CN109219886A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置及其制造方法，本发明提供一种显示装置，包括：第一基板，包括有规律地布置的多个发光二极管；第二基板，包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；以及第三基板，包括使从所述第一基板发出的光变换的光变换部，其中，所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种利用微型发光二极管的显示装置及其制造方法。
背景技术
发光二极管作为将通过电子及空穴的复合而产生的光向外部发出的无机半导体元件，最近应用于显示器、汽车灯、一般照明等多种领域。这样的发光二极管具有寿命长、功耗低，且响应速度快的优点。因此，发光二极管所利用的发光装置可在多个领域中使用为光源。
近来，智能电视及显示器倾向于使用薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板来再现色彩，并使用发光二极管作为用于色彩再现的背光光源，有时也利用有机发光二极管(OLED)制造显示装置。
对于TFT-LCD而言，一个发光二极管(LED)作为宽像素的光源而被使用，不管在TFT-LCD画面显示何种颜色，背光光源都始终需要处于接通状态。因此，存在无论显示的画面亮或暗都使用恒定的功耗的问题。并且，对于OLED而言，虽然通过技术发展在持续地降低功耗，但目前为止，相比于作为无机半导体器件的LED，功耗非常大，所以存在效率性较低的问题。
并且，在用于驱动TFT的方式中，利用无源矩阵(PM)驱动方式的OLED对具有大容量的有机电致发光(EL)器件进行脉幅调制(PAM：pulse amplifier modulation)控制，因此可能发生响应速度降低的问题。并且，在为了实现低占空比(duty)而通过脉冲调制(PWM：pulse width modulation)控制的情况下，需要高电流驱动，从而可能发生寿命减短的问题。并且，对于利用有源矩阵(AM)驱动方式的OLED而言，需要针对每一个像素连接TFT，所以生产费用可能会增加，并且可能具有亮度根据TFT特性而不均匀的问题。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题是提供一种能够应用于可穿戴设备、智能电话或电视等，并且利用功耗低的微型发光二极管的显示装置及其制造方法。
技术方案
本发明提供一种显示装置，包括：第一基板，包括有规律地布置的多个发光二极管；第二基板，包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；以及第三基板，包括使从所述第一基板发出的光变换的光变换部，其中，所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
在此，所述光变换部可以包括：荧光体层，使从所述发光二极管发出的光进行波长变换；以及滤光部，对通过所述荧光体层的光中一部分波长的光进行阻断。
另外，本发明提供一种显示装置制造方法，包括如下步骤：制造第一基板，在所述第一基板有规律地布置有多个发光二极管；制造第二基板，所述第二基板包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；制造第三基板，所述第三基板包括使从所述第一基板发出的光进行变换的光变换部；以及结合所述第一基板至第三基板，其中，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
有益效果
根据本发明，由于可以利用使用氮化物半导体的微型发光二极管构成显示装置，从而具有能够应用于可穿戴设备的高效率高分辨率，且具有功耗低的效果。
并且，通过利用彩色滤光部等，阻断即使从发光二极管发出的光透过荧光体层而进行波长变换，也并非从发光二极管发出的光全部进行波长变换，而一部分光原样释放的情形，从而具有能够提高向外部释放的光的颜色纯度的效果。
附图说明
图1是图示根据本发明的第一实施例的显示装置的剖面图。
图2是用于说明根据发明的第一实施例的显示装置的制造方法的图。
图3是图示根据本发明的第二实施例的显示装置的剖面图。
图4是图示根据本发明的第三实施例的显示装置的剖面图。
图5是图示根据本发明的第四实施例的显示装置的剖面图。
符号说明
100：显示装置 110：发光二极管部
112a：发光二极管 112d：紫外线发光二极管
23：n型半导体层 25：活性层
27：p型半导体层 31：n型电极
33：p型电极 35：壁部
114：支撑基板 116：透明电极
118：第一阻断部 120：绝缘层
122：第一连接电极 123：光变换部
126：荧光体层 126a：蓝色荧光体层
126b：绿色荧光体层 126c：红色荧光体层
126d：阻断层 126e：透明层
126f：白色荧光体层 127：彩色滤光部
127a：蓝色光部 127b：绿色光部
127c：红色光部 127d：光阻断部
127e：透明部 127f：滤波部
128：保护基板 129：第二阻断部
130：TFT面板部 132：面板基板
134：第二连接电极 150：各向异性导电膜
152：电极连接部 S:粘接部
具体实施方式
根据本发明的一实施例的显示装置可以包括：第一基板，包括有规律地布置的多个发光二极管；第二基板，包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；以及第三基板，包括使从所述第一基板发出的光变换的光变换部，其中，所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
此时，所述第一基板可以包括：多个支撑基板；多个发光二极管，分别布置于所述多个支撑基板上部；以及阻断部，布置于所述多个支撑基板之间，阻断从所述多个发光二极管发出的光。
并且，所述光变换部可以包括：荧光体层，使从所述发光二极管发出的光进行波长变换；以及滤光部，对通过所述荧光体层的光中一部分波长的光进行阻断。
此时，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
并且，所述荧光体层还可以包括：阻断层，布置于所述绿色荧光体层、红色荧光体层及透明层之间，所述滤光部还可以包括：光阻断部，布置于所述绿色光部、红色光部及透明部之间。
在此，所述绿色光部可以仅使绿色光通过，所述红色光部仅使红色光通过。
并且，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，所述滤光部包括：滤波部，分别布置于所述绿色荧光体层及红色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层及红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
在此，所述滤波部可以使绿色光及红色光通过，并阻断蓝色光。
并且，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出；以及白色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为白色光，所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，分别布置于所述透明层及白色荧光体层上部而使通过透明层及白色荧光体层的光原样发出。
或者，所述发光二极管可以是发出紫外线的紫外线发光二极管，所述荧光体层包括：蓝色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为蓝色光；绿色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为绿色光；以及红色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为红色光，所述滤光部包括：蓝色光部，布置于所述蓝色荧光体层上部而阻断通过所述蓝色荧光体层的光中的一部分波长的光；绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光。
在此，所述蓝色光部可以仅使蓝色光通过，所述绿色光部仅使绿色光通过，所述红色光部仅使红色光通过。
此时，所述多个发光二极管可以分别包括：n型半导体层；p型半导体层；活性层，夹设于所述n型半导体层与p型半导体层之间；n型电极，结合于所述n型半导体层；以及p型电极，结合于所述p型半导体层。
并且，所述显示装置还可以包括：各向异性导电膜，电连接所述第一基板与第二基板。
另外，根据本发明的一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：制造第一基板，在所述第一基板有规律地布置有多个发光二极管；制造第二基板，所述第二基板包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；制造第三基板，所述第三基板包括使从所述第一基板发出的光进行变换的光变换部；以及结合所述第一基板至第三基板，其中，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
此时，所述第一基板及第二基板可以以彼此的一面相面对的方式结合，以使各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合。
并且，制造所述第三基板的步骤可以包括如下步骤：在保护基板上形成滤光部，所述滤光部对通过的光中预定波长的光进行阻断；以及在所述滤光部上形成荧光体层，所述荧光体层对通过光进行波长变换。
在此，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
并且，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，所述滤光部包括：滤波部，分别布置于所述绿色荧光体层及红色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层及红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
并且，所述发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管，所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出；以及白色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为白色光，所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，分别布置于所述透明层及白色荧光体层上部而使通过透明层及白色荧光体层的光原样发出。
或者，所述发光二极管可以是发出紫外线的紫外线发光二极管，所述荧光体层包括：蓝色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为蓝色光；绿色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为绿色光；以及红色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为红色光，所述滤光部包括：蓝色光部，布置于所述蓝色荧光体层上部而阻断通过所述蓝色荧光体层的光中的一部分波长的光；绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光。
参照附图，对本发明的优选实施例进行更具体的说明。
图1是图示根据本发明的第一实施例的显示装置的剖面图，图2是用于说明根据发明的第一实施例的显示装置的制造方法的图。
参照图1，根据本发明的第一实施例的显示装置100包括发光二极管部110、薄膜晶体管(TFT)面板部130及各向异性导电膜150。
发光二极管部110包括发光二极管112a、支撑基板114、透明电极116、第一阻断部118、绝缘层120、第一连接电极122、荧光体层126、彩色滤光部127及保护基板128。
发光二极管112a配备为多个，且多个发光二极管112a有规律地布置于支撑基板114上。作为一例，多个发光二极管112a可以沿行和列排列为以恒定的间隔隔开的状态。在本实施例中，针对多个发光二极管112a利用发出蓝色光的蓝色发光二极管的情形进行说明。
在本实施例中，发光二极管部110在从外部施加电源的情况下可以将自身作为显示装置100而被驱动。即，发光二极管部110的发光二极管112a可以通过接通-断开组合点亮熄灭，从发光二极管112a发出的光通过荧光体层126发出为红色光、绿色光及蓝色光。因此，即使没有专门的液晶显示屏(LCD)也可以驱动为显示装置100。在本实施例中，包括一个发光二极管112a的区域在显示装置100中可以被利用为一个子像素(sub pixel)。从发光二极管部110中，一个子像素的大小可以形成为相对大于布置于子像素内的发光二极管112a的大小。
如图1所示，这样的发光二极管112a包括n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27、n型电极31、p型电极33及壁部35。
n型半导体层23、活性层25及p型半导体层27可以包括III-V族系列的化合物半导体。例如，可以包括如(Al、Ga、In)N等氮化物半导体。此时，n型半导体层23与p型半导体层27的位置可以彼此交换。
n型半导体层23可以包括n型杂质(例如，Si)，p型半导体层27可以包括p型杂质(例如，Mg)。活性层25可以夹设于n型半导体层23与p型半导体层27之间，并包括多量子阱结构(MQW)，且可以以能够发出所期望的峰值波长的光的方式确定组成比。
并且，包括n型半导体层23、活性层25及p型半导体层27的发光结构体可以形成为与垂直型发光二极管112a相似的形状。因此，在n型半导体层23的外表面可以形成有n型电极31，并且在p型半导体层27的外表面可以形成有p型电极33。
并且，如图1所示，在本实施例中，为了使形成为类似垂直型的发光二极管112a结合到形成于支撑基板114的透明电极116，在p型电极33与透明电极116之间可以布置有粘接部S。并且，在发光二极管112a可以形成有壁部35，以防止粘接部S从p型电极33与透明电极116之间向外部脱离。
壁部35可以以使p型电极33在p型半导体层27上暴露的方式覆盖p型电极33的一部分而形成，并且如图所示，可以形成为多个层。壁部35可以包括第一层及第二层，并且可以以如下方式形成：包括SiN的第一层以覆盖p型电极33的一部分的方式形成于p型半导体层27上，接着，包括SiO2的第二层形成于第一层上。此时，第二层可以形成为比第一层的厚度厚，且可以形成为比第一层薄。
支撑基板114是用于贴装多个发光二极管112a的基板，可以是绝缘性基板、导电性基板或者印刷电路板等。作为一例，基板114可以为蓝宝石基板、氮化镓基板、玻璃基板、碳化硅基板、硅基板、金属基板及陶瓷基板中的一个。在本实施例中，对支撑基板114是能够使从发光二极管112a发出的光透过的透明基板的情形进行说明。例如，支撑基板114可以是具有预定厚度的柔性(flexible)有机基板。
在本实施例中，支撑基板114可以利用透明基板，从发光二极管112a发出的光穿过支撑基板114并通过布置于支撑基板114上部的荧光体层126及彩色滤光部127而向外部发出。此时，支撑基板114可以被分离为多个，并且以仅布置于发光二极管112a上部的方式布置为相互隔开的状态。并且，在这样相互隔开布置的间隙中可以分别布置有多个第二阻断部129。
第二阻断部129可以阻断从发光二极管112a发出的光，并且可以阻断从发光二极管112a发出的光被分散至邻近的发光二极管112a。即，第二阻断部129布置于支撑基板114之间，进而从一个发光二极管112a发出的光能够通过发光二极管112a上部的支撑基板114穿过形成于支撑基板114上部的荧光体层126及彩色滤光部127而向外部发出。
透明电极116可以形成于支撑基板114上，并且与发光二极管112a的p型电极33电连接。在本实施例中，对透明电极116在支撑基板114上形成为多个的情形进行说明，并且在一个透明电极116上可以结合有一个发光二极管112a，根据需求，在一个透明电极116上也可以结合有多个发光二极管112a。并且，多个透明电极116可以在支撑基板114上以相互隔开的状态布置。在此，透明电极116可以是ITO。
第一阻断部118可以形成于支撑基板114上，且配备为多个。当从发光二极管112发出的光通过透明电极116向外部发出时，第一阻断部118能够防止光向邻近的发光二极管112a发出。因此，第一阻断部118可以形成于相互隔开布置的透明电极116之间，且根据需求可以形成为覆盖透明电极116的一部分。在本实施例中，第一阻断部118可以利用铝(Al)或铬(Cr)等。
绝缘层120可以形成为包围发光二极管112a，并且可以形成为覆盖透明电极116，且形成为覆盖发光二极管112a结合于透明电极116的面中的被暴露的面。绝缘层120同上所述地形成，从而发光二极管112a中n型半导体层23及n型电极31可以以不被绝缘层120覆盖的状态被暴露。
第一连接电极122可以形成为覆盖绝缘层120，且可以形成为覆盖在绝缘层120之间暴露的n型半导体层23及n型电极31。因此，第一连接电极122可以与n型半导体层23电连接。
荧光体层126可以布置于支撑基板114上部，并且可以包括绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e。此时，绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e可以分别彼此邻近地交替布置，并且可以布置为相互以预定距离以上隔开的状态。在这样相互以预定距离以上隔开布置的绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e之间可以布置有阻断层126d。阻断层126d可以填充绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e之间而形成，并且能够防止通过绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e而发出的光向邻近的其他荧光体层发出。
在本发明的实施例中，发光二极管112a利用发出蓝色光的蓝色发光二极管。从而，绿色荧光体层126b对从发光二极管112a发出的蓝色光进行波长变换而发出绿色光，红色荧光体层126c对从发光二极管112a发出的蓝色光进行波长变换而发出红色光。并且，透明层126e使从发光二极管112a发出的蓝色光原样发出。通过如上所述地形成荧光体层126，能够向外部分别发出绿色光、红色光及蓝色光。
彩色滤光部127可以布置于荧光体层126上部，并且可以包括绿色光部127b、红色光部127c、光阻断部127d及透明部127e。彩色滤光部127可以具有薄膜(film)的形状，并且能够阻断透过彩色滤光部127的光中的除了特定波长的光以外的其余的光。
即，绿色光部127b阻断透过的光中的除了绿色光以外的其余的光，从而仅使绿色光通过，红色光部127c阻断透过的光中的除了红色光以外的其余的光，从而仅使红色光通过。并且，光阻断部127d布置于绿色光部127b、红色光部127c及透明部127e之间，并以使所有的光不能透过的方式进行阻断。并且，透明层126e可以使透过的光原样发出。
在本实施例中，彩色滤光部127所包括的绿色光部127b、红色光部127c及透明部127e可以与荧光体层126的布置相同地布置。即，彩色滤光部127的绿色光部127b布置于绿色荧光体层126b上部，红色光部127c布置于红色荧光体层126c上部。并且，在使从发光二极管112a发出的蓝色光原样透过的透明层126e的上部可以布置有透明部127e。
此时，绿色光部127b、红色光部127c及透明部127e的宽度可以分别大于绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e的宽度。从而，通过荧光体层126的光可以全部通过彩色滤光部127而向外部发出。
同上所述，在本实施例中，在红色荧光体层126c上部布置有红色光部127c，因此，通过红色荧光体层126c的光中所包含的其他波长的光可以被红色光部127c阻断，并且只有红色光通过红色光部127c而向外部发出。并且，在绿色荧光体层126b上部布置有绿色光部127b，因此，通过绿色荧光体层126b的光中所包含的其他波长的光可以在绿色光部127b被阻断，仅绿色光通过绿色光部127b向外部发出。
即，从发光二极管112a发出的蓝色光通过红色荧光体层126c而波长变换为红色光，此时，未进行波长变换的一部分蓝色光可以原样发出。同样地，从发光二极管112a发出的蓝色光通过绿色荧光体层126b，一部分蓝色光与绿色光可以一同发出。这样即使透过荧光体层126，也有一部分未进行波长变换的蓝色发出，从而颜色的纯度可能降低，这种现象在彩色滤光部127被完全去除，从而进行了波长变换后的纯色的光能够向外部发出。
在此，虽然不使用彩色滤光部127，而是使荧光体层126的厚度较厚而对从发光二极管112a发出的蓝色光进行波长变换，从而也可以降低未进行波长变换的蓝色光的比例，但是荧光体层126的厚度越厚，透过荧光体层126的光的强度可能越小。因此，适当地调节荧光体层126的厚度与彩色滤光部127的使用，进而可以调节为向外部发出期望的颜色。
保护基板128可以布置于彩色滤光部127上部，并可以防止彩色滤光部127直接暴露于外部，从而在外界环境下保护彩色滤光部127。在本实施例中，保护基板128可以与支撑基板114同样地利用透明的材质形成。
TFT面板部130包括面板(panel)基板132及第二连接电极134，并与发光二极管部110结合，且配备为向发光二极管部110供应电源。并且，TFT面板部130可以通过控制向发光二极管部110供应的电源，从而使发光二极管部110所包括的多个发光二极管112a中的仅一部分发光。
在面板基板132的内部可以形成有TFT驱动电路。TFT驱动电路可以是用于驱动有源矩阵(AM：active matrix)的电路，或者可以是用于驱动无源矩阵(PM：passive matrix)的电路。
第二连接电极134可以与面板基板132的TFT驱动电路电连接，并与发光二极管部110的第一连接电极122电连接。因此，通过TFT驱动电路供应的电源可以通过第一连接电极122及第二连接电极134而被供应至各发光二极管112a。此时，第二连接电极134可以被独立的保护层覆盖。在此，保护层例如可以包括SiNx。
各向异性导电膜(anisotropic conductive film)150配备为使发光二极管部110与TFT面板部130相互电连接。各向异性导电膜150包括具有绝缘性的粘接性有机材料，并且在内部可以均匀地分散布置有用于电连接的导电性粒子。并且，各向异性导电膜150具有如下的性质：虽然在厚度方向上具有导电性，但在面方向具有绝缘性。并且，具有粘接性。因此，发光二极管部110及TFT面板部130可以相互电连接并相接。尤其，各向异性导电膜150可以有利于接合如ITO等难以在高温下焊接的电极。
若同上所述，利用各向异性导电膜150而使发光二极管112a与TFT面板部130结合，则发光二极管部110的第一连接电极122与TFT面板部130的第二连接电极134可以通过电极连接部152相互电连接。
在本实施例中，可以将发光二极管部110及TFT面板部130彼此独立地制造，此时，发光二极管部110中所包括的光变换部123也可以独立地制造。在本实施例中，光变换部123包括荧光体层126、彩色滤光部127及保护基板128。即，如图2的(a)所示，可以制造为在保护基板128上部形成有彩色滤光部127，在彩色滤光部127上部形成荧光体层126。如图2的(b)所示，在发光二极管部110及TFT面板部130结合的状态下，使同上所述地制造的光变换部123结合于支撑基板114，进而能够制造显示装置100。
图3是图示根据本发明的第二实施例的显示装置的剖面图。
参照图3，根据本发明的第二实施例的显示装置100包括发光二极管部110、TFT面板部130及各向异性导电膜150。在对本实施例进行说明时，省略与上述的第一实施例相同的说明。
在本实施例中，与第一实施例不同，彩色滤光部127包括透明部127e、滤波部127f及光阻断部127d。透明部127e与第一实施例相同地布置于荧光体层126的透明层126e上部，滤波部127f布置于荧光体层126的绿色荧光体层126b及红色荧光体层126c上部。因此，滤波部127f及透明层126e配备为多个，并且布置为相互隔开的状态。在滤波部127f与透明层126e隔开的位置可以布置有光阻断部127d。
滤波部127f可以在透过的光中仅使以预定波长为基准的预定波长以上的光透过。即，在本实施例中，发光二极管112a可以发出蓝色光，并且可以通过荧光体层126而发出红色光及绿色光。从而，滤波部127f可以阻断通过红色荧光体层126c或绿色荧光体层126b而发出的光中的预定波长以下的蓝色光，并可以使除此之外的光原样透过(例如，滤波部127f可以阻断480nm以下的光)。
并且，在本实施例中，滤波部127f及透明部127e的宽度可以分别大于绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及透明层126e的宽度。
图4是图示根据本发明的第三实施例的显示装置的剖面图。
参照图4，根据本发明的第三实施例的显示装置100包括发光二极管部110、TFT面板部130及各向异性导电膜150。在对本实施例进行说明时，省略与上述的第一实施例相同的说明。
在本实施例中，荧光体层126可以包括绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c、透明层126e、白色荧光体层126f及阻断层126d。并且，彩色滤光部127可以包括绿色光部127b、红色光部127c、透明部127e及光阻断部127d。
进而，绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c、透明层126e及白色荧光体层126f可以分别彼此相邻地交替地布置，并且可以相互隔开预定距离以上而布置。并且，在相互隔开布置的绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c、透明层126e及白色荧光体层126f之间可以布置有阻断层126d。
并且，彩色滤光部127的绿色光部127b可以布置于绿色荧光体层126b上部，红色光部127c布置于红色荧光体层126c上部，并且在透明层126e及白色荧光体层126f上部可以分别布置有透明部127e。因此，通过绿色光部127b可以发出绿色光，通过红色光部127c可以发出红色光。并且，通过透明层126e及白色荧光体层126f可以发出蓝色光，通过白色荧光体层126f及透明部127e可以发出白色光。
即，在本实施例中，显示装置100可以将分别发出蓝色光、绿色光、红色光及白色光的四个子像素驱动为一个像素。
图5是图示根据本发明的第四实施例的显示装置的剖面图。
参照图5，根据本发明的第四实施例的显示装置100包括发光二极管部110、TFT面板部130及各向异性导电膜150。在对本实施例进行说明时，省略与上述的第一实施例相同的说明。
在本实施例中，发光二极管部110所包括的发光二极管利用紫外线发光二极管112d。因此，荧光体层126可以包括蓝色荧光体层126a、绿色荧光体层126b、红色荧光体层126c及阻断层126d，彩色滤光部127可以包括蓝色光部127a、绿色光部127b、红色光部127c及光阻断部127d。
荧光体层126所包括的蓝色荧光体层126a、绿色荧光体层126b及红色荧光体层126c可以分别布置于各个紫外线发光二极管112d的上部，并且可以分别彼此相邻地交替地布置。并且，可以布置为相互隔开预定距离以上的状态。在这样相互隔开布置的蓝色荧光体层126a、绿色荧光体层126b及红色荧光体层126c之间可以布置有阻断层126d。
在此，蓝色荧光体层126a使从紫外线发光二极管112d发出的紫外线波长变换为蓝色光，绿色荧光体层126b使从紫外线发光二极管112d发出的紫外线波长变换为绿色光，红色荧光体层126c使从紫外线发光二极管112d发出的紫外线波长变换为红色光。
并且，彩色滤光部127的蓝色光部127a可以布置于蓝色荧光体层126a上部，绿色光部127b布置于绿色荧光体层126b上部，红色光部127c布置于红色荧光体层126c上部。即，蓝色光部127a、绿色光部127b及红色光部127c可以分别布置于蓝色荧光体层126a、绿色荧光体层126b及红色荧光体层126c上部，并且可以分别彼此相邻地交替地布置。并且，可以布置为相互隔开预定距离以上的状态，在隔开布置的蓝色光部127a、绿色光部127b及红色光部127c之间可以布置有光阻断部127d。
透过蓝色荧光体层126a的光可以与进行波长变换之后的蓝色光一同包含于未进行波长变换的紫外线之中，并且蓝色光部127a阻断通过蓝色荧光体层126a发出的光中包含的紫外线，从而仅使蓝色光向外部发出。并且，透过绿色荧光体层126b的光可以与进行波长变换之后的绿色光一同包含于未进行波长变换的紫外线之中，并且绿色光部127b阻断通过绿色荧光体层126b发出的光中包含的紫外线，从而仅使绿色光向外部发出。并且，透过红色荧光体层126c的光可以与进行波长变换之后的红色光一同包含于未进行波长变换的紫外线之中，并且红色光部127c阻断通过红色荧光体层126c发出的光中包含的紫外线，从而仅使红色光向外部发出。
如上所述，已通过参照所附附图的实施例而进行了针对本发明的具体的说明，但是在上述实施例中，仅仅举出本发明的优选示例并进行了说明，因此本发明不能被理解为局限于上述的实施例，本发明的权利保护范围应当被理解为权利要求书的范围以及其等同概念。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
第一基板，包括有规律地布置的多个发光二极管；
第二基板，包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；以及
第三基板，包括使从所述第一基板发出的光变换的光变换部，
其中，所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，
所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一基板包括：
多个支撑基板；
多个发光二极管，分别布置于所述多个支撑基板上部；以及
阻断部，布置于所述多个支撑基板之间，阻断从所述多个发光二极管发出的光。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述光变换部包括：
荧光体层，使从所述发光二极管发出的光进行波长变换；以及
滤光部，阻断通过所述荧光体层的光中一部分波长的光。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，
所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，
所述荧光体层还包括：阻断层，布置于所述绿色荧光体层、红色荧光体层及透明层之间，
所述滤光部还包括：光阻断部，布置于所述绿色光部、红色光部及透明部之间。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中，
所述绿色光部仅使绿色光通过，
所述红色光部仅使红色光通过。
7.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，
所述滤光部包括：滤波部，分别布置于所述绿色荧光体层及红色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层及红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述滤波部使绿色光及红色光通过，并阻断蓝色光。
9.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出；以及白色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为白色光，
所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，分别布置于所述透明层及白色荧光体层上部而使通过透明层及白色荧光体层的光原样发出。
10.如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光二极管是发出紫外线的紫外线发光二极管，
所述荧光体层包括：蓝色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为蓝色光；绿色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为绿色光；以及红色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为红色光，
所述滤光部包括：蓝色光部，布置于所述蓝色荧光体层上部而阻断通过所述蓝色荧光体层的光中的一部分波长的光；绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，
所述蓝色光部仅使蓝色光通过，
所述绿色光部仅使绿色光通过，
所述红色光部仅使红色光通过。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个发光二极管分别包括：
n型半导体层；
p型半导体层；
活性层，夹设于所述n型半导体层与p型半导体层之间；
n型电极，结合于所述n型半导体层；以及
p型电极，结合于所述p型半导体层。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
各向异性导电膜，电连接所述第一基板与第二基板。
14.一种显示装置制造方法，其中，包括如下步骤：
制造第一基板，在所述第一基板有规律地布置有多个发光二极管；
制造第二基板，所述第二基板包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；
制造第三基板，所述第三基板包括使从所述第一基板发出的光进行变换的光变换部；以及
结合所述第一基板至第三基板，
其中，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
15.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，以使各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，
所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合。
16.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
制造所述第三基板的步骤包括如下步骤：
在保护基板上形成滤光部，所述滤光部对通过的光中预定波长的光进行阻断；以及
在所述滤光部上形成荧光体层，所述荧光体层对通过的光进行波长变换。
17.如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，
所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
18.如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；以及透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出，
所述滤光部包括：滤波部，分别布置于所述绿色荧光体层及红色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层及红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，布置于所述透明层上部而使通过透明层的光原样发出。
19.如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中，
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管，
所述荧光体层包括：绿色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为绿色光；红色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为红色光；透明层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光原样发出；以及白色荧光体层，使从所述蓝色发光二极管发出的蓝色光波长变换为白色光，
所述滤光部包括：绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及透明部，分别布置于所述透明层及白色荧光体层上部而使通过透明层及白色荧光体层的光原样发出。
20.如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中，
所述发光二极管是发出紫外线的紫外线发光二极管，
所述荧光体层包括：蓝色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为蓝色光；绿色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为绿色光；以及红色荧光体层，使从所述紫外线发光二极管发出的紫外线波长变换为红色光，
所述滤光部包括：蓝色光部，布置于所述蓝色荧光体层上部而阻断通过所述蓝色荧光体层的光中的一部分波长的光；绿色光部，布置于所述绿色荧光体层上部而阻断通过所述绿色荧光体层的光中的一部分波长的光；以及红色光部，布置于所述红色荧光体层上部而阻断通过所述红色荧光体层的光中的一部分波长的光。
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WO (1) WO2017171478A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786764A (zh) * 2021-02-26 2021-05-11 维沃移动通信有限公司 发光器件、显示组件和发光器件的制造方法
CN114156322A (zh) * 2021-11-29 2022-03-08 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
KR20180090002A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102620661B1 (ko) * 2017-02-24 2024-01-04 삼성전자주식회사 Led 장치 및 제조 방법
US20190140017A1 (en) * 2017-06-13 2019-05-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro led color display device
CN107068707A (zh) * 2017-06-13 2017-08-18 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED彩色显示器件
KR102601620B1 (ko) 2017-08-03 2023-11-15 크리엘이디, 인크. 고밀도 픽셀화된 led 칩 및 칩 어레이 장치, 그리고 그 제조 방법
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
TWI640972B (zh) * 2017-12-14 2018-11-11 宏齊科技股份有限公司 顯示裝置及其光源模組
KR102519929B1 (ko) * 2017-12-18 2023-04-10 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US20190198720A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
KR102048994B1 (ko) * 2018-01-16 2019-11-27 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10529773B2 (en) * 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
WO2019236325A1 (en) * 2018-06-04 2019-12-12 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
CN110875345A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Led显示器件及其制造方法、led显示面板
KR102652645B1 (ko) * 2018-09-03 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
KR20200062863A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
TWI682436B (zh) * 2018-12-20 2020-01-11 茂丞科技股份有限公司 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
JP6989786B2 (ja) * 2019-01-30 2022-01-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部品及びこれを用いた発光装置
CN110277053B (zh) * 2019-06-25 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
JP7349393B2 (ja) * 2020-03-10 2023-09-22 シャープ福山レーザー株式会社 画像表示素子
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
KR20210155576A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법
TWI799929B (zh) * 2021-07-29 2023-04-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030222577A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Ritdisplay Corporation Full color organic light-emitting display device
CN1638578A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
US20050275343A1 (en) * 2004-05-18 2005-12-15 Jun Tanaka Organic electroluminescence display apparatus
US20080246902A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Chu-Liang Cheng Lcd panel
KR20130137985A (ko) * 2012-06-08 2013-12-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN104112766A (zh) * 2014-07-22 2014-10-22 深圳市华星光电技术有限公司 彩色显示器件结构
CN104576694A (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
CN107852794A (zh) * 2015-07-23 2018-03-27 首尔半导体株式会社 显示装置及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000122095A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP4978224B2 (ja) * 2007-02-08 2012-07-18 カシオ計算機株式会社 光電変換装置及びそれを備えた表示パネル
KR20090026871A (ko) * 2007-09-11 2009-03-16 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
JP2014141415A (ja) * 2011-05-19 2014-08-07 Sharp Corp 遷移金属錯体、及びこれを用いた有機発光素子、色変換発光素子、光変換発光素子、有機レーザーダイオード発光素子、色素レーザー、表示装置、照明装置並びに電子機器
JP2013037138A (ja) 2011-08-05 2013-02-21 Panasonic Corp 自発光型表示装置
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
KR101228885B1 (ko) * 2011-12-21 2013-02-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101513641B1 (ko) * 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
CN103456764B (zh) * 2013-09-09 2016-01-20 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102168045B1 (ko) * 2013-12-30 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치
KR101524726B1 (ko) * 2014-06-20 2015-06-10 실리콘 디스플레이 (주) Led 디스플레이 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030222577A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Ritdisplay Corporation Full color organic light-emitting display device
CN1638578A (zh) * 2003-12-30 2005-07-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
US20050275343A1 (en) * 2004-05-18 2005-12-15 Jun Tanaka Organic electroluminescence display apparatus
US20080246902A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Chu-Liang Cheng Lcd panel
KR20130137985A (ko) * 2012-06-08 2013-12-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN104112766A (zh) * 2014-07-22 2014-10-22 深圳市华星光电技术有限公司 彩色显示器件结构
CN104576694A (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
CN107852794A (zh) * 2015-07-23 2018-03-27 首尔半导体株式会社 显示装置及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786764A (zh) * 2021-02-26 2021-05-11 维沃移动通信有限公司 发光器件、显示组件和发光器件的制造方法
CN114156322A (zh) * 2021-11-29 2022-03-08 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
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EP3439042B1 (en) 2021-07-28

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