CN109208072B - 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法 - Google Patents

一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109208072B
CN109208072B CN201810546174.6A CN201810546174A CN109208072B CN 109208072 B CN109208072 B CN 109208072B CN 201810546174 A CN201810546174 A CN 201810546174A CN 109208072 B CN109208072 B CN 109208072B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal growth
heat insulation
insulation cage
crystal
furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810546174.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109208072A (zh
Inventor
谭晓嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Xusheng New Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Yangzhou Xusheng New Energy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangzhou Xusheng New Energy Technology Co ltd filed Critical Yangzhou Xusheng New Energy Technology Co ltd
Priority to CN201810546174.6A priority Critical patent/CN109208072B/zh
Publication of CN109208072A publication Critical patent/CN109208072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109208072B publication Critical patent/CN109208072B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/06Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及太阳能多晶硅铸锭技术领域内一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,包括如下步骤:第一步,将多晶硅铸锭的原料置于多晶铸锭炉的坩埚内,关闭炉体,启动多晶铸锭炉升温使固态原料在完全熔融为液态;第二步,逐步打开坩埚外周隔热笼的开度,使熔融液从坩埚底部开始逐步长晶,当长晶高度为3‑6mm,隔热笼的开度为10±0.5cm时,将隔热笼的开度减小至4.5—5.5cm,降低长晶速度以形成一层细小的微晶层,0.5小时后继续逐步上升打开隔热笼使隔热笼的开度逐渐变大,长晶高度逐渐升高直至长晶结束;所述隔热笼开度指隔热笼向上提,与底板之间打开的距离,长晶开始前隔热笼开度为0;第三步,长晶结束后进行炉内退火及冷却直至出炉。

Description

一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域中的多晶硅铸锭生产技术,特别涉及一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法。
背景技术
现有全熔铸锭工艺晶锭底部晶花的形核主要是通过坩埚底部黑硅的同质形核来产生小而均匀的晶花,在工艺稳定的情况下,晶花的均匀性及大小主要由坩埚底部的黑硅粒径及密度来决定,所以晶锭底部晶花的大小及均匀性难以保证,从而产生高密度位错而影响电池的转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,旨在通过控制长晶初期阶段的长晶工艺来调整底部晶花的均匀性,以便于进一步减小和细化中上部的晶花大小,减少晶体高位错密度的产生,提高转电池换效率。
本发明的目的是这样实现的:一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,包括如下步骤:
第一步,将多晶硅铸锭的原料置于多晶铸锭炉的坩埚内,关闭炉体,启动多晶铸锭炉,使坩埚内的固态原料升温并完全熔融为液态;
第二步,逐步打开坩埚外周隔热笼的开度,使熔融液从坩埚底部开始逐步长晶,当长晶高度为3-6mm,隔热笼的开度为10±0.5cm时,将隔热笼的开度减小至4.5—5.5cm,降低长晶速度为下步的快速长晶做准备,0.5小时后快速上升隔热笼,进行快速长晶以形成一层具有细小晶花的微晶层,然后在此微晶层的基础上继续逐渐增大隔热笼的开度继续长晶直至长晶结束; 所述隔热笼开度指隔热笼向上提,与底板之间打开的距离,长晶开始前隔热笼开度为0;
第三步,长晶结束后对晶锭进行炉内退火及冷却直至出炉。
本发明的多晶硅铸锭的结晶方法中,改变现有技术中逐步单方向升高隔热笼的开度并控制炉内温度和长晶高度的方法,本发明的方法中,在长晶初期,隔热笼的开度升至10±0.5cm,长晶高度为3-6mm时,将隔热笼的开度反向降低,以降低长晶速度,然后再快速上升隔热笼以形成一个快速长晶过程,使底部的晶花形成一个较大的过冷,形成一层细小的微晶层,保证微晶层上的晶花及在此晶花基础上长晶的晶花小而均匀。通过本发明的结晶方法,可以细化并均匀结晶初期底部晶花的大小,以减小在些基础上进一步长晶后晶体的高位错密度,提高多晶硅电池的转换效率。
作为本发明的进一步优选,第二步中,长晶过程具体按下表的参数进行各长晶步骤的控制,其中隔热笼开度的设置值指每步长晶结束后隔热笼匀速运行达到的开度:
Figure 51565DEST_PATH_IMAGE001
为进一步方便控制本发明的长晶过程,第一步中,多晶硅铸锭的原料投料量为850Kg,长晶后的晶锭的理论高度为365mm。
为进一步控制长晶工艺,第一步中,多晶硅原料熔化时的温度为:1560℃,炉内压力为600 mbar。
为进一步控制长晶工艺,第二步中,长晶时向炉内通入氩气,使各长晶步骤中炉内正力为600 mbar。
具体实施方式
下面以一具体实施例详细说明本发明的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法。
本发明的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法的第一步:原料熔炼:将850Kg的多晶硅铸锭原料投入多晶铸锭炉的坩埚内,关闭炉体,启动多晶铸锭炉炉内开始升温,同时对炉内进行抽真空,当温度升至800℃时向炉内通入氩气使炉内压力保护为600mbar,继续升温到1560℃,至硅料完全熔化,然后在半小时内匀速降温至1480℃,再在半小时内匀速降温至1430℃后长晶做准备。
然后进行第二步的长晶过程控制,首先进行长晶第一步,继续通氩气保持炉内压力为600mbar,将隔热笼的开度设定值为7.5 cm,炉内温度设置值为1435℃,长晶时长为0.5小时;本步中隔热笼开度的设置值,指本步长晶过程中隔热笼匀速打开的开度,炉内温度设置值为本步长晶结束后炉内达到的温度,此步的主要作用是杂质分凝。
长晶第二步,将隔热笼的开度设定值为10 cm,炉内温度设置值为1432℃,炉压力为600mbar,长晶时长为0.5小时,本步长晶过程中,进行初期长晶且由于隔热笼的开度进一步打开,此步的长晶过程中长晶的速度略快,长晶高度约应5mm。
长晶第三步,长晶时间为30分钟,温度设定设置值为1432℃,压力为600mbar,隔热笼的开度设定值为5cm,本步中关小隔热笼的开度主要作用为恒温并关闭隔热笼至5cm为第四步的快速长晶做准备,此时长晶高度约为7mm。
长晶第四步,长晶时间为2小时,炉内温度设置值为1430℃,压力为600mbar,隔热笼的开度设定值为11cm,本步长晶的主要作用为快速提升隔热笼,快速降温,形成较大过冷度以便于进行快速长晶,由于在长晶过程中快速长晶会在当前长晶位置形成微晶(微晶的定义为1cm内含有较多个细小的晶花,但缺陷较多,效率较低),此时的晶锭高度为7mm至32mm为一条微晶层,本步长晶的晶花基本为小而均匀的晶花,晶锭高度为32mm,因正常长晶进多晶硅铸锭为保证开方晶棒的电阻率及转化效率,需去底部40-45mm左右的铸锭,因此,本步的快速长晶过程形成的晶锭部位并不会对成品晶棒合格率造成影响。
长晶第五步,长晶时间为6小时,炉内温度设置值为1425℃,压力为600mbar,隔热笼的开度设定值为13.5cm,本步长晶过程中,相比于长晶第四步开隔热笼的开度和降温速度都大幅度减少,长晶速度也明显变慢,本步长晶结束后晶锭高度大约为97mm,每小时平均生长11mm。
长晶第六步,长晶时间为4小时,炉内温度设置值为1419℃,压力为600mbar, 隔热笼的开度设定值为15cm,本步中略调整长晶时长,通过温度控制和隔热笼开度设置使长晶速度为仍每小时长11mm,此步长晶结束后晶锭高度为141mm。
长晶第七步,长晶时间为4小时,炉内温度设置值为1414℃,压力为600mbar, 隔热笼的开度设定值为16.5cm,此步中,设定温度和隔热笼打开速度使长晶速度恒定为11mm,本步长晶结束后晶锭的高度为185mm。
长晶第八步,长晶时间为6小时,炉内温度设置值为1412℃,压力为600mbar, 隔热笼的开度设定值为17.5cm,本步中,略改变长晶时间,通过控制炉内温度和隔热笼打开速度使长晶速度为每小时10mm,长晶第八步开始要慢慢降低长晶速度来对晶锭表面进行排除杂质,越慢的长晶速度排杂效果越好,本步长晶结束后晶锭高度为245mm。
长晶第九步,长晶时间为11小时,炉内温度设置值为1410℃,压力为600mbar, 隔热笼的开度设定值为19cm,本步中进一步改变长晶时长,通过设定控制和隔热笼的开度控制使长晶速度为每小9mm,本步为中心长晶透顶步骤,本步需要缓慢长晶使表面堆积的杂质排除到坩埚壁上,本步长晶结束后晶锭的高度为344mm;根据投料量晶锭的理论高度为365,距长晶透顶还有21mm,需继续在此长晶工艺基础上,既隔热笼的开度和温度不变,继续以每小时7mm的长晶速度长晶21mm,直到晶锭的中心部位长晶透顶结束本步的长晶过程。
长晶第十步,本步为边角长晶,时间设置为3小时,炉内温度设置值为1404℃,压力为600mbar, 隔热笼的开度设定值为16cm,由于中心长晶长好后既为整个晶锭长晶结束,晶锭中心的周围及四个角仍然为液态,需要在对边角进行3小时的长晶,直至整个晶锭长晶完成。
最后长晶完成之后进行退火及冷却直至出炉,完成多晶硅铸锭长晶过程。
本发明的多晶硅铸锭的结晶方法中,改变现有技术中逐步单方向升高隔热笼的开度以控制炉内温度和长晶高度的方法,本方法中在长晶初期,隔热笼的开度反向降低,,以降低长晶速度,然后再快速上升隔热笼以正常打开隔热笼进行长晶,使底部的晶花形成一个较大的过冷,形成一层细小的微晶层,保证微晶层上的晶花及在此晶花基础上长晶的晶花小而均匀。通过本发明的结晶方法,可以细化并均匀结晶初期底部晶花的大小,以减小在些基础上进一步长晶后晶体的高位错密度,使多晶硅电池的转换效率比现有技术中长晶方式的转换效率由18.65%提高到18.70%—18.75%。
本发明的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法并不局限于上述实施例的实现工艺,凡是在长晶初期通过反向降低隔热笼的开度降低长晶速度,再快速升高隔热笼以进行快速长晶形成一层细小的微晶层,细化底部晶花,改善底部长晶基础的工艺都属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,包括如下步骤:
第一步,将多晶硅铸锭的原料置于多晶铸锭炉的坩埚内,关闭炉体,启动多晶铸锭炉,使坩埚内的固态原料升温并完全熔融为液态;
第二步,逐步打开坩埚外周隔热笼的开度,使熔融液从坩埚底部开始逐步长晶,当长晶高度为3-6mm,隔热笼的开度为10cm,将隔热笼的开度减小至5cm,降低长晶速度为下步的快速长晶做准备,0.5小时后快速上升隔热笼,进行快速长晶以形成一层具有细小晶花的微晶层,然后在此微晶层的基础上继续逐渐增大隔热笼的开度继续长晶直至长晶结束; 所述隔热笼开度指隔热笼向上提,与底板之间打开的距离,长晶开始前隔热笼开度为0; 本步具体长晶参数如下表,表中隔热笼的最终开度指每步长晶结束后隔热笼匀速运行达到的开度:
Figure 986462DEST_PATH_IMAGE001
第三步,长晶结束后对晶锭进行炉内退火及冷却直至出炉。
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,其特征在于,第一步中,多晶硅铸锭的原料投料量为850Kg,长晶后的晶锭的理论高度为365mm。
3.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,其特征在于,第一步中,多晶硅原料熔化时的温度为:1560℃,炉内压力为600 mbar。
4.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法,其特征在于, 第二步中,长晶时向炉内通入氩气,使各长晶步骤中炉内压力为600 mbar。
CN201810546174.6A 2018-05-31 2018-05-31 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法 Active CN109208072B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810546174.6A CN109208072B (zh) 2018-05-31 2018-05-31 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810546174.6A CN109208072B (zh) 2018-05-31 2018-05-31 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109208072A CN109208072A (zh) 2019-01-15
CN109208072B true CN109208072B (zh) 2021-03-16

Family

ID=64991443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810546174.6A Active CN109208072B (zh) 2018-05-31 2018-05-31 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109208072B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110004490A (zh) * 2019-04-28 2019-07-12 浙江启瑞电子有限公司 用于金属硅冶炉的持续上料机构及其使用方法
CN113636744A (zh) * 2021-08-10 2021-11-12 烟台核晶陶瓷新材料有限公司 石英玻璃坩埚制备工艺及其用于多晶硅铸锭的使用方法
CN114351250A (zh) * 2022-01-07 2022-04-15 安顺学院 一种控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102031556B (zh) * 2010-12-31 2012-05-02 常州天合光能有限公司 一种多晶铸锭晶体的生长工艺
CN102409402A (zh) * 2011-11-22 2012-04-11 江苏金晖光伏有限公司 650kg多晶硅铸锭工艺
CN102776556B (zh) * 2012-04-01 2015-07-01 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN102936747B (zh) * 2012-12-07 2015-06-10 天威新能源控股有限公司 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法
CN103590102B (zh) * 2013-06-21 2016-02-03 横店集团东磁股份有限公司 提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺
CN103741206B (zh) * 2014-01-28 2016-06-01 西安华晶电子技术股份有限公司 一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺
CN104120492A (zh) * 2014-08-14 2014-10-29 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 高效半熔多晶铸锭的制作工艺
CN105671634A (zh) * 2016-04-08 2016-06-15 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109208072A (zh) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102776554B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN109208072B (zh) 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法
CN103938270B (zh) 镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法
CN101591808A (zh) 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN102776560B (zh) 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN104726934A (zh) 一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺
CN101597787B (zh) 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法
CN102560631A (zh) 蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN101591807A (zh) 掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN102776556B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN110205672B (zh) 一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构
CN104451872A (zh) 一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法
CN101864593B (zh) 掺氮晶体硅及其制备方法
CN108754602B (zh) 一种多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用
JP4060106B2 (ja) 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材
CN106012009A (zh) 一种多晶硅铸锭半融工艺
CN102758253A (zh) 直拉多或单晶硅制备工艺
CN111910248B (zh) 铸锭单晶籽晶、铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法
CN102653881A (zh) 一种铸造大晶粒硅锭的方法
CN103866381A (zh) 制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法
CN108531985B (zh) 一种多晶硅半熔铸锭工艺
CN109467306B (zh) 单晶硅生产用高强度石英坩埚的加工方法
CN103966660A (zh) 一种准单晶硅锭生长方法
KR101139846B1 (ko) 효과적인 단열보호판을 구비한 태양전지용 다결정 실리콘잉곳 제조장치
CN105401211A (zh) 拉制c轴蓝宝石单晶长晶炉及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant