TW201525164A - 具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法 - Google Patents

Abstract

本發明係為一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法，其中該光學匹配層結構主要係由一氮化矽(SiNx)層及一矽氧化物(SiOx)層所組成，因此，該光學匹配層在成形時所使用的鍍膜機台，其在鍍膜腔體內僅需架設單一種矽(Si)靶材(當然也是架設矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材)，並通入特定氣體後即可反應成形該矽氧化物(SiOx)層或氮化矽(SiNx)層，是以，該光學匹配層的製程上，所架設的該矽(Si)靶材皆可被利用到，而不需更換把材，藉以提升鍍膜機台利用率、產能極大化及靶材配置最少化，最終達到提升該光學匹配層製程產能的目的，更同時達到降低該光學匹配層的材料成本及原物料管控成本、以及提升該光學匹配層的良率。

Description

具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法

本發明係與觸控面板有關，特別是指一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法。

一般觸控面板(Touch panel)在結構設計上都至少包含一基板、一設於該基板的圖案化電極，為降低該觸控面板的透明電極圖案明顯度並提升光透射率，會在該圖案化電極上設置一光學匹配層；然而，該光學匹配層於製程上仍具有下述須立即改善的缺陷。

其一、目前該光學匹配層主要是由鈮氧化物(NbOx)層結合矽氧化物(SiOx)層為主，因此，該光學匹配層在成形時所使用的鍍膜機台，其上必須同時架設鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)及矽(Si)靶材，以通入反應氣體形成該光學匹配層，然而，在進行矽氧化物(SiOx)層製程時，架設鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)位置無法使用，造成作業矽氧化物(SiOx)層製程產能下降，同樣的，在進行鈮氧化物(NbOx)層製程時，架設矽(Si)靶材位置無法使用，造成作業鈮氧化物(NbOx)層製程產能下降，藉以凸顯出該光學匹配層在製程產能不足的缺陷。

其二、鈮(Nb)靶材或鈮氧化物(NbOx)靶材的材料成本比矽(Si)靶材的材料成本高，造成該觸控面板(Touch panel)在成形該光學匹配層的成 本增加，且必須同時管控兩種靶材(即鈮(Nb)靶材(或鈮氧化物(NbOx)靶材)及矽(Si)靶材)，造成原物料的管控較為不易。

其三、該光學匹配層中的鈮氧化物(NbOx)層光學折射率(n)值較高，通常是大於2，而膜厚對該光學匹配層的搭配影響甚巨，故機台膜厚均勻性需控制在小於5%或3%，製程範圍過小穩定性控制不易，凸顯出良率較低的缺陷。

是以，如何開發出一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法，其可解決上述的問題，即為本案發明的動機。

本發明之目的在於提供一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法，主要提升該光學匹配層的製程產能。

本發明另一目的在於提供一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法，主要降低該光學匹配層的材料成本及原物料管控成本。

本發明再一目的在於提供一種具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法，主要提升該光學匹配層的良率。

緣是，為了達成前述目的，依據本發明所提供之一種具光學匹配層結構的觸控面板，包含：一基板；一圖案化電極，設置於該基板上；以及一光學匹配層結構，設置於該基板與該圖案化電極之間，其中該光學匹配層包含：一第一薄膜層，成形在該基板，並具有一成形在該基板表面的第一表面、及一反向於該第一表面的第二表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，並具有一成形在該第二表面的第三表面、及一反向於該第三表面且供該圖案化電極成形的第四表面。

較佳地，更包含一保護層，設置於該圖案化電極上且至少部份 覆蓋該圖案化電極。

較佳地，該圖案化電極具有複數第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的複數第二軸向電極。

較佳地，各該第一軸向電極包含複數電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的橋接部，該橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。

較佳地，更包含複數導線及複數外圍走線位於該圖案化電極的至少一側，其中各該導線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經由各該導線與各該外圍走線電性連接。

較佳地，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第四表面並覆蓋該圖案化電極、該導線與該外圍走線，其中該保護層具有至少一接觸開口且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。

較佳地，更包含一裝飾層，設置於該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位於該觸控面板周邊的至少一側並至少對應該導線及該外圍走線配置。

較佳地，該圖案化電極與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該導線與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該圖案化電極、該導線與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該第一薄膜層的折射率大於該第二薄膜層的折射率。

較佳地，該第一薄膜層為一氮化矽(SiNx)層，該第二薄膜層為一矽氧化物(SiOx)層，且該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間，該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。

其次，為了達成前述目的，本發明另外所提供之一種具光 學匹配層結構的觸控面板，包含：一基板；一圖案化電極，設置於該基板上；以及一光學匹配層結構，設置於該基板，且該圖案化電極位於該光學匹配層結構與該基板之間，其中該光學匹配層包含：一第一薄膜層，成形在該基板且包覆該圖案化電極，並具有一成形在該基板表面的第一表面、一反向於該第一表面的第二表面、及一連接該第一表面並成形在該圖案化電極表面的第三表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，並具有一成形在該第二表面的第四表面、及一反向於該第四表面的第五表面。

較佳地，該圖案化電極具有複數第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的複數第二軸向電極。

較佳地，各該第一軸向電極包含複數電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的橋接部，該橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。

較佳地，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第五表面且至少對應該絕緣層。

較佳地，更包含複數導線及複數外圍走線位於該圖案化電極的至少一側，其中各該導線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經由各該導線與各該外圍走線電性連接。

較佳地，該第一薄膜層與該第二薄膜層覆蓋該基板，該第一薄膜層與該第二薄膜層各具有至少一開口，且該開口至少暴露部分該外圍走線。

較佳地，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第五表面並覆蓋該基板，該保護層具有至少一接觸開口，且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。

較佳地，更包含一裝飾層，設置於該第一薄膜層的第一表面與 該基板的表面之間，該裝飾層位於該觸控面板周邊的至少一側並至少對應該導線及該外圍走線配置。

較佳地，該圖案化電極部分覆蓋該裝飾層。

較佳地，該絕緣層至少配置於圖案化電極與該裝飾層之間。

較佳地，該圖案化電極與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該導線與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該圖案化電極、該導線與該外圍走線為相同導電材料。

較佳地，該第一薄膜層的折射率小於該第二薄膜層的折射率。

較佳地，該第一薄膜層為一矽氧化物(SiOx)層，該第二薄膜層為一氮化矽(SiNx)層，且該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間，該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。

最後，為了達成前述目的，本發明所提供一種觸控面板的光學匹配層的成形方法，包含在一鍍膜腔體內設置矽(Si)靶材、矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材，並配合通入氬(Ar)氣體及氧(O2)氣體，藉以反應形成一矽氧化物(SiOx)層，通入通入氬(Ar)氣體及氮(N2)氣體，藉以反應形成一與該矽氧化物(SiOx)層結合的氮化矽(SiNx)層。

較佳地，控制該氧(O2)氣體的流量介於50至300之間，使該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.85至1.42之間。

較佳地，控制該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。

較佳地，控制該氮(N2)氣體的流量介於150至480之間，使該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.66至1.95之間。

較佳地，控制該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95 之間。

有關本發明為達成上述目的，所採用之技術、手段及其他之功效，茲舉四較佳可行實施例並配合圖式詳細說明如後。

10‧‧‧基板

11‧‧‧表面

20‧‧‧圖案化電極

21‧‧‧第一軸向電極

211‧‧‧電極部

212‧‧‧橋接部

22‧‧‧第二軸向電極

30‧‧‧氮化矽(SiNx)層

31‧‧‧第一氮化矽表面

32‧‧‧第二氮化矽表面

33‧‧‧開口

40‧‧‧矽氧化物(SiOx)層

41‧‧‧第一矽氧化物表面

42‧‧‧第二矽氧化物表面

43‧‧‧第三矽氧化物表面

44‧‧‧開口

50‧‧‧保護層

51‧‧‧接觸開口

60‧‧‧絕緣層

71‧‧‧導線

72‧‧‧外圍走線

80‧‧‧裝飾層

91‧‧‧鍍膜腔體

92‧‧‧矽(Si)靶材

93‧‧‧氬(Ar)氣體

94‧‧‧氮(N2)氣體

95‧‧‧氧(O2)氣體

第1圖係本發明第一實施例的示意圖，顯示光學匹配層的結構組態。

第2圖係本發明第一實施例的成形方法示意圖。

第3A圖係本發明第一實施例的曲線圖，顯示氧(O2)氣體流量對矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值的變化。

第3B圖係本發明第一實施例的曲線圖，顯示氮(N2)氣體流量對氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值的變化。

第4圖係本發明第二實施例的示意圖，顯示光學匹配層的結構組態。

第5圖係本發明第二實施例的成形方法示意圖。

第6圖係本發明第三實施例的上視圖，顯示本發明的結構狀態。

第7圖係本發明第三實施例的剖面圖，顯示本發明的結構狀態。

第8圖係本發明第三實施例的剖面圖，顯示本發明的另一種結構狀態。

第9圖係本發明第四實施例的剖面圖，顯示本發明的結構狀態。

第10圖係本發明第四實施例的剖面圖，顯示本發明的另一種結構狀態。

第11圖係本發明第四實施例的剖面圖，顯示本發明的再一種結構狀態。

第12圖係本發明第四實施例的剖面圖，顯示本發明的次一種結構狀態。

參閱第1圖所示，本發明第一實施例所提供的一種具光學匹配層結構的觸控面板，其主要係由一基板10、一圖案化電極20、及一光學匹配層所組成，其中：

該基板10，具有一表面11。

該圖案化電極20，設置於該基板10上。

該光學匹配層結構，設置於該基板10與該圖案化電極20之間，其中該光學匹配層包含一第一薄膜層及一第二薄膜層，且該第一薄膜層的折射率大於該第二薄膜層的折射率，需先說明的是，本實施例中該第一薄膜層為氮化矽(SiNx)層30、且對應申請專利範圍所述之該第一薄膜層的第一、二表面為第一、二氮化矽表面31、32，該第二薄膜層為矽氧化物(SiOx)層40、且對應申請專利範圍所述之該第二薄膜層的第三、四表面為第一、二矽氧化物表面41、42，其中：

該氮化矽(SiNx)層30，成形在該基板10，並具有一成形在該基板10表面11的第一氮化矽表面31、及一反向於該第一氮化矽表面31的第二氮化矽表面32。

該矽氧化物(SiOx)層40，成形在該氮化矽(SiNx)層30，並具有一成形在該第二氮化矽表面32的第一矽氧化物表面41、及一反向於該第一矽氧化物表面41且供該圖案化電極20成形的第二矽氧化物表面42；本實施例中，該第二矽氧化物表面42同時供該圖案化電極20及一至少部分覆蓋該圖案化電極20的保護層50所成形。

以上所述即為本發明第一實施例各主要結構說明。至於本發明的成形方法及功效作以下說明。

參閱第2圖所示，該觸控面板的光學匹配層的成形方法，包含在一鍍膜腔體91內設置三矽(Si)靶材92(亦可為矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材)，並對應其中之一矽(Si)靶材92而通入氬(Ar)氣體93及氮(N2)氣體94，藉以反應形成該氮化矽(SiNx)層30，對應其中之二矽(Si)靶材92而配合通入氬(Ar)氣體93及氧(O2)氣體95，藉以反應形成一與該氮化矽(SiNx)層30結合 的該矽氧化物(SiOx)層40。

參閱第3A圖所示，例如當通入的氧(O2)氣體流量越多，該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值則越小，本實施例中係控制該氧(O2)氣體的流量介於50至300之間，使該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.85至1.42之間，而最佳是控制該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間，但並不限以此方式為限，也可以藉由控制鍍膜的溫度、功率或是電壓等參數達到調整不同折射率變化的方式。

參閱第3B圖所示，當通入的氮(N2)氣體流量越多，該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值則越大，本實施例中係控制該氮(N2)氣體的流量介於150至480之間，使該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.66至1.95之間，而最佳是控制該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間，但並不限以此方式為限，也可以藉由控制鍍膜的溫度、功率或是電壓等參數達到調整不同折射率變化的方式。

據此，由於本發明之光學匹配層主要是由氮化矽(SiNx)層30及矽氧化物(SiOx)層40所組成，因此，該光學匹配層在成形時所使用的鍍膜機台，其在鍍膜腔體91內僅需架設單一種矽(Si)靶材92(當然也可架設矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材)，並通入特定氣體後即可反應成形該氮化矽(SiNx)層30或矽氧化物(SiOx)層40，是以，該光學匹配層的製程上，所架設的該矽(Si)靶材92皆可被利用到，而不需更換把材，藉以提升鍍膜機台利用率、產能極大化及靶材配置最少化，最終達到提升該光學匹配層製程產能的目的。

另外，本發明更可達到下列目的及功效。

其一、由於本發明之光學匹配層所使用的矽(Si)靶材92(或矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材)成本較習知光學匹配層所使用的鈮(Nb)靶 材及鈮氧化物(NbOx)靶材的材料成本低(預估可低於30%)，因此，本發明之光學匹配層的成形成本較低，且僅須管控單一靶材(即矽(Si)靶材、矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材)，達到降低該光學匹配層的材料成本及原物料管控成本的目的。

其二、由於本發明之光學匹配層中的氮化矽(SiNx)層30及矽氧化物(SiOx)層40的光學折射率(n)值較低於習知光學匹配層中的鈮氧化物(NbOx)層光學折射率(n)值，因此，本發明可將該氮化矽(SiNx)層30的光學折射率(n)值調控在該1.75~1.95，並搭配將矽氧化物(SiOx)層40的光學折射率(n)值調控在1.42~1.55，使得膜厚均勻性控制在小於10%即可達該光學匹配層需求效果，故本發明製程範圍大較易控制，確實達到提升該光學匹配層良率的目的。

參閱第4、5圖所示，本發明第二實施例所提供的一種具光學匹配層結構的觸控面板，其同樣係由一基板10、一圖案化電極20、及一光學匹配層所組成，由於其功效、目的及成形方法同於第一實施例，故不再贅述，至於第二實施例不同之處在於：該光學匹配層結構，設置於該基板10，且該圖案化電極20位於該光學匹配層結構與該基板10之間，其中該光學匹配層主要係由一第一薄膜層及一第二薄膜層所組成，且該第一薄膜層的折射率小於該第二薄膜層的折射率，需先說明的是，本實施例中該第一薄膜層為矽氧化物(SiOx)層40、且對應申請專利範圍所述之該第一薄膜層的第一、二、三表面為第一、二、三矽氧化物表面41、42、43，該第二薄膜層為氮化矽(SiNx)層30、且對應申請專利範圍所述之該第二薄膜層的第四、五表面為第一、二氮化矽表面31、32，其中：該矽氧化物(SiOx)層40，成形在該基板10且包覆該圖案化電極 20，並具有一成形在該基板10表面11的第一矽氧化物表面41、一反向於該第一矽氧化物表面41的第二矽氧化物表面42、及一連接該第一矽氧化物表面41並成形在該圖案化電極20表面的第三矽氧化物表面43。

該氮化矽(SiNx)層30，成形在該矽氧化物(SiOx)層40，並具有一成形在該第二矽氧化物表面42的第一氮化矽表面31、及一反向於該第一氮化矽表面31的第二氮化矽表面32。

因此，此型態的光學匹配層的成形方法，是在鍍膜腔體91內設置三矽(Si)靶材92後，先應其中之二矽(Si)靶材92而配合通入氬(Ar)氣體93及氧(O2)氣體95，藉以反應形成該矽氧化物(SiOx)層40，再對應其中之一矽(Si)靶材92而通入氬(Ar)氣體93及氮(N2)氣體94，藉以反應形成一與該矽氧化物(SiOx)層40結合的該氮化矽(SiNx)層30。

參閱第6、7圖所示，為本發明的第三實施例，其主要顯示本發明的光學匹配層應用在觸控面板的狀態，該光學匹配層的架構同於第一實施例，故不再贅述，至於其不同處在於第6、7圖中呈現出完整的觸控面板的結構組態，其中：該圖案化電極具有複數第一軸向電極21及與該些第一軸向電極21絕緣的複數第二軸向電極22，各該第一軸向電極21包含複數電極部211、及電性連接相鄰電極部211且對應各該第二軸向電極22的複數橋接部212，且該些橋接部212成形在該矽氧化物(SiOx)層40的第二矽氧化物表面42，又各該橋接部212與各該第二軸向電極22之間設有一絕緣層60；另外，在該圖案化電極的至少一側設有複數導線71及外圍走線72，各該導線71與各該外圍走線72電性連接，且各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經由各該導線71與各該外圍走線72電性連接。

該觸控面板更包含一至少部份覆蓋該圖案化電極的保護層50， 本實施例中，該保護層50是全面成形在圖案化電極、導線71及外圍走線72的表面，且該保護層50具有至少一接觸開口51，且該接觸開口51係至少暴露部分對應之該外圍走線72，以供外部元件(例如軟性電路板FPC)透過該接觸開口51而與該等外圍走線72電性連接，藉以達成另一實施狀態。

其中上述的圖案化電極材質舉例而言可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物等可導電且光穿透率佳的金屬氧化物或是網格狀金屬、奈米銀絲、石墨烯、矽烯、或者是上述至少二者之堆疊層或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構，例如是銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物，但並不以此為限；橋接部212與導線71舉例而言可以是金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者、或者是上述至少二者之堆疊層、或者是奈米銀絲、石墨烯、矽烯，但並不以此為限；而外圍走線72的材質可以與圖案化電極或是導線71相同。另外，圖案化電極、導線71及外圍走線72也可以是由同一導電材料所形成；保護層50可以是有機材料、無機材料或是混成材料。

此外，參閱第8圖所示，在第三實施例中當基板10為一覆蓋板時，該觸控面板更包含一裝飾層80，該裝飾層80位於該觸控面板周邊的至少一側並對應於在導線71及外圍走線72區域配置，且設置於該氮化矽(SiNx)層30的第一氮化矽表面31與該基板10的表面11之間。

另外，也可以在該第一軸向電極21的電極部211部分與該矽氧化物(SiOx)層40的第二矽氧化物表面42之間設置該絕緣層60；其中覆蓋板可包括玻璃覆蓋板、塑膠覆蓋板或其他具有高機械強度材質所形成具有保護(例如防刮)、覆蓋或是美化其對應裝置之基板。覆蓋板可為平面形狀或曲面 形狀，或前述之組合，但並不以此為限。另外，也可以選擇在覆蓋板面向使用者進行操作之一側設置一防污鍍膜(Anti-Smudge Coating)。

參閱第9圖所示，為本發明的第四實施例，其主要顯示本發明的光學匹配層應用在觸控面板的狀態，該光學匹配層的架構同於第二實施例，故不再贅述，至於其不同處在於第9圖中呈現出完整的觸控面板的結構組態，其中：該圖案化電極具有複數第一軸向電極21及與該些第一軸向電極21絕緣的複數第二軸向電極22，各該第一軸向電極21包含複數電極部211、及電性連接相鄰電極部211且對應各該第二軸向電極22的複數橋接部212，且該些橋接部212成形在該基板10的表面11，又各該橋接部212與各該第二軸向電極22之間設有一絕緣層60；另外，該觸控面板更包含一保護層50，對應該絕緣層60處在該氮化矽(SiNx)層30的第二氮化矽表面32成形有該保護層50，或者如第10圖所示，該保護層50是全面成形在該氮化矽(SiNx)層30的第二氮化矽表面32；另外，在該圖案化電極的至少一側設有複數導線71及外圍走線72，各該導線71與各該外圍走線72電性連接，且各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經由各該導線71與各該外圍走線72電性連接。

復參閱第9圖所示，該保護層50也可設置在導線71及外圍走線72區域，而該保護層50具有至少一接觸開口51，且該接觸開口51係至少暴露部分對應之該外圍走線72，以供外部元件(例如軟性電路板FPC)透過該接觸開口51而與該等外圍走線72電性連接，藉以達成另一實施狀態。

其中上述的圖案化電極、導線71及外圍走線72的材料搭配設計可與實施例三相同。

此外，參閱第11圖所示，在第四實施例中當基板10為一覆蓋板 時，該觸控面板更包含一裝飾層80，本實施例中，該裝飾層80設置於該矽氧化物(SiOx)層40的第一矽氧化物表面41與該基板10的表面11之間，且該裝飾層80位於該觸控面板周邊的至少一側並至少對應該導線71及該外圍走線72配置，且該裝飾層80至少設置在該導線71與該基板10的表面11之間，亦可同時被該圖案化電極部分所覆蓋，第11圖中，該裝飾層80是被第一軸向電極21部分的電極部211所覆蓋。

另外，該絕緣層60至少配置於圖案化電極與該裝飾層80之間，亦即在該第一軸向電極21的電極部211部分與該裝飾層80之間設置該絕緣層60；其中覆蓋板可與第三實施例相同；同樣的，該圖案化電極、導線71及外圍走線72的材質也與第三實施例相同。

參閱第12圖所示，第四實施例中，可不需設置該保護層，並在該圖案化電極的至少一側設有複數導線71及複數外圍走線72、及讓各該第一軸向電極21與各該第二軸向電極22分別經由各該導線71與各該外圍走線72電性連接的狀態下，讓該氮化矽(SiNx)層30與該矽氧化物(SiOx)層40覆蓋該基板10，該氮化矽(SiNx)層30與該矽氧化物(SiOx)層40各具有至少一開口33、44，且該開口33、44至少暴露部分該外圍走線72，以供外部元件(例如軟性電路板FPC)透過該開口33、44而與該等外圍走線72電性連接，藉以達成另一實施狀態。

值得注意的是，上述內容中有關於將光學匹配層與導電電極設置於基板表面之實施說明，並不限定光學匹配層與導電電極須直接接觸基板表面，實際上導電電極與基板表面之間也可以依據需求而配置其他未繪示的膜層，本發明並不限於上述的實施方式。

綜上所述，上述各實施例及圖示僅為本發明之較佳實施例而 已，當不能以之限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應屬本發明專利涵蓋之範圍內。

10‧‧‧基板

11‧‧‧表面

20‧‧‧圖案化電極

30‧‧‧氮化矽(SiNx)層

31‧‧‧第一氮化矽表面

32‧‧‧第二氮化矽表面

40‧‧‧矽氧化物(SiOx)層

41‧‧‧第一矽氧化物表面

42‧‧‧第二矽氧化物表面

50‧‧‧保護層

Claims (32)

1. 一種具光學匹配層結構的觸控面板，包含：一基板；一圖案化電極，設置於該基板上；以及一光學匹配層結構，設置於該基板與該圖案化電極之間，其中該光學匹配層包含：一第一薄膜層，成形在該基板，並具有一成形在該基板表面的第一表面、及一反向於該第一表面的第二表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，並具有一成形在該第二表面的第三表面、及一反向於該第三表面且供該圖案化電極成形的第四表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一保護層，設置於該圖案化電極上且至少部份覆蓋該圖案化電極。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極具有複數第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的複數第二軸向電極。
4. 如申請專利範圍第3項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中各該第一軸向電極包含複數電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的複數橋接部，該些橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。
5. 如申請專利範圍第3項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含複數導線及複數外圍走線位於該圖案化電極的至少一側，其中各該導線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經 由各該導線與各該外圍走線電性連接。
6. 如申請專利範圍第5項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第四表面並覆蓋該圖案化電極、該些導線與該些外圍走線，其中該保護層具有至少一接觸開口且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
7. 如申請專利範圍第5項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一裝飾層，設置於該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位於該觸控面板周邊的至少一側並至少對應該些導線及該些外圍走線配置。
8. 如申請專利範圍第5項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極與該些外圍走線為相同導電材料。
9. 如申請專利範圍第5項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
10. 如申請專利範圍第5項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極、該些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
11. 如申請專利範圍第1項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該第一薄膜層的折射率大於該第二薄膜層的折射率。
12. 如申請專利範圍第1項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該第一薄膜層為一氮化矽(SiNx)層，該第二薄膜層為一矽氧化物(SiOx)層，且該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間，該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。
13. 一種具光學匹配層結構的觸控面板，包含： 一基板；一圖案化電極，設置於該基板上；以及一光學匹配層結構，設置於該基板，且該圖案化電極位於該光學匹配層結構與該基板之間，其中該光學匹配層包含：一第一薄膜層，成形在該基板且包覆該圖案化電極，並具有一成形在該基板表面的第一表面、一反向於該第一表面的第二表面、及一連接該第一表面並成形在該圖案化電極表面的第三表面；一第二薄膜層，成形在該第一薄膜層，並具有一成形在該第二表面的第四表面、及一反向於該第四表面的第五表面。
14. 如申請專利範圍第13項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極具有複數第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的複數第二軸向電極。
15. 如申請專利範圍第14項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中各該第一軸向電極包含複數電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的複數橋接部，該些橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。
16. 如申請專利範圍第15項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第五表面且至少對應該絕緣層。
17. 如申請專利範圍第14項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含複數導線及複數外圍走線位於該圖案化電極的至少一側，其中各該導線與各該外圍走線電性連接，且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經由各該導線與各該外圍走線電性連接。
18. 如申請專利範圍第17項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該第一薄膜層與該第二薄膜層覆蓋該基板，該第一薄膜層與該第二薄膜層各具有至少一開口，且各該開口至少暴露部分該外圍走線。
19. 如申請專利範圍第18項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一保護層，設置於該第二薄膜層的第五表面並覆蓋該基板，該保護層具有至少一接觸開口，且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
20. 如申請專利範圍第17項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，更包含一裝飾層，設置於該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間，該裝飾層位於該觸控面板周邊的至少一側並至少對應該些導線及該些外圍走線配置。
21. 如申請專利範圍第20項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極部分覆蓋該裝飾層。
22. 如申請專利範圍第21項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該絕緣層至少配置於圖案化電極與該裝飾層之間。
23. 如申請專利範圍第17項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極與該些外圍走線為相同導電材料。
24. 如申請專利範圍第17項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
25. 如申請專利範圍第17項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該圖案化電極、該些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
26. 如申請專利範圍第13所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該第一薄膜層的折射率小於該第二薄膜層的折射率。
27. 如申請專利範圍第13項所述之具光學匹配層結構的觸控面板，其中該第一薄膜層為一矽氧化物(SiOx)層，該第二薄膜層為一氮化矽(SiNx)層，且該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間，該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。
28. 一種觸控面板的光學匹配層的成形方法，包含在一鍍膜腔體內設置矽(Si)靶材、矽-鋁(Si-Al)靶材、或矽-硼(Si-B)靶材，並配合通入氬(Ar)氣體及氧(O2)氣體，藉以反應形成一矽氧化物(SiOx)層，通入通入氬(Ar)氣體及氮(N2)氣體，藉以反應形成一與該矽氧化物(SiOx)層結合的氮化矽(SiNx)層。
29. 如申請專利範圍第28項所述之觸控面板的光學匹配層的成形方法，其中控制該氧(O2)氣體的流量介於50至300之間，使該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.85至1.42之間。
30. 如申請專利範圍第28項所述之觸控面板的光學匹配層的成形方法，其中控制該矽氧化物(SiOx)層的折射率(n)值介於1.55至1.42之間。
31. 如申請專利範圍第28項所述之觸控面板的光學匹配層的成形方法，其中控制該氮(N2)氣體的流量介於150至480之間，使該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.66至1.95之間。
32. 如申請專利範圍第31項所述之觸控面板的光學匹配層的成形方法，其中控制該氮化矽(SiNx)層的折射率(n)值介於1.75至1.95之間。