CN105137636A - 一种显示基板及其制作方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法和显示面板，用以解决现有技术中使用激光切割技术进行对盒切割时所导致的PAD区域金属线被损坏的问题。其中，所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

Description

一种显示基板及其制作方法和显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示面板。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示技术的发展和工业技术的进步，液晶显示技术已经取代了阴极射线管技术显示成为日常显示领域的主流技术。由于液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，其本身所具有的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器件。目前市场上立体显示技术日益兴起，故而解决立体显示技术上的技术缺点，改善成像质量(如减小色偏，减少亮点、亮线，降低立体串扰，画面闪烁，增大可视角度等)也变的日益重要。

薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，缩写为TFT-LCD)包括阵列基板、对盒基板以及位于阵列基板和对盒基板之间的液晶层。阵列基板中设置有相互交叉的栅扫描线和数据线，栅扫描线和数据线分别被用作传输扫描驱动信号和图像数据信号，来实现对液晶分子偏转的控制，从而进一步控制光线的强弱，在对盒基板的共同作用下，实现图像的显示。

在LCD的制造工艺中，需要对阵列基板1与对盒基板2对盒以形成的一整块较大的面板上的指定位置进行切剖，进而形成一个个独立的液晶盒，为显露出阵列基板1上的PAD区域101，需将对盒基板2与其对应的区域均切割掉。如图1所示，沿切割线A切割阵列基板1及对盒基板2，形成独立的液晶盒，再沿对盒基板切割线B切割对盒基板2，以显露出阵列基板1的PAD区域101。

当前一般采用刀轮切割工艺或激光切割工艺进行对盒切割。由于刀轮切割工艺会导致切割边缘不整齐(参见图2)，且切割的废材还可能对临近的PAD区域101的数据线造成直接损伤，因此目前较多的采用激光切割工艺。但是，在使用激光切割时，由于机台不平整、激光强度大等因素，可能会造成激光脉冲的不稳定，进而造成阵列基板PAD区域金属线被灼伤的情况(参见图3)，如若减小激光强度，则可能会造成有的区域不能被完全切割问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示面板，用以解决现有技术中使用激光切割技术进行对盒切割时所导致的PAD区域金属线被损坏的问题。

本发明实施例提供了一种所述显示基板，所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

本发明实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。由于该显示基板在切割区域的上方设置有缓存层，所述缓存层可以防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏，对所述PAD区域的金属线起到保护作用，使得在切割过程中可适当增大激光的强度，解决现有技术中因激光强度过大而导致的PAD区域的金属线被灼伤的问题。

较佳的，所述缓冲层包括多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层。

由于多层高折射率材料层和低折射率材料层交替设置时具有良好的反射作用，因此可使得照射到与PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，从而达到避免PAD区域的金属线被激光情况。

较佳的，所述缓冲层中高折射率材料层和低折射率材料层的总层数为5～20层，每层高折射率材料层或低折射率材料层的厚度为20～80nm。

当所述缓冲层中高折射率材料层和低折射率材料层的总层数为5～20层，每层高折射率材料层或低折射率材料层的厚度为20～80nm时，该缓冲层具有良好的反光效果，能够将PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，同时也不会应为膜层厚度太大而影响对盒质量。

较佳的，所述高折射率材料包括：氧化镁、氮化硅、五氧化二钽、氧化锌和二氧化钛中的一种或多种；所述低折射率材料包括：氟化镁、氧化硅、三氧化二硅和氮化钛中的一种或多种。

较佳的，所述缓冲层包括交替设置的4个氮化硅层和4个氧化硅层。

所述4个氮化硅层和4个氧化硅层交替设置时即可达到将PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉的效果，且氮化硅和氧化硅层价格低廉、层结构制作工艺简单，有利于提高生产效率，降低生产成本。

较佳的，所述缓冲层面向所述衬底基板的一侧为所述缓冲层的底部，位于所述缓冲层底部的材料层为高折射率材料层。

当所述缓冲层面向所述衬底基板的一侧为所述缓冲层的底部，位于所述缓冲层底部的材料层为高折射率材料层时，可提高缓冲层的反射效果。

较佳的，所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同。

由于在对盒切割工艺中是沿着所述显示基板的短边进行切割的，因此当所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同时，可有效保护与切割线临近的PAD区域的金属线不被损害。

较佳的，所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极；所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间。

当所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极，所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间时，所述缓冲层还可以对所述薄膜晶体管起到保护作用，不需要在所述薄膜晶体管和像素电极设置钝化层，有利于简化生产工艺，降低生产成本。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的显示基板。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了显示基板的制作方法，所述方法包括在衬底基板上形成显示区域的步骤和形成PAD区域的步骤；所述方法还包括在所述衬底基板上与对盒基板的切割线对应的切割区域形成缓冲层的步骤，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显示基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

本发明实施例提供的方法形成的显示基板，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。由于该显示基板在切割区域的上方设置有缓存层，所述缓存层可以防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏，对所述PAD区域的金属线起到保护作用，使得在切割过程中可适当增大激光的强度，解决现有技术中因激光强度过大而导致的PAD区域的金属线被灼伤的问题。

较佳的，所述形成缓冲层的步骤包括：

采用高折射率材料和低折射率材料，形成包含多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层的缓冲层。

由于多层高折射率材料层和低折射率材料层交替设置时具有良好的反射作用，因此采用高折射率材料和低折射率材料形成得到包含多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层的缓冲层可使得照射到与PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，从而达到避免PAD区域的金属线被激光情况。

附图说明

图1为现有技术中显示面板的平面图；

图2为现有技术中由刀轮切割工艺所导致的切割边缘不整齐的情况；

图3为现有技术中PAD区域金属线被灼伤的情况；

图4为本发明实施例一提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图5为本发明实施例一中缓冲层的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的不同波长的光在8层缓冲层中的透过率；

图7为本发明实施例提供的不同波长的光在10层缓冲层中的透过率；

图8a为在膜层边界处电场的分布示意图；

图8b为单层膜膜厚与其反射率的关系示意图；

图9为本发明实施例二提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图10a为本发明实施例三提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图10b为与本发明实施例三提供的显示基板对应对盒基板的切割示意图；

图10c为本发明实施例三提供的显示基板的切割示意图；

图11为本发明实施例四提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图12-16为本发明实施提供的显示基板的制作方法流程示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示面板，用以解决现有技术中使用激光切割技术进行对盒切割时所导致的PAD区域金属线被损坏的问题。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本发明实施例提供了一种所述显示基板，参见图4；从图4中可以看出所述显示基板包括衬底基板41，设置在所述衬底基板41上的显示区域42、PAD区域43，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层44，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

本发明实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。由于该显示基板在切割区域的上方设置有缓存层，所述缓存层可以防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏，对所述PAD区域的金属线起到保护作用，使得在切割过程中可适当增大激光的强度，解决现有技术中因激光强度过大而导致的PAD区域的金属线被灼伤的问题。

进一步的，所述缓冲层包括多层交替设置的高折射率材料层51和低折射率材料层52，参见图5。

由于多层高折射率材料层和低折射率材料层交替设置时具有良好的反射作用，因此可使得照射到与PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，从而达到避免PAD区域的金属线被激光情况。

进一步的，所述缓冲层中高折射率材料层51和低折射率材料层52的总层数为5～20层，每层高折射率材料层或低折射率材料层的厚度为20～80nm。

当所述缓冲层中高折射率材料层和低折射率材料层的总层数为5～20层，每层高折射率材料层或低折射率材料层的厚度为20～80nm时，该缓冲层具有良好的反光效果，能够将PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，同时也不会应为膜层厚度太大而影响对盒质量。

本发明实施例中，所述高折射率材料包括：氧化镁、氮化硅、五氧化二钽、氧化锌和二氧化钛中的一种或多种；所述低折射率材料包括：氟化镁、氧化硅、三氧化二硅和氮化钛中的一种或多种。此外，所述高折射率材料或/和低折射率材料还可以包括具有类似性质其它的材料。

较佳的，所述缓冲层包括交替设置的4个氮化硅层和4个氧化硅层。

所述4个氮化硅层和4个氧化硅层交替设置时即可达到将PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉的效果，且氮化硅和氧化硅层价格低廉、层结构制作工艺简单，有利于提高生产效率，降低生产成本。

本发明实施例中采用等离子体气相沉积的方法交替沉积氮化硅、氧化硅共计8层，氮化硅和氧化硅所组成的缓冲层用0.66H|(LH)⁴|L表示，其中，H为单层氮化硅的厚度，L表示单层氧化硅的厚度，(LH)⁴表示氧化硅和氮化硅以上述厚度一次交替沉积4次。制备出的缓冲层的透过率曲线如图6所示，从图中可以看出，该缓冲层对波长较短的光具有较好的反射作用，因此可以有效防止切割过程中紫外光灼伤PAD区域的金属线。此外，本实施例中氮化硅厚度为36nm，氧化硅厚度为52nm，其实际厚度应根据需要进行设置。

除此之外，还可以使用氧化硅和二氧化钛作为制作所述缓冲层的材料，通过蒸发的方法制备|(HL)³|a-Si膜系的缓冲层，其中H用TiO₂(30nm)替代，L用SiO₂(52nm)替代，利用氧化硅和二氧化钛制备的缓存层总层数为10层，其同样具有较好的反光效果，参见图7，从图7中可以看出缓冲层对波长小于308nm的紫外光的反射率达到89％以上，而在可见光范围内光的透过率为90％以上，因此采用氧化硅和二氧化钛作为制作所述缓冲层同样可以很好的能达到紫外截止的效果。此处不再赘述由其它高折射率材料和低折射率材料制作的缓冲层的反光效果。

需指出的是，缓冲层中每一单层膜的厚度并不等于单层材料层的厚度，缓冲层中的每一单层膜厚度需要根据所使用的激光进行预先设置，以制备出适用于切割时所使用的激光的缓冲层，以使用氧化硅和氮化硅作为制作9层的缓冲层为例，当H＝30nm，L＝52nm时，总厚度为

0.18H+3.92L+0.28L+0.5H+0.92L+1.15H+0.56L+0.89H+2.01L＝481.5nm

参见图8a和8b，对于膜层厚度为d，波长为λ₀的激光来说，根据薄膜的电场和磁场的边界条件：

$E_0=E_0^{+}+E_0^{-}=E_{11}^{+}+E_{11}^{-}$

$H_0=H_0^{+}+H_0^{-}={\mathrm{\η}}_1{H}_{11}^{+}+{\mathrm{\η}}_1{H}_{11}^{-}$

其中，η₁常数，H为磁场强度，E为电场强度。

以及，薄膜的特征矩阵：

$\left[\begin{array}{cc}{\mathrm{cos\δ}}_1& \frac{i}{{\mathrm{\η}}_1}{\mathrm{sin\δ}}_1\\ {\mathrm{i\η}}_1{\mathrm{sin\δ}}_1& {\mathrm{cos\δ}}_1\end{array}\right]$

可推知： ${\mathrm{\δ}}_1=\frac{2\mathrm{\π}}{{\mathrm{\λ}}_0}ndcos\mathrm{\θ}=m\frac{\mathrm{\π}}{2}$

即：其中，M为常量，n为膜层的折射率。从该公式中可知，当膜厚为λ₀/4的奇数倍时，膜层的反射率最大，因此可据此公式以及实际需要设定每一材料层的厚度，以使得所述缓冲层整体反光效果最佳。

进一步的，所述缓冲层44面向所述衬底基板41的一侧为所述缓冲层的底部，位于所述缓冲层底部的材料层为高折射率材料层。

当所述缓冲层面向所述衬底基板的一侧为所述缓冲层的底部，位于所述缓冲层底部的材料层为高折射率材料层时，可提高缓冲层的反射效果。

进一步的，所述缓冲层44的长度与所述显示基板的短边长度相同。

由于在对盒切割工艺中是沿着所述显示基板的短边进行切割的，因此当所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同时，可有效保护与切割线临近的PAD区域的金属线不被损害。

本发明实施例二还提供了一种显示基板，所述显示基板与本发明实施例一提供的显示基板结构基本相同，不同之处在于，本发明实施例一种的缓冲层仅覆盖切割区域，而本发明实施例二提供的显示基板中，在制作的过程中采用掩膜板盖住显示区域，在PAD区域进行沉积高折射率材料和低折射率材料，使得缓冲层44覆盖了整个PAD区域(参见图9)，用于阻挡照射在PAD区域的激光，同时所述缓冲层还可以保护PAD区域中的金属线在搬运等其它过程中免受损坏。

发明实施例三还提供了一种显示基板，所述显示基板与本发明实施例一提供的显示基板结构基本相同，不同之处在于，本发明实施例一种的缓冲层仅覆盖切割区域，而本发明实施例三提供的显示基板中(参见图10a)，不再使用掩膜板，在所述显示基板上依次沉积高折射率材料和低折射率材料，使得缓冲层44覆盖了整个显示基板，然后可以采取双面切割方向进行切割(参见图10b和10c)，同样可以达到保护PAD区域的金属线不会被激光损坏的目的。

发明实施例四还提供了一种显示基板，所述显示基板与本发明实施例一提供的显示基板结构基本相同，不同之处在于，本发明实施例一种的缓冲层仅覆盖切割区域，而本发明实施例四提供的显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管(包括栅极121、栅绝缘层122、有源层123、源极124和漏极125)和像素电极46(参见图11)；所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间，用于取代目前技术中设置在薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间的钝化层。

当所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极，所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间时，所述缓冲层还可以对所述薄膜晶体管起到保护作用，不需要在所述薄膜晶体管和像素电极额外设置钝化层，有利于简化生产工艺，降低生产成本。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成显示区域的步骤和形成PAD区域的步骤；所述方法还包括在所述衬底基板上与对盒基板的切割线对应的切割区域形成缓冲层的步骤，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显示基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

进一步的，所述形成缓冲层的步骤包括：

采用高折射率材料和低折射率材料，形成包含多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层的缓冲层。

由于多层高折射率材料层和低折射率材料层交替设置时具有良好的反射作用，因此采用高折射率材料和低折射率材料形成得到包含多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层的缓冲层可使得照射到与PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉，从而达到避免PAD区域的金属线被激光情况。

进一步的，所述高折射率材料包括：氧化镁、氮化硅、五氧化二钽、氧化锌和二氧化钛中的一种或多种；所述低折射率材料包括：氟化镁、氧化硅、三氧化二硅和氮化钛中的一种或多种。

进一步的，所述形成缓冲层的步骤具体包括：在衬底基板上反复沉积氮化硅材料和氧化硅材料，形成包括交替设置的4个氮化硅层和4个氧化硅层的缓冲层。

所述4个氮化硅层和4个氧化硅层交替设置时即可达到将PAD区域的激光大部分甚至全部被反射掉的效果，且氮化硅和氧化硅层价格低廉、层结构制作工艺简单，有利于提高生产效率，降低生产成本。

进一步的，形成的所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同。

由于在对盒切割工艺中是沿着所述显示基板的短边进行切割的，因此当所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同时，可有效保护与切割线临近的PAD区域的金属线不被损害。

进一步的，当所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极时，所述方法还包括：

在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形；

在所述包括薄膜晶体管的图形的基板上形成缓冲层；

在包括所述缓冲层的基板上形成包括像素电极的图形。

当所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极，所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间时，所述缓冲层还可以对所述薄膜晶体管起到保护作用，不需要在所述薄膜晶体管和像素电极设置钝化层，有利于简化生产工艺，降低生产成本。

下面，以本发明实施例四提供的显示基板为例，详细介绍一下所述显示基板的制作方法，具体步骤包括：

第一步，在衬底基板41上形成包括薄膜晶体管的图形。该步骤具体包括：

步骤一，参见图12，在所述衬底基板41形成包括栅极121的图形；该步骤具体包括：

在衬底基板41上形成(如溅射或涂覆等)一层用于形成栅极的金属薄膜；接着，在金属薄膜上涂覆一层光刻胶；然后，用设置有包括栅极、栅线和公共电极线的图形的掩模板对光刻胶进行曝光；最后经显影、刻蚀后形成包括栅极、栅线和公共电极线的图形。本实施例显示基板的制作方法中，涉及到通过构图工艺形成的膜层的制作工艺与此相同，此后不再详细赘述。

在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

步骤二，参见图13，在所述包括栅极121的图形的基板上沉积氮化硅或氧化硅层，形成栅绝缘层122。

步骤三，参见图14，在包括所述栅绝缘层122的基板上形成包括有源层123的图形；该步骤具体包括：通过等离子体增强化学气相沉积法或其他类似方法，在栅绝缘层的上方形成非晶硅薄膜层，然后通过激光退火工艺或固相结晶工艺等工艺过程，使得非晶硅结晶化，形成多晶硅薄膜层，并通过构图工艺处理形成包含低温多晶硅有源层的图形；所述有源层的图形形成在所述栅绝缘层上。此外，所述有源层还可以采用半导体金属氧化物等材料形成。

步骤四，参见图15，在所述包括有源层123的图形的基板上沉积一金属层，然后通过构图工艺处理，形成包括源极124和漏极125的图形。

第二步，参见图16，在所述包括薄膜晶体管的图形的基板上沉积氮化硅和氧化硅，形成包括交替设置的4个氧化硅和4个氮化硅层的缓冲层44，所述缓冲层覆盖了整个所述显示基板；并通过构图工艺在所述像素电极与所述漏极对应的位置形成过孔，使得像素电极与所述漏极电连接。具体工艺中，氮化硅对应的反应气体为氢化硅、氨气和氮气的混合气体，而氧化硅对应的反应气体为氢化硅、二氧化氮和氮气的混合气体，因此可以通过控制反应气体气路的打开和关闭来实现多层膜交替沉积。此外，还可以通过控制反应时间来控制每一膜层的厚度。

第三步，参见图11，使用磁控溅射法在缓冲层44上沉积一层氧化铟锡ITO透明导电薄膜，并通过构图工艺，即经涂覆光刻胶并曝光显影后，再进行湿刻、剥离后，形成包括像素电极46的图形；所述过孔中填充有用于形成所述像素电极的导电材料，所述像素电极46通过所述过孔47与漏极电连接。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的显示基板。

综上所述，本发明实施例一种显示基板及其制作方法和显示面板。所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。由于该显示基板在切割区域的上方设置有缓存层，所述缓存层可以防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏，对所述PAD区域的金属线起到保护作用，使得在切割过程中可适当增大激光的强度，解决现有技术中因激光强度过大而导致的PAD区域的金属线被灼伤的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的显示区域、PAD区域，其特征在于，

所述显示基板还包括至少覆盖与对盒基板的切割线对应的切割区域的缓冲层，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层包括多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层中高折射率材料层和低折射率材料层的总层数为5～20层，每层高折射率材料层或低折射率材料层的厚度为20～80nm。

4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述高折射率材料包括：氧化镁、氮化硅、五氧化二钽、氧化锌和二氧化钛中的一种或多种；所述低折射率材料包括：氟化镁、氧化硅、三氧化二硅和氮化钛中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层包括交替设置的4个氮化硅层和4个氧化硅层。

6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层面向所述衬底基板的一侧为所述缓冲层的底部，位于所述缓冲层底部的材料层为高折射率材料层。

7.权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层的长度与所述显示基板的短边长度相同。

8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在显示区域中的薄膜晶体管和像素电极；所述缓冲层设置在所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1～8任一权项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制作方法，所述方法包括在衬底基板上形成显示区域的步骤和形成PAD区域的步骤，其特征还在于，所述方法还包括在所述衬底基板上与对盒基板的切割线对应的切割区域形成缓冲层的步骤，用于防止在切割的过程中激光对PAD区域的金属线受到损坏；其中，所述切割区域为所述显示基板上与所述切割线对应位置两侧预设范围内的区域。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成缓冲层的步骤包括：

采用高折射率材料和低折射率材料，形成包含多层交替设置的高折射率材料层和低折射率材料层的缓冲层。