CN109212897A - 一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版以及掩膜版的制备方法，包括：提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量并进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法。
背景技术
近年来，随着芯片的集成度不断提高，其尺寸不断缩小到微米级甚至于纳米级，生产工艺也越来越复杂，为了达到良好的器件性能，各个光刻图形不但要保证层与层之间的精确套刻(对准)，还要有精准的特征尺寸线宽，
现有技术中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)量测线宽机针对产品进行量测的手段较为繁琐，生产加工效率低下。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本申请实施例提供一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法，可以在产品加工过程中量测补值，保证量测准确性并提高了制作工艺的效率。
本申请实施例提供一种掩膜版的量测补值方法，包括：
提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；
对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；
根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；
根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述长度尺用于确定所述多个第一图形位置以及测量所述相邻第二图形间的实际距离值。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述根据预设距离值确定所述掩膜版上的多个第一图形的位置，包括：
根据所述长度尺的刻度线与所述预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形中相邻第一图形间的距离值为预设距离值。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值包括：
对所述多个第一图形进行图案化处理，使得所述玻璃基板上的所述多个第二图形在水平方向上的长度减小或增大，以得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形；
根据所述长度尺的刻度线确定所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述根据所述预设距离值与所述实际距离值得到补偿值，包括：
根据所述预设距离值与所述实际距离值的差值，得到所述补偿值。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述预设距离值为所述多个第一图形中相邻第一图形末端间的距离，和/或所述多个第一图形中相邻第一图形首端间的距离。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述实际距离值为所述多个第二图形中相邻第二图形末端间的距离，和/或所述多个第二图形中相邻第二图形首端间的距离。
在本申请所述的掩膜版的量测补值方法中，所述对所述多个第一图形进行图案化处理，包括：
对所述多个第一图形进行曝光和/或蚀刻。
本申请实施例还提供一种掩膜版，包括：显示区以及预留区，所述显示区上设置有多个第一图形，在所述预留区上设置有长度尺，所述长度尺为如上所述的长度尺。
本申请实施例还提供一种掩膜版的制备方法，包括：
提供一底板，将所述底板划分为显示区以及预留区；其中，
所述显示区上设置有多个第一图形，所述预留区上设置有长度尺，所述长度尺为如上所述的长度尺。
本申请实施例提供的一种掩膜版的量测补值方法，包括提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理。本申请实施例通过掩膜版和长度尺的设计，可以在产品加工过程中量测补值，保证量测准确性并提高了生产效率，减少实际产品送样分析对比。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的掩膜版的俯视图。
图2为本申请实施例提供的图案化处理后玻璃基板的俯视图。
图3为本申请实施例提供的图案化处理后玻璃基板的另一俯视图。
图4为本申请实施例提供的掩膜版量测补值方法的流程图。
图5为本申请实施例提供的掩膜版量测补值方法的另一流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法，可以用该掩膜版的制备方法制备出可用于后续掩膜版的量测补值方法。
现有技术中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)量测线宽机针对产品进行量测后均需要针对产品进行切片，其中，量测一般用到光学显微镜(OpticalMicroscope，OM)以及扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)，但是量测手段都是在生产出实际产品后去量测的，如果存在问题还需再次加工，加工产品阶段无法实现量测线宽。
并且，为了提升器件的性能，常在产品加工完成后通过低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)量测线宽机针对产品进行量测。但如果量测出加工完成后的产品线宽存在问题，会重新送回加工，增大了实际产品送样分析对比的时间，降低了生产效率。本申请提供一种掩膜版的量测补值方法，在预留区设置长度尺，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量。从而比对出实际产品线宽值与理想产品线宽值的差值，在产品加工阶段进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。。
请参阅图1至图4，图1为本申请实施例提供的掩膜版的俯视图，图2为本申请实施例提供的图案化处理后玻璃基板的俯视图，图3为本申请实施例提供的图案化处理后玻璃基板的另一俯视图，图4为本申请实施例提供的掩膜版量测补值方法的流程图。
110、提供一掩膜版100，所述掩膜版100包括显示区101以及预留区102，所述预留区102设置有长度尺1021，所述掩膜版100的显示区101上设置有多个第一图形1011，根据预设距离值S确定所述掩膜版100上所述多个第一图形1011的位置。
其中，掩膜版100包括有显示区101以及预留区102，显示区101用于设置图案化处理时设置在掩膜版100上的多个第一图形1011，其中，该多个第一图形为后续图案化处理时以掩膜版100为载体的原始图形。预留区102上的长度尺1021由刻画的多条刻度线10211形成的一个量测线宽的量测工具，相邻两刻度线10211之间的距离可以设置为与芯片线宽对应的计量单位，例如：设定相邻两刻度线10211之间的距离为0.1μm或者0.2μm等，这里不作限定，根据具体芯片线宽而定，长度尺1021的作用在于后续光学量测仪测量图案化处理后在玻璃基板上形成第二图形2011时，能直观清楚的将产品线宽值表示出来。该多个第一图形1011的位置按照预先设定的距离值S与长度尺1021的刻度线10211进行比对设定。例如，按照每相邻的第一图形末端间的距离值为S来设定所述掩膜版100上所述多个第一图形1011的位置。
120、对所述多个第一图形1011进行图案化处理，在玻璃基板200上得到与所述多个第一图形1011对应的多个第二图形2011，并获取所述多个第二图形2011中相邻第二图形间2011的实际距离值(S1或S2)。
其中，为了将该掩膜版100上的多个第一图形1011转移到玻璃基板200上时，需要对掩膜版100进行图案化处理，以使在该玻璃基板200上形成与第一图形1011对应的多个第二图形2011，并通过长度尺1021量测该多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值(S1或S2)。
130、根据所述预设距离值S与所述第二图形间2011的实际距离值(S1或S2)得到补偿值△S。
补偿值△S可以是预设距离值S减实际距离值(S1或S2)得到的补偿值△S，其中，该补偿值△S可以为正，或者为负，补偿值△S的正负与图案化处理的方式有关，图案化处理时，玻璃基板上200的第二图形2011会随之增大或减小，如图2所示，第二图形2011随之增大，相邻第二图形2011的实际间距增大，变为S1，大于预设距离值，则补偿值△S＝S-S1为负。反之则如图3所示，第二图形2011随之减小，相邻第二图形2011的实际间距减小，变为S2，小于预设距离值，则第一补偿值△S＝S-S2为正。其中，补偿值△S还可以为实际距离值(S1或S2)减预设距离值S得到的补偿值△S，即△S＝S1-S或△S＝S2-S。
140、根据所述补偿值△S对所述第二图形2011进行补值处理。
其中，若补偿值△S是预设距离值S减实际距离值(S1或S2)得到的补偿值△S，且补偿值△S为正，则可以根据补偿值△S相应的对掩膜版100进行加窗处理；若补偿值△S是实际距离值(S1或S2)减预设距离S值得到的补偿值△S，且补偿值△S为负，也可以根据补偿值△S相应的对掩膜版100进行加窗处理，当下进行补值处理。
本申请提供一种掩膜版的量测补值方法，在预留区设置长度尺，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量，从而比对出实际产品线宽值与理想产品线宽值的差值，在产品加工阶段进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。
请参阅图1、图2、图3以及图5，图5为本申请实施例提供的掩膜版量测补值方法的另一流程图。
210、提供一掩膜版100，所述掩膜版包括显示区101以及预留区102，所述预留区102设置有长度尺1021，所述掩膜版100的显示区101上设置有多个第一图形1011，根据所述长度尺1021的刻度线10211与所述预设距离值确定所述掩膜版100上所述多个第一图形1011中相邻第一图形1011间的距离值为预设距离值S。
在一些实施例中，所述预设距离值S为所述多个第一图形1011中相邻第一图形1011末端间(A’-B’，B’-C’)的距离，和/或所述多个第一图形中相邻第一图形首端间(A-B，B-C)的距离。
其中，掩膜版100包括有显示区101以及预留区102，显示区101用于设置图案化处理时设置在掩膜版100上的多个第一图形1011，其中，该多个第一图形为后续图案化处理时以掩膜版100为载体的原始图形。预留区102上的长度尺1021由刻画的多条刻度线10211形成的一个量测线宽的量测工具，相邻两刻度线10211之间的距离可以设置为与芯片线宽对应的计量单位，例如：设定相邻两刻度线10211之间的距离为0.1μm或者0.2μm等，这里不作限定，根据具体芯片线宽而定，长度尺1021的作用在于后续光学量测仪测量图案化处理后在玻璃基板上形成第二图形2011时，能直观清楚的将第二图形2011线宽值表示出来。该多个第一图形1011的位置按照预先设定的距离值S与长度尺1021的刻度线10211进行比对设定，其中，S可以为如图1所示的相邻第一图形首端(A，B，C)的距离，如：A-B的距离为S，也可以为相邻第一图形末端(A’，B’，C’)的距离，如：A’-B’的距离为S，这里不作限定。
220、对所述多个第一图形1011进行曝光和/或蚀刻，使得所述玻璃基板200上的所述多个第二图形2011在水平方向上的长度减小或增大，以得到与所述多个第一图形1011对应的多个第二图形2011。
其中，为了将该掩膜版100上的多个第一图形1011转移到玻璃基板200上时，需要对掩膜版100进行曝光和/或蚀刻，因为整体图形会同步增大或缩小，因此，每两个第一图形1011的间距会同步改变，变为实际距离值(S1或S2)以使在该玻璃基板200上形成与第一图形1011对应的多个第二图形2011，并且，在曝光和/或蚀刻第一图形1011得到第二图形2011时，整体图形之间的间距不会因受到尺寸蚀刻(CD bias)影响。
230、根据所述长度尺1021的刻度线10211确定所述多个第二图形2011中相邻第二图形2011间的实际距离值(S1或S2)。
在一些实施例中，所述实际距离值(S1或S2)为所述多个第二图形2011中相邻第二图形2011末端间(A1’-B1’，B1’-C1’，A2’-B2’，B2’-C2’)的距离，和/或所述多个第二图形2011中相邻第二图形2011首端间(A1-B1，B1-C1，A2-B2，B2-C2)的距离。
通过长度尺1021量测该多个第二图形10211中相邻第二图形10211间的实际距离值(S1或S2)，其中S1可以是相邻第二图形首端(A1-B1，B1-C1，A2-B2，B2-C2)的实际距离值，或者为相邻第二图形末端的实际距离值，如：(A1’-B1’，B1’-C1’，A2’-B2’，B2’-C2’)，实际距离S2同上，这里不作赘述。
在一些实施例中，所述长度尺1021用于确定所述多个第一图形1011位置以及测量所述相邻第二图形2011间的实际距离值(S1或S2)。
通过刻度线10211来测量设置第一图形1011时的位置以及测量相邻第二图形2011间的实际距离值(S1或S2)
240、根据所述预设距离值S与所述实际距离值(S1或S2)的差值，得到所述补偿值△S。
其中，补偿值△S可以是预设距离值S减实际距离值(S1或S2)得到的补偿值△S，其中，该补偿值△S可以为正，或者为负，补偿值△S的正负与图案化处理的方式有关，图案化处理时，玻璃基板上200的第二图形2011会随之增大或减小，如图2所示，第二图形2011随之增大，相邻第二图形2011的实际间距增大，变为S1，大于预设距离值，则补偿值△S＝S-S1为负。反之则如图3所示，第二图形2011随之减小，相邻第二图形2011的实际间,减小，变为S2，小于预设距离值，则第一补偿值△S＝S-S2为正。其中，补偿值△S还可以为实际距离值(S1或S2)减预设距离值S得到的补偿值△S，即△S＝S1-S或△S＝S2-S。
250、根据所述补偿值△S对所述第二图形2011进行补值处理。
其中，若补偿值△S是预设距离值S减实际距离值(S1或S2)得到的补偿值△S，且补偿值△S为正，则可以根据补偿值△S相应的对掩膜版100进行加窗处理；若补偿值△S是实际距离值(S1或S2)减预设距离S值得到的补偿值△S，且补偿值△S为负，也可以根据补偿值△S相应的对掩膜版100进行加窗处理，当下进行补值处理。
本申请提供一种掩膜版的量测补值方法，在预留区设置长度尺，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量，从而比对出实际产品线宽值与理想产品线宽值的差值，在产品加工阶段进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。
本申请实施例还提供一种掩膜版100，包括：显示区101以及预留区102，所述显示区101上设置有多个第一图形1011，在所述预留区102上设置有长度1021尺，所述长度尺1021为如上所述的长度尺1021。
本申请实施例还提供一种掩膜版100的制备方法，包括：将所述掩膜版100划分为显示区101以及预留区102；其中，
所述显示区101上设置有多个第一图形1011，所述预留区102上设置有长度尺1021，所述长度尺1021为如上所述的长度尺1021。
本申请实施例提供的掩膜版制备方法，用于工艺流程中制作掩膜版，在该掩膜版的预留区设置长度尺，以使在产品加工时可以通过该长度尺进行测量，并进行相应的补值处理从而保证量测准确性，提高生产效率以及减少实际产品送样分析对比。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种掩膜版的量测补值方法，其特征在于，包括：
提供一掩膜版，所述掩膜版包括显示区以及预留区，所述预留区设置有长度尺，所述掩膜版的显示区上设置有多个第一图形，根据预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形的位置；
对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值；
根据所述预设距离值与所述第二图形间的实际距离值得到补偿值；
根据所述补偿值对所述第二图形进行补值处理。
2.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述长度尺用于确定所述多个第一图形位置以及测量所述相邻第二图形间的实际距离值。
3.如权利要求2所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述根据预设距离值确定所述掩膜版上的多个第一图形的位置，包括：
根据所述长度尺的刻度线与所述预设距离值确定所述掩膜版上所述多个第一图形中相邻第一图形间的距离值为预设距离值。
4.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述对所述多个第一图形进行图案化处理，在玻璃基板上得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形，并获取所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值包括：
对所述多个第一图形进行图案化处理，使得所述玻璃基板上的所述多个第二图形在水平方向上的长度减小或增大，以得到与所述多个第一图形对应的多个第二图形；
根据所述长度尺的刻度线确定所述多个第二图形中相邻第二图形间的实际距离值。
5.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述根据所述预设距离值与所述实际距离值得到补偿值，包括：
根据所述预设距离值与所述实际距离值的差值，得到所述补偿值。
6.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述预设距离值为所述多个第一图形中相邻第一图形末端间的距离，和/或所述多个第一图形中相邻第一图形首端间的距离。
7.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述实际距离值为所述多个第二图形中相邻第二图形末端间的距离，和/或所述多个第二图形中相邻第二图形首端间的距离。
8.如权利要求1所述的掩膜版的量测补值方法，其特征在于，所述对所述多个第一图形进行图案化处理，包括：
对所述多个第一图形进行曝光和/或蚀刻。
9.一种掩膜版，其特征在于，包括：显示区以及预留区，所述显示区上设置有多个第一图形，在所述预留区上设置有长度尺，所述长度尺为如权利要求1-8任一项所述的长度尺。
10.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：
将所述掩膜版划分为显示区以及预留区；其中，
所述显示区上设置有多个第一图形，所述预留区上设置有长度尺，所述长度尺为如权利要求1-8任一项所述的长度尺。
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