CN109196680A - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本说明书涉及：用于有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层的涂覆组合物；通过使用其制造有机电致发光器件的方法；以及有机电致发光器件，所述涂覆组合物包含：包含第5族、第6族和第7族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物；包含第1族、第8族、第11族和第12族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐；以及有机溶剂。

Description

有机电致发光器件及其制造方法
技术领域
本说明书要求于2016年5月10日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0057050号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及用于制造有机电致发光器件的方法和由该方法制造的有机电致发光器件。
背景技术
有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程将电流转换为可见光的实例之一。有机发光现象的原理如下。当将有机材料层设置在阳极与阴极之间时，如果在两个电极之间施加电流，则电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机材料层中。注入到有机材料层中的电子和空穴复合以形成激子，并且激子再次落入基态而发光。利用该原理的有机电致发光器件通常可以由阴极、阳极和设置在其间的有机材料层(例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层)构成。
当通过使用真空过程制造有机电致发光器件时，存在设备投资成本和工艺成本高的缺点，在均匀制造具有大面积的有机电致发光器件方面存在限制，并且由于在沉积期间材料被丢弃而不是沉积至基底上的比例高，材料利用率低。相比之下，当使用溶液法制造有机电致发光器件时，存在可以通过排除昂贵的沉积设备来降低生产成本的优点，并且容易实现大面积。然而，与沉积法不同，当通过溶液法堆叠构成有机电致发光器件的层时，下层很可能被形成上层的过程损坏。也就是说，可能发生这样的现象：其中下层中的材料被溶液法中使用的溶剂或墨再次溶解，并因此与上层混合，或者薄膜受到物理损坏。为了防止这种现象，制备每层中使用的溶剂以使彼此不具有溶解性，或者还添加这样的过程：其中通过对下层的后处理，在形成上层时下层不溶解。
在通过溶液法体系制造的有机电致发光器件中，最常使用的空穴注入层材料是导电聚合物。由于这些导电聚合物本身通常不具有高溶解度，并且通常为水溶液的形式，因此其溶剂特性不同于上层中使用的有机溶剂的溶剂特性，结果，可以在一定程度上确保可加工性。此外，通过使用这些导电聚合物制造的有机电致发光器件似乎表现出相对低的驱动电压。然而，这些导电聚合物的特征通常在于因使用具有低pH的酸性掺杂剂材料而损坏作为下层的电极材料，并且由于该特征而具有使用寿命特性劣化的缺点。同时，作为用于形成另一种形式的空穴注入层的方法，已知通过用离子材料或n型材料(例如TCNQ)掺杂基于芳基胺的材料来形成空穴注入层的方法。然而，该方法仍然存在对如前所述的后处理的溶剂或墨的耐性问题。
发明内容
技术问题
本说明书致力于提供可以在通过溶液法制造有机电致发光器件期间使用的用于涂覆空穴注入或传输层或者电荷产生层的组合物、使用该组合物制造有机电致发光器件的方法、以及通过使用该组合物制造的有机电致发光器件。
技术方案
本说明书的一个示例性实施方案提供了用于有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层的涂覆组合物，该涂覆组合物包含：
包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物；
包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐；以及
有机溶剂。
本说明书的另一个示例性实施方案提供了用于制造有机电致发光器件的方法，
该方法包括：
准备基底；
在基底上形成第一电极；
在第一电极上形成具有一个或更多个层的有机材料层；以及
在有机材料层上形成第二电极，
其中该方法还包括通过使用根据示例性实施方案的涂覆组合物的涂覆法在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时在有机材料层之间形成空穴注入或传输层或者电荷产生层。
本说明书的又一个示例性实施方案提供了有机电致发光器件，其包括：
第一电极；第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
其中该有机电致发光器件还包括空穴注入或传输层或者电荷产生层，所述空穴注入或传输层或者电荷产生层设置在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在有机材料层之间，并且
由金属氧化物构成，该金属氧化物包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者以及第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者。
本说明书的又一个示例性实施方案提供了有机电致发光器件，其包括：
第一电极；第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
其中该有机电致发光器件还包括空穴注入或传输层或者电荷产生层，该空穴注入或传输层或者电荷产生层设置在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在有机材料层之间，并且通过使用根据示例性实施方案的涂覆组合物而形成。
有益效果
在本说明书中，第V族、第VI族或第VII族过渡金属可以如上所述与第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者掺杂或混合以形成有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层，从而通过使用经掺杂或混合的金属通过改变待形成的层的功函数使电荷注入特性多样化。
此外，本说明书可以提供如上所述的涂覆组合物以形成有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层，所述涂覆组合物包含：第V族、第VI族或第VII族过渡金属，包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属的有机金属配合物或金属盐，以及有机溶剂；并且本说明书可以提供这样的有机电致发光器件：其特性由于通过使用该涂覆组合物不会损坏电极(例如ITO电极)而得到增强，其与电极的界面特性得到改善，并且其对用于上层(例如空穴传输层或发光层)的溶剂的耐性优异。
在由墨组合物获得的空穴注入或传输层或者电荷产生层的情况下，溶剂在涂覆之后的干燥过程期间被除去，并且有机金属配合物的有机材料配体通过与空气中的氧反应而分解并因此在热处理过程期间被除去，并且该层最终以掺杂的金属氧化物的形式存在，结果，由残余有机材料引起的电荷特性的劣化被最小化，特别地，可以获得具有长使用寿命的有机发光器件。此外，在涂覆膜的热处理过程期间，当配体在被氧化的同时分解时，中心金属元素与空气中的氧反应生成M-O-M键，结果，产生了MO3(例如，MoO3或WO3和V2O5的形式)，并且同时，由于其中金属原子在一些部分中彼此键合的M-M键，可能部分地产生另一类型的氧化物(例如W2O5或Mo2O5)，从而赋予由氧缺乏引起的金属氧化物的掺杂效应，这称为一般金属氧化物的掺杂机理。结果，在由真空沉积的MoO3或WO3等形成的空穴注入层的情况下，驱动电压在厚度增加的同时急剧增加，而与特别是当厚度为30nm或更大时空穴注入层几乎充当绝缘体不同，由金属氧化物构成并且通过使用根据本说明书的墨组合物制备的空穴注入或传输层或者电荷产生层由于上述掺杂效应而在整个金属氧化物薄膜中具有增加的电荷浓度和电荷迁移率，并且因此提供了即使当厚度增加至30nm或更大时也不会发生驱动电压增加的特性。
此外，在涂覆之后的热处理过程期间，在有机金属配合物中的金属与有机材料配体之间的键断裂的同时，有机金属配合物中的金属与存在于ITO界面处的氧原子键合，结果，阳极和作为空穴注入层的金属氧化物薄膜之间的界面得到改善，同时产生键例如金属-O-In或金属-O-Sn，使得与沉积的薄膜不同，该薄膜的机械强度提高，界面特性得到改善，结果，电荷可以在阳极和金属氧化物薄膜之间顺利地移动。
此外，与使用通过将金属氧化物粉末例如MoO3或V2O5本身添加并溶解到H2O2或NH4OH等中而获得的水溶液的情况相比，通过使用如上所述的有机溶剂，涂覆之后的薄膜形成特性优异，能够实现喷墨等的大量生产过程，并且器件特性可以因排除残留水分而改善。特别地，根据本说明书的示例性实施方案，通过使用上述有机金属配合物，即使部分地包含取代基如卤素基团，也可以制备当溶解在酮和基于醇或基于酯的溶剂中时被溶剂取代并因此具有适当粘度和良好可涂覆性的墨，并且可以通过使用该墨的涂覆法有利地制造空穴注入或传输层或者电荷产生层。
附图说明
图1示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的有机电致发光器件的实例。
图2示出了当通过使用根据本发明的一个示例性实施方案的涂覆组合物形成薄膜时能够确认Mo-Mo键的XPS结果。
101：基底
201：阳极
301：空穴注入层
401：空穴传输层
501：发光层
601：电子传输层
701：阴极
具体实施方式
下文中，将对本说明书进行详细地描述。
在本说明书中，当一个构件设置在另一构件“上”时，这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。
在本说明书中，除非另有具体描述，否则当一部分“包括”一个构成要素时，这不意指排除另外的构成要素，而是意指还可以包括另外的构成要素。
本说明书的一个示例性实施方案提供了用于有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层的涂覆组合物，该涂覆组合物包含：包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物；包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐；以及有机溶剂。
由于第V族、第VI族或第VII族过渡金属和第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属的金属氧化物的氧化数不同，并且这些氧化物具有不同的功函数，因此通过掺杂或混合这些氧化物最终产生的薄膜的功函数不同。因此，可以通过调节待掺杂或混合的金属的类型和量使功函数多样化。因此，可以通过根据空穴传输层、发光层和设置在上层上的电子传输层的类型或特性匹配功函数来调节器件中空穴与电子之间的平衡，从而实现长使用寿命并调节发光效率。
包含第V族、第VI族或第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物可以优选地包含Mo、W、V或Re，并且更优选Mo。
包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐可以包含：碱金属，例如Li、Na、K、Rb和Cs；过渡金属，例如Fe、Ru、Os、Cu、Ag、Au、Zn和Cd；等等。
包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐更优选地包含第I族的碱金属例如Li、Na、K、Rb或Cs，并且可以更优选地包含Na。
根据一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Li、Na、K、Rb或Cs的有机金属配合物或金属盐。
根据一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Fe、Ru、Cu、Ag、Au或Zn的有机金属配合物或金属盐。
如果可能的话，优选的是包含Mo、W、V或Re的有机金属配合物具有足够的有机材料部分以具有良好的溶解性和良好的可涂覆性，但是由于优选的是有机金属配合物的配体在热处理期间被除去，使得有机金属配合物变成金属氧化物，因此优选具有在350℃或更低时热分解的配体。此外，与有机金属配合物混合的金属元素的前体可以具有配体，例如各种元素的有机配合物，如甲醇酯/盐、乙醇酯/盐、异丙醇酯/盐、丁醇酯/盐、乙酸酯/盐和乙酰丙酮化物，并且前体也可以是卤化物、硝酸酯/盐和硫酸酯/盐。然而，优选的是，在热处理之后不残留这些有机配体和盐的阴离子部分。
根据一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Cu的有机金属配合物或金属盐。
根据另一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Na的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Ag的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Fe的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Cs的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Zn的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Au的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有K的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Rb的有机金属配合物或金属盐。
根据又一个实例，涂覆组合物可以包含含有Mo、W、V或Re的有机金属配合物和含有Ru的有机金属配合物或金属盐。
根据另一个示例性实施方案，涂覆组合物中第V族、第VI族或第VII族有机金属配合物的含量比率为0.01重量％至50重量％，并且与第V族、第VI族或第VII族过渡金属原子混合的第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属元素的比率为0.01原子％至50原子％。基于总金属原子，涂覆组合物中的第V族、第VI族或第VII族金属可以以50原子％至99.99原子％的量存在。
在示例性实施方案中，有机金属配合物和金属盐可以是氧化数为-2至+6的配合物。有机金属配合物包含与金属键合的上述有机配体。有机配体没有特别限制，但是可以考虑溶剂溶解性或与相邻有机材料层的界面特性等来选择。有机配体的实例包括羰基、乙酰基、乙酰丙酮基、乙酰乙酸甲酯基、乙酰乙酸乙酯基、硫代乙酸酯/盐、异氰酸酯/盐、氰酸酯/盐、异氰酸酯/盐、硝酸酯/盐、己酸酯/盐、柠檬酸酯/盐、卤素原子等。此外，有机配体可以具有包含芳族环和/或杂环的结构，并且可以是例如：苯、三苯胺、芴、联苯、芘、蒽、咔唑、苯基吡啶、三噻吩、苯基二唑、苯基三唑、苯并咪唑、苯基三嗪、苯并二噻嗪、苯基喹喔啉、亚苯基亚乙烯、苯基噻咯，或者这些结构的组合。芳族环或杂环可以具有取代基，并且例如，取代基可以是烷基、卤素原子、烷氧基、氰基、硝基等。烷基和烷氧基可以具有例如1至12个碳原子。
有机配体的具体实例包括基于烷氧基的配体或基于乙酸酯/盐的配体，例如乙酰丙酮化物(acac)、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸甲酯、OPh、羰基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基和乙基己氧基，但不限于此。此外，有机配体可以是有机配体和卤素基团共存形式的配体。
有机金属配合物可以包含金属氧化物。金属氧化物可以包括包含第V族、第VI族或第VII族过渡金属中的一者或更多者或者包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的金属氧化物，并且上述有机配体可以与该金属氧化物配位。有机金属配合物的实例包括：W(CO)6、W(acac)3、Mo(CO)6、WO2Cl2、MoO2(acac)2、硝酸钠、Zn(acac)2、乙酸铁和硝酸铯。作为另一个实例，当有机金属配合物包含V时，有机金属配合物可以是其中一部分被氧取代的VO(acac)2，并且可以是其中未被氧取代的V(acac)3。作为又一个实例，甚至当有机金属配合物包含W时，有机金属配合物也可以是W(acac)3，并且还可以是被部分氧化的WO(acac)2。
此外，有机金属配合物可以是两种或更多种不同配体彼此键合的形式。例如，有机金属配合物可以是二氯二氧化钼。
在一个示例性实施方案中，有机溶剂可以包含羟基和酮基中的至少一者。
在一个示例性实施方案中，有机溶剂是基于醇的溶剂。
在另一个示例性实施方案中，有机溶剂是基于酮的溶剂。
在本说明书中，具有羟基或酮基的有机溶剂的实例可以包括丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、环己酮、环戊酮、异佛尔酮、乙酰丙酮、四氢萘酮、苯甲酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸丁酯、乙酸乙酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸二乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、环戊醇、己醇、环己醇、庚醇和辛醇，并且可以是由以下通式1表示的溶剂。
通式1
在通式1中，n为1至20的整数，l和m各自为或者均为0至5的整数，并且R1、R2、R3和R4各自为或者全部为氢原子、具有1至20个碳原子的烷基、具有2至20个碳原子的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有1至20个碳原子的烷氧基、具有6至40个碳原子的芳基、具有2至40个碳原子的杂芳基、或者具有1至20个碳原子的酯基。
根据一个示例性实施方案，有机溶剂的沸点优选为350℃或更低。作为具体实例，可以使用乙二醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单戊醚、乙二醇单己醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、乙二醇二戊醚、乙二醇二己醚、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、二乙二醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二亚乙基二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、乙二醇二乙酸酯、PEG 600、三甘醇等。
由通式1表示的溶剂的优点在于，可以在不与上述特别是用作金属氧化物的前体的有机金属配合物形成化学强键的情况下，通过使金属氧化物的前体不容易变成另一种氧化态或物质来制成在制造器件之后不留下有机材料的氧化物薄膜。
根据一个示例性实施方案，优选的是，涂覆组合物中包含第V族、第VI族或第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物的含量为0.01重量％至50重量％。根据一个示例性实施方案，基于第V族、第VI族或第VII族过渡金属，涂覆组合物中包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐的含量可以为0.01重量％至50重量％，优选1重量％至20重量％，并且更优选1重量％至15重量％。当包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐相对于第V族、第VI族或第VII族过渡金属满足该含量范围时，存在器件的使用寿命特性优异的益处。
除了有机金属配合物之外，涂覆组合物还可以包含添加剂以改善特性例如可涂覆性和粘度。例如，添加剂可以包括选自以下的任一者或更多者：分散剂、表面活性剂、聚合物、粘合剂、交联剂、乳化剂、消泡剂、干燥剂、填料、填充剂、增稠剂、膜调节剂、抗氧化剂、流化剂、平整度添加剂和腐蚀抑制剂。
本说明书的另一个示例性实施方案涉及用于制造有机电致发光器件的方法，该方法包括：
准备基底；
在基底上形成第一电极；
在第一电极上形成具有一个或更多个层的有机材料层；以及
在有机材料层上形成第二电极，
其中该方法还包括通过使用根据示例性实施方案的上述涂覆组合物的涂覆法在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时在有机材料层之间形成空穴注入或传输层或者电荷产生层。
用于形成空穴注入或传输层或者电荷产生层的涂覆方法可以是例如选自以下的任一种：旋涂体系、喷墨体系、喷嘴印刷、湿涂、喷涂、刮刀涂覆、接触印刷、顶部进料反向印刷、底部进料反向印刷、喷嘴进料反向印刷、凹版印刷、微凹版印刷、反向微凹版印刷、辊涂、狭缝模涂覆、毛细管涂覆、喷射沉积和喷雾沉积，并且可以优选为旋涂、喷墨涂覆、喷嘴印刷等。
涂覆方法可以通过将上述组合物涂覆至第一电极或第二电极上，然后干燥该组合物来进行。干燥或热处理或者干燥之后的热处理可以在氮气中或空气中进行，但是在空气中的干燥或热处理或者干燥之后的热处理有利于除去溶剂和有机材料配体并且有利于将有机金属配合物转化为氧化物。此外，热处理的处理温度可以根据所使用的有机金属配合物而变化，但优选的是，在150℃或更高且300℃或更低、优选在200℃或更高且300℃或更低下进行热处理。
在本说明书中，当涂覆组合物包含含有第V族、第VI族或第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物和含有第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐，并且空穴注入或传输层或者电荷产生层的热处理温度在该温度范围内时，可以在整个温度范围内制造具有优异的使用寿命特性的器件。
然而，当涂覆组合物包含：包含第V族、第VI族或第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物；并且包含属于第I族、第VIII族、第XI族和第XII族之外的族的金属元素(特别是对应于第IV族的Ti元素)的有机金属配合物或金属盐时，难以制造具有优异的使用寿命特性的器件，并且由于器件的使用寿命特性仅在特定温度下增强，因此无法在整个过程温度内制造具有优异的使用寿命特性的器件。
根据一个示例性实施方案，通过使用涂覆组合物形成的空穴注入或传输层或者电荷产生层的厚度为1nm至1000nm。通常，在有机电致发光器件中，由于腔效应，需要对器件的总厚度进行优化，并且在厚度优化期间，其厚度需要根据上层的材料从几nm变化至1微米。此时，当电荷注入或传输层的厚度可以多样化而器件特性没有任何劣化时，对上层的器件结构和厚度变化的限制减少，这有利于提供优化的器件特性。本发明中提供的空穴注入或传输层提供了电压不会随着厚度增加的材料和器件。
根据另一个示例性实施方案，制造方法还包括形成通过使用涂覆组合物形成的空穴注入或传输层或者电荷产生层，然后对该层进行退火。退火可以在150℃至250℃，优选在180℃至250℃下进行。由于本发明中的退火旨在除去有机金属配合物的有机配体并使有机金属配合物在退火过程期间变成金属氧化物，因此优选的是，温度足够高以使有机金属配合物的配体被分解，并且优选的是，在含氧气氛下进行退火以使配体变为氧化物。
在一个示例性实施方案中，除了空穴注入或传输层或者电荷产生层通过使用根据示例性实施方案的上述涂覆组合物来形成之外，可以使用本领域已知的那些用于其他电极和有机材料层的材料和制造方法。
根据一个实例，第一电极是阳极，并且第二电极是阴极。
根据另一个实例，第二电极是阳极，并且第一电极是阴极。
根据一个实例，有机材料层包括发光层。
根据另一个实例，有机材料层可以由多层结构构成，并且例如包括以下的至少一个层：发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层。例如，根据本说明书的一个示例性实施方案的有机电致发光器件的结构例示在图1中。
图1例示出有机电致发光器件的结构，其中在基底101上依次堆叠有阳极201、空穴注入层301、空穴传输层401、发光层501、电子传输层601和阴极701。在图1中，空穴注入层301可以通过使用上述涂覆组合物而形成。然而，图1例示出有机电致发光器件，并且有机电致发光器件的结构不限于此。
当有机电致发光器件包括复数个有机材料层时，有机材料层可以由相同材料或不同材料形成。
例如，本说明书的有机电致发光器件可以通过将阳极、有机材料层和阴极依次堆叠在基底上来制造。此时，有机电致发光器件可以如下进行制造：通过使用物理气相沉积(PVD)法(例如溅射或电子束蒸镀)使金属或具有导电性的金属氧化物或其合金沉积在基底上以形成阳极，在阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层，然后在有机材料层上沉积可以用作阴极的材料。除了上述方法之外，有机电致发光器件还可以通过使阴极材料、有机材料层和阳极材料依次沉积在基底上来制造。此时，可以通过使用溶液法形成设置在阳极与阴极之间的至少一个层或所有的层。溶液法的实例包括印刷方法，例如喷墨印刷、喷嘴印刷、胶版印刷、转印或丝网印刷等，但不限于此。当使用溶液法时，在器件制造期间在时间和成本方面存在经济效应。当有机材料层经受溶液法时，如果需要，可以另外进行热处理或光处理。此处，可以根据过程条件或使用的材料来选择热处理的温度和时间，并且热处理可以在例如85℃至300℃下进行1分钟至1小时。
作为阳极材料，通常优选具有高的功函数的材料以促进空穴注入有机材料层。可以用于本发明的阳极材料的具体实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌和金，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IGZO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)和氧化铟锌(IZO)；金属和氧化物的组合，例如ZnO:Al或SnO2:Sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺；等等，但不限于此。
作为阴极材料，通常优选具有低的功函数的材料以促进电子注入有机材料层。阴极材料的具体实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅，或其合金；多层结构材料，例如LiF/Al或LiO2/Al；等等，但不限于此。
在形成通过使用包含有机金属配合物的上述涂覆组合物形成的空穴注入或传输层之外的另外的空穴注入层时，用于空穴注入层的材料优选为这样的化合物：其具有传输空穴的能力并因此在阳极处具有空穴注入效应，对发光层或发光材料具有优异的空穴注入效应，防止由发光层产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料，并且形成薄膜的能力也优异。空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选为介于阳极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间的值。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，并且空穴传输材料适当地为具有高的空穴迁移率的材料，其可接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分二者的嵌段共聚物等，但不限于此。
发光材料是这样的材料：其可通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使其结合而发出可见光区域内的光，并且优选为对荧光或磷光具有良好量子效率的材料。其具体实例包括：8-羟基-喹啉铝配合物(Alq3)；基于咔唑的化合物；二聚苯乙烯基化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；基于苯并唑、基于苯并噻唑和基于苯并咪唑的化合物；基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)的聚合物；螺环化合物；聚芴；红荧烯等，但不限于此。
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料的实例包括稠合芳族环衍生物或含杂环的化合物等。具体地，稠合芳族环衍生物的实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，并且含杂环的化合物的实例包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但其实例不限于此。
掺杂剂材料的实例包括芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体地，芳族胺衍生物为具有经取代或未经取代的芳基氨基的稠合芳族环衍生物，并且其实例包括具有芳基氨基的芘、蒽、二茚并芘等，苯乙烯胺化合物是其中经取代或未经取代的芳基胺经至少一个芳基乙烯基取代的化合物，并且选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的一个或两个或更多个取代基是经取代或未经取代的。其具体实例包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺、苯乙烯四胺等，但不限于此。此外，金属配合物的实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。
电子传输层是接收来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层，并且电子传输材料适当地为可顺利地接收来阴极的电子并将电子传输至发光层的具有高电子迁移率的材料。其具体实例包括：8-羟基喹啉的Al配合物；包含Alq3的配合物；有机自由基化合物；羟基黄酮-金属配合物；等等，但不限于此。电子传输层可以与根据相关技术所使用的任何期望的阴极材料一起使用。特别地，阴极材料的适当实例为具有低功函数的典型材料，其后接铝层或银层。其具体实例包括铯、钡、钙、镱和钐，在每种情况下都后接铝层或银层。
电子注入层是注入来自电极的电子的层，并且电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力，具有从阴极注入电子的效应，并且具有将电子注入发光层或发光材料的优异效应，防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层，并且形成薄膜的能力也优异。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物，金属配合物化合物，含氮5元环衍生物等，但不限于此。
金属配合物化合物的实例包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但不限于此。
空穴阻挡层是阻挡空穴到达阴极的层，并且通常可以在与空穴注入层的条件相同的条件下形成。其具体实例包括二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、铝配合物等，但并不限于此。
本说明书的又一个示例性实施方案提供了有机电致发光器件，其包括：
第一电极；第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
其中有机电致发光器件还包括设置在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在有机材料层之间的空穴注入或传输层或者电荷产生层，并且
该空穴注入或传输层或者电荷产生层由包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者以及第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的金属氧化物构成。
本说明书的又一个示例性实施方案提供了有机电致发光器件，其包括：第一电极；第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，其中该有机电致发光器件还包括空穴注入或传输层或者电荷产生层，该空穴注入或传输层或者电荷产生层设置在第一电极与有机材料层之间、第二电极与有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在有机材料层之间，并且通过使用根据示例性实施方案的上述涂覆组合物而形成。
通过使用涂覆组合物形成的空穴注入或传输层或者电荷产生层由金属氧化物构成。此处，金属氧化物包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者以及第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者。
根据另一个示例性实施方案，在空穴注入或传输层或者电荷产生层中的总金属原子中，第V族、第VI族或第VII族过渡金属的氧化物的含量比率为50原子％至99.99原子％。此外，基于100原子％的第V族、第VI族或第VII族过渡金属，与过渡金属混合的第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属原子的比率为0.01原子％至50原子％。根据一个实例，当将第V族、第VI族或第VII族过渡金属定义为M1，并且将待掺杂的金属元素定义为M2时，空穴注入或传输层或者电荷产生层可以由M1xM2yOz表示。此时，在0<x+y≤100的情况下，0<z≤400，50<x≤99.99并且0.01≤y<50。
根据另一个实例，空穴注入或传输层或者电荷产生层的功函数为5.0至7.0。
根据一个实施，通过使用涂覆组合物形成的空穴注入或传输层或者电荷产生层的厚度为1nm至1000nm。此时，在空穴注入或传输层或者电荷产生层中，电荷浓度和迁移率由于在溶液法期间发生的掺杂效应而增加，因此，不会发生由厚度引起的电压降低。
根据一个示例性实施方案，空穴注入或传输层或者电荷产生层包含M-O键和M-M键，并且此处，M为选自第I族、第V族至第VIII族、第XI族和第XII族的金属。
根据一个示例性实施方案，空穴注入或传输层或者电荷产生层包含MO3和M2O5，并且此处，M为选自第I族、第V族至第VIII族、第XI族和第XII族的金属。例如，在MoO3的情况下，当通过溶液法出现Mo-Mo键时，MoO3的氧化数除了+6之外还有+5，并且作为借助于XPS对通过溶液法获得的薄膜进行分析的结果，可以确认检测到氧化数为+5(其为低氧化数)的Mo峰，如图2所示。此处，氧化数为+5的Mo的量没有特别限制，只要该量大于0即可。
根据另一个示例性实施例，空穴注入或传输层或者电荷产生层与第一电极或第二电极接触，并且与空穴注入或传输层或者电荷产生层和第一电极或第二电极接触的界面形成M-O-X键，并且此处，M为选自第I族、第V族至第VIII族、第XI族和第XII族的金属，X是构成与空穴注入或传输层或者电荷产生层接触的第一电极或第二电极的元素之一。例如，当如上所述在电极和空穴注入层薄膜之间形成M-O-X键时，可以改善粘合强度，并且可以增加空穴注入层自身的机械强度。
例如，空穴注入或传输层或者电荷产生层与由ITO构成的第一电极接触，并在与第一电极的界面处形成Mo-O-In键或Mo-O-Sn键。
在根据另一个示例性实施方案的器件中，空穴注入或传输层或者电荷产生层的厚度为1nm至1000nm，并且在空穴注入或传输层或者电荷产生层的厚度为30nm或更小的情况与空穴注入或传输层或者电荷产生层的厚度为30nm或更大的情况之间没有驱动电压的变化。例如，当通过如以下实施例1中的沉积法形成MoO3层时，即使当厚度为40nm时驱动电压也大大增加，但是当使用溶液法时，作为对实施例14和实施例19进行比较的结果，可以确认在厚度为30nm的情况下和在厚度为50nm的情况下未观察到电压的增加。例如，在该厚度范围内的电压增加可以在20％之内，更优选地在5％之内。
根据又一个实例，通过使用涂覆组合物形成的空穴注入或传输层或者电荷产生层是经退火的。例如，在150℃至250℃优选180℃至250℃的温度下对空穴注入或传输层或者电荷产生层进行退火。
对于有机电致发光器件的其他配置，可以应用以上描述的和本领域已知的那些。
根据所使用的材料，根据本说明书的有机电致发光器件可以是顶部发射型、底部发射型或双侧发射型。
发明实施方式
在下文中，将参照具体描述本说明书的实施例详细描述本说明书。然而，可以以多种形式对根据本说明书的实施例进行修改，并且不应解释为本说明书的范围限于下述实施例。提供本说明书的实施例以向本领域普通技术人员更加完全地说明本说明书。
实施例1.
制备其中重量比为0.8:99.2的乙酸铜和Mo(CO)6以4重量％的浓度溶解在环己酮中的溶液。依次用水和异丙醇洗涤涂覆有ITO的玻璃基底，然后将混合溶液以1000rpm旋涂至沉积有ITO的基础材料上30秒。使获得的薄膜在氧气氛下在200℃下经受热处理15分钟，从而形成具有非常均匀的30nm厚度的空穴注入层。
通过使用4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)在空穴注入层的顶部上形成厚度为45nm的空穴传输层。
在空穴传输层的顶部上形成厚度为15nm的电子阻挡层。在电子阻挡层上以95:5的重量比用作为蓝色掺杂剂的BD掺杂作为蓝色荧光主体的以下化学式的BH，从而形成厚度为30nm的发光层。
随后，在发光层的顶部上以1:1的重量比同时沉积电子传输层ET 201和LIQ，从而形成厚度为20nm的电子传输层。
最后，在电子传输层上沉积Al以具有80nm的厚度，从而制造有机电致发光器件。器件的特性示于表1中。
实施例2.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的NaNO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表1中。
实施例3.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为0.5:99.5的AgNO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表1中。
实施例4.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的Cs2CO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表1中。
实施例5.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的Zn(acac)2和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以700rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表1中。
实施例6.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的Zn(acac)2和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以700rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为50nm。器件的特性示于表1中。
比较例1.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于通过沉积MoO3来制备厚度为40nm的空穴注入层。
比较例2.
以与实施例1中相同的方式制造器件，不同之处在于将MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在环己酮中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表1中。
在10mA/cm2的条件下测量在上述实施例1至6以及比较例1和2中制造的器件的电压、效率和使用寿命(LT80)特性，并将测量结果示于下表1中。
[表1]
如表1所示，可以确认，与具有通过沉积MoO3形成的空穴注入层的比较例1的器件相比，通过溶液法形成的器件即使在30nm或更大的厚度下也表现出低驱动电压特性，并且可以确认，与比较例1的器件相比，其中进行了与其他元素掺杂的器件具有更加改善的使用寿命特性。这些结果可能是因为通过用上述其他元素掺杂过渡金属(例如Mo、W和V)改变了功函数，或者通过改变注入空穴的迁移率调节了器件中空穴与电子之间的平衡。
实施例7.
制备其中重量比为1:99的乙酸铜和Mo(CO)6以4重量％的浓度溶解在环己酮中的溶液。依次用水和异丙醇洗涤涂覆有ITO的玻璃基底，然后将混合溶液以1000rpm旋涂至沉积有ITO的基础材料上30秒。使获得的薄膜在氧气氛下在220℃下经受热处理15分钟，从而形成具有非常均匀的30nm厚度的空穴注入层。
将其中以下化合物HT-1溶解在甲苯中的溶液旋涂在空穴注入层的顶部上，从而形成空穴传输层。
在空穴传输层的顶部上形成厚度为15nm的电子阻挡层。在电子阻挡层上以95:5的重量比用作为蓝色掺杂剂的BD掺杂作为蓝色荧光主体的以下化学式的BH，从而形成厚度为30nm的发光层。
随后，在发光层的顶部以1:1的重量比同时沉积电子传输层ET 201和LIQ，从而形成厚度为20nm的电子传输层。
最后，在电子传输层上沉积Al以具有80nm的厚度，从而制造有机电致发光器件。器件的特性示于表2中。
实施例8.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为2:98的NaNO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
实施例9.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的NaNO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
实施例10.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为2:98的Cs2CO3和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
实施例11.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为10:90的Zn(acac)2和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以700rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
实施例12.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的Zn(acac)2和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以700rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
实施例13.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将重量比为5:95的Ru(acac)2和MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，以700rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例3.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于通过沉积MoO3来制备厚度为40nm的空穴注入层。器件的特性示于表2中。
比较例4.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将MoO2(acac)2以4重量％的浓度溶解在环己酮中，以1000rpm将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例5.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将异丙醇钛和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在甲基乙基酮中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例6.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Zr(acac)2和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例7.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Ga(acac)2和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例8.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将In(acac)2和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例9.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Al(acac)3和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例10.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Sn(acac)2和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例11.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将乙酰丙酮钴和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例12.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Si(EtO)4(原硅酸四乙酯)和MoO2(acac)2以10:90的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
比较例13.
以与实施例7中相同的方式制造器件，不同之处在于将Ni(acac)2和MoO2(acac)2以5:95的重量比混合并以4重量％的浓度溶解在乙二醇单甲醚中，将所得溶液涂覆在沉积有ITO的基础材料上，然后在氧气氛下进行热处理，从而制备空穴注入层。此时，空穴注入层的厚度为30nm。器件的特性示于表2中。
在10mA/cm2的条件下测量在上述实施例7至13以及比较例3至13中制造的器件的电压、效率和使用寿命(LT80)特性，并将测量结果示于下表2中。
[表2]
如表2所示，可以确认，与具有通过沉积MoO3形成的空穴注入层的比较例3的器件相比，通过借助于溶液法形成空穴注入层并在220℃下进行热处理而形成的比较例4的器件即使在30nm或更大的厚度下也表现出低驱动电压特性，并且可以确认，与比较例4的器件相比，其中进行了与其他元素掺杂的实施例7至13的器件具有更加改善的使用寿命特性。
可以确认，与用属于其他族的金属元素掺杂过渡金属的情况相比，用第I族、第VIII族、第XI族或第XII族元素掺杂过渡金属(例如Mo、W和V)的情况具有优异的使用寿命特性。

Claims (20)

1.一种用于有机电致发光器件的空穴注入或传输层或者电荷产生层的涂覆组合物，所述涂覆组合物包含：
包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物；
包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐；以及
有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者的有机金属配合物包含Mo、W、V或Re。
3.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐包含Li、Na、K、Rb或Cs。
4.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述包含第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的有机金属配合物或金属盐包含Fe、Ru、Os、Cu、Ag、Au、Zn或Cd。
5.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中在所述涂覆组合物中的总金属原子中，第5B族、第6B族和第7B族过渡金属中的一者或更多者的原子比率为50原子％至99.9原子％。
6.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述有机溶剂为基于醇的溶剂或基于酮的溶剂。
7.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述有机溶剂包括由以下通式1表示的溶剂：
[通式1]
在通式1中，n为1至20的整数，l和m各自为或者均为0至5的整数，以及R1、R2、R3和R4各自为或者全部为氢原子、具有1至20个碳原子的烷基、具有2至20个碳原子的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、具有1至20个碳原子的烷氧基、具有6至40个碳原子的芳基、具有2至40个碳原子的杂芳基、或者具有1至20个碳原子的酯基。
8.根据权利要求1所述的涂覆组合物，其中所述有机溶剂包括以下中的至少一者：乙二醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单戊醚、乙二醇单己醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、乙二醇二戊醚、乙二醇二己醚、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、二乙二醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二亚乙基二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、乙二醇二乙酸酯、PEG 600或三甘醇。
9.一种用于制造有机电致发光器件的方法，所述方法包括：
准备基底；
在所述基底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成具有一个或更多个层的有机材料层；以及
在所述有机材料层上形成第二电极，
其中所述方法还包括通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的涂覆组合物的涂覆法在所述第一电极与所述有机材料层之间、在所述第二电极与所述有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时在所述有机材料层之间形成空穴注入或传输层或者电荷产生层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中通过使用所述涂覆组合物形成的所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层的厚度为1nm至1000nm。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括：
形成通过使用所述涂覆组合物形成的所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层，以及然后对所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层进行退火。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述退火在150℃至250℃的温度下进行。
13.一种有机电致发光器件，包括：
第一电极；
第二电极；和
设置在所述第一电极与所述第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
其中所述有机电致发光器件还包括空穴注入或传输层或者电荷产生层，所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层设置在所述第一电极与所述有机材料层之间、所述第二电极与所述有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在所述有机材料层之间，并且由包含第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者以及第I族、第VIII族、第XI族和第XII族金属中的一者或更多者的金属氧化物构成。
14.一种有机电致发光器件，包括：
第一电极；
第二电极；和
设置在所述第一电极与所述第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，
其中所述有机电致发光器件还包括空穴注入或传输层或者电荷产生层，所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层设置在所述第一电极与所述有机材料层之间、所述第二电极与所述有机材料层之间、或者当存在两个或更多个有机材料层时设置在所述有机材料层之间，并且通过使用根据权利要求1所述的涂覆组合物而形成。
15.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层的厚度为1nm至1000nm。
16.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层是经退火的。
17.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层的功函数为5.0至7.0。
18.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中在所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层中的总金属原子中，第V族、第VI族和第VII族过渡金属中的一者或更多者的原子比率为50原子％至99.9原子％。
19.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层由M1xM2yOz构成，并且此处，M1为第V族、第VI族或第VII族过渡金属，M2为第I族、第VIII族、第XI族或第XII族金属，0<x+y≤100，0<z≤400，50≤x≤99.99，以及0.01≤y≤50。
20.根据权利要求13或14所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层包含M-O键和M-M键，或者包含MO3和M2O5，或者与所述第一电极或所述第二电极和所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层接触的界面形成M-O-X键，并且此处，M为选自第I族、第V族至VIII族、第XI族和第XII族的金属，以及X为构成与所述空穴注入或传输层或者所述电荷产生层接触的所述第一电极或所述第二电极的元素之一。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107732021B (zh) * 2017-11-23 2019-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101379884A (zh) * 2006-02-07 2009-03-04 住友化学株式会社 有机电致发光元件
CN101488561A (zh) * 2007-12-24 2009-07-22 三星Sdi株式会社 有机发光装置
TW201108483A (en) * 2009-08-26 2011-03-01 Univ Nat Taiwan Suspending liquid or solution for organic optoelectronic device, making method thereof, and applications
CN102933496A (zh) * 2010-06-08 2013-02-13 住友金属矿山株式会社 金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2998268B2 (ja) * 1991-04-19 2000-01-11 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
US20090160325A1 (en) * 2003-12-16 2009-06-25 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
DE102004010954A1 (de) * 2004-03-03 2005-10-06 Novaled Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
EP1722602A1 (en) 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display
US7075231B1 (en) * 2005-01-03 2006-07-11 Eastman Kodak Company Tandem OLEDs having low drive voltage
KR100774200B1 (ko) * 2006-04-13 2007-11-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
JP2008041894A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
KR100881455B1 (ko) * 2006-08-14 2009-02-06 주식회사 잉크테크 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
JP5214194B2 (ja) 2007-08-10 2013-06-19 住友化学株式会社 金属ドープモリブデン酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法
US9525148B2 (en) * 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
JP5326780B2 (ja) 2008-04-28 2013-10-30 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク
JP5572920B2 (ja) 2008-05-16 2014-08-20 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法
JP5760334B2 (ja) * 2009-06-19 2015-08-05 大日本印刷株式会社 有機電子デバイス及びその製造方法
JP5531843B2 (ja) * 2009-07-31 2014-06-25 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法
JP4798282B2 (ja) 2009-10-27 2011-10-19 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク
KR20110107447A (ko) * 2010-03-25 2011-10-04 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101463298B1 (ko) 2011-04-01 2014-11-20 주식회사 엘지화학 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP5862189B2 (ja) 2011-10-14 2016-02-16 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
KR101419809B1 (ko) * 2012-02-22 2014-07-15 서울대학교산학협력단 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6015103B2 (ja) 2012-04-27 2016-10-26 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9005357B2 (en) 2012-05-24 2015-04-14 Agency For Science, Technology And Research Method of preparing molybdenum oxide films
KR101450858B1 (ko) * 2012-12-24 2014-10-15 한국과학기술연구원 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN104037347A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
EP2984152B2 (de) 2013-04-08 2022-01-05 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung
CN104576955A (zh) * 2013-10-17 2015-04-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR101581033B1 (ko) * 2013-11-01 2015-12-29 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명
KR101562558B1 (ko) * 2014-04-30 2015-10-26 한국과학기술원 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR102200388B1 (ko) * 2014-06-23 2021-01-07 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
JP6361346B2 (ja) 2014-07-17 2018-07-25 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
KR101733151B1 (ko) 2014-08-21 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2016068076A1 (ja) * 2014-10-27 2016-05-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 酸化バナジウム膜およびその製造方法
KR102504124B1 (ko) * 2015-07-31 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101379884A (zh) * 2006-02-07 2009-03-04 住友化学株式会社 有机电致发光元件
CN101488561A (zh) * 2007-12-24 2009-07-22 三星Sdi株式会社 有机发光装置
TW201108483A (en) * 2009-08-26 2011-03-01 Univ Nat Taiwan Suspending liquid or solution for organic optoelectronic device, making method thereof, and applications
CN102933496A (zh) * 2010-06-08 2013-02-13 住友金属矿山株式会社 金属氧化物膜的制造方法及金属氧化物膜、使用该金属氧化物膜的元件、带有金属氧化物膜的基板以及使用该基板的器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DANDAN ZHANG等: "Realizing both improved luminance and stability in organic light-emitting devices based on a solution-processed inter-layer composed of MoOX and Au nanoparticles mixture", 《ORGANIC ELECTRONICS》 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR101992343B1 (ko) 2019-06-24
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