CN105671634A - 一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法 - Google Patents

一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法 Download PDF

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CN105671634A CN201610213980.2A CN201610213980A CN105671634A CN 105671634 A CN105671634 A CN 105671634A CN 201610213980 A CN201610213980 A CN 201610213980A CN 105671634 A CN105671634 A CN 105671634A
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张泽兴
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Abstract

一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;进行加热过程;进行融化过程;进行长晶过程;进行退火过程;进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶。本发明解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低的问题,具有整锭转换效率高、生产成本低的特点。

Description

一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法
技术领域
本发明涉及一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法。
背景技术
目前多晶铸锭都在做高效多晶,如高效半熔多晶铸锭的制作工艺,专利号:201410400824,采用半融工艺在使用半融工艺做高效多晶时因热场的横向温度及热场本身的不均匀性容易导致底部籽晶被融情况,底部籽晶被融后会出现底部晶粒杂乱且偏大问题,这样会导致位错等缺陷增加而严重影响硅片转换效率。
在多晶铸锭高效硅片的情况下,因底部是采用半融工艺底部晶粒是小而均匀,因热场的原因和籽晶本身的引晶效果决定了到硅棒的中间及以上位置晶粒开始逐步变大使得头部的位错明显增加且头部的少子寿命值出现不均匀和偏低。
发明内容
本发明其目的就在于提供一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低的问题,具有整锭转换效率高、生产成本低的特点。
实现上述目的而采取的技术方案,包括以下步骤:
(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;
(2)进行加热过程;
(3)进行融化过程;
(4)进行长晶过程;
(5)进行退火过程;
(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;
1)所述步骤(1)原料配制为:原生多晶50%-65%,单多晶循环料25%-35%,单多晶碎片3%-5%,提纯方棒3%-10%,所述原生多晶包括大于6N的一级原生多晶、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
2)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为10~15min,加热功率设定值为5—15%,真空度为0.02~0.006mbar;
第2步:加热时间为10~40min,加热功率设定值为15—45%,真空度为0.02~0.006mbar;
第3步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为30—50%,炉子压力设定在100--300mbar;
第4步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为40—65%,炉子压力设定在200--400mbar;
第5步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为50—70%,炉子压力设定在300--600mbar;
第6步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—75%,炉子压力设定在400--600mbar;
第7步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—78%,炉子压力设定在400--600mbar;
第8步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—80%,炉子压力设定在400--600mbar;
第9步:加热时间为300~1000min,加热功率设定值为60—85%,炉子压力设定在400--600mbar;
3)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为10~80min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力设定值为400~600mbar,上隔笼开启高度保持1~5cm;
第2步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持2~8cm;
第3步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第4步:加热时间为10~100min,加热温度为1500~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第5步:加热时间为90~360min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第6步:加热时间为240~600min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第7步:加热时间为10~60min,加热温度为1460~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度为4~8cm;
第8步:加热时间为10~50min,加热温度为1400~1460℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持4~8cm;
4)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~10cm;
第2步:加热时间为100~180min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持6~10cm;
第3步:加热时间为360~1100min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持8~15cm;
第4步:加热时间为380~500min,加热温度为1400~1430℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第5步:加热时间为300~400min,加热温度为1400~1425℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第6步:加热时间为150~300min,加热温度为1390~1415℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
5)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第2步:加热时间为60~120min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第3步:加热时间为30~90min,加热功率为10—30%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第4步:加热时间为30~90min,加热功率为0—15%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~15cm;
第5步:加热时间为30~90min,加热功率为0—10%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
第6步:加热时间为60~150min,加热功率为0—5%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
6)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为60~120min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第2步:冷却时间为30~100min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第3步:冷却时间为90~300min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600~700mbar;
第4步:冷却时间为20~90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为700~850mbar。
有益效果
与现有技术相比本发明具有以下优点。
解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低问题,提高了整锭转换效率,降低了生产成本。
具体实施方式
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤:
(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;
(2)进行加热过程;
(3)进行融化过程;
(4)进行长晶过程;
(5)进行退火过程;
(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;其特征在于:
1)所述步骤(1)原料配制重量比为:原生多晶50%-65%,单多晶循环料25%-35%,单多晶碎片3%-5%,提纯方棒3%-10%,所述原生多晶包括大于6N的一级原生多晶、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
2)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为10~15min,加热功率设定值为5—15%,真空度为0.02~0.006mbar;
第2步:加热时间为10~40min,加热功率设定值为15—45%,真空度为0.02~0.006mbar;
第3步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为30—50%,炉子压力设定在100--300mbar;
第4步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为40—65%,炉子压力设定在200--400mbar;
第5步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为50—70%,炉子压力设定在300--600mbar;
第6步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—75%,炉子压力设定在400--600mbar;
第7步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—78%,炉子压力设定在400--600mbar;
第8步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—80%,炉子压力设定在400--600mbar;
第9步:加热时间为300~1000min,加热功率设定值为60—85%,炉子压力设定在400--600mbar;
3)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为10~80min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力设定值为400~600mbar,上隔笼开启高度保持1~5cm;
第2步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持2~8cm;
第3步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第4步:加热时间为10~100min,加热温度为1500~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第5步:加热时间为90~360min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第6步:加热时间为240~600min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第7步:加热时间为10~60min,加热温度为1460~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度为4~8cm;
第8步:加热时间为10~50min,加热温度为1400~1460℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持4~8cm;
4)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~10cm;
第2步:加热时间为100~180min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持6~10cm;
第3步:加热时间为360~1100min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持8~15cm;
第4步:加热时间为380~500min,加热温度为1400~1430℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第5步:加热时间为300~400min,加热温度为1400~1425℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第6步:加热时间为150~300min,加热温度为1390~1415℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
5)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第2步:加热时间为60~120min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第3步:加热时间为30~90min,加热功率为10—30%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第4步:加热时间为30~90min,加热功率为0—15%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~15cm;
第5步:加热时间为30~90min,加热功率为0—10%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
第6步:加热时间为60~150min,加热功率为0—5%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
6)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为60~120min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第2步:冷却时间为30~100min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第3步:冷却时间为90~300min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600~700mbar;
第4步:冷却时间为20~90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为700~850mbar。
所述坩埚内底部进行处理,以确保坩埚底部的籽晶就是在被融的情况下能起到籽晶引晶的效果,得到小而均匀的晶粒。
实施例1
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤:(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;(2)进行加热过程;(3)进行融化过程;(4)进行长晶过程;(5)进行退火过程;(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;
1)所述步骤(1)原料配制重量比为:原生多晶50%,单多晶循环料35%,单多晶碎片5%,提纯方棒10%,所述原生多晶包括一级原生多晶(大于6N)、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
2)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为10min,加热功率设定值为5%,真空度为0.02mbar;
第2步:加热时间为10min,加热功率设定值为15%,真空度为0.02mbar;
第3步:加热时间为10min,加热功率设定值为30%,炉子压力设定在100mbar;
第4步:加热时间为10min,加热功率设定值为40%,炉子压力设定在200mbar;
第5步:加热时间为10min,加热功率设定值为50%,炉子压力设定在300mbar;
第6步:加热时间为10min,加热功率设定值为60%,炉子压力设定在400mbar;
第7步:加热时间为10min,加热功率设定值为60%,炉子压力设定在400mbar;
第8步:加热时间为10min,加热功率设定值为60%,炉子压力设定在400mbar;
第9步:加热时间为300min,加热功率设定值为60%,炉子压力设定在400mbar;
3)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为10min,加热温度为1500℃,铸锭炉腔内压力设定值为400mbar,上隔笼开启高度保持1cm;
第2步:加热时间为10min,加热温度为1500℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,上隔笼开启高度保持2cm;
第3步:加热时间为10min,加热温度为1500℃,铸锭炉腔内压力400mbar,上隔笼开启高度保持3cm;
第4步:加热时间为10min,加热温度为1500℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,上隔笼开启高度保持3cm;
第5步:加热时间为90min,加热温度为1520℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,上隔笼开启高度保持3cm;
第6步:加热时间为240min,加热温度为1520℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,上隔笼开启高度保持3cm;
第7步:加热时间为10min,加热温度为1460℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,上隔笼开启高度为4cm;
第8步:加热时间为10min,加热温度为1400℃,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持4cm;
4)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10min,加热温度为1410℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持5cm;
第2步:加热时间为100min,加热温度为1410℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持6cm;
第3步:加热时间为360min,加热温度为1410℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持8cm;
第4步:加热时间为380min,加热温度为1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第5步:加热时间为300min,加热温度为1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第6步:加热时间为150min,加热温度为1390℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
5)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10min,加热温度为1350℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持0cm;
第2步:加热时间为60min,加热温度为1350℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持0cm;
第3步:加热时间为30min,加热功率为10%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持0cm;
第4步:加热时间为30min,加热功率为0%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持5cm;
第5步:加热时间为30min,加热功率为0%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第6步:加热时间为60min,加热功率为0%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
6)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为60min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar;
第2步:冷却时间为30min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400mbar;
第3步:冷却时间为90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar;
第4步:冷却时间为20min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为700mbar;
冷却过后,打开铸锭炉得到铸锭多晶。
实施例2
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤:(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;(2)进行加热过程;(3)进行融化过程;(4)进行长晶过程;(5)进行退火过程;(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;
1)所述步骤(1)原料配制重量比为:原生多晶58%,单多晶循环料30%,单多晶碎片4%,提纯方棒8%,所述原生多晶包括一级原生多晶(大于6N)、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
2)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为12min,加热功率设定值为10%,真空度为0.013mbar;
第2步:加热时间为25min,加热功率设定值为30%,真空度为0.013mbar;
第3步:加热时间为22min,加热功率设定值为40%,炉子压力设定在200mbar;
第4步:加热时间为22min,加热功率设定值为52%,炉子压力设定在300mbar;
第5步:加热时间为22min,加热功率设定值为60%,炉子压力设定在450mbar;
第6步:加热时间为22min,加热功率设定值为67%,炉子压力设定在500mbar;
第7步:加热时间为22min,加热功率设定值为69%,炉子压力设定在500mbar;
第8步:加热时间为22min,加热功率设定值为70%,炉子压力设定在500mbar;
第9步:加热时间为650min,加热功率设定值为72%,炉子压力设定在500mbar;
3)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为45min,加热温度为1520℃,铸锭炉腔内压力设定值为500mbar,上隔笼开启高度保持3cm;
第2步:加热时间为30min,加热温度为1520℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第3步:加热时间为30min,加热温度为1520℃,铸锭炉腔内压力500mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第4步:加热时间为55min,加热温度为1525℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第5步:加热时间225min,加热温度为1535℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第6步:加热时间420min,加热温度为1535℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第7步:加热时间为35min,加热温度为1500℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,上隔笼开启高度为6cm;
第8步:加热时间为30min,加热温度为1430℃,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持6cm;
4)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为35min,加热温度为1422℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持7cm;
第2步:加热时间为140min,加热温度为1422℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持8cm;
第3步:加热时间为730min,加热温度为1422℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持11cm;
第4步:加热时间为440min,加热温度为1415℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持14cm;
第5步:加热时间为350min,加热温度为1412℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持14cm;
第6步:加热时间为225min,加热温度为1402℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持14cm;
5)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为35min,加热温度为1375℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持2cm;
第2步:加热时间为90min,加热温度为1375℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持2cm;
第3步:加热时间为60min,加热功率为20%,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持2cm;
第4步:加热时间为60min,加热功率为7%,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第5步:加热时间为60min,加热功率为5%,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持15cm;
第6步:加热时间为105min,加热功率为2%,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar,隔热笼开启高度保持15cm;
6)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar;
第2步:冷却时间为65min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为500mbar;
第3步:冷却时间为195min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为650mbar;
第4步:冷却时间为65min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为770mbar;
冷却过后,打开铸锭炉得到铸锭多晶。
实施例3
一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤:(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;(2)进行加热过程;(3)进行融化过程;(4)进行长晶过程;(5)进行退火过程;(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;
1)所述步骤(1)原料配制重量比为:原生多晶65%,单多晶循环料25%,单多晶碎片3%,提纯方棒7%,所述原生多晶包括一级原生多晶(大于6N)、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
1)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为15min,加热功率设定值为5—15%,真空度为0.006mbar;
第2步:加热时间为40min,加热功率设定值为45%,真空度为0.006mbar;
第3步:加热时间为35min,加热功率设定值为50%,炉子压力设定在300mbar;
第4步:加热时间为35min,加热功率设定值为65%,炉子压力设定在400mbar;
第5步:加热时间为35min,加热功率设定值为70%,炉子压力设定在600mbar;
第6步:加热时间为35min,加热功率设定值为75%,炉子压力设定在600mbar;
第7步:加热时间为35min,加热功率设定值为78%,炉子压力设定在600mbar;
第8步:加热时间为35min,加热功率设定值为80%,炉子压力设定在600mbar;
第9步:加热时间为1000min,加热功率设定值为85%,炉子压力设定在600mbar;
2)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为80min,加热温度为1540℃,铸锭炉腔内压力设定值为600mbar,上隔笼开启高度保持5cm;
第2步:加热时间为50min,加热温度为1540℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,上隔笼开启高度保持8cm;
第3步:加热时间为50min,加热温度为1540℃,铸锭炉腔内压力600mbar,上隔笼开启高度保持8cm;
第4步:加热时间为100min,加热温度为1550℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,上隔笼开启高度保持8cm;
第5步:加热时间为360min,加热温度为1550℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,上隔笼开启高度保持8cm;
第6步:加热时间为600min,加热温度为1550℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,上隔笼开启高度保持8cm;
第7步:加热时间为60min,加热温度为1540℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,上隔笼开启高度为8cm;
第8步:加热时间为50min,加热温度为1460℃,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持8cm;
3)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为60min,加热温度为1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第2步:加热时间为180min,加热温度为1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持10cm;
第3步:加热时间为1100min,加热温度为1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持15cm;
第4步:加热时间为500min,加热温度为1430℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持18cm;
第5步:加热时间为400min,加热温度为1425℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持18cm;
第6步:加热时间为300min,加热温度为1415℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持18cm;
4)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为60min,加热温度为1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持5cm;
第2步:加热时间为120min,加热温度为1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持5cm;
第3步:加热时间为90min,加热功率为30%,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持5cm;
第4步:加热时间为90min,加热功率为15%,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持15cm;
第5步:加热时间为90min,加热功率为10%,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持20cm;
第6步:加热时间为150min,加热功率为5%,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar,隔热笼开启高度保持20cm;
5)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为120min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar;
第2步:冷却时间为100min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600mbar;
第3步:冷却时间为300min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为700mbar;
第4步:冷却时间为90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为850mbar;
冷却过后,打开铸锭炉得到铸锭多晶。

Claims (1)

1.一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法,包括以下步骤:
(1)配制原料,将原料装入到坩埚送入铸锭炉内;
(2)进行加热过程;
(3)进行融化过程;
(4)进行长晶过程;
(5)进行退火过程;
(6)进行冷却过程,冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶;其特征在于:
1)所述步骤(1)原料配制重量比为:原生多晶50%-65%,单多晶循环料25%-35%,单多晶碎片3%-5%,提纯方棒3%-10%,所述原生多晶包括大于6N的一级原生多晶、二三级原生多晶、原生多晶颗粒料,单多晶循环料包括硅锭的头料、尾料、边皮、尾料、头料,单多晶碎片包括切割碎片和电池碎片;
2)所述步骤(2)加热过程包括以下9个步骤:
第1步:加热时间为10~15min,加热功率设定值为5—15%,真空度为0.02~0.006mbar;
第2步:加热时间为10~40min,加热功率设定值为15—45%,真空度为0.02~0.006mbar;
第3步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为30—50%,炉子压力设定在100--300mbar;
第4步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为40—65%,炉子压力设定在200--400mbar;
第5步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为50—70%,炉子压力设定在300--600mbar;
第6步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—75%,炉子压力设定在400--600mbar;
第7步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—78%,炉子压力设定在400--600mbar;
第8步:加热时间为10~35min,加热功率设定值为60—80%,炉子压力设定在400--600mbar;
第9步:加热时间为300~1000min,加热功率设定值为60—85%,炉子压力设定在400--600mbar;
3)所述步骤(3)熔化过程包括以下8个步骤:
第1步:加热时间为10~80min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力设定值为400~600mbar,上隔笼开启高度保持1~5cm;
第2步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持2~8cm;
第3步:加热时间为10~50min,加热温度为1500~1540℃,铸锭炉腔内压力400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第4步:加热时间为10~100min,加热温度为1500~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第5步:加热时间为90~360min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第6步:加热时间为240~600min,加热温度为1520~1550℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度保持3~8cm;
第7步:加热时间为10~60min,加热温度为1460~1540℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,上隔笼开启高度为4~8cm;
第8步:加热时间为10~50min,加热温度为1400~1460℃,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持4~8cm;
4)所述步骤(4)长晶过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~10cm;
第2步:加热时间为100~180min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持6~10cm;
第3步:加热时间为360~1100min,加热温度为1410~1435℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持8~15cm;
第4步:加热时间为380~500min,加热温度为1400~1430℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第5步:加热时间为300~400min,加热温度为1400~1425℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
第6步:加热时间为150~300min,加热温度为1390~1415℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~18cm;
5)所述步骤(5)退火过程包括以下6个步骤:
第1步:加热时间为10~60min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第2步:加热时间为60~120min,加热温度为1350~1400℃,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第3步:加热时间为30~90min,加热功率为10—30%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持0~5cm;
第4步:加热时间为30~90min,加热功率为0—15%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持5~15cm;
第5步:加热时间为30~90min,加热功率为0—10%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
第6步:加热时间为60~150min,加热功率为0—5%,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar,隔热笼开启高度保持10~20cm;
6)所述步骤(6)冷却过程包括以下4个步骤:
第1步:冷却时间为60~120min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第2步:冷却时间为30~100min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为400~600mbar;
第3步:冷却时间为90~300min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为600~700mbar;
第4步:冷却时间为20~90min,加热功率为0,通氩气,铸锭炉腔内压力为700~850mbar。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106435728A (zh) * 2016-09-23 2017-02-22 江苏美科硅能源有限公司 一种用于多晶炉铸锭的长晶工艺
CN107585770A (zh) * 2016-12-07 2018-01-16 安徽爱森能源有限公司 一种硅的提纯方法
CN109208072A (zh) * 2018-05-31 2019-01-15 扬州续笙新能源科技有限公司 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法
CN110685010A (zh) * 2019-10-30 2020-01-14 晶科能源有限公司 一种高效多晶硅铸锭方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102268729A (zh) * 2011-08-19 2011-12-07 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 一种450型铸锭炉及其铸锭工艺
CN104120492A (zh) * 2014-08-14 2014-10-29 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 高效半熔多晶铸锭的制作工艺
CN104131341A (zh) * 2014-08-14 2014-11-05 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 高效多晶硅铸锭的制作工艺

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102268729A (zh) * 2011-08-19 2011-12-07 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 一种450型铸锭炉及其铸锭工艺
CN104120492A (zh) * 2014-08-14 2014-10-29 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 高效半熔多晶铸锭的制作工艺
CN104131341A (zh) * 2014-08-14 2014-11-05 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 高效多晶硅铸锭的制作工艺

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106435728A (zh) * 2016-09-23 2017-02-22 江苏美科硅能源有限公司 一种用于多晶炉铸锭的长晶工艺
CN107585770A (zh) * 2016-12-07 2018-01-16 安徽爱森能源有限公司 一种硅的提纯方法
CN109208072A (zh) * 2018-05-31 2019-01-15 扬州续笙新能源科技有限公司 一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法
CN110685010A (zh) * 2019-10-30 2020-01-14 晶科能源有限公司 一种高效多晶硅铸锭方法

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