JPH1183406A - 位置ずれ読み取りバーニア - Google Patents

位置ずれ読み取りバーニア

Info

Publication number
JPH1183406A
JPH1183406A JP23603197A JP23603197A JPH1183406A JP H1183406 A JPH1183406 A JP H1183406A JP 23603197 A JP23603197 A JP 23603197A JP 23603197 A JP23603197 A JP 23603197A JP H1183406 A JPH1183406 A JP H1183406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vernier
reading
scale
positional deviation
dislocation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP23603197A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Oikawa
英明 及川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP23603197A priority Critical patent/JPH1183406A/ja
Publication of JPH1183406A publication Critical patent/JPH1183406A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length-Measuring Instruments Using Mechanical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は相対的位置ずれ量を正確に読み取る為
の金属顕微鏡などの位置ずれ読み取りバーニアに関し、
目視による位置ずれ量読み取りバーニアにおいて第1目
盛り分解能以下の位置ずれ量を精度よく読み取る事を課
題とする。 【解決手段】主尺24と副尺22とからなり、この主尺
24と副尺22とを相対的に位置ずれさせて被測定物の
測長を行なう位置ずれ読み取りバーニアにおいて、前記
主尺24または副尺22の何れか一方を斜辺を有した形
状の第1の読み取り部26を形成し、他方に設けられた
第2の読み取り部28に前記位置ずれ方向と異なる方向
に増幅変換された位置ずれ量を読み取る目盛り30を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は位置ずれ読み取りバ
ーニアに係り、特に相対的位置ずれ量を正確に読み取る
為の金属顕微鏡などの位置ずれ読み取りバーニアに関す
る。近年の半導体製造はデバイスの高集積化に伴い、微
細加工技術が要求される。特にパターン形成工程である
フォトリソグラフィー工程は繰り返し形成された微細パ
ターンの相対的位置ずれ量に因りデバイスの特性、不良
率に密接に関係する為、各パターン間の許容相対位置0
±100nm以下程度が要求される。
【0002】また、パターン形成装置である露光装置の
精度を正確に補正する必要が有る為、これらに用いられ
る読み取りバーニアには、25nm以下の分解能が必要と
される。
【0003】
【従来の技術】従来、例えばフォトリソグラフィー工程
においてレチクル或いはフォトマスクの位置決めを行な
うために用いられる位置ずれ量読み取りバーニアは、図
4乃至図6に示すものが使われて来た。図4は櫛場タイ
プの位置ずれ読み取りバーニア10Aを、図5は突き合
わせタイプの位置ずれ読み取りバーニア10Bを、図6
は重ねタイプの位置ずれ読み取りバーニア10Cを夫々
示している。
【0004】図4乃至図6に示す各位置ずれ読み取りバ
ーニア10A〜10Cは、何れも主尺12A〜12Cと
副尺14A〜14Cとにより構成されており、主尺12
A〜12Cと副尺14A〜14Cを相対的に位置ずれさ
せることにより測定を行なう構成とされている。いま、
主尺12A〜12CのピッチをP1、また副尺14A〜
14CのピッチをP2とした場合、各位置ずれ読み取り
バーニア10A〜10Cは主尺12A〜12Cのピッチ
P1と副尺14A〜14CのピッチP2の差ΔP(以
下、ピッチ差という)を分解能とし、その位置ずれ量
は、 ΔX=ΔP・n ……(1) と表す事が出来る。
【0005】上記の(1)式において、nは主尺12A
〜12Cと副尺14A〜14Cの番地であるが、nの判
断は例えば図4の櫛歯タイプの場合、各番地の主尺12
Aと副尺14Aの測定方向の隙間a,a’を見比べ、最
もa=a’に近いnを選択する。また、選択したn番地
の両隣の番地(即ち、n±1番地)ではa=a’と成ら
ず、 a−ΔP=a’+ΔP ……(2) a+ΔP=a’−ΔP ……(3) の何れかの関係が成り立っている。
【0006】ここで、(2)式と(3)式を変形し、一
つの式で表すと、 a=a’±2ΔP ……(4) となる。同様に、選択した番地から2つ両隣の番地(n
±2番地)では、 a=a’±4ΔP となる。従って、各番地のaとa’の関係を示す一般式
は、 a=a’+(i・2ΔP) ……(5) となる。但し、(5)式において、iは整数を示してい
る。上記した説明、及び図4乃至図6に示されるよう
に、a=a’が成り立つ番地とはi=0の番地となる。
【0007】ここで、nの選択方法について説明する。
nの選択は、金属顕微鏡観察の場合、測定者の視覚によ
って行なわれ、具体的にはa=a’となっている番地の
判断が行なわれる。また、ピッチ差ΔPを最小分解能と
して測定されるが、経験的に実際の位置ずれ量がピッチ
差ΔPの倍数と一致する事は極めて希で有る。このよう
に、nの選択が測定者の判断による事と、最小分解能が
ピッチ差ΔPである事の二つの理由により、位置ずれ読
み取りバーニアから読み取る測定値は、最小分解能ΔP
以下の測定誤差αを含んでおり、よって実際の位置ずれ
量は、 ΔX=ΔP・n±α ……(6) と表す事が出来る。
【0008】位置ずれ読み取りバーニアにより、更に正
確な読み取りを行う為には、ピッチ差ΔPを小さくする
方法と、測定誤差αを読み取り可能なバーニアパターン
を形成する方法がある。前者のピッチ差ΔPを小さくす
る方法は、測定者による読み取り誤差が大きくなる欠点
がある。以下にその理由を示す。読み取り時にnを選択
する場合、番地が変わる事によるaとa’の関係は2Δ
Pの変化量で変化する事が前記の(5)式から判る。ピ
ッチ差ΔPを小さくする方法は、(5)式の変化量を小
さくする事になり判断が難しくなる。
【0009】例えば、ΔP=50nmのバーニアの場合、
(5)式のi=−1,i=0,i=1のそれぞれの番地
におけるa−a’の値は、このiの値を(5)式に代入
するこにとより、それぞれ−100nm,0,100nmと
微細距離となる。aとa’を金属顕微鏡観察で比較し、
その差が100nmか或いは零であるかを測定者が判断す
るのは非常に困難であり、よってピッチ差ΔPを小さく
するには限界がある。
【0010】また、後者のピッチ差ΔP以下のずれ量α
を読み取ることが可能な従来のバーニアパターンを有す
る位置ずれ読み取りバーニア10Dを図7及び図8に示
す。図7は、主尺12Dと副尺14Dの位置ずれ量ΔX
がΔX=0である時を図示している。本例では、副尺1
4Dの読み取り部16を等角度斜辺台形にし、斜辺角を
θとするバーニアを形成した構成としている。また、図
4乃至図6と同様に、本例においてもΔX=ΔP・n±
α が成り立ち、n=0,a=a’,α=0である。
【0011】図8は、主尺12Dと副尺14Dとの間に
ピッチ差ΔP以下の位置ずれがある場合を示している。
同図において、n=0番地を見た場合、主尺12Dの測
定部18(矩形状とされている)と副尺14Dの斜辺測
定部16が作る交点に注目すると、左側の交点(左側交
点)と右側の交点(右側交点)はY座標方向において差
が生じている。
【0012】上記のように、本例においても位置ずれ量
ΔX=ΔP・n±α が成り立ち、かつn=0である
のでΔX=αであるため、この場合 a−a’=Δaと
すると、測定誤差αは、 α=Δa・(tanθ/2) ……(7) と表す事が出来る。
【0013】(7)式を(6)式に代入すると ΔX=
ΔP・n±Δa・(tanθ/2)となり、Δaはa−
a’と方向性を定義しているので ΔX=ΔP・n+Δa・(tanθ/2) ……(8) と表す事が出来る。この(8)式は、どの番地でも成り
立つ式である。この(8)式の右辺第2項(即ち、Δa
・(tanθ/2))は、ピッチ差ΔP以下の位置ずれ
量を読み取り出来る事を表している。例えば、図7及び
図8の斜辺角θを約5.7 °とすると、(tanθ/2)
は約1/20となる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、副尺1
4Dの読み取り部16を斜辺角θを有する等角度斜辺台
形とすることにより、ピッチ差ΔP以下の位置ずれ量を
読み取ることが可能となる。しかるに、(8)式よりピ
ッチ差ΔP以下の位置ずれ量を読み取るには、(8)式
の右辺第2項のΔa・(tanθ/2)を求める必要が
あるが、前述の図7及び図8に示す従来の位置ずれ読み
取りバーニア10Dでは、Δaを各測定部16,18か
らは読み取ることができないという問題点があった。
【0015】また、Δaを他の測長機を用いて測定を行
なうことも考えられるが、他の測長機を用いてΔaの測
定を行なっても、測長機の測定誤差が発生する等の問題
が生じ、更にとバーニアの読み取り工程と測長機での測
定工程の2工程が必要となり、この2工程を経てからで
ないと位置ずれ量を定量化出来ないため、測定効率が悪
化するという問題点が生じる。
【0016】本発明は以上の点に鑑みなされたものであ
り、目視による位置ずれ量読み取りバーニアにおいて第
1目盛分解能以下の位置ずれ量を精度よく読み取る事を
可能とした位置ずれ読み取りバーニアを提供することを
目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴と
するものである。請求項1記載の発明では、主尺と副尺
とからなり、該主尺と副尺とを相対的に位置ずれさせて
被測定物の測長を行なう位置ずれ読み取りバーニアにお
いて、前記主尺または副尺の少なくとも一方に、読み取
り分解能が異なる複数の目盛を複数の方向に形成したこ
とを特徴とするものである。
【0018】また、請求項2記載の発明では、主尺と副
尺とからなり、該主尺と副尺とを相対的に位置ずれさせ
て被測定物の測長を行なう位置ずれ読み取りバーニアに
おいて、前記主尺または副尺の何れか一方を斜辺を有し
た形状の第1の読み取り部を形成し、他方に設けられた
第2の読み取り部に、前記位置ずれ方向と異なる方向に
増幅変換された位置ずれ量を読み取る目盛を形成したこ
とを構成とするものである。
【0019】また、請求項3記載の発明では、前記請求
項1または2記載のいずれかに位置ずれ読み取りバーニ
アにおいて、前記被測定物は基板であり、前記目盛をこ
の基板に形成したことを特徴とするものである。また、
請求項4記載の発明では、前記請求項1乃至3のいずれ
かに記載の位置ずれ読み取りバーニアにおいて、前記被
測定物をレチクルとし、前記目盛をこのレチクル上に形
成したことを特徴とするものである。
【0020】更に、請求項5記載の発明では、前記請求
項1乃至3のいずれかに記載の位置ずれ読み取りバーニ
アにおいて、前記被測定物をホトマスクとし、前記目盛
をこのホトマスクに形成したことを特徴とするものであ
る。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1は本発明の一実施例である
位置ずれ読み取りバーニア20を示している。この位置
ずれ読み取りバーニア20は、副尺22と主尺24とに
より構成されており、被測定物となる基板(本実施例で
は、シリコン基板を想定している)の位置ずれ測定に用
いるものである。尚、以下説明する位置ずれ読み取りバ
ーニア20の適用は、シリコン基板の位置ずれ測定に限
定されるものではなく、例えば液晶用ガラス基板,Ga
As基板基板等に秘録適用できるものである。
【0022】図2は副尺22を示しており、また図3は
主尺24を示している。副尺22及び主尺24は、図示
されるように、副尺22または主尺24の少なくとも一
方に、読み取り分解能が異なる複数の目盛を複数の方向
に形成した構成とされている。本実施例においては、主
尺24に読み取り分解能が異なる複数の目盛を複数の方
向に形成した例を示している。
【0023】具体的には、主尺24に斜辺を有した形状
の第1の読み取り部28を形成し、かつ、副尺22に設
けられた矩形状の第2の読み取り部28に位置ずれ方向
(図中、矢印Xで示す方向)と異なる方向(本実施例で
は位置ずれ方向に対し直行する方向)に増幅変換された
位置ずれ量を読み取る目盛30を形成した構成とされて
いる。
【0024】続いて、本発明の原理について図1乃至図
3を用いて説明する。上記のように、本実施例では主尺
24は直辺状の第2の読み取り部28を有し、また副尺
22は斜辺を有した第1の読み取り部26を有してい
る。また、図中の第2の読み取り部28には、相対位置
測定方向Xと直行する(異なる)方向YにピッチP3と
された目盛30が配設されている。この目盛30のピッ
チP3は、例えば、 P3=2ΔP ……(9) の関係となるよう構成されている。
【0025】本発明は、前記した(8)式であるΔX=
ΔP・n+Δa・(tanθ/2)のΔaをピッチ差Δ
Pを用いて表す事で、ピッチ差ΔP以下の位置ずれ量を
数値化し、正確な位置ずれ量の読み取りを可能としてい
る。副尺22の第1の読み取り部26の斜辺角度は、本
実施例の場合は5.7 °に設定されており、また主尺24
の第2の読み取り部28にはY方向に等間隔の目盛30
が配置されている。
【0026】図1に示す如く、主尺24と副尺22を位
置ずれ量ΔXを有し重合わせた場合、本実施例の構成で
も前記した従来技術と同様に(8)式である ΔX=ΔP・n+Δa・(tanθ/2) ……(8) が成り立つ。この(8)式の右辺第1項ΔP・nは第1
目盛となる第1及び第2の読み取り部26,28により
ずれ量の内ΔPの倍数成分を表し、第2項であるΔa・
(tanθ/2)はピッチ差ΔP以下の成分を表す。
【0027】ここで、図1のn=1番地に注目すると、
図中ΔX’は(8)式右辺第2項を表すので ΔX’=Δa・(tanθ/2) ……(10) となり、また、 ΔX=ΔP・n+ΔX’ ……(11) であり、Δaを目盛30のピッチP3を用いて表すと、 Δa=P3・n2 ……(12) となる。n=2はaとa’を目盛30で表した場合のa
−a’を表す。ここで、(12)式を(10)式に代入
すると、 ΔX’=P3・n2・(tanθ/2) ……(13) になる。このバーニアパターン構成時にピッチP3とピ
ッチ差ΔPをある関係に構成すると、同図の場合例え
ば、P3=2・ΔPの関係で構成すると、(13)式
は、 ΔX’=2・ΔP・n2・(tanθ/2) ……(14) と表す事ができる。
【0028】また同図の場合、副尺22の斜辺角度は5.
7 °とされているため、tanθは約1/10となり、
上記の(14)式は、 ΔX’=2・ΔP・n2・((1/10)/2) ……(15) となる。この(15)式を(11)式に代入し整理する
と、位置ずれ量ΔXは、 ΔX=ΔP・n+ΔP/10・n2 ……(16) と表す事ができ、ΔXはΔPの関数の形で表せられるこ
ととなる。
【0029】この(16)式の右辺第1項は、X方向の
位置ずれ量の内ΔP以上成分を第1目盛(即ち、第1及
び第2の読み取り部26,28)を使用し、分解能ΔP
で数値化し、右辺第2項は位置ずれ量の内、ピッチ差Δ
P以下の成分を第2目盛(即ち、目盛30)を使用して
ΔP/10を分解能として数値化しており、よって本実
施例の構成とすることにより、主尺24と副尺22の第
1及び第2の読み取り部26,28の配列間差以下のず
れ量を容易に目視にて読みとることが可能となる。 (実施例)本発明の具体的な実施例を図1を用いて説明
する。図1に示すように、主尺24と副尺22に相対的
位置ずれがあった場合、本実施例に係る位置ずれ読み取
りバーニアを用いた場合、例えばP1=20μm ,P2
=19.9μm ,ΔP=0.1 μm ,P3=2(ΔP)=0.2
μm ,θ=5.7 °とすると、0.01μm の最小分解能で読
み取る事が出来る。
【0030】そこで、図1の位置ずれ量(図の場合はX
方向の位置ずれ)を読み取ると、同図よりn=1,n2
≒8と判るので、X方向の位置ずれ量は前述の(16)
式に代入し、ΔX≒0,1・1+0.1 /10・8=0,
1+0.08=0.18μm と読み取る事が出来る。尚、上記し
た実施例では、副尺22に斜辺を形成すると共に主尺2
4に読み取り分解能が異なる目盛30を形成した例を示
したが、主尺に斜辺を形成すると共に副尺に読み取り分
解能が異なる目盛を形成した構成としてもよい。
【0031】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体デバ
イス製造のフォトリソグラフィ工程で用いる位置ずれ測
定バーニアにおいて主尺または副尺の一方の測定部を両
斜辺けいとし、もう一方の測定部に位置ずれ測定方向と
異なる方向の第2目盛りを配置する事により、主尺と副
尺の第1目盛り配列間差以下のずれ量を容易に目視にて
読み取れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である位置ずれ読み取りバー
ニアの構成及び測定原理を説明するための図である。
【図2】本発明の一実施例である位置ずれ読み取りバー
ニアを構成する副尺を示す図である。
【図3】本発明の一実施例である位置ずれ読み取りバー
ニアを構成する主尺を示す図である。
【図4】従来の櫛場タイプの位置ずれ読み取りバーニア
を説明するための図である。
【図5】従来の突き合わせタイプの位置ずれ読み取りバ
ーニアを説明するための図である。
【図6】従来の重ねタイプの位置ずれ読み取りバーニア
を説明するための図である。
【図7】従来のピッチ差ΔP以下のずれ量αを読み取る
ことが可能なバーニアパターンを有する位置ずれ読み取
りバーニアを説明するための図である(その1)。
【図8】従来のピッチ差ΔP以下のずれ量αを読み取る
ことが可能なバーニアパターンを有する位置ずれ読み取
りバーニアを説明するための図である(その2)。
【符号の説明】
20 位置ずれ読み取りバーニア 22 副尺 24 主尺 26 第1の読み取り部 28 第2の読み取り部 30 目盛

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主尺と副尺とからなり、該主尺と副尺と
    を相対的に位置ずれさせて被測定物の測長を行なう位置
    ずれ読み取りバーニアにおいて、 前記主尺または副尺の少なくとも一方に、読み取り分解
    能が異なる複数の目盛を複数の方向に形成したことを特
    徴とする位置ずれ読み取りバーニア。
  2. 【請求項2】 主尺と副尺とからなり、該主尺と副尺と
    を相対的に位置ずれさせて被測定物の測長を行なう位置
    ずれ読み取りバーニアにおいて、 前記主尺または副尺の何れか一方を斜辺を有した形状の
    第1の読み取り部を形成し、 他方に設けられた第2の読み取り部に、前記位置ずれ方
    向と異なる方向に増幅変換された位置ずれ量を読み取る
    目盛を形成したことを構成とする位置ずれ読み取りバー
    ニア。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のいずれかに位置
    ずれ読み取りバーニアにおいて、 前記被測定物は基板であり、前記目盛を該基板に形成し
    たことを特徴とする位置ずれ読み取りバーニア。
  4. 【請求項4】 請求項乃至3のいずれかに記載の位置ず
    れ読み取りバーニアにおいて、 前記被測定物はレチクルであり、前記目盛を該レチクル
    上に形成したことを特徴とする位置ずれ読み取りバーニ
    ア。
  5. 【請求項5】 請求項乃至3のいずれかに記載の位置ず
    れ読み取りバーニアにおいて、 前記被測定物はホトマスクであり、前記目盛を該ホトマ
    スクに形成したことを特徴とする位置ずれ読み取りバー
    ニア。
JP23603197A 1997-09-01 1997-09-01 位置ずれ読み取りバーニア Withdrawn JPH1183406A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23603197A JPH1183406A (ja) 1997-09-01 1997-09-01 位置ずれ読み取りバーニア

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23603197A JPH1183406A (ja) 1997-09-01 1997-09-01 位置ずれ読み取りバーニア

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1183406A true JPH1183406A (ja) 1999-03-26

Family

ID=16994743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23603197A Withdrawn JPH1183406A (ja) 1997-09-01 1997-09-01 位置ずれ読み取りバーニア

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1183406A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534637B2 (en) 2003-10-30 2009-05-19 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
CN102818504A (zh) * 2012-08-22 2012-12-12 贵州航天红光机械制造有限公司 一种新型测间隙用塞尺
CN109212897A (zh) * 2018-09-30 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534637B2 (en) 2003-10-30 2009-05-19 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
US7838310B2 (en) 2003-10-30 2010-11-23 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
CN102818504A (zh) * 2012-08-22 2012-12-12 贵州航天红光机械制造有限公司 一种新型测间隙用塞尺
CN109212897A (zh) * 2018-09-30 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 一种掩膜版的量测补值方法、掩膜版及掩膜版的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2988393B2 (ja) 露光方法
US7084957B2 (en) Scanning exposure technique
KR100239020B1 (ko) 레티클 및 그것에 의해 전사된 패턴 및 보정 방법
JP5457767B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
WO2000019497A1 (fr) Procede d'alignement et procede pour l'obtention d'un dispositif au moyen du procede d'alignement
JP4434372B2 (ja) 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP3962648B2 (ja) ディストーション計測方法と露光装置
JP2870461B2 (ja) フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置
JP2007504664A (ja) Xイニシアティブレイアウト設計のためのパターン認識および方法のための構造
JP3315540B2 (ja) 位置計測装置、位置合わせ装置、露光装置およびデバイスの製造方法
KR20220081284A (ko) 검출 장치, 검출 방법, 노광 장치, 노광 시스템 및 물품 제조 방법
JPH06275496A (ja) 位置合わせ方法
US9348241B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH1183406A (ja) 位置ずれ読み取りバーニア
TWI289239B (en) Method of aligning dies of wafer(s) with exposure equipment in the fabricating of semiconductor devices
US20070002293A1 (en) Method measuring distortion using exposure equipment
CN1271176A (zh) 电子束光刻方法及其装置
US4606643A (en) Fine alignment system
JPH10284396A (ja) アライメント方法及び重ね合わせ精度計測方法
JP2008166737A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP3902839B2 (ja) 重ね合わせ精度測定方法
JPH1197510A (ja) アライメント方法
JP4261634B2 (ja) ステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法
JP3530716B2 (ja) 走査投影露光装置
KR20210001968A (ko) 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041102