CN109213347A - 可挠式面板以及可挠式面板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可挠式面板的制造方法。首先，提供载板，然后，在载板上形成接着层，在接着层上形成可挠式薄膜基板，在可挠式薄膜基板上形成元件层，元件层包括导电层与绝缘层。接着，进行载板分离工艺，将可挠式薄膜基板与元件层从载板分离。其中可挠式面板的制造方法依据可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及载板的热膨胀系数的关系，对接着层的膜层图形以及缓冲层的设置与否作选择，其中接着层的膜层图形包括框形接着结构或平面形接着结构，缓冲层则在形成元件层之前形成于可挠式薄膜基板上，使得缓冲层位于可挠式薄膜基板与元件层之间。

Description

可挠式面板以及可挠式面板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种可挠式面板以及可挠式面板的制造方法，特别是涉及一种可改善可挠式薄膜基板破裂或掀起问题以及可调整面板颜色的可挠式面板以及可挠式面板的制造方法。
背景技术
在现今显示技术中，可挠式显示面板由于具有高轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与易携带性等优异特性，目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。
由于可挠式薄膜基板的刚性不足，因此已知可挠式显示面板的制造方法是利用接着层将可挠式薄膜基板在适当的附着力之下固定在刚性较优的载板上，等制作好电子组件后，再通过剥离工艺使可挠式面板与载板分离。然而，由于可挠式薄膜基板与其接触的载板与导电材料的热膨胀系数并不一致(例如差异大于或等于10ppm/℃)，因此，温度变化会使得膜层之间的热膨胀与收缩互相影响，故在制造工艺中，会因为材料间的热膨胀系数不匹配而导致可挠式薄膜基板在温度变化下产生破裂或掀起，进而造成生产良率的降低，因此产业界须提供更佳且可靠的制造方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可挠式面板的制造方法，其依据可挠式薄膜基板、载板以及元件层中最靠近可挠式薄膜基板的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的关系而选择对应的制造工艺，藉此以改善可挠式薄膜基板破裂或掀起。另外，本发明亦提供一种可藉由膜层厚度以调整颜色并通过上述本发明可挠式面板制造方法所制造出的可挠式面板。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种可挠式面板的制造方法。首先，提供载板，然后，在载板上形成接着层，在接着层上形成可挠式薄膜基板，在可挠式薄膜基板上形成元件层，元件层包括导电层与绝缘层。接着，进行载板分离工艺，将可挠式薄膜基板与元件层从载板分离。其中可挠式面板的制造方法依据可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及载板的热膨胀系数的关系，进行以下制造工艺的选择：当可挠式薄膜基板的热膨胀系数与载板的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，则选择使所形成的接着层包括框形接着结构，框形接着结构包括开口，且可挠式薄膜基板接触框形接着结构并且透过开口而与载板接触；当可挠式薄膜基板的热膨胀系数与载板的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，则对以下工艺选择其中一者：使接着层包括平面形接着结构，其中可挠式薄膜基板接触接着层接触，或者，使接着层包括框形接着结构，框形接着结构包括开口，且可挠式薄膜基板接触框形接着结构并且透过开口而与载板接触，并且在形成元件层之前，先于可挠式薄膜基板上形成缓冲层，使得缓冲层位于可挠式薄膜基板与元件层之间。
另外，为解决上述技术问题，本发明还提供了一种可挠式面板，包括可挠式薄膜基板、图案化导电层以及保护层。图案化导电层设置在可挠式薄膜基板上，且图案化导电层的厚度小于或等于20奈米或为90奈米至110奈米。保护层设置在图案化导电层上，其中图案化导电层的材料包括氧化铟锡。
另外，为解决上述技术问题，本发明还提供了一种可挠式面板，包括可挠式薄膜基板、缓冲层以及元件层。缓冲层设置在可挠式薄膜基板上，元件层设置在缓冲层上。
根据本发明的可挠式面板的制造方法，可藉由依据载板的热膨胀系数、可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及元件层中最靠近可挠式薄膜基板的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的关系而分别对应选择适合的制造工艺，以利用接着层的膜层图形以及缓冲层的设置来避免可挠式薄膜基板造成破裂或掀起，进而提高生产良率以及减少制造成本。另一方面，在所对应制造出的可挠式面板中，设置有缓冲层的可挠式面板可利用缓冲层的设置作为可挠式面板的光学匹配层，以调整可挠式面板的颜色，而未设置有缓冲层的可挠式面板可利用图案化导电层的厚度的改变而调整可挠式面板的颜色，藉此改善用户的观赏质量。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法的俯视示意图。
图2与图3所示为本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图。图4A与4B所示为本发明一实施例的切割工艺与载板分离工艺的剖面示意图。
图5A与5B所示为本发明再一实施例的切割工艺与载板分离工艺的剖面示意图。
图6所示为本发明第一实施例的可挠式面板的剖面示意图。
图7A所示为本发明一实施例的可挠式面板的俯视示意图。
图7B与7C所示分别为沿着图7A中FF’与GG’剖线的剖面示意图。
图8所示为本发明第一实施例的可挠式面板的缓冲层的厚度与b*关系示意图。
图9所示为本发明第一实施例的变化实施例的可挠式面板的剖面示意图。
图10A至图10C所示为本发明第一实施例的变化实施例的可挠式面板的缓冲层的厚度与b*关系示意图。
图11A所示为本发明第一实施例的另一变化实施例的可挠式面板的制造方法的俯视示意图。
图11B所示为沿着图11A中AA’剖线的剖面示意图。
图12至图13B所示为本发明第二实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图。
图14A至图15所示为本发明第二实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图。
图16与图17所示为本发明第三实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图。
图18所示为本发明第三实施例的可挠式面板的剖面示意图。
图19所示为本发明第三实施例的可挠式面板的图案化导电层的厚度与b*关系示意图。
图20所示为本发明可挠式面板的制造方法的实施例的流程图。
其中，附图标记说明如下：
110 载板
120 接着层
122 第一条状接着结构
122a 框形接着结构
122a’ 开口
124 第二条状接着结构
124a 网格图案
126 平面形接着结构
130 可挠式薄膜基板
130a 阶梯状侧边
140 缓冲层
142 第一子缓冲层
144 第二子缓冲层
150 元件层
151 图案化导电层
152、218 保护层
213 触控电极列
213a 第一触控电极
213b 第一桥接线
214 触控电极行
214a 第二触控电极
214b 第二桥接线
215 绝缘块
216 导线
217 接垫
218a 开口
A_1、A_2 区域
B、C、D 切割线
PN1、PN1’、PN1”、PN2、PN3 可挠式面板
ST1～ST6 步骤
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关之组件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示之组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
请参考图1至图3，图1所示为本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法的俯视示意图，图2与图3所示为本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图，其中图1仅绘示载板110与接着层120。本实施例的可挠式面板的制造方法可适用于下列情况：(1)可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，且不论可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差为何的情况；或是(2)可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃，且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃的情况。如图1所示，根据本发明的第一实施例的可挠式面板的制造方法，首先提供载板110，例如为玻璃、塑料或石英等刚性较高的硬质载板110。然后，在载板110上形成接着层120，其中接着层120举例包含3-(2-胺乙基)-胺丙基三甲氧基硅烷材料(3-(2-Aminoethylamino)propyltrimethoxysilane)，但不以此为限，而接着层120可通过黄光蚀刻、网版印刷、涂布或是其他适合的图案化工艺制造。在本实施例中，接着层120包括框形接着结构122a，框形接着结构122a包括开口122a’。在本实施例中，框形接着结构122a可由多个第一条状接着结构122所形成，且第一条状接着结构122的宽度可小于或等于2公分，以达到较佳的布局空间以及黏着效果，但不以此为限。在本实施例中，框形接着结构122a的周缘形状与开口122a’的形状为矩形，但不以此为限。此外，在本实施例中，框形接着结构122a的周缘是与载板110的边缘切齐，但不以此为限，在其它实施例中，框形接着结构122a的周缘与载板110的边缘具有距离。
接着，如图2所示，在接着层120上形成可挠式薄膜基板130，其中可挠式薄膜基板130具有可挠性与可弯曲性，且可挠式薄膜基板130的材料可包含聚亚酰胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)、环烯烃聚合物(CyclicOlefin Polymer，COP)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚甲基丙酰酸甲酯(PolymethylMethacrylate，PMMA)、环烯烃共聚物(Cyclic Olefin Copolymer，COC)、三醋酸纤维素(Triacetyl Cellulose，TAC)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚苯乙烯(Poly Styrene，PS)、玻璃或上述组合，但不以此为限，可挠式薄膜基板130亦可为具有低相位差且软性透明的薄膜。在本实施例中，接着层120的材料选择是使得可挠式薄膜基板130与接着层120的黏着力大于可挠式薄膜基板130与载板110的黏着力，因此如图2所示，由于可挠式薄膜基板130直接与接着层120接触，因此接着层120所提供的黏着力可将可挠式薄膜基板130固定在载板110上，以利后续的面板制造工艺，并且，大部分的可挠式薄膜基板130可透过接着层120的框形接着结构122a的开口122a’而与载板110接触，其中接着层120的框形接着结构122a大体上以环状或框形设置在可挠式薄膜基板130的外围。然后，在可挠式薄膜基板130上形成缓冲层140，其中缓冲层140是整面形成在可挠式薄膜基板130上而完全覆盖可挠式薄膜基板130，亦即可挠式薄膜基板130的面积与缓冲层140的面积相等，但不以此为限，在其它实施例中，缓冲层140的面积可小於可挠式薄膜基板130的面积，且缓冲层140的边缘与可挠式薄膜基板130的边缘具有距离。缓冲层140可为单层结构或多层结构的缓冲层，且缓冲层140举例可包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝、有机材料或上述材料的组合或叠层，但不以此为限。接着，在缓冲层140上形成元件层150，也就是说，缓冲层140位于可挠式薄膜基板130与元件层150之间，且可挠式薄膜基板130不与元件层150直接接触，其中元件层150包括至少一导电层与至少一绝缘层。举例来说，元件层150可包括触控电极、薄膜晶体管、像素电极、共通电极、发光二极管(例如有机发光二极管或无机发光二极管)、导线、绝缘层或上述的组合或叠层。如图2所示，元件层150包括图案化导电层151与保护层152。举例来说，在可挠式面板为可挠式触控面板的实施例中，图案化导电层151可为触控电极或是导线，而保护层152可为一般习称的覆盖层(over-coating layer，OC layer)，但不以此为限。需说明的是，为了简化起见，图2的剖面图未绘示组成元件层150的每一层，而仅绘示元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的一导电层(图2的图案化导电层151)及一绝缘层(图2的保护层152)。图案化导电层151的材料可包括透明导电材料及/或金属材料，但不以此为限。举例来说，图案化导电层151的材料可包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(IndiumZinc Oxide，IZO)、银、铜、金属复合材料或上述材料的组合。保护层152设置在图案化导电层151上，其中保护层152可以是单层绝缘层或多层绝缘层，以包覆、保护与封装图案化导电层151，并藉此形成至少一可挠式面板PN1，且可挠式面板PN1包括可挠式薄膜基板130、缓冲层140与元件层150。需说明的是，图2的剖面图是在图1的接着层120上形成可挠式薄膜基板130、缓冲层140、图案化导电层151与保护层152后的剖面图。需说明的是，在可挠式薄膜基板130与元件层150间具有缓冲层140的实施例中，元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层是指元件层150中与缓冲层140接触的导电层及/或绝缘层；而在可挠式薄膜基板130与元件层150间不具有缓冲层140的实施例中，元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层是指元件层150中与可挠式薄膜基板130接触的导电层及/或绝缘层。换言之，元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层是指位于元件层150底部的导电层及/或绝缘层。需说明的是，上述位于元件层150底部的导电层及/或绝缘层是指导电层及/或绝缘层的至少一部分是位于元件层150底部。可挠式面板PN1可为可挠式触控面板、可挠式显示面板(例如液晶显示面板、主动矩阵有机发光二极管显示面板或电泳显示面板)或可挠式触控显示面板，但不以此为限。在本实施例中，可挠式面板PN1是以触控面板为例，图案化导电层151可包括多个导线或多个触控感测电极，但不以此为限。此外，在可挠式面板PN1为显示面板(例如液晶显示面板或主动矩阵有机发光二极管显示面板)的实施例中，图案化导电层151可包括多个数据线或多个扫描线，但不以此为限。
接着进行载板分离工艺，将可挠式面板PN1从载板110分离，以完成可挠式面板PN1的制造。在图3的实施例中，在进行载板分离工艺之前，可先将接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力降低，再将可挠式薄膜基板130从载板110/接着层120分离。降低接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力的方式可藉由照光或加热等方式进行，但不以此为限。此外，将可挠式面板PN1从载板110分离的方式可通过夹具固定可挠式面板PN1的一端，并以适当的角度与速度将可挠式面板PN1从载板110上分离取下，以提高分离的合格率，但分离的方式不以此为限。此外，在进行载板分离工艺之前，可选择性地进行切割工艺，沿着可挠式面板PN1的边缘切割可挠式薄膜基板130、缓冲层140与元件层150，其中切割工艺可利用雷射切割、机械切割、冲压或其他适合的方式。举例来说，在图4A与图4B的另一实施例中，在进行载板分离工艺之前，可先将沿着切割线B切割可挠式面板PN1，再将接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力降低，接下来将可挠式薄膜基板130从载板110/接着层120分离。此外，在图5A与图5B的再一实施例中，在进行载板分离工艺之前，沿着切割线C切割可挠式面板PN1，再将可挠式薄膜基板130从载板110/接着层120分离。如图3至图5B所示，图3与图4B实施例中的可挠式薄膜基板130的侧面具有阶梯状侧边130a，而图5B实施例中的可挠式薄膜基板130则具有平整的底面与侧边。需说明的是，为了简化起见，上述说明是以于载板110上形成一个可挠式面板PN1为例。在多个可挠式面板PN1形成于载板110上的实施例中，其差别在于在进行载板分离工艺后，需再进行将可挠式薄膜基板130、缓冲层140与元件层150切割成多个可挠式面板PN1的步骤，载板分离工艺与在进行载板分离工艺前的步骤与上述步骤相同，于此不再赘述。此外，在多个可挠式面板PN1形成于载板110上的实施例中，切割成多个可挠式面板PN1的步骤也可以在载板分离工艺前进行，也就是在载板110上先切割成多个可挠式面板PN1，再将多个可挠式面板PN1从载板110分离。
一般来说，在可挠式薄膜基板130上形成元件层150时，制程温度通常高达200℃至450℃，因此当相邻两层材料的热膨胀系数差较大时，很容易会在高温或从高温冷却至室温时造成上述相邻两层中的其中至少一者的破裂或掀起。举例来说，若是可挠式薄膜基板130与载板110是直接接触且彼此间的热膨胀系数差大于或等于10ppm/℃，则在进行后续元件层150的制作时，容易因为可挠式薄膜基板130与载板110间的热膨胀系数差而造成可挠式薄膜基板130的破裂或掀起。此外，若是元件层150中的导电层及/或绝缘层与可挠式薄膜基板130是直接接触且彼此间的热膨胀系数差大于或等于10ppm/℃，则在进行元件层150的制作时，容易因为元件层150中的导电层及/或绝缘层与相邻的可挠式薄膜基板130间的热膨胀系数差而造成可挠式薄膜基板130的破裂或掀起。
为了解决上述问题，根据本实施例，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，则虽然大部分的可挠式薄膜基板130是透过接着层120的框形接着结构122a的开口122a’而与载板110接触，但由于缓冲层140是整面形成于可挠式薄膜基板130上，因此，当制造过程中造成温度变化时，虽然会因为可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数之间的不匹配或差异较大而使得在可挠式薄膜基板130中产生内应力聚集的现象，但由于缓冲层140的整面设置而使可挠式薄膜基板130被完全覆盖，藉此使得内应力并不会在制造过程中被释放而造成可挠式薄膜基板130的破裂或掀起，故可提升可挠式面板PN1的生产良率。另一方面，不论可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150的热膨胀系数的差为何，会因为可挠式薄膜基板130不与元件层150直接接触，而使得元件层150的热膨胀收缩与可挠式薄膜基板130的热膨胀收缩不直接互相影响，藉此减少内应力聚集，进而避免可挠式薄膜基板130的破裂或掀起，以提升可挠式面板PN1的生产良率，也就是说，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层(例如图2中的图案化导电层151与保护层152)的热膨胀系数的差亦大于或等于10ppm/℃时，藉由缓冲层140的整面设置可以避免由可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数之间的差异所造成的破裂或掀起。另一方面，在可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃的架构下，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，则在形成元件层150之前，先于可挠式薄膜基板130上形成缓冲层140，使得缓冲层140位于可挠式薄膜基板130与元件层150之间，以分隔可挠式薄膜基板130与元件层150，以避免由可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数之间的差异所造成的破裂或掀起。换言之，若是可挠式薄膜基板130上不设置缓冲层140，则在形成元件层150时，位于元件层150底部的导电层及/或绝缘层会接触可挠式薄膜基板130，因此若是位于元件层150底部的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数与可挠式薄膜基板130的热膨胀系数之间的差异大于或等于10ppm/℃，则在进行元件层150的制作时，容易因为元件层150中的导电层及/或绝缘层与相邻的可挠式薄膜基板130间的热膨胀系数差而造成可挠式薄膜基板130的破裂或掀起。
请参考图6，图6所示为本发明第一实施例的可挠式面板的剖面示意图，其中图6所示的可挠式面板为由图5B中的载板分离工艺所分离出的可挠式面板。如图6所示，本实施例的可挠式面板PN1包括可挠式薄膜基板130、缓冲层140以及元件层150，其中可挠式面板PN1是以本发明可挠式面板的制造方法的第一实施例所制造而成。本实施例的可挠式薄膜基板130的材料举例包括聚亚酰胺，但不以此为限。缓冲层140设置在可挠式薄膜基板130上，其中缓冲层140的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝或有机材料或上述材料的组合或叠层，在本实施例中，缓冲层140为单一膜层并且其材料举例为氧化硅，但不以此为限。图案化导电层151设置在缓冲层140上，其中图案化导电层151的材料可包括透明导电材料及/或金属材料，在本实施例中，图案化导电层151的材料举例包括氧化铟锡，但不以此为限。保护层152设置在图案化导电层151上，其中保护层152可以是单层或多层，以包覆、保护与封装图案化导电层151。
请参考图7A至图7C，举例来说，当可挠式面板PN1是可挠式触控面板时，则可挠式面板PN1的俯视与剖面示意图可分别如图7A至图7C所示，其中图7B与7C分别为对应图7A中FF’与GG’切线的剖面图。可挠式面板PN1包含多个第一触控电极213a与多个第二触控电极214a，相邻的第一触控电极213a透过第一桥接线213b彼此电性连接，而相邻的第二触控电极214a透过第二桥接线214b彼此电性连接，第一桥接线213b与第二桥接线214b间具有绝缘块215以彼此电性隔绝。第一触控电极213a与第一桥接线213b形成多条触控电极列(column)213，而第二触控电极214a与第二桥接线214b形成多条触控电极行(row)214，并且触控电极列213与触控电极行214透过导线216电连接至接垫217。保护层218覆盖触控电极列213、触控电极行214与导线216，并且具有开口218a以显露接垫217，其可用于电性连接可挠式印刷电路板，以传送/接收感测讯号。在图7A至7C的实施例中，第一触控电极213a、第与第二触控电极214a的材料可包括透明导电材料(例如氧化铟锡或氧化铟锌)，第一桥接线213b与第二桥接线214b的材料可包括金属材料或透明导电材料，而导线216与接垫217可包括透明导电材料、金属材料或上述材料的组合，但不以此为限。在形成图7A至7C的可挠式触控面板时，可将第一桥接线213b形成于可挠式薄膜基板130上方的缓冲层140上(步骤S1)，将绝缘块215形成于第一桥接线213上且覆盖部分第一桥接线213b(步骤S2)，形成第一触控电极213a、第二触控电极214a与第二桥接线214b(步骤S3)，其中第一触控电极213a耦接第一桥接线213b，并且第二桥接线214b位于绝缘块215上以与第二桥接线214b绝缘。举例来说，可形成一透明导电层后再图案化所述透明导电层以同时形成第一触控电极213a、第二触控电极214a与第二桥接线214b，但不以此为限。接下来再形成一金属层后再图案化所述金属层以形成导线216(步骤S4)，然后再形成具有开口218a的保护层218以覆盖触控电极列213、触控电极行214与导线216并显露接垫217。接垫217可以于步骤S1、步骤S3或步骤S4中形成。可挠式触控面板的形成方法不限于此，举例来说，在其它实施例中，步骤S1变化为同时形成第一触控电极213a、第一桥接线213b与第二触控电极214a于可挠式薄膜基板130上方的缓冲层140上，而步骤S3变化为形成第二桥接线214b于绝缘块215上，其中第二桥接线214b耦接第二触控电极214a。
需说明的是，图7A至7C中的第一桥接线213b可藉由图案化一第一透明导电层形成，第一触控电极213a与第二触控电极214a可藉由图案化一第二透明导电层形成，导线216是图案化一金属层形成，保护层218覆盖第一触控电极213a、第二触控电极214a与导线216，并且第一触控电极213a、第二触控电极214a、第一桥接线213b、导线216与保护层218接触缓冲层140，因此上述图案化第一与第二透明导电层、上述图案化金属层与保护层218为元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及绝缘层。因此在可挠式面板PN1是可挠式触控面板的实施例中，图6中的图案化导电层151可对应至图7A至7C中包括第一桥接线213b的图案化第一透明导电层、包括第一触控电极213a与第二触控电极214a的图案化第二透明导电层，或是包括导线216的图案化金属层，而图6中的保护层152可对应至图7A至7C中的保护层218。因此若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与上述图案化第一与第二透明导电层、上述图案化金属层与保护层218中任一者的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，藉由缓冲层140的设置可以避免可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数差异所造成的破裂或掀起。
根据本实施例，缓冲层140的设置不只可改善可挠式薄膜基板130的破裂或掀起，还可作为可挠式面板PN1的光学匹配层(index matching layer)，以调整可挠式面板PN1的颜色，亦即调整穿透过可挠式面板PN1的光线颜色。根据CIE L*a*b*颜色模型，一般而言，可挠式面板PN1的b*若大于1.5时，会使得可挠式面板PN1的颜色偏黄，进而影响用户的观赏质量。因此在本实施例中，是藉由缓冲层140的设置而调整可挠式面板PN1的b*，以提高可挠式面板PN1的观赏质量。请参考图8，图8所示为本发明第一实施例的可挠式面板PN1的缓冲层140的厚度与b*关系示意图。在本实施例中，缓冲层140为单一膜层并且其材料为氧化硅。如图8所示，当缓冲层140的厚度改变时，可挠式面板PN1的b*会随之改变，其中当缓冲层140的厚度大于或等于约20奈米且小于或等于约100奈米时，可挠式面板PN1的b*随着缓冲层140的厚度的增大而减小。一般而言，当缓冲层140的厚度过小时，会降低缓冲层140解决可挠式薄膜基板130与载板110(或元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层)间因热膨胀系数的差异造成可挠式薄膜基板130破裂或掀起的效果；而当缓冲层140的厚度过大，则会降低光线穿透率而影响可挠式面板PN1的亮度。因此，在本实施例中，缓冲层140的厚度可大于或等于20奈米并且小于或等于100奈米，使得可挠式面板PN1的b*小于1.5，但不以此为限，可依据可挠式面板PN1的b*的需求而调整缓冲层140的厚度。另外，在本实施例中，图案化导电层151的材料可包括透明导电层(例如氧化铟锡)且其厚度举例为约100奈米，但不以此为限。
在本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法与第一实施例的可挠式面板PN1中，缓冲层140的设置可避免由可挠式薄膜基板130与载板110之间热膨胀系数的差异及/或可挠式薄膜基板130与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层之间热膨胀系数的差异所造成的破裂或掀起，还可作为可挠式面板PN1的光学匹配层，以调整可挠式面板PN1的颜色。
本发明的可挠式面板及可挠式面板的制造方法并不以上述实施例为限。下文继续介绍本发明的其它实施例或变化形，然为了简化说明并突显各实施例或变化形之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并且不再对重复部分作赘述。
请参考9至图10C，图9所示为本发明第一实施例的变化实施例的可挠式面板的剖面示意图，图10A至图10C所示为本发明第一实施例的变化实施例的可挠式面板的缓冲层的厚度与b*关系示意图，其中图10A至图10C中以虚线与底纹所区隔的区域为b*小于或等于1.5。如图9所示，本变化实施例的可挠式面板PN1’与第一实施例的可挠式面板PN1的不同处在于本变化实施例的缓冲层140为多层结构的缓冲层，本变化实施例是以两层为例，但不以此为限，也就是说，缓冲层(buffer layer)140可包括第一子缓冲层(first sub-bufferlayer)142与第二子缓冲层(second sub-buffer layer)144，其中第一子缓冲层142设置在元件层150与第二子缓冲层144之间，第二子缓冲层144设置在可挠式薄膜基板130与第一子缓冲层142之间，且第二子缓冲层144的折射率可大于第一子缓冲层142的折射率。在其它变化实施例中，第二子缓冲层144可设置在元件层150与第一子缓冲层142之间，而第一子缓冲层142设置在可挠式薄膜基板130与第二子缓冲层144之间，且第二子缓冲层144的折射率可大于第一子缓冲层142的折射率。在本变化实施例中，第一子缓冲层142举例可为氧化硅，第二子缓冲层144的折射率范围可为约2.05至约2.45，例如第二子缓冲层144的材料包括氧化铌(Nb2O5)，但第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的材料与折射率范围都不以此为限。如图10A至图10C所示，当第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度改变时，可挠式面板PN1’的b*会随之改变，其中图10A至图10C分别对第二子缓冲层144举例不同的折射率，在图10A中，第二子缓冲层144的折射率为2.05，在图10B中，第二子缓冲层144的折射率为2.25，在图10C中，第二子缓冲层144的子折射率为2.45。
如图10A与图10B所示，为使可挠式面板PN1’的b*小于或等于1.5，当第二子缓冲层144的折射率范围为2.05至2.25时，则第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度范围组合须满足以下表1所列的条件。
表1：在b*小于或等于1.5且第二子缓冲层的折射率范围为2.05至2.25的条件下的第一子缓冲层的厚度与第二子缓冲层的厚度
第二子缓冲层144的厚度 第一子缓冲层142的厚度
大于0nm且小于或等于5nm 0～10nm或70nm～100nm
大于5nm且小于或等于10nm 85nm～100nm
大于10nm且小于30nm 90nm～100nm
大于或等于30nm且小于40nm 85nm～100nm
大于或等于40nm且小于45nm 80nm～100nm
大于或等于45nm且小于50nm 75nm～100nm
大于或等于50nm且小于55nm 70nm～100nm
大于或等于55nm且小于60nm 65nm～100nm
大于或等于60nm且小于65nm 60nm～100nm
大于或等于65nm且小于70nm 50nm～100nm
大于或等于70nm且小于75nm 45nm～100nm
大于或等于75nm且小于80nm 35nm～100nm
大于或等于80nm且小于85nm 25nm～100nm
大于或等于85nm且小于90nm 15nm～100nm
大于或等于90nm且小于95nm 5nm～100nm
大于或等于95nm且小于或等于100nm 0～100nm
换句话说，第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度范围组合须满足下列条件(a)至(e)的其中一者，其中
(a)0奈米<第二子缓冲层144的厚度≤5奈米，且0奈米<第一子缓冲层142的厚度≤10奈米或是70奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(b)5奈米<第二子缓冲层144的厚度<40奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件(b_1)至(b_3)的其中一者：
(b_1)当5奈米<第二子缓冲层144的厚度≤10奈米时，85奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(b_2)当10奈米<第二子缓冲层144的厚度<30奈米时，90奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(b_3)当30奈米≤第二子缓冲层144的厚度<40奈米时，85奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(c)40奈米≤第二子缓冲层144的厚度<65奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件：当(40+5Z)奈米≤第二子缓冲层144的厚度<(40+5(Z+1))奈米时，(U-5Z)奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米，其中Z为0至4的整数，并且U等于80；
(d)65奈米≤第二子缓冲层144的厚度<95奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件：当(65+5Z)奈米≤第二子缓冲层144的厚度<(65+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于50；当Z的范围为1至5时，U等于55；
(e)95奈米≤第二子缓冲层144的厚度≤100奈米，且0奈米<第一子缓冲层142的厚度≤100奈米。
此外，如图10B与图10C所示，当第二子缓冲层144的折射率范围为2.25至2.45时，为使可挠式面板PN1’的b*小于或等于1.5，则第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度范围组合须满足以下表2所列的条件。
表2：在b*小于或等于1.5且第二子缓冲层的折射率范围为2.25至2.45的条件下的第一子缓冲层的厚度与第二子缓冲层的厚度
换句话说，第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度范围组合须满足下列条件(f)至(j)的其中一者，其中
(f)0奈米<第二子缓冲层144的厚度≤5奈米，且0奈米<第一子缓冲层142的厚度≤5奈米或是75奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(g)5奈米<第二子缓冲层144的厚度<25奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件(g_1)与(g_2)的其中一者：
(g_1)当5奈米<第二子缓冲层144的厚度≤10奈米时，90奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(g_2)当10奈米<第二子缓冲层144的厚度<25奈米时，95奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(h)25奈米≤第二子缓冲层144的厚度<55奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件：当(25+5Z)奈米≤第二子缓冲层144的厚度<(25+5(Z+1))奈米时，U奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于90；当Z为1或2时，U等于85；当Z为3时，U等于80；当Z为4时，U等于75；当Z为5时，U等于65；
(i)55奈米≤第二子缓冲层144的厚度<75奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件：当(55+5Z)奈米≤第二子缓冲层144的厚度<(55+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米，其中Z为0至3的整数，并且U等于60；
(j)75奈米≤第二子缓冲层144的厚度≤100奈米，且第一子缓冲层142与第二子缓冲层144满足下列条件(j_1)至(j_3)的其中一者：
(j_1)当75奈米≤第二子缓冲层144的厚度<80奈米时，15奈米≤第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(j_2)当80奈米≤第二子缓冲层144的厚度≤95奈米时，0奈米<第一子缓冲层142的厚度≤100奈米；
(j_3)当95奈米<第二子缓冲层144的厚度≤100奈米时，0奈米<第一子缓冲层142的厚度≤95奈米。
但第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度并不以此为限，可依据可挠式面板PN1’的b*的需求而调整第一子缓冲层142与第二子缓冲层144的厚度范围组合。
请参考图11A与图11B，图11A所示为本发明第一实施例的另一变化实施例的可挠式面板的制造方法的俯视示意图，图11B所示为沿着图11A中AA’剖线的剖面示意图，其中图11A仅绘示载板110与接着层120。如图11A所示，本变化实施例的可挠式面板的制造方法与第一实施例的可挠式面板的制造方法的不同处在于本变化实施例的接着层120还包括多个第二条状接着结构124，设置在框形接着结构122a内且纵横交错，并使框形接着结构122a与第二条状接着结构124构成多个网格图案124a，也就是说，接着层120的多个网格图案124a可由第一条状接着结构122与第二条状接着结构124所构成，而在本变化实施例中，第一条状接着结构122与第二条状接着结构124的宽度可相同且宽度可小于或等于2公分，但不以此为限。在图11A的实施例中，框形接着结构122a的周缘是与载板110的边缘切齐，但不以此为限，在其它实施例中，框形接着结构122a的周缘与载板110的边缘具有距离。在本变化实施例中，多个可挠式面板PN1”形成于载板110与接着层120上，并且每个可挠式面板PN1”是对应于每个网格图案124a的位置形成于载板110上，但不以此为限。请参考图11B，在图11B的实施例中，在进行载板分离工艺之前，可先将沿着切割线D切割可挠式面板PN1”，再将接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力降低，接下来将可挠式薄膜基板130从载板110/接着层120分离，以完成多个可挠式面板PN1”的分离。此外，在其它实施例中，在进行载板分离工艺之前，可于元件层150背对可挠式薄膜基板130的表面上设置可支撑可挠式薄膜基板130与元件层150的转换层，并且将接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力降低，接下来将可挠式薄膜基板130从载板110/接着层120分离，再沿着切割线D切割可挠式面板PN1”，接下来再将转换层移除，以完成多个可挠式面板PN1”的分离。
请参考图12至图15，图12、图13A与图13B所示为本发明第二实施例的可挠式面板的制造方法的俯视示意图，图14、图14B与图15所示为本发明第二实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图，其中图12仅绘示载板110与接着层120，而图13A与图13B仅绘示载板110、接着层120与可挠式薄膜基板130。本实施例的可挠式面板的制造方法可适用于下列情况：(1)可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃的情况(对应图14A)；或是(2)可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差小于10ppm/℃的情况(对应图14B)。如图12所示，根据本发明的第二实施例的可挠式面板的制造方法，首先提供载板110，然后在载板110上形成接着层120，而接着层120包括平面形接着结构(又称为块状接着结构)126。本实施例的平面形接着结构126与第一实施例的框形接着结构122a差别在于平面形接着结构126不具有开口，而框形接着结构122a则包括开口122a’，且可挠式薄膜基板130透过开口122a’而与载板110接触。值得一提的是，相较于第一实施例，本实施例使用的接着层120对可挠式薄膜基板130的黏性小于第一实施例的接着层120对可挠式薄膜基板130的黏性，也就是说，本实施例的接着层120所选用的材料会与第一实施例的接着层120所选用的材料不同，具体而言，第一实施例的接着层120对于可挠式薄膜基板130以及载板110可具有较强的黏着力，本实施例的接着层120与载板110间的黏着力大于接着层120与可挠式薄膜基板130间的黏着力，以利于后续进行载板分离工艺时，可以使用较小的剥离力(peeling force)就可将可挠式薄膜基板130自接着层120剥离，而接着层120则留在载板110上，但不以此为限。
接着，在接着层120上形成可挠式薄膜基板130，其中接着层120的平面形接着结构126的面积大于可挠式薄膜基板130的面积(如图13A所示)或相等于可挠式薄膜基板130的面积，也就是可挠式薄膜基板130在载板110的正投影是位在接着层120在载板110的正投影内或是两者在载板110的正投影完全重叠，并使全部的可挠式薄膜基板130不接触载板110而是与接着层120接触，但不以此为限。在其它本实施例中，接着层120的平面形接着结构126的面积也可以小于可挠式薄膜基板130的面积(如图13B所示)，也就是接着层120在载板110的正投影是位在可挠式薄膜基板130在载板110的正投影内，并使大部分的可挠式薄膜基板130(对应图13B中的区域A_1)与接着层120接触，而其余部分的可挠式薄膜基板130(对应图13B中的区域A_2)则是接触载板110，也就是可挠式薄膜基板130的边缘部分接触载板110，其中区域A_1的面积大于区域A_2的面积，也就是可挠式薄膜基板130中与接着层120接触的面积大于可挠式薄膜基板130与载板110接触的面积。由于可挠式薄膜基板130直接与接着层120接触，因此接着层120所提供的黏着力可将可挠式薄膜基板130固定在载板110上，以利后续的面板制造工艺。然后，在可挠式薄膜基板130上形成元件层150以形成至少一可挠式面板PN2。可挠式薄膜基板130、图案化导电层151以及保护层152的材料、用途与本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法相同，且可挠式面板PN2的用途与其他组件、其他膜层的设置亦相同于本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法，故在此不再赘述。
值得一提的是，在本实施例中，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦大于或等于10ppm/℃，在形成元件层150之前，先在可挠式薄膜基板130上形成缓冲层140，使得缓冲层140位于可挠式薄膜基板130与元件层150之间，用以分隔可挠式薄膜基板130与元件层150，使可挠式薄膜基板130不与元件层150直接接触，如图14A所示，其中缓冲层140的材料以及结构与本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法相同，在此不再赘述。另一方面，在本实施例中，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差小于10ppm/℃，那么缓冲层140可选择性地的设置，亦即可不用设置缓冲层140于可挠式薄膜基板130与元件层150之间，而使可挠式薄膜基板130与元件层150直接接触，如图14B所示。
举例来说，当可挠式面板PN2是如图7A与图7B所示的可挠式触控面板时，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与第一触控电极213a、第二触控电极214a、导线216与保护层218中任一者的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，则在形成元件层150之前，先在可挠式薄膜基板130上形成缓冲层140，使得缓冲层140位于可挠式薄膜基板130与元件层150之间，用以分隔可挠式薄膜基板130与元件层150，使可挠式薄膜基板130不与元件层150直接接触，以避免由可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数之间的差异所造成的破裂或掀起。
如图15所示，制作完可挠式面板PN2后，进行载板分离工艺，将可挠式面板PN2从载板110分离，以完成可挠式面板PN2的制造。在本实施例中，可通过夹具固定可挠式面板PN2的一端，并以适当的角度与速度将可挠式面板PN2从载板110上分离取下，以提高分离的合格率，但分离的方式不以此为限。此外，在进行载板分离工艺之前，可选择性地进行切割工艺，其中切割工艺可利用雷射切割、机械切割、冲压或其他适合的方式。举例来说，在图13B的实施例中，可先沿着图13B中区域A_1的边缘切割，然后再进行载板分离工艺。类似地，为了简化起见，上述说明是以于载板110上形成一个可挠式面板PN2为例。在多个可挠式面板PN2形成于载板110上的实施例中，其差别在于在进行载板分离工艺后，需再进行切割成多个可挠式面板PN2的步骤，其余部分与上述步骤相同，于此不再赘述。此外，在多个可挠式面板PN2形成于载板110上的实施例中，切割成多个可挠式面板PN2的步骤也可以在载板分离工艺前进行，也就是在载板110上先切割成多个可挠式面板PN2，再将多个可挠式面板PN2从载板110分离。
根据本实施例的可挠式面板的制造方法，虽然可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃，但由于全部的可挠式薄膜基板130直接与接着层120接触而不与载板110接触或是大部分的可挠式薄膜基板130直接与接着层120接触而不与载板110接触(仅可挠式薄膜基板130的边缘部分与载板110接触)，因此，当制造过程造成温度变化时，载板110的热膨胀收缩与可挠式薄膜基板130的热膨胀收缩不直接互相影响，藉此避免内应力聚集，进而避免可挠式薄膜基板130的破裂或掀起，以提升可挠式面板PN2的生产良率。另一方面，当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦大于或等于10ppm/℃时，由于图14A实施例(本实施例的一种)的缓冲层140是整面形成于可挠式薄膜基板130上，因此，会因为可挠式薄膜基板130不与元件层150直接接触，而使得元件层150的热膨胀收缩与可挠式薄膜基板130的热膨胀收缩不直接互相影响，藉此避免内应力聚集，进而避免可挠式薄膜基板130的破裂或掀起，以提升可挠式面板PN2的生产良率，也就是说，若可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦大于或等于10ppm/℃时，藉由缓冲层140的整面设置可以避免由可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数之间的差异所造成的破裂或掀起。
除此之外，缓冲层140的设置还可作为可挠式面板PN2的光学匹配层，以调整可挠式面板PN2的颜色，亦即调整穿透过可挠式面板PN2的光线颜色，其设置方式与厚度相同于本发明第一实施例的可挠式面板PN1的缓冲层140(单层结构的缓冲层)或是相同于本发明第一实施例的变化实施例的可挠式面板PN1’的缓冲层140(多层结构的缓冲层)，在此不再赘述。
请参考图16与图17，图16与图17所示为本发明第三实施例的可挠式面板的制造方法的剖面示意图，其中本实施例的可挠式面板的制造方法可适用于可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃以及可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差小于10ppm/℃的情况。如图16所示，根据本发明的第三实施例的可挠式面板的制造方法，首先提供载板110，然后，在载板110上形成接着层120，接着层120包括框形接着结构122a，框形接着结构122a包括开口122a’。接着，在接着层120上形成可挠式薄膜基板130，且大部分的可挠式薄膜基板130可透过框形接着结构122a的开口122a’而与载板110接触。然后在可挠式薄膜基板130上形成元件层150，使可挠式薄膜基板130与元件层150形成至少一可挠式面板PN3。接着，如图17所示，进行载板分离工艺，将可挠式面板PN3从载板110分离，以完成可挠式面板PN3的制造。其中，载板110、接着层120、可挠式薄膜基板130、图案化导电层151以及保护层152的材料、用途与本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法相同，且可挠式面板PN3的用途与其他组件、其他膜层的设置亦相同于本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法，载板分离工艺也相同于本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法，故在此不再赘述。
值得一提的是，在本实施例的可挠式面板的制造方法中，由于可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差小于10ppm/℃，因此，元件层150可直接设置在可挠式薄膜基板130上并且与可挠式薄膜基板130直接接触。根据本实施例的可挠式面板的制造方法，由于可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃，因此可挠式薄膜基板130的热膨胀收缩与载板110的热膨胀收缩差异并不明显，所以即使大部分的可挠式薄膜基板130透过接着层120的框形接着结构122a的开口122a’而与载板110接触，由热膨胀收缩所产生的内应力并不致于在制造过程中对可挠式薄膜基板130造成破裂或掀起。另一方面，由于可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦小于10ppm/℃，因此可挠式薄膜基板130的热膨胀收缩与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀收缩差异并不明显，所以即使可挠式薄膜基板130直接与元件层150接触，由热膨胀收缩所产生的内应力并不致于在制造过程中对可挠式薄膜基板130造成破裂或掀起。藉此，本实施例依据热膨胀系数的差小于10ppm/℃而对应选择适合的制造工艺后，不仅可提升可挠式面板PN3的生产良率，还可节省缓冲层140的制造成本。
请参考图18与图19，图18所示为本发明第三实施例的可挠式面板的剖面示意图，图19所示为本发明第三实施例的可挠式面板的图案化导电层的厚度与b*关系示意图。如图18所示，本实施例的可挠式面板PN3包括可挠式薄膜基板130以及元件层150，其中可挠式面板PN3是以本发明可挠式面板的制造方法的第三实施例所制造而成。本实施例的可挠式薄膜基板130的材料举例包括聚亚酰胺，但不以此为限。元件层150设置在可挠式薄膜基板130上，而元件层150还可包括触控感测电极或/及显示电极，使得元件层150可在可挠式面板PN3中提供触控感测或/及显示的用途，在本实施例中，图案化导电层151的材料举例包括氧化铟锡。保护层152设置在图案化导电层151上，其中保护层152可以是单层或多层，以包覆、保护与封装图案化导电层151。
如图19所示，当图案化导电层151的厚度改变时，可挠式面板PN3的b*会随之改变，因此，为使可挠式面板PN3的b*小于或等于1.5，图案化导电层151的厚度小于或等于20奈米或为90奈米至110奈米。
综上所述，
(1)当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦小于10ppm/℃时，可采用图16实施例(第三实施例)的可挠式面板的制造方法，也就是可挠式薄膜基板130与载板110接触且可挠式薄膜基板130与元件层150接触；
(2)当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差小于10ppm/℃且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，可采用图2实施例(第一实施例)的可挠式面板的制造方法，也就是可挠式薄膜基板130与载板110接触且可挠式薄膜基板130与元件层150间设置缓冲层140；
(3)当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，可采用图2实施例(第一实施例)或图14B实施例(第二实施例的一种)的可挠式面板的制造方法，也就是可挠式薄膜基板130与载板110接触且可挠式薄膜基板130与元件层150间设置缓冲层140，或是至少大部分可挠式薄膜基板130与载板110不接触(如图13A与图13B所示)且可挠式薄膜基板130与元件层150接触；
(4)当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃且可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差亦大于或等于10ppm/℃时，可采用图2实施例(第一实施例)或图14A实施例(第二实施例的一种)的可挠式面板的制造方法，也就是可挠式薄膜基板130与载板110接触且可挠式薄膜基板130与元件层150间设置缓冲层140，或是至少大部分可挠式薄膜基板130与载板110不接触(如图13A与图13B所示)且可挠式薄膜基板130与元件层150间设置缓冲层140。
根据本发明第一实施例、第二实施例与第三实施例的可挠式面板的制造方法，当可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于10ppm/℃时，那么不论可挠式薄膜基板130的热膨胀系数与载板110的热膨胀系数的差的大小，在形成元件层150之前，都先于可挠式薄膜基板130上形成缓冲层140，使得缓冲层140位于可挠式薄膜基板130与元件层150之间。
请参考图20，图20所示为本发明可挠式面板的制造方法的实施例的流程图。如图20所示，本发明提供一种可挠式面板的制造方法。首先，提供载板(步骤ST1)，然后，在载板上形成接着层(步骤ST2a、ST2b)，在接着层上形成可挠式薄膜基板(步骤ST3)，之后在可挠式薄膜基板上形成元件层，使可挠式薄膜基板与元件层组成至少一可挠式面板(步骤ST4)，或者，在载板上形成接着层(步骤ST2a、ST2b)，在接着层上形成可挠式薄膜基板(步骤ST3)，之后在可挠式薄膜基板上形成缓冲层(步骤ST3’)，接下来在缓冲层上形成元件层，使可挠式薄膜基板、缓冲层与元件层组成至少一可挠式面板(步骤ST4’)。接着，进行载板分离工艺，将可挠式面板从载板分离(步骤ST5)，以完成本发明可挠式面板的制造(步骤ST6)。其中可挠式面板的制造方法依据可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及载板的热膨胀系数的关系，进行以下制造工艺的选择：当可挠式薄膜基板的热膨胀系数与载板的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，则选择使所形成的接着层包括框形接着结构，框形接着结构包括开口，且可挠式薄膜基板接触框形接着结构并且透过开口而与载板接触(步骤ST2a，即为本发明第一实施例或第三实施例的可挠式面板的制造方法)；当可挠式薄膜基板的热膨胀系数与载板的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，则对以下工艺选择其中一者：使接着层包括平面形接着结构，并使可挠式薄膜基板接触接着层(步骤ST2b，即为本发明第二实施例的可挠式面板的制造方法)，或者，使接着层包括框形接着结构，框形接着结构包括开口，且可挠式薄膜基板接触框形接着结构并且透过开口而与载板接触(步骤ST2a)，并且在形成元件层之前，先于可挠式薄膜基板上形成缓冲层，使得缓冲层位于可挠式薄膜基板与元件层之间(步骤ST3’与ST4’，即为本发明第一实施例的可挠式面板的制造方法)。除此之外，当可挠式薄膜基板的热膨胀系数与元件层150中最靠近可挠式薄膜基板130的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，那么不论可挠式薄膜基板的热膨胀系数与载板的热膨胀系数的差的大小，在形成元件层之前，都先于可挠式薄膜基板上形成缓冲层，使得缓冲层位于可挠式薄膜基板与元件层之间(步骤ST3’與ST4’)。
综上所述，本发明的可挠式面板的制造方法是依据载板的热膨胀系数、可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及元件层中最靠近可挠式薄膜基板的导电层及/或绝缘层的热膨胀系数的关系而分别对应选择适合的制造工艺，以利用接着层的膜层图形以及缓冲层的设置来避免可挠式薄膜基板造成破裂或掀起，进而提高生产良率以及减少制造成本。另一方面，在所对应制造出的可挠式面板中，设置有缓冲层的可挠式面板可利用缓冲层的设置作为可挠式面板的光学匹配层，以调整可挠式面板的颜色，而未设置有缓冲层的可挠式面板可利用图案化导电层的厚度的改变而调整可挠式面板的颜色，藉此改善用户的观赏质量。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种可挠式面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一载板；
在所述载板上形成一接着层；
在所述接着层上形成一可挠式薄膜基板；
在所述可挠式薄膜基板上形成一元件层，所述元件层包括至少一导电层与至少一绝缘层；以及
进行一载板分离工艺，将所述可挠式薄膜基板与所述元件层从所述载板分离，
其中所述可挠式面板的制造方法依据所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及所述载板的热膨胀系数的关系，进行以下制造工艺的选择，包括：
当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，则选择使所形成的所述接着层包括一框形接着结构，所述框形接着结构包括一开口，且所述可挠式薄膜基板接触所述框形接着结构并且透过所述开口而与所述载板接触；以及
当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，则对以下工艺选择其中一者：
使所述接着层包括一平面形接着结构，其中所述可挠式薄膜基板接触所述接着层，或是
使所述接着层包括所述框形接着结构，所述框形接着结构包括所述开口，且所述可挠式薄膜基板接触所述框形接着结构并且透过所述开口而与所述载板接触，并且在形成所述元件层之前，先于所述可挠式薄膜基板上形成一缓冲层，使得所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间。
2.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述框形接着结构时，所述接着层还包括多个条状接着结构，设置在所述框形接着结构内，并使所述框形接着结构与所述条状接着结构构成多个网格图案。
3.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述平面形接着结构时，所述平面形接着结构的面积大于或相等于所述可挠式薄膜基板的面积，并且所述可挠式薄膜基板不接触所述触载板。
4.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述平面形接着结构时，所述接着层在所述载板的正投影是位在所述可挠式薄膜基板在所述载板的正投影内，并且所述可挠式薄膜基板的周围部分接触所述载板，而所述可挠式薄膜基板的其余部分与所述接着层接触。
5.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述元件层中最靠近所述可挠式薄膜基板的所述导电层及/或所述绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，那么不论所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差的大小，在形成所述元件层之前，都先于所述可挠式薄膜基板上形成所述缓冲层，使得所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间。
6.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，当所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间时，所述可挠式薄膜基板不与所述元件层直接接触。
7.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层为单层或多层的缓冲层。
8.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝、有机材料或上述材料的组合或叠层。
9.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述载板的材料包括玻璃，所述可挠式薄膜基板的材料包括聚亚酰胺，且所述导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、银、铜、金属复合材料或上述材料的组合。
10.一种可挠式面板，其特征在于，包括：
一可挠式薄膜基板；
一图案化导电层，设置在所述可挠式薄膜基板上，且所述图案化导电层的厚度小于或等于20奈米或为90奈米至110奈米；以及
一保护层，设置在所述图案化导电层上，其中，所述图案化导电层的材料包括氧化铟锡。
11.如权利要求10所述的可挠式面板，其特征在于，所述可挠式面板为可挠式触控面板，所述图案化导电层接触所述可挠式薄膜基板且包括多个触控电极。
12.一种可挠式面板，其特征在于，包括：
一可挠式薄膜基板；
一缓冲层，设置在所述可挠式薄膜基板上；以及
一元件层，设置在所述缓冲层上。
13.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝或有机材料或上述材料的组合或叠层。
14.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述可挠式薄膜基板的材料包括聚亚酰胺，并且所述元件层包括至少一导电层与至少一绝缘层。
15.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层为单层结构并且所述缓冲层的材料为氧化硅，所述缓冲层的厚度大于或等于20奈米并且小于或等于100奈米。
16.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层包括一第一子缓冲层与一第二子缓冲层，且所述第二子缓冲层的折射率不同于所述第一子缓冲层的折射率。
17.如权利要求16所述的可挠式面板，其特征在于，所述第一子缓冲层为氧化硅，且所述第二子缓冲层的折射率范围为2.05至2.45。
18.如权利要求17所述的可挠式面板，其特征在于，所述第二子缓冲层的材料包括氧化铌。
19.如权利要求17所述的可挠式面板，其特征在于，当所述第二子缓冲层的折射率范围为2.05至2.25时，所述第一子缓冲层的厚度与所述第二子缓冲层的厚度满足下列条件(a)至(e)的其中一者：
(a)0奈米<所述第二子缓冲层的厚度≤5奈米，且0奈米<所述第一子缓冲层的厚度≤10奈米或是70奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(b)5奈米<所述第二子缓冲层的厚度<40奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(b_1)至(b_3)的其中一者：
(b_1)当5奈米<所述第二子缓冲层的厚度≤10奈米时，85奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(b_2)当10奈米<所述第二子缓冲层的厚度<30奈米时，90奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及
(b_3)当30奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<40奈米时，85奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(c)40奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<65奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(40+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<(40+5(Z+1))奈米时，(U-5Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至4的整数，并且U等于80；
(d)65奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<95奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(65+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<(65+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于50；当Z的范围为1至5时，U等于55；以及
(e)95奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤100奈米，且0奈米<所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米。
20.如权利要求17所述的可挠式面板，其特征在于，当所述第二子缓冲层的折射率范围为2.25至2.45时，所述第一子缓冲层的厚度与所述第二子缓冲层的厚度满足下列条件(f)至(j)的其中一者：
(f)0奈米<所述第二子缓冲层的厚度≤5奈米，且0奈米<所述第一子缓冲层的厚度≤5奈米或是75奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(g)5奈米<所述第二子缓冲层的厚度<25奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(g_1)与(g_2)的其中一者：
(g_1)当5奈米<所述第二子缓冲层的厚度≤10奈米时，90奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及
(g_2)当10奈米<所述第二子缓冲层的厚度<25奈米时，95奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(h)25奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<55奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(25+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<(25+5(Z+1))奈米时，U奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至5的整数，并且当Z为0时，U等于90；当Z为1或2时，U等于85；当Z为3时，U等于80；当Z为4时，U等于75；当Z为5时，U等于65；
(i)55奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<75奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件：当(55+5Z)奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<(55+5(Z+1))奈米时，(U-10Z)奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米，其中Z为0至3的整数，并且U等于60；以及
(j)75奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤100奈米，且所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层满足下列条件(j_1)至(j_3)的其中一者：
(j_1)当75奈米≤所述第二子缓冲层的厚度<80奈米时，15奈米≤所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；
(j_2)当80奈米≤所述第二子缓冲层的厚度≤95奈米时，0奈米<所述第一子缓冲层的厚度≤100奈米；以及
(j_3)当95奈米<所述第二子缓冲层的厚度≤100奈米时，0奈米<第一子缓冲层的厚度≤95奈米。
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