲层。

17.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述缓冲层的材料为光敏缓冲胶。

18.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述缓冲层的材料为环氧类胶。

19.如权利要求14所述的感光组件，其特征在于，位于所述滤光片光入射面上的缓冲层宽度为20μm至30μm。

20.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5μm至10μm。

21.如权利要求13所述的感光组件，其特征在于，所述滤光片为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。

22.一种镜头模组，其特征在于，包括如权利要求13至21中任一项权利要求所述的感光组件。

23.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求22所述的镜头模组。