CN109216398B - Led显示面板和使用该led显示面板的显示器 - Google Patents

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Abstract

LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器。本文公开了一种LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器。该LED显示面板包括：底部基板，该底部基板具有包含相应的选通线和数据线的多个像素区并且包括布置在所述底部基板的外周缘或侧面的多个焊盘；以及每个像素区中的一组超小型LED，该组超小型LED用于显示图像，其中，每个像素区中的所述超小型LED被布置成与远离所述底部基板的中心的方向和每个像素区距所述底部基板的中心的距离对应的特定图案。根据本公开，在制造窄边框或零边框LED显示面板中，能够在没有任何附加的用于改变超小型LED的布局的设计处理的情况下在像素区中布置超小型LED，由此降低设计和制作成本。

Description

LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器
技术领域
本公开涉及包括被布置成形成用于显示图像的像素的LED的LED显示面板，并且更具体地，涉及使得能够在制造期间在像素区中容易地布置LED的LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器。
背景技术
发光二极管(LED)是被配置成将电流转换成光的半导体发光器件，并且由于其高热稳定性和宽带隙特性(0.8eV至6.2eV)而在图像显示器和高输出电子组件的领域中备受关注。
为了增加显示器的像素分辨率，显示器中使用的LED需要具有减小的大小。然而，随着LED变得更小，由于制造设备和可获得的分辨率的技术限制，在显示器中使用LED受到挑战。因此，尽管它们的效率高，但是LED已经用于诸如用于室外电子广告牌或用于液晶显示器LCD中的背光单元的显示器这样的有限领域中。
近来，已经制造出将用于全彩色LED显示器而非简单背光单元中的例如微型或超小型级别的具有良好物理性质和化学性质的高效LED。
特别地，已经进行了各种尝试以在用于典型显示器的薄膜晶体管TFT开关基板上布置这些超小型LED，以形成用于显示图像的像素。
然而，为了在用于显示装置的TFT开关基板的像素区中将这些超小型LED作为图像显示元件布置，必须改变与TFT开关基板的图像显示区的面积、像素大小、分辨率等对应的LED的布局和设计。
另外，更难以改变与用于近来新兴的所谓的窄边框或零边框显示面板的TFT开关基板的特性对应的超小型LED的布局和设计。换句话讲，难以相对于TFT开关基板的非显示区中的连接焊盘的大小、基板的大小、像素的大小、像素分辨率等调整超小型LED的布局和设计。
特别地，用于窄边框或零边框显示面板的一些典型的TFT开关基板被设计成使得与外部焊盘区邻近的像素区在大小上与底部基板中心处的像素区不同。因此，即使当超小型LED的布局和设计与用于窄边框或零边框显示面板的TFT开关基板的特性对应地改变时，基板外周缘处的像素区中的LED的结构或图案不同于设置在中心像素区中的LED的结构或图案。结果，自动设计和面板检查是困难的，导致各种缺陷增加。
发明内容
已经构思了本公开的实施方式来解决现有技术中的这种问题，并且本公开的一个方面是提供一种使得能够在用于不同类型的显示器的TFT开关基板的像素区中容易地布置超小型LED的LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器。
本公开的另一个方面是提供一种使得在其制造过程中能够在没有任何附加设计改变的情况下在像素区中布置超小型LED的窄边框或零边框LED显示面板和使用该窄边框或零边框LED显示面板的显示器。
根据本公开的一个方面，一种LED显示面板包括：底部基板，该底部基板具有包含相应的选通线和数据线的多个像素区，并且包括布置在所述底部基板的外周缘或侧面的多个焊盘；以及每个像素区中的一组超小型LED，所述一组超小型LED用于显示图像，其中，每个像素区中的所述超小型LED被布置成与远离所述底部基板的中心的方向和每个像素区距所述底部基板的中心的距离对应的特定图案。
特别地，每个像素区中的所述超小型LED独立于图像显示区的面积或所述像素区的大小被布置成特定图案而没有改变所述超小型LED的布局，使得更远离所述图像显示区的中心的像素区具有沿着与远离所述图像显示区的中心的方向相同的方向布置并且被设置为更靠近所述像素区的外周缘的超小型LED。
根据本公开的另一个方面，一种显示器包括：有机发光二极管(LED)显示面板，该LED显示面板包括：底部基板，所述底部基板具有多个像素区；以及每个像素区中的一组超小型LED，所述一组超小型LED用于显示图像，每个像素区中的所述超小型LED被布置成与远离所述底部基板的中心的方向和每个像素区距所述底部基板的中心的距离对应的特定图案；以及驱动电路，该驱动电路向所述像素区施加高电压和低电压，并且驱动所述像素区的选通线和数据线，使得通过所述像素区中的所述超小型LED显示图像。
根据本公开的另一个方面，一种装置，该装置包括：在基板上的像素区矩阵，所述像素区矩阵具有第一布置，对于所述第一布置，在相邻像素区之间具有第一间距；每个像素区中的一组连接焊盘；以及微型发光二极管LED矩阵，所述微型LED矩阵用于在显示屏上输出图像，所述微型LED矩阵具有与所述第一布置不同的第二布置，对于所述第二布置，在相邻微型LED之间具有与所述第一间距不同的第二间距，并且在所述微型LED矩阵当中，每个像素区具有一组微型LED，每个微型LED经由接触点电连接到其对应的连接焊盘，并且所述连接焊盘具有用于所有像素区的统一布局。
特别地，每个连接焊盘具有足以容纳其对应的微型LED的统一尺寸，而不管所述相邻像素区的所述第一间距和所述相邻微型LED的所述第二间距的差异如何。
特别地，所述像素区矩阵的中心区附近的第一像素区中的第一组微型LED具有第一组接触点，并且所述像素区矩阵的边缘附近的第二像素区中的第二组微型LED具有与所述第一组接触点不同定位的第二组接触点。
本公开提供了一种LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器，该LED显示面板使得能够在TFT开关基板的像素区中容易地布置超小型LED，由此降低设计和制造成本并且提高自动设计效率。
另外，本公开提供了一种窄边框或零边框LED显示面板和使用该窄边框或零边框LED显示面板的显示器，该窄边框或零边框LED显示面板使得能够在其制造过程中在没有进行任何附加设计改变的情况下将超小型LED布置在像素区中。
另外，本公开提供了一种LED显示面板，该LED显示面板使得能够将多个超小型LED沿着远离底部基板中心的方向按特定图案布置在每个像素区中，由此提高自动设计和面板检查的便利度。
附图说明
根据结合附图对下面实施方式进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将变得清楚，在附图中：
图1是根据本公开的一个实施方式的LED显示面板的示意图；
图2是图1的LED显示面板的后视图，其示出了LED显示面板的背面；
图3是图1的LED显示面板的中心处的像素结构的框图；
图4是沿着图3的线A-A’截取的截面图；
图5是图1的LED显示面板的最靠外部分处的像素结构的框图；
图6是沿着图5的线I-I’截取的截面图；以及
图7是例示其上布置有特定图案的超小型LED的窄边框或零边框型TFT开关基板的数据电压接触位置的图。
<参考标号的列表>
ZPL：底部基板
GL：选通线
DL：数据线
Pix：像素区
VDD：高电压供应线
VSS：低电压供应线
RCE1、GCE1、BCE1：数据接触焊盘
SE：低电压接触焊盘
R1、R2：红色LED
G1、G2：绿色LED
B1、B2：蓝色LED
具体实施方式
下文中，将参照附图来描述本公开的实施方式。应该理解，为了清晰起见，将省略可能对于本领域技术人员显而易见的特定细节的描述。
图1是根据本公开的一个实施方式的LED显示面板的示意图。图2是图1的LED显示面板的后视图，其示出了LED显示面板的背面。
参照图1，根据本公开的该实施方式的LED显示面板包括：底部基板ZPL，该底部基板ZPL具有由多条选通线GL和多条数据线DL限定的多个像素区Pix，并且包括布置在该底部基板ZPL的外周缘或侧面处的多个焊盘PD；以及一组超小型(或微型)LED，所述一组超小型LED按与远离底部基板ZPL的中心的方向和每个像素区距底部基板中心的距离对应的特定图案布置在像素区Pix中的每一个中，以显示图像。即，底部基板ZPL的中心附近的像素区中的LED布置与远离所述中心的像素区中的LED布置不同。
多条选通线GL和多条数据线DL水平地和垂直地(即，沿着行方向和列方向)设置在底部基板ZPL上，以彼此交叉，由此限定多个像素区Pix。另外，底部基板ZPL包括分别设置在其右侧和左侧的高电压供应线VDD和低电压供应线VSS，其中，高电压供应线VDD和低电压供应线VSS各自具有多个分支，所述多个分支沿着选通线GL的方向延伸，以将高电压和低电压供应到像素区。多个焊盘PD可以形成在底部基板ZPL的外周缘或侧面处，以延伸选通线GL、数据线DL、高电压供应线VDD和低电压供应线VSS。具体地，多个焊盘PD可以沿着底部基板ZPL的正面的外周缘形成，或者可以形成在底部基板ZPL的背面或侧面上。
如果多个焊盘PD围绕底部基板ZPL的正面的外周缘形成(如图1中所示)，则底部基板上的布局能够被设计或制造成使得图像显示区AP的面积根据焊盘PD的大小或焊盘PD所占据的面积而变化。例如，根据图像显示区AP的面积，邻近的选通线GL或数据线DL之间的距离可以减小，以便使像素区的大小减小。另选地，与多个焊盘PD邻近的像素区中的至少一个可以具有小于其它像素区的大小。
常规地，如果如上所述，底部基板上的布局被设计成使得像素区中的全部或一些根据焊盘PD的大小或焊盘PD所占据的面积而减小，则需要调整超小型LED的布局，使得邻近的各个超小型LED之间的距离减小，以便将每个超小型LED正确地安装或集成在每个像素区中。
根据本公开，用于将数据电压传送到设置在底部基板ZPL的每个像素区中的超小型LED中的每一个的阳极的每个数据接触焊盘被形成为具有特定面积的平面形状。换句话讲，每个数据接触焊盘呈具有特定面积的平面多边形形状，而非常规接触孔或接触线的形状。因此，即使当底部基板上的布局被设计成使得底部基板ZPL的图像显示区的面积或像素区的大小变化时，也能够在不改变超小型LED的布局的情况下将超小型LED布置在每个像素区中，并且超小型LED具有特定图案。
由于每个数据接触焊盘呈在接触区域中变宽的具有特定面积的平面形状，因此即使在没有改变其布局的情况下将超小型LED按特定图案布置在每个像素区中时，也能够分别将超小型LED与数据接触焊盘电连接。
特别地，由于底部基板ZPL被配置成使得在不改变超小型LED的布局的情况下减小图像显示区的面积或像素区的大小，因此每个像素区中的超小型LED可以(沿着远离底部基板ZPL的中心的方向)以恒定间隔布置。
根据本公开，如图1所示，当底部基板被配置成使得像素区的整体大小或面积由于在基板的外周缘中的多个焊盘PD而减小时，每个像素区中的超小型LED相对于底部基板中心按特定图案布置而不用改变超小型LED的布局，使得更远离图像显示区的中心的像素区具有沿着与远离图像显示区中心的方向相同的方向布置的超小型LED。
这里，特定图案是每个超小型LED以特定恒定间隔布置的布置图案。因此，在更远离图像显示区的中心的像素区中，每个超小型LED被设置成更靠近像素区的外周缘。
这里，每个像素区与图像显示区中心的距离可以根据图像显示区的面积或对应像素区的大小而变化。因此，每个超小型LED在一个像素区中的位置不同于每个超小型LED在另一个像素区中的位置。然而，根据特定图案，邻近像素区中的超小型LED的组之间的距离可以是恒定的。现在，将参照附图详细地描述根据本公开的底部基板ZPL的像素结构和数据接触焊盘结构。
参照图2，驱动电路100或附属电路元件可以设置在LED显示面板的背面上，即，底部基板ZPL的背面上。
驱动电路100设置在底部基板ZPL的背面上，以分别经由高电压供应线VDD和低电压供应线VSS向多个像素区施加高电压和低电压。另外，驱动电路100以水平行和帧为基础驱动多条选通线GL和多条数据线DL，使得能够通过像素区中的超小型LED来显示图像。
驱动电路100生成用于依次驱动多条选通线GL的选通信号，并且使用选通信号来依次产生并输出栅极导通电压(例如，低电平或高电平选通电压)。另外，驱动电路100将从外部源接收的数字图像数据或存储在驱动电路中的数字图像数据转换成模拟电压，即，模拟数据电压，并且在输出栅极导通电压的定时将模拟电压输出到数据线DL。
图3是图1的LED显示面板的中心处的像素结构的框图，图4是沿着图3的线A-A’截取的截面图。
参照图3和图4，像素区Pix中的每一个包括：多个TFT，所述多个TFT响应于栅极导通电压而切换数据电压；低电压接触焊盘SE，该低电压接触焊盘SE被施加低电压；多个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2，所述多个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2与所述多个TFT一一对应，以将来自TFT的数据电压传输到所述底部基板的前表面上；以及至少一个红色LED R1、R2、至少一个绿色LED G1、G2和至少一个蓝色LED B1、B2，所述至少一个红色LED R1、R2、至少一个绿色LED G1、G2和至少一个蓝色LED B1、B2各自在其阴极接收到来自低电压接触焊盘SE的低电压时并且在其阳极接收到来自多个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的对应一个数据接触焊盘的数据电压时发射光。
例如，每个像素区Pix可以包括一个红色超小型LED R1、一个绿色超小型LED G1和一个蓝色超小型LED B1。这里，每个像素区可以包括与红色超小型LED R1、绿色超小型LEDG1和蓝色超小型LED B1对应的三个TFT、将数据电压从TFT传输到超小型LED的三个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1以及一个低电压接触焊盘SE。
每个像素区中的TFT在从一条选通线GL接收到栅极导通电压时导通。然后，TFT分别将来自不同数据线DL的数据电压传输到数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1。
红色超小型LED R1、绿色超小型LED G1和蓝色超小型LED B1中的每一个在其阴极处接收来自低电压接触焊盘SE的低电压，并且在其阳极接收来自数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1中的对应一个数据接触焊盘的数据电压，以发射亮度与数据电压对应的光。这里，超小型LED R1、G1、B1中的每一个的阴极经由公共阴极连接线与低电压接触焊盘SE电连接。另外，超小型LED R1、G1、B1中的每一个的阳极经由阳极连接线与数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1中的对应一个数据接触焊盘电连接。
在图3中，每个像素区被示出为包括：六个TFT；一个低电压接触焊盘SE；六个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2；以及两个红色超小型LED R1、R2、两个绿色超小型LED G1、G2和两个蓝色超小型LED B1、B2。然而，应该理解，本公开不限于此，以上提到的组件的数目、配置和布局可以变化。例如，每个像素区可以包括一个红色LED R1、一个绿色LED G1和一个蓝色LED B1。在这种情况下，每个像素区可以包括分别将数据电压施加到红色、绿色、蓝色超小型LED R1、G1、B1的三个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1。另选地，除了红色、绿色、蓝色超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2之外，每个像素区还可以包括白色LED。在这种情况下，除了分别将数据电压施加到红色、绿色、蓝色超小型LED R1、G1、B1的数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1之外，每个像素区还可以包括将数据电压施加到白色LED的数据接触焊盘。作为其它替代方案，每个像素区可以只包括至少一个白色LED，而没有红色超小型LEDR1、绿色超小型LED G1和蓝色超小型LED B1。在这种情况下，每个像素区还可以包括数目与白色超小型LED对应的红色、绿色和蓝色滤色器。
如上所述，根据本公开，当底部基板ZPL被配置成使得图像显示区的面积或像素区的大小增大或减小时，不必改变将安装或沉积在每个像素区Pix上的多个超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的布局。这里，如图3中所示，图像显示区中心的像素区Pix在其中心具有多个超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2。
参照图3，低电压接触焊盘SE可以设置在像素区Pix的中心，并且多个超小型LEDR1、R2、G1、G2、B1、B2可以设置在低电压接触焊盘SE的前侧。在此，超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个在其阴极接收到来自低电压接触焊盘SE的低电压并且在其阳极经由阳极连接线接收到来自数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的对应一个数据接触焊盘的数据电压时发射光。
当多个超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2设置在像素区Pix的中心时，超小型LEDR1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个的阳极经由阳极连接线与数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的一个角部处的接触点(孔)C连接，以接收数据电压。
具体地，在与图像显示区的中心邻近的像素区Pix中，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触点(孔)C更靠近每个数据接触焊盘的面对图像显示区中心的一个角部设置。另一方面，在与图像显示区的周缘邻近的像素区Pix中，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触点(孔)C更靠近数据接触焊盘的对角地远离图像显示区中心的另一个角部设置。
因此，设置在与图像显示区的中心邻近的像素区中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个经由阳极连接线与和数据接触焊盘的一个角部邻近的数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C连接，以接收数据电压。另一方面，设置在更远离图像显示区中心的像素区中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个经由阳极连接线与对角地远离数据接触焊盘的一个角部的数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C连接，以接收数据电压。
在每个像素区Pix中，多个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2在数目上对应于多个TFT以及包括红色、绿色和蓝色超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的超小型LED。这里，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2可以分别位于像素区的除了低电压接触焊盘SE所占据的区域之外的部分中。
虽然在图3中将数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个示出为具有正方形形状，但是应该理解，本公开不限于此，每个数据接触焊盘可以在平面图中具有圆形或多边形形状。这里，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2可以分别位于像素区的除了低电压接触焊盘SE所占据的区域之外的部分中，其中，这些部分在面积和大小上相等。
参照图4，在与图像显示区的中心邻近的像素区Pix中，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C与数据接触焊盘的靠近图像显示区中心的一个角部邻近地设置。因此，接触孔C可以靠近数据接触焊盘的一个角部设置。这里，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个通过漏极和接触孔从多个TFT中的对应一个TFT接收数据电压，并且将数据电压传输到红色、绿色和蓝色超小型LED中的对应一个。
特别地，超小型LED R1、G1、B1中的每一个在其阴极接收来自低电压接触焊盘SE的低电压，并且在其阳极接收来自数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1中的对应一个数据接触焊盘的数据电压，由此发射亮度与数据电压对应的光。这里，超小型LED R1、G1、B1中的每一个的阴极经由公共阴极连接线与低电压接触焊盘SE电连接。另外，超小型LED R1、G1、B1中的每一个的阳极经由阳极连接线与数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1中的对应一个数据接触焊盘电连接。
图5是与图1的LED显示面板的最靠外部分邻近的像素结构的框图。图6是沿着图5的线I-I’截取的截面图。
参照图5和图6，当底部基板ZPL被配置成使得图像显示区的面积或像素区的大小增大或减小时，不必改变将安装或沉积在像素区Pix中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的布局。因此，与图像显示区的外周缘邻近的像素区Pix具有设置在像素区Pix的外周缘处的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2，如图5中所示。
具体地，根据图像显示区的面积或像素区的大小的改变程度，像素区中的一组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的位置可以以与像素区距图像显示区中心的距离对应的特定速率改变。例如，根据图像显示区的面积或像素区的大小的增大或减小程度，像素区中的这组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的位置沿着对角方向改变。
因此，与图像显示区的最靠外部分邻近的像素区Pix具有与像素区Pix的最靠外部分邻近设置的一组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2，如图5中所示。这里，这组超小型LEDR1、R2、G1、G2、B1、B2可以设置在至少一个数据接触焊盘RCE1、GCE1的前侧。超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个通过在其阴极接收来自低电压接触焊盘SE的低电压并且在其阳极接收来自数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的对应一个数据接触焊盘的数据电压发射光。
当这组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2设置在像素区Pix的角部或边缘处时，超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个的阳极经由阳极连接线与远离图像显示区中心的每个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2的另一个角部处的接触孔C连接，以接收数据电压。
在图4中，由于像素区Pix与图像显示区的中心邻近，因此数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C与数据接触焊盘的靠近图像显示区中心的一个角部邻近地设置。因此，接触孔C靠近每个数据接触焊盘的这个角部设置。在图6中，由于像素区Pix与远离图像显示区的中心设置，因此数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C与数据接触焊盘的对角地远离图像显示区中心的另一个角部邻近地设置。因此，设置在远离图像显示区中心的像素区中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2中的每一个经由阳极连接线与对角地远离每个数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2的与图像显示区中心靠近的一个角部的接触孔C连接，以接收数据电压。
图7是例示其上布置有特定图案的超小型LED的窄边框或零边框型TFT开关基板的数据电压接触位置的图。
参照图7，当底部基板ZPL被配置成使得像素区的整体大小或面积由于在基板的外周缘处的多个焊盘PD而减小时，这组超小型LED可以在不用改变超小型LED的布局的情况下相对于底部基板ZPL的中心布置，使得更远离图像显示区中心的像素区具有沿着与远离图像显示区中心的方向相同的方向布置的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2。换句话讲，根据图像显示区的面积或像素区的大小，图像显示区中心处的像素区中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2和更远离图像显示区中心的其它像素区中的超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2可以沿着远离图像显示区中心的方向布置成特定图案。
这里，更远离图像显示区中心的像素区具有更靠近其外周缘设置的一组超小型LED。特别地，设置在底部基板ZPL的相应像素区中的多组超小型LED可以沿着远离图像显示区中心的方向彼此等距地分隔开。类似地，数据接触焊盘RCE1、GCE1、BCE1、RCE2、GCE2、BCE2中的每一个的接触孔C更靠近数据接触焊盘的对角地远离图像显示区中心的另一个角部设置。
另外，沿着远离图像显示区中心的方向邻近的超小型LED之间的距离可以根据图像显示区的面积或像素区的大小而变化。这里，根据图像显示区的面积或像素区的大小的改变程度，像素区中的一组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的位置可以以与像素区距图像显示区中心的距离对应的特定速率改变。具体地，根据图像显示区的面积或像素区的大小的增大或减小程度，每个像素区中的这组超小型LED R1、R2、G1、G2、B1、B2的位置可以沿着对角方向改变。
如上所述，本公开提供了一种使得能够在用于LCD或OLED显示器的TFT开关基板的像素区中容易布置超小型LED的LED显示面板和使用该LED显示面板的显示器，由此降低设计和制造成本并且提高自动设计效率。
另外，本公开提供了一种使得能够在其制造过程中在没有进行任何附加设计改变的情况下将超小型LED布置在像素区中的窄边框或零边框LED显示面板和使用该窄边框或零边框LED显示面板的显示器。
另外，本公开提供了一种使得能够将多组超小型LED沿着远离底部基板中心的方向按特定图案分别布置在像素区中的LED显示面板，由此提高自动设计和面板检查的便利度。
虽然已经结合附图参照一些实施方式描述了本公开，但是应该理解，前述实施方式仅仅是为了例示而提供的，而不是限制本发明构思，并且本领域技术人员可以在不脱离本公开的范围的情况下做出各种修改、改变、变化和等同实施方式。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年6月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0082710的优先权，该韩国专利申请的公开的全部内容以引用方式并入本文中。

Claims (12)

1.一种发光二极管LED显示面板，该LED显示面板包括：
底部基板，该底部基板具有包含相应的选通线和数据线的多个像素区，并且包括布置在所述底部基板的外周缘或侧面的多个焊盘；以及
每个像素区中的一组超小型LED，所述一组超小型LED用于显示图像，
其中，每个像素区中的所述超小型LED被布置成与远离所述底部基板的中心的方向和每个像素区距所述底部基板的中心的距离对应的特定图案，
其中，所述特定图案在每个像素区内部的位置根据远离所述底部基板的中心的所述方向以及每个像素区距所述底部基板的中心的所述距离而变化。
2.根据权利要求1所述的LED显示面板，其中，每个像素区中的所述超小型LED独立于图像显示区的面积或所述像素区的大小被布置成特定图案而没有改变所述超小型LED的布局，使得更远离所述图像显示区的中心的像素区具有沿着与远离所述图像显示区的中心的方向相同的方向布置并且被设置为更靠近所述像素区的外周缘的超小型LED。
3.根据权利要求1所述的LED显示面板，其中，所述多个像素区中的每一个像素区包括：多个薄膜晶体管TFT，所述多个薄膜晶体管TFT响应于栅极导通电压而切换数据电压；低电压接触焊盘，该低电压接触焊盘被施加低电压；多个数据接触焊盘，所述多个数据接触焊盘用于将所述数据电压从所述多个薄膜晶体管TFT传输到对应的超小型LED，并且
其中，所述超小型LED包括至少一个红色超小型LED、至少一个绿色超小型LED和至少一个蓝色超小型LED，所述超小型LED中的每一个超小型LED通过在该超小型LED的阴极接收来自所述低电压接触焊盘的低电压并且在该超小型LED的阳极接收来自所述数据接触焊盘中的对应一个数据接触焊盘的数据电压来发射光。
4.根据权利要求3所述的LED显示面板，其中，所述多个数据接触焊盘在数目上与所述薄膜晶体管TFT或所述超小型LED对应，并且分别位于所述像素区的除了所述低电压接触焊盘所占据的区域之外的部分中。
5.根据权利要求3所述的LED显示面板，其中，所述多个数据接触焊盘呈具有特定面积的平面形状，并且分别位于所述像素区的除了所述低电压接触焊盘所占据的区域之外的部分中，所述部分在面积和大小上相等。
6.根据权利要求4所述的LED显示面板，其中，所述数据接触焊盘中的每一个从所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个薄膜晶体管TFT接收数据电压，并且将所述数据电压供应到所述红色超小型LED、所述绿色超小型LED和所述蓝色超小型LED中的对应一个。
7.一种显示器，该显示器包括：
发光二极管LED显示面板，该LED显示面板包括：底部基板，所述底部基板具有多个像素区；以及每个像素区中的一组超小型LED，所述一组超小型LED用于显示图像，每个像素区中的所述超小型LED被布置成与远离所述底部基板的中心的方向和每个像素区距所述底部基板的中心的距离对应的特定图案；以及
驱动电路，该驱动电路向所述像素区施加高电压和低电压并且驱动所述像素区的选通线和数据线，使得通过所述像素区中的所述超小型LED显示图像，
其中，所述特定图案在每个像素区内部的位置根据远离所述底部基板的中心的所述方向以及每个像素区距所述底部基板的中心的所述距离而变化。
8.根据权利要求7所述的显示器，其中，所述驱动电路被设置在所述底部基板的后侧上，以分别经由各自从所述底部基板的后侧延伸到所述底部基板的前侧的高电压供应线和低电压供应线向所述多个像素区施加高电压和低电压，并且驱动延伸到所述底部基板的前侧的选通线和数据线，使得通过所述像素区中的所述超小型LED显示图像。
9.根据权利要求7所述的显示器，其中，当所述底部基板被配置成使得图像显示区的面积或所述像素区的大小比另一底部基板的图像显示区的面积或像素区的大小小时，每个像素区中的所述超小型LED根据所述图像显示区的面积或所述像素区的大小被布置成特定图案而没有改变所述超小型LED的布局，使得更远离所述图像显示区的中心的像素区根据所述图像显示区的面积或所述像素区的大小具有沿着与远离所述图像显示区的中心的方向相同的方向布置并且被设置为更靠近所述像素区的外周缘的超小型LED。
10.根据权利要求7所述的显示器，其中，
所述多个像素区中的每一个像素区包括：多个薄膜晶体管TFT，所述多个薄膜晶体管TFT响应于栅极导通电压而切换数据电压；低电压接触焊盘，该低电压接触焊盘被施加低电压；多个数据接触焊盘，所述多个数据接触焊盘与所述多个薄膜晶体管TFT一一对应，以将来自所述薄膜晶体管TFT的数据电压传输到所述底部基板的前侧上的对应的超小型LED，
其中，所述超小型LED中的每一个超小型LED通过在该超小型LED的阴极接收来自所述低电压接触焊盘的低电压并且在该超小型LED的阳极接收来自所述数据接触焊盘中的对应一个数据接触焊盘的数据电压来发射光。
11.根据权利要求10所述的显示器，其中，所述多个数据接触焊盘在数目上与所述薄膜晶体管TFT和所述超小型LED对应，并且分别位于所述像素区的除了所述低电压接触焊盘所占据的区域之外的部分中。
12.根据权利要求10所述的显示器，其中，所述多个数据接触焊盘呈具有特定面积的平面形状，并且分别位于所述像素区的除了所述低电压接触焊盘所占据的区域之外的部分中，所述部分在面积和大小上相等。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200037628A (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN109584779B (zh) * 2019-01-30 2021-11-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
US11056630B2 (en) 2019-02-13 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module having glass substrate on which side wirings are formed and manufacturing method of the same
JP7119201B2 (ja) * 2019-02-26 2022-08-16 京セラ株式会社 発光素子基板、表示装置および表示装置のリペア方法
KR102656012B1 (ko) * 2019-03-19 2024-04-11 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 패널 및 수리 방법.
KR20200142685A (ko) * 2019-06-13 2020-12-23 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
TWI707320B (zh) * 2019-08-07 2020-10-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI709126B (zh) * 2019-11-15 2020-11-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR102666210B1 (ko) * 2019-12-30 2024-05-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 데이터 처리 방법
KR20210126826A (ko) 2020-04-10 2021-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111524928B (zh) 2020-04-30 2022-08-23 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2022120605A1 (zh) * 2020-12-08 2022-06-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、发光基板和显示装置
CN113257176A (zh) * 2021-05-12 2021-08-13 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106097900A (zh) * 2016-06-22 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897855B1 (en) * 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
JP2001102169A (ja) * 1999-10-01 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
US20050116615A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-02 Shoichiro Matsumoto Light emissive display device
JP2005129505A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光表示装置及びその画素レイアウト形成方法
JP4905471B2 (ja) * 2009-01-15 2012-03-28 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄ表示装置およびその使用方法
JP2010251360A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9153171B2 (en) * 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
JP2014154673A (ja) * 2013-02-07 2014-08-25 Seiko Epson Corp 映像表示デバイスおよびプロジェクター
KR20150055319A (ko) * 2013-11-13 2015-05-21 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치
US20160267851A1 (en) * 2014-06-17 2016-09-15 Nato Pirtskhlava One Way Display
KR102335214B1 (ko) * 2014-11-18 2021-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
US9865772B2 (en) * 2015-01-06 2018-01-09 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
US10395589B1 (en) * 2015-09-18 2019-08-27 Apple Inc. Hybrid microdriver architectures having relaxed comparator requirements
CA2941038A1 (en) * 2016-09-06 2018-03-06 Reza Chaji Micro device arrangement in donor substrate
US20180287027A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 Vuereal Inc. Vertical solid-state devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106097900A (zh) * 2016-06-22 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板

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