CN104750293A - 具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，其中该光学匹配层结构主要是由一氮化硅(SiNx)层及一硅氧化物(SiOx)层所组成，因此，该光学匹配层在成形时所使用的镀膜机台，其在镀膜腔体内仅需架设单一种硅(Si)靶材(当然也是架设硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)，并通入特定气体后即可反应成形该硅氧化物(SiOx)层或氮化硅(SiNx)层，是以，该光学匹配层的制程上，所架设的该硅(Si)靶材皆可被利用到，而不需更换把材，藉以提升镀膜机台利用率、产能极大化及靶材配置最少化，最终达到提升该光学匹配层制程产能的目的，更同时达到降低该光学匹配层的材料成本及原物料管控成本、以及提升该光学匹配层的良率。

Description

具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法

技术领域

本发明涉及触控面板，特别是指一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法。

背景技术

一般触控面板(Touch panel)在结构设计上都至少包含一基板、一设于该基板的图案化电极，为降低该触控面板的透明电极图案明显度并提升光透射率，会在该图案化电极上设置一光学匹配层；然而，该光学匹配层于制程上仍具有下述须立即改善的缺陷：

其一、目前该光学匹配层主要是由铌氧化物(NbOx)层结合硅氧化物(SiOx)层为主，因此，该光学匹配层在成形时所使用的镀膜机台，其上必须同时架设铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材，以通入反应气体形成该光学匹配层，然而，在进行硅氧化物(SiOx)层制程时，架设铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)位置无法使用，造成作业硅氧化物(SiOx)层制程产能下降，同样的，在进行铌氧化物(NbOx)层制程时，架设硅(Si)靶材位置无法使用，造成作业铌氧化物(NbOx)层制程产能下降，藉以凸显出该光学匹配层在制程产能不足的缺陷。

其二、铌(Nb)靶材或铌氧化物(NbOx)靶材的材料成本比硅(Si)靶材的材料成本高，造成该触控面板(Touch panel)在成形该光学匹配层的成本增加，且必须同时管控两种靶材(即铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材)，造成原物料的管控较为不易。

其三、该光学匹配层中的铌氧化物(NbOx)层光学折射率(ｎ)值较高，通常是大于2，而膜厚对该光学匹配层的搭配影响甚巨，故机台膜厚均匀性需控制在小于5%或3%，制程范围过小稳定性控制不易，凸显出良率较低的缺陷。

因此，需要开发出一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要提升该光学匹配层的制程产能。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要降低该光学匹配层的材料成本及原物料管控成本。

本发明还要解决的技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要提升该光学匹配层的良率。

为解决上述问题，本发明提供一种具光学匹配层结构的触控面板，包含：一基板；一图案化电极，设置于该基板上；以及一光学匹配层结构，设置于该基板与该图案化电极之间，其中该光学匹配层包含：一第一薄膜层，成形在该基板，并具有一成形在该基板表面的第一表面、及一反向于该第一表面的第二表面；一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第三表面、及一反向于该第三表面且供该图案化电极成形的第四表面。

较佳地，更包含一保护层，设置于该图案化电极上且至少部份覆盖该图案化电极。

较佳地，该图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。

较佳地，各该第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的桥接部，该桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。

较佳地，更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。

较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第四表面并覆盖该图案化电极、该导线与该外围走线，其中该保护层具有至少一接触开口且该接触开口至少暴露部分该外围走线。

较佳地，更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该导线及该外围走线配置。

较佳地，该图案化电极与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该导线与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该图案化电极、该导线与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该第一薄膜层的折射率大于该第二薄膜层的折射率。

较佳地，该第一薄膜层为一氮化硅(SiNx)层，该第二薄膜层为一硅氧化物(SiOx)层，且该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.55至1.42之间。

其次，为解决上述问题，本发明提供一种具光学匹配层结构的触控面板，包含：一基板；一图案化电极，设置于该基板上；以及一光学匹配层结构，设置于该基板，且该图案化电极位于该光学匹配层结构与该基板之间，其中该光学匹配层包含：一第一薄膜层，成形在该基板且包覆该图案化电极，并具有一成形在该基板表面的第一表面、一反向于该第一表面的第二表面、及一连接该第一表面并成形在该图案化电极表面的第三表面；一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第四表面、及一反向于该第四表面的第五表面。

较佳地，该图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。

较佳地，各该第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的桥接部，该桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。

较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面且至少对应该绝缘层。

较佳地，更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。

较佳地，该第一薄膜层与该第二薄膜层覆盖该基板，该第一薄膜层与该第二薄膜层各具有至少一开口，且该开口至少暴露部分该外围走线。

较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面并覆盖该基板，该保护层具有至少一接触开口，且该接触开口至少暴露部分该外围走线。

较佳地，更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该导线及该外围走线配置。

较佳地，该图案化电极部分覆盖该装饰层。

较佳地，该绝缘层至少配置于图案化电极与该装饰层之间。

较佳地，该图案化电极与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该导线与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该图案化电极、该导线与该外围走线为相同导电材料。

较佳地，该第一薄膜层的折射率小于该第二薄膜层的折射率。

较佳地，该第一薄膜层为一硅氧化物(SiOx)层，该第二薄膜层为一氮化硅(SiNx)层，且该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.55至1.42之间。

最后，为解决上述问题，本发明提供一种触控面板的光学匹配层的成形方法，包含在一镀膜腔体内设置硅(Si)靶材、硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材，并配合通入氩(Ar)气体及氧(O2)气体，藉以反应形成一硅氧化物(SiOx)层，通入通入氩(Ar)气体及氮(N2)气体，藉以反应形成一与该硅氧化物(SiOx)层结合的氮化硅(SiNx)层。

较佳地，控制该氧(O2)气体的流量介于50至300之间，使该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.85至1.42之间。

较佳地，控制该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.55至1.42之间。

较佳地，控制该氮(N2)气体的流量介于150至480之间，使该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.66至1.95之间。

较佳地，控制该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.75至1.95之间。

附图说明

图1是本发明第一实施例的示意图，显示光学匹配层的结构组态。

图2是本发明第一实施例的成形方法示意图。

图3A是本发明第一实施例的曲线图，显示氧(O2)气体流量对硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值的变化。

第3B图3B是本发明第一实施例的曲线图，显示氮(N2)气体流量对氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值的变化。

图4是本发明第二实施例的示意图，显示光学匹配层的结构组态。

图5是本发明第二实施例的成形方法示意图。

图6是本发明第三实施例的上视图，显示本发明的结构状态。

图7是本发明第三实施例的剖面图，显示本发明的结构状态。

图8是本发明第三实施例的剖面图，显示本发明的另一种结构状态。

图9是本发明第四实施例的剖面图，显示本发明的结构状态。

图10是本发明第四实施例的剖面图，显示本发明的另一种结构状态。

图11是本发明第四实施例的剖面图，显示本发明的再一种结构状态。

图12是本发明第四实施例的剖面图，显示本发明的次一种结构状态。

附图标记说明

10是基板

11是表面

20是图案化电极

21是第一轴向电极

211是电极部

212是桥接部

212是第二轴向电极22

30是氮化硅(SiNx)层

31是第一氮化硅表面

32是第二氮化硅表面

33是开口

40是硅氧化物(SiOx)层

41是第一硅氧化物表面

42是第二硅氧化物表面

43是第三硅氧化物表面

44是开口

50是保护层

51是接触开口

60是绝缘层

71是导线

72是外围走线

80是装饰层

91是镀膜腔体

92是硅(Si)靶材

93是氩(Ar)气体

94是氮(N2)气体

95是氧(O2)气体

具体实施方式

参阅图1所示，本发明第一实施例所提供的一种具光学匹配层结构的触控面板，其主要是由一基板10、一图案化电极20、及一光学匹配层所组成，其中：

该基板10，具有一表面11。

该图案化电极20，设置于该基板10上。

该光学匹配层结构，设置于该基板10与该图案化电极20之间，其中该光学匹配层包含一第一薄膜层及一第二薄膜层，且该第一薄膜层的折射率大于该第二薄膜层的折射率，需先说明的是，本实施例中该第一薄膜层为氮化硅(SiNx)层30、且对应所述的该第一薄膜层的第一、二表面为第一、二氮化硅表面31、32，该第二薄膜层为硅氧化物(SiOx)层40、且对应所述的该第二薄膜层的第三、四表面为第一、二硅氧化物表面41、42，其中：

该氮化硅(SiNx)层30，成形在该基板10，并具有一成形在该基板10表面11的第一氮化硅表面31、及一反向于该第一氮化硅表面31的第二氮化硅表面32。

该硅氧化物(SiOx)层40，成形在该氮化硅(SiNx)层30，并具有一成形在该第二氮化硅表面32的第一硅氧化物表面41、及一反向于该第一硅氧化物表面41且供该图案化电极20成形的第二硅氧化物表面42；本实施例中，该第二硅氧化物表面42同时供该图案化电极20及一至少部分覆盖该图案化电极20的保护层50所成形。

以上所述即为本发明第一实施例各主要结构说明。至于本发明的成形方法及功效作以下说明。

参阅图2所示，该触控面板的光学匹配层的成形方法，包含在一镀膜腔体91内设置三硅(Si)靶材92(亦可为硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)，并对应其中的一硅(Si)靶材92而通入氩(Ar)气体93及氮(N2)气体94，藉以反应形成该氮化硅(SiNx)层30，对应其中的二硅(Si)靶材92而配合通入氩(Ar)气体93及氧(O2)气体95，藉以反应形成一与该氮化硅(SiNx)层30结合的该硅氧化物(SiOx)层40。

参阅图3A所示，例如当通入的氧(O2)气体流量越多，该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值则越小，本实施例中是控制该氧(O2)气体的流量介于50至300之间，使该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.85至1.42之间，而最佳是控制该硅氧化物(SiOx)层的折射率(ｎ)值介于1.55至1.42之间，但并不限以此方式为限，也可以藉由控制镀膜的温度、功率或是电压等参数达到调整不同折射率变化的方式。

参阅图3B所示，当通入的氮(N2)气体流量越多，该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值则越大，本实施例中是控制该氮(N2)气体的流量介于150至480之间，使该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.66至1.95之间，而最佳是控制该氮化硅(SiNx)层的折射率(ｎ)值介于1.75至1.95之间，但并不限以此方式为限，也可以藉由控制镀膜的温度、功率或是电压等参数达到调整不同折射率变化的方式。

据此，由于本发明的光学匹配层主要是由氮化硅(SiNx)层30及硅氧化物(SiOx)层40所组成，因此，该光学匹配层在成形时所使用的镀膜机台，其在镀膜腔体91内仅需架设单一种硅(Si)靶材92(当然也可架设硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)，并通入特定气体后即可反应成形该氮化硅(SiNx)层30或硅氧化物(SiOx)层40，是以，该光学匹配层的制程上，所架设的该硅(Si)靶材92皆可被利用到，而不需更换把材，藉以提升镀膜机台利用率、产能极大化及靶材配置最少化，最终达到提升该光学匹配层制程产能的目的。

另外，本发明更可达到下列目的及功效。

其一、由于本发明的光学匹配层所使用的硅(Si)靶材92(或硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)成本较普通光学匹配层所使用的铌(Nb)靶材及铌氧化物(NbOx)靶材的材料成本低(预估可低于30%)，因此，本发明的光学匹配层的成形成本较低，且仅须管控单一靶材(即硅(Si)靶材、硅-铝(Si-Al)靶材、或硅-硼(Si-B)靶材)，达到降低该光学匹配层的材料成本及原物料管控成本的目的。

其二、由于本发明的光学匹配层中的氮化硅(SiNx)层30及硅氧化物(SiOx)层40的光学折射率(ｎ)值较低于普通光学匹配层中的铌氧化物(NbOx)层光学折射率(ｎ)值，因此，本发明可将该氮化硅(SiNx)层30的光学折射率(ｎ)值调控在该1.75～1.95，并搭配将硅氧化物(SiOx)层40的光学折射率(ｎ)值调控在1.42～1.55，使得膜厚均匀性控制在小于10%即可达该光学匹配层需求效果，故本发明制程范围大较易控制，确实达到提升该光学匹配层良率的目的。

参阅图4、5所示，本发明第二实施例所提供的一种具光学匹配层结构的触控面板，其同样是由一基板10、一图案化电极20、及一光学匹配层所组成，由于其功效、目的及成形方法同于第一实施例，故不再赘述，至于第二实施例不同之处在于：

该光学匹配层结构，设置于该基板10，且该图案化电极20位于该光学匹配层结构与该基板10之间，其中该光学匹配层主要是由一第一薄膜层及一第二薄膜层所组成，且该第一薄膜层的折射率小于该第二薄膜层的折射率，需先说明的是，本实施例中该第一薄膜层为硅氧化物(SiOx)层40、且对应所述的该第一薄膜层的第一、二、三表面为第一、二、三硅氧化物表面41、42、43，该第二薄膜层为氮化硅(SiNx)层30、且对应所述的该第二薄膜层的第四、五表面为第一、二氮化硅表面31、32，其中：

该硅氧化物(SiOx)层40，成形在该基板10且包覆该图案化电极20，并具有一成形在该基板10表面11的第一硅氧化物表面41、一反向于该第一硅氧化物表面41的第二硅氧化物表面42、及一连接该第一硅氧化物表面41并成形在该图案化电极20表面的第三硅氧化物表面43。

该氮化硅(SiNx)层30，成形在该硅氧化物(SiOx)层40，并具有一成形在该第二硅氧化物表面42的第一氮化硅表面31、及一反向于该第一氮化硅表面31的第二氮化硅表面32。

因此，此形态的光学匹配层的成形方法，是在镀膜腔体91内设置三硅(Si)靶材92后，先应其中的二硅(Si)靶材92而配合通入氩(Ar)气体93及氧(O2)气体95，藉以反应形成该硅氧化物(SiOx)层40，再对应其中的一硅(Si)靶材92而通入氩(Ar)气体93及氮(N2)气体94，藉以反应形成一与该硅氧化物(SiOx)层40结合的该氮化硅(SiNx)层30。

参阅图6、7所示，为本发明的第三实施例，其主要显示本发明的光学匹配层应用在触控面板的状态，该光学匹配层的架构同于第一实施例，故不再赘述，至于其不同处在于图6、7中呈现出完整的触控面板的结构组态，其中：

该图案化电极具有多个第一轴向电极21及与该些第一轴向电极21绝缘的多个第二轴向电极22，各该第一轴向电极21包含多个电极部211、及电性连接相邻电极部211且对应各该第二轴向电极22的多个桥接部212，且该些桥接部212成形在该硅氧化物(SiOx)层40的第二硅氧化物表面42，又各该桥接部212与各该第二轴向电极22之间设有一绝缘层60。

另外，在该图案化电极的至少一侧设有多个导线71及外围走线72，各该导线71与各该外围走线72电性连接，且各该第一轴向电极21与各该第二轴向电极22分别经由各该导线71与各该外围走线72电性连接。

该触控面板更包含一至少部份覆盖该图案化电极的保护层50，本实施例中，该保护层50是全面成形在图案化电极、导线71及外围走线72的表面，且该保护层50具有至少一接触开口51，且该接触开口51是至少暴露部分对应的该外围走线72，以供外部组件(例如软性电路板FPC)透过该接触开口51而与该等外围走线72电性连接，藉以达成另一实施状态。

其中上述的图案化电极材质举例而言可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物等可导电且光穿透率佳的金属氧化物或是网格状金属、奈米银丝、石墨烯、硅烯、或者是上述至少二者的堆栈层或者是金属氧化物与金属组合的堆栈结构，例如是铟锡氧化物/银/铟锡氧化物，但并不以此为限；桥接部212与导线71举例而言可以是金、银、铜、铝、铬、铂、铑、钼、钛、镍、铟、锡或其合金、或上述金属的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者、或者是上述至少二者的堆栈层、或者是奈米银丝、石墨烯、硅烯，但并不以此为限；而外围走线72的材质可以与图案化电极或是导线71相同。另外，图案化电极、导线71及外围走线72也可以是由同一导电材料所形成；保护层50可以是有机材料、无机材料或是混成材料。

此外，参阅图8所示，在第三实施例中当基板10为一覆盖板时，该触控面板更包含一装饰层80，该装饰层80位于该触控面板周边的至少一侧并对应于在导线71及外围走线72区域配置，且设置于该氮化硅(SiNx)层30的第一氮化硅表面31与该基板10的表面11之间。

另外，也可以在该第一轴向电极21的电极部211部分与该硅氧化物(SiOx)层40的第二硅氧化物表面42之间设置该绝缘层60；其中覆盖板可包括玻璃覆盖板、塑料覆盖板或其他具有高机械强度材质所形成具有保护(例如防刮)、覆盖或是美化其对应装置的基板。覆盖板可为平面形状或曲面形状，或前述的组合，但并不以此为限。另外，也可以选择在覆盖板面向使用者进行操作的一侧设置一防污镀膜(Anti-Smudge Coating)。

参阅图9所示，为本发明的第四实施例，其主要显示本发明的光学匹配层应用在触控面板的状态，该光学匹配层的架构同于第二实施例，故不再赘述，至于其不同处在于图9中呈现出完整的触控面板的结构组态，其中：

该图案化电极具有多个第一轴向电极21及与该些第一轴向电极21绝缘的多个第二轴向电极22，各该第一轴向电极21包含多个电极部211、及电性连接相邻电极部211且对应各该第二轴向电极22的多个桥接部212，且该些桥接部212成形在该基板10的表面11，又各该桥接部212与各该第二轴向电极22之间设有一绝缘层60。

另外，该触控面板更包含一保护层50，对应该绝缘层60处在该氮化硅(SiNx)层30的第二氮化硅表面32成形有该保护层50，或者如图10所示，该保护层50是全面成形在该氮化硅(SiNx)层30的第二氮化硅表面32。

另外，在该图案化电极的至少一侧设有多个导线71及外围走线72，各该导线71与各该外围走线72电性连接，且各该第一轴向电极21与各该第二轴向电极22分别经由各该导线71与各该外围走线72电性连接。

复参阅图9所示，该保护层50也可设置在导线71及外围走线72区域，而该保护层50具有至少一接触开口51，且该接触开口51是至少暴露部分对应的该外围走线72，以供外部组件(例如软性电路板FPC)透过该接触开口51而与该等外围走线72电性连接，藉以达成另一实施状态。

其中上述的图案化电极、导线71及外围走线72的材料搭配设计可与实施例三相同。

此外，参阅图11所示，在第四实施例中当基板10为一覆盖板时，该触控面板更包含一装饰层80，本实施例中，该装饰层80设置于该硅氧化物(SiOx)层40的第一硅氧化物表面41与该基板10的表面11之间，且该装饰层80位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该导线71及该外围走线72配置，且该装饰层80至少设置在该导线71与该基板10的表面11之间，亦可同时被该图案化电极部分所覆盖，第11图中，该装饰层80是被第一轴向电极21部分的电极部211所覆盖。

另外，该绝缘层60至少配置于图案化电极与该装饰层80之间，亦即在该第一轴向电极21的电极部211部分与该装饰层80之间设置该绝缘层60；其中覆盖板可与第三实施例相同；同样的，该图案化电极、导线71及外围走线72的材质也与第三实施例相同。

参阅图12所示，第四实施例中，可不需设置该保护层，并在该图案化电极的至少一侧设有多个导线71及多个外围走线72、及让各该第一轴向电极21与各该第二轴向电极22分别经由各该导线71与各该外围走线72电性连接的状态下，让该氮化硅(SiNx)层30与该硅氧化物(SiOx)层40覆盖该基板10，该氮化硅(SiNx)层30与该硅氧化物(SiOx)层40各具有至少一开口33、44，且该开口33、44至少暴露部分该外围走线72，以供外部组件(例如软性电路板FPC)透过该开口33、44而与该等外围走线72电性连接，藉以达成另一实施状态。

值得注意的是，上述内容中有关于将光学匹配层与导电电极设置于基板表面的实施说明，并不限定光学匹配层与导电电极须直接接触基板表面，实际上导电电极与基板表面之间也可以依据需求而配置其他未绘示的膜层，本发明并不限于上述的实施方式。

综上所述，上述各实施例及图示仅为本发明之较佳实施例而已，当不能以之限定本发明实施之范围，即大凡依本发明所作之均等变化与修饰，皆应属本发明专利涵盖之范围内。

Claims (32)

1.一种具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：包含：

一基板；

一图案化电极，设置于该基板上；以及

一光学匹配层结构，设置于该基板与该图案化电极之间，其中该光学匹配层包含：

一第一薄膜层，成形在该基板，并具有一成形在该基板表面的第一表面、及一反向于该第一表面的第二表面；

一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第三表面、及一反向于该第三表面且供该图案化电极成形的第四表面。

2.如权利要求1所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一保护层，设置于该图案化电极上且至少部份覆盖该图案化电极。

3.如权利要求1所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。

4.如权利要求3所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述各第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的多个桥接部，该些桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。

5.如权利要求3所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。

6.如权利要求5所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第四表面并覆盖该图案化电极、该些导线与该些外围走线，其中该保护层具有至少一接触开口且该接触开口至少暴露部分该外围走线。

7.如权利要求5所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该些导线及该些外围走线配置。

8.如权利要求5所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极与该些外围走线为相同导电材料。

9.如权利要求5所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述些导线与该些外围走线为相同导电材料。

10.如权利要求5所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极、该些导线与该些外围走线为相同导电材料。

11.如权利要求1所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述第一薄膜层的折射率大于该第二薄膜层的折射率。

12.如权利要求1所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述第一薄膜层为一氮化硅层，该第二薄膜层为一硅氧化物层，且该氮化硅层的折射率值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物层的折射率值介于1.55至1.42之间。

13.一种具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：包含：

一基板；

一图案化电极，设置于该基板上；以及

一光学匹配层结构，设置于该基板，且该图案化电极位于该光学匹配层结构与该基板之间，其中该光学匹配层包含：

一第一薄膜层，成形在该基板且包覆该图案化电极，并具有一成形在该基板表面的第一表面、一反向于该第一表面的第二表面、及一连接该第一表面并成形在该图案化电极表面的第三表面；

一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第四表面、及一反向于该第四表面的第五表面。

14.如权利要求13所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。

15.如权利要求14所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述各第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的多个桥接部，该些桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。

16.如权利要求15所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面且至少对应该绝缘层。

17.如权利要求14所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。

18.如权利要求17所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于:所述第一薄膜层与该第二薄膜层覆盖该基板，该第一薄膜层与该第二薄膜层各具有至少一开口，且各该开口至少暴露部分该外围走线。

19.如权利要求18所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面并覆盖该基板，该保护层具有至少一接触开口，且该接触开口至少暴露部分该外围走线。

20.如权利要求17所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该些导线及该些外围走线配置。

21.如权利要求20所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极部分覆盖该装饰层。

22.如权利要求21所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述各绝缘层至少配置于图案化电极与该装饰层之间。

23.如权利要求17所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极与外围走线为相同导电材料。

24.如权利要求17所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述导线与外围走线为相同导电材料。

25.如权利要求17所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述图案化电极、该些导线与该些外围走线为相同导电材料。

26.如权利要求13所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述第一薄膜层的折射率小于该第二薄膜层的折射率。

27.如权利要求13所述的具光学匹配层结构的触控面板，其特征在于：所述第一薄膜层为一硅氧化物层，该第二薄膜层为一氮化硅层，且该氮化硅层的折射率值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物层的折射率值介于1.55至1.42之间。

28.一种触控面板的光学匹配层的成形方法，其特征在于：包含在一镀膜腔体内设置硅靶材、硅-铝靶材、或硅-硼靶材，并配合通入氩气体及氧气体，藉以反应形成一硅氧化物层，通入通入氩气体及氮气体，藉以反应形成一与该硅氧化物层结合的氮化硅层。

29.如权利要求28所述的触控面板的光学匹配层的成形方法，其特征在于：控制该氧气体的流量介于50至300之间，使该硅氧化物层的折射率值介于1.85至1.42之间。

30.如权利要求28所述的触控面板的光学匹配层的成形方法，其特征在于：控制该硅氧化物层的折射率值介于1.55至1.42之间。

31.如权利要求28所述的触控面板的光学匹配层的成形方法，其特征在于：控制该氮气体的流量介于150至480之间，使该氮化硅层的折射率值介于1.66至1.95之间。

32.如权利要求31所述的触控面板的光学匹配层的成形方法，其特征在于：控制该氮化硅层的折射率值介于1.75至1.95之间。