CN109201581B - 一种清洗半导体机台零部件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：(1)配制清洗液；(2)浸泡半导体机台零部件；(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。本发明的优点在于，本发明的方法低成本、易操作、毒性小，同时有效去除半导体机台零部件上的污染物，通过该方法清洗后的半导体机台零部件清洁度高，从而有效保障制作出来的芯片成品率高，无污染。
Description
技术领域
本发明属于制备芯片的半导体设备清洗技术领域，具体为一种清洗半导体机台零部件的方法。
背景技术
随着信息化、网络化的高度发展，各种各样的芯片变成了生活、工作中不可缺少的一部分，芯片制造如同机械加工需要设备，例如半导体设备，采用半导体设备进行加工各种芯片时，加工过程中冷却液、灰尘等会污染芯片的杂质会残留在半导体机台零部件上，如若使用被污染的零部件制成出来的芯片也会受到污染导致无法使用，现有技术中没有系统地清洁办法，最多是拿清洁布擦拭，这种擦拭方法并不能有效去除零部件上的有机杂质、灰尘等等污染物。
发明内容
为解决现有技术中不能高效去除半导体机台零部件上的污染物的缺陷，本发明提供了一种清洗半导体机台零部件的方法，其实现的目的为，得到一种低成本、易操作、毒性小，并且能够同时有效去除半导体机台零部件上的污染物的方法，通过该方法清洗后的半导体机台零部件清洁度高，从而有效保障制作出来的芯片成品率高，无污染。
为了实现上述目的，本发明公开的技术方案为，本发明提供的一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面20mm-30mm；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
本发明中采用的擦擦克林是从市场中直接购买的成品，它是从韩国克林莱公司原装进口的神奇清洁海绵，它是由小于头发的十万分之一的细小颗粒组成的清洁海绵，采用上述方法对半导体机台零部件进行清洗，可有效去除半导体机台零部件上的各种污染物，再使用各种零部件对芯片加工时，与现有技术清洗后的零部件加工芯片比较，经现有技术清洗后的零部件加工芯片后，芯片污染率平均为20％，本发明采用清洗后的零部件加工芯片时，芯片的污染率降至均为1％，成品的99％的芯片性能都完好。
进一步的，该方法还包括(6)将清洗好的半导体机台零部件进行真空干燥，经真空干燥后，将洁净的半导体机台零部件放入置有干燥剂的真空包装内备用。增加的真空干燥的步骤，是为了防止清洗好的半导体机台零部件在晾干的过程中又粘上空气中的污染物，进一步保证清洗好的半导体机台零部件在下次使用时也是洁净的，同时采用真空干燥的方法也不会破坏所述零部件的性能。
进一步的，所述步骤(1)中清洗液包括丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯，所述各成分的重量比为5-6:1-2:1-2:1-2:2-3。采用所述具体的丙酮等成分的清洗液对半导体机台零部件进行清洗，不会腐蚀零部件，对工作人员毒性低，而又能保证清洗效果好。
进一步的，所述步骤(2)中浸泡半导体机台零部件的时间为30min-40min。所优选的浸泡时间可以使将粘附在半导体机台零部件表面的污染物最大化的溶解掉，而又不会破坏所述零部件的性能。
进一步的，所述步骤(3)中采用的擦擦克林为在清洗液浸泡过的擦擦克林。擦擦克林与清洗液结合，能够更好地、快速地将污染物去除。
进一步的，所步骤(4)中高压水枪的压力为7Mpa-9Mpa。所具体优选的高压水枪的压力，可以使半导体机台零部件沟槽、螺纹孔等不易擦拭的地方内的污染物都清除掉。
进一步的，所述步骤(5)中采用浸泡过丙酮的白色无尘布对半导体机台零部件进行擦拭，若无尘布未发生颜色变化，即视为半导体机台零部件已清洗干净。采用丙酮可以敏锐的感应到半导体机台零部件上的污染物，所以采用带有丙酮的无尘布检查半导体机台零部件是否已干净的方式，具有很高的精确度。
进一步的，所述步骤(6)中真空干燥的温度为100-120℃，真空干燥的时间为30-40min。所具体优选的干燥温度和时间能够快速地将半导体机台零部件烘干，并且不会影响所述零部件的使用。
采用上述技术方案，本发明具有的有益效果包括：本发明提供了一种低成本、易操作、毒性小，并且能够同时有效去除半导体机台零部件上的污染物的方法，通过该方法清洗后的半导体机台零部件清洁度高，从而有效保障制作出来的芯片成品率高，无污染。
具体实施方式
下面通过具体的实施例对本发明做进一步的详细描述。在没有特殊说明情况下，均采用的是现有技术。
实施例一：一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面20mm；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
所述步骤(1)中清洗液包括丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯，所述各成分的重量比为5:1:1:1:2。
由于半导体机台零部件在加工芯片时，还包括了研磨步骤，所以很多研磨下来的粉尘、加工过程的油污等结合在一起，会形成很难去除的污染物，而本发明所选择的清洗液的成分，丙酮是具有非常强挥发性的有机溶质，十二烷基磺酸钠常用于表面活性剂、聚山梨酯常用作乳化剂，而将这些成分按照上述配比混合得到混合物，却对零部件上的污染物有很好的去除作用。本发明步骤(3)中需要在容器内完成擦拭的工作，这是由于丙酮挥发速度极快，一旦挥发粘附在表面的污迹没有丙酮的浸润，会再次粘附在零部件上，从而不易清洗；而步骤(4)必须使用的纯化水，是由于自来水中有很多粉尘颗粒，所以若采用其他水则会二次污染零部件，同时，由于自来水中含有少量金属，在采用半导体机台制作芯片时，容易残留杂质而污染芯片
采用上述方法对半导体机台零部件进行清洗，可有效去除半导体机台零部件上的各种污染物，再使用各种零部件对芯片加工时，与现有技术清洗后的零部件加工芯片比较，经现有技术清洗后的零部件加工芯片后，芯片污染率平均为20％，本发明采用清洗后的零部件加工芯片时，芯片的污染率降至均为1％，成品的99％的芯片性能都完好。
实施例二：一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面30mm；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
所述步骤(1)中清洗液包括丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯，所述各成分的重量比为6:2:2:2:3。
该方法还包括(6)将清洗好的半导体机台零部件进行真空干燥，经真空干燥后，将洁净的半导体机台零部件放入置有干燥剂的真空包装内备用。
所述步骤(2)中浸泡半导体机台零部件的时间为30min。
所述步骤(3)中采用的擦擦克林为在清洗液浸泡过的擦擦克林。
所步骤(4)中高压水枪的压力为7Mpa。
所述步骤(5)中采用浸泡过丙酮的白色无尘布对半导体机台零部件进行擦拭，若无尘布未发生颜色变化，即视为半导体机台零部件已清洗干净。
所述步骤(6)中真空干燥的温度为100℃，真空干燥的时间为30min。
本发明所选择的清洗液的成分，丙酮是具有非常强挥发性的有机溶质，十二烷基磺酸钠常用于表面活性剂、聚山梨酯常用作乳化剂，而将这些成分按照上述配比混合得到混合物，却对零部件上的污染物有很好的去除作用。采用上述方法对半导体机台零部件进行清洗，可有效去除半导体机台零部件上的各种污染物，再使用各种零部件对芯片加工时，与现有技术清洗后的零部件加工芯片比较，经现有技术清洗后的零部件加工芯片后，芯片污染率平均为20％，本发明采用清洗后的零部件加工芯片时，芯片的污染率降至均为1％，成品的99％的芯片性能都完好。
实施例三：一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面30mm；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
所述步骤(1)中清洗液包括丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯，所述各成分的重量比为5.5:1.5:1.8:1.2:2.5。
该方法还包括(6)将清洗好的半导体机台零部件进行真空干燥，经真空干燥后，将洁净的半导体机台零部件放入置有干燥剂的真空包装内备用。
所述步骤(2)中浸泡半导体机台零部件的时间为40min。
所述步骤(3)中采用的擦擦克林为在清洗液浸泡过的擦擦克林。
所步骤(4)中高压水枪的压力为9Mpa。
所述步骤(5)中采用浸泡过丙酮的白色无尘布对半导体机台零部件进行擦拭，若无尘布未发生颜色变化，即视为半导体机台零部件已清洗干净。
所述步骤(6)中真空干燥的温度为120℃，真空干燥的时间为40min。
本发明所选择的清洗液的成分，丙酮是具有非常强挥发性的有机溶质，十二烷基磺酸钠常用于表面活性剂、聚山梨酯常用作乳化剂，而将这些成分按照上述配比混合得到混合物，却对零部件上的污染物有很好的去除作用。采用上述方法对半导体机台零部件进行清洗，可有效去除半导体机台零部件上的各种污染物，再使用各种零部件对芯片加工时，与现有技术清洗后的零部件加工芯片比较，经现有技术清洗后的零部件加工芯片后，芯片污染率平均为20％，本发明采用清洗后的零部件加工芯片时，芯片的污染率降至均为1％，成品的99％的芯片性能都完好。
实施例四：一种清洗半导体机台零部件的方法，包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面30mm；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
所述步骤(1)中清洗液包括丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯，所述各成分的重量比为6:2:2:2:3。
该方法还包括(6)将清洗好的半导体机台零部件进行真空干燥，经真空干燥后，将洁净的半导体机台零部件放入置有干燥剂的真空包装内备用。
所述步骤(2)中浸泡半导体机台零部件的时间为35min。
所述步骤(3)中采用的擦擦克林为在清洗液浸泡过的擦擦克林。
所步骤(4)中高压水枪的压力为8Mpa。
所述步骤(5)中采用浸泡过丙酮的白色无尘布对半导体机台零部件进行擦拭，若无尘布未发生颜色变化，即视为半导体机台零部件已清洗干净。
所述步骤(6)中真空干燥的温度为110℃，真空干燥的时间为35min。
本发明所选择的清洗液的成分，丙酮是具有非常强挥发性的有机溶质，十二烷基磺酸钠常用于表面活性剂、聚山梨酯常用作乳化剂，而将这些成分按照上述配比混合得到混合物，却对零部件上的污染物有很好的去除作用。采用上述方法对半导体机台零部件进行清洗，可有效去除半导体机台零部件上的各种污染物，再使用各种零部件对芯片加工时，与现有技术清洗后的零部件加工芯片比较，经现有技术清洗后的零部件加工芯片后，芯片污染率平均为20％，本发明采用清洗后的零部件加工芯片时，芯片的污染率降至均为1％，成品的99％的芯片性能都完好。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
(1)配制清洗液；
(2)浸泡半导体机台零部件：将半导体机台零部件拆卸后放入容器内，在容器内倒入清洗液，清洗液液面高于所述零部件表面20mm-30mm；这里所使用的清洗液为丙酮、十二烷基磺酸钠、丙氨酸、烷基二甲基苄基氯化铵、聚山梨酯的混合液，各成分的重量比为5-6:1-2:1-2:1-2:2-3；
(3)采用擦擦克林伸入容器内，擦拭经步骤(2)浸泡后的半导体机台零部件；
(4)经步骤(3)擦拭处理后，将半导体机台零部件转移到另一个干净容器内，将纯化水装入高压水枪后，对所述零部件表面进行冲洗；
(5)确认经步骤(4)冲洗后的半导体机台零部件表面已无污染物残留即可。
2.根据权利要求1所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，该方法还包括(6)将清洗好的半导体机台零部件进行真空干燥，经真空干燥后，将洁净的半导体机台零部件放入置有干燥剂的真空包装内备用。
3.根据权利要求1所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，所述步骤(2)中浸泡半导体机台零部件的时间为30min-40min。
4.根据权利要求1所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，所述步骤(3)中采用的擦擦克林为在清洗液浸泡过的擦擦克林。
5.根据权利要求1所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，所步骤(4)中高压水枪的压力为7Mpa-9Mpa。
6.根据权利要求1所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，所述步骤(5)中采用浸泡过丙酮的白色无尘布对半导体机台零部件进行擦拭，若无尘布未发生颜色变化，即视为半导体机台零部件已清洗干净。
7.根据权利要求2所述的清洗半导体机台零部件的方法，其特征在于，所述步骤(6)中真空干燥的温度为100-120℃，真空干燥的时间为30-40min。
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