CN109192870A - 一种有机发光器件 - Google Patents

一种有机发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN109192870A
CN109192870A CN201810925917.0A CN201810925917A CN109192870A CN 109192870 A CN109192870 A CN 109192870A CN 201810925917 A CN201810925917 A CN 201810925917A CN 109192870 A CN109192870 A CN 109192870A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
layer
compound
independently selected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810925917.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109192870B (zh
Inventor
刘喜庆
蔡辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Original Assignee
Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd filed Critical Changchun Haipurunsi Technology Co Ltd
Priority to CN201810925917.0A priority Critical patent/CN109192870B/zh
Publication of CN109192870A publication Critical patent/CN109192870A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109192870B publication Critical patent/CN109192870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机发光器件，涉及有机光电技术领域。本发明中的器件结构中包括光取出层，当光取出层的厚度为55～70nm左右时，折射率为1.7～2.2，其高的折射率减少了光的全反射和波导效应，从而提高了光取出效率，进而提高了器件的亮度；而且此有机发光器件优选为空穴传输层与光取出层所用材料相同，为具有联苯胺基团的化合物，此材料不仅满足了空穴传输层材料的要求，还满足光取出层材料的要求，将其作为空穴传输层与光取出层来制作器件，操作方便，且节省成本。

Description

一种有机发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电技术领域，具体涉及一种有机发光器件。
背景技术
近年来，有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。它与传统的显示技术相比，在电压特性、发光亮度、发光效率、器件重量、响应速度以及观赏视角等方面具有显著优势，并因其低成本潜力，拥有广阔市场前景。
通常，OLED具有层状或层压结构。例如，典型的OLED具有阳极/有机发光层/阴极多层结构。OLED还可具有各种其它结构，例如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构。
但是传统的OLED显示器件多存在发光效率和使用寿命的问题，主要有如下几个原因：一方面取决于所用有机发光材料的发光性能，及各层组合材料之间的匹配度；一方面取决于激子利用率，由于在有机光电材料中空穴和电子的传输速度不同，常规器件结构很容易出现载流子注入不平衡的问题，导致电子和空穴复合效率低和复合区域的偏移，从而导致有机电致发光器件的发光效率低下、寿命低；另一方面，有机电致发光器件的封装方式多为薄膜封装，在此过程中，封装薄膜可能会产生细小的通道，使得环境中的水分和氧气接触到OLED显示器件。而上层的阴极往往采用活性较高的金属，与水分和氧气接触后极易产生器件的失效。
随着市场对OLED器件要求的进一步提高，寻求更高发光效率、更长寿命、更低成本的OLED器件成为发展的趋势，所以开发出一种性能更加优异的有机发光器件，成为一种亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供了一种可实现更高发光效率和使用寿命的有机发光器件。
一种有机发光器件，包括基板、阳极、至少含有空穴传输层的有机物层、阴极和光取出层，
构成所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-6～10-4cm2/Vs；
构成所述光取出层的材料的厚度为55～70nm，折射率为1.7～2.2。
优选的，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-5～10-4cm2/Vs。
优选的，所述光取出层的材料的厚度为55～65nm，折射率为1.9～2.2。
优选的，所述空穴传输层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述空穴传输层与光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述空穴传输层与光取出层所用材料相同。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物的通式如式I所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或取代或未取代的C1～C30的芳基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；
*表示与氮原子的连接位置。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或苯基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物中的Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种有机发光器件，器件结构中包括光取出层，当光取出层的厚度为55～70nm左右时，折射率为1.7～2.2，其高的折射率减少了光的全反射和波导效应，从而提高了光取出效率，进而提高了器件的亮度；而且此有机发光器件优选为空穴传输层与光取出层所用材料相同，为具有联苯胺基团的化合物，此材料不仅满足了空穴传输层材料的要求，还满足光取出层材料的要求，将其作为空穴传输层与光取出层来制作器件，操作方便，且节省成本。
本发明所述的有机发光器件使用的化合物原料易得，合成简单，易操作。
附图说明
图1是本发明的有机发光器件的截面图。
其中，
1，基板；
2，阳极；
3，空穴注入层；
4，空穴传输层；
5，发光层；
6，电子传输层；
7，电子注入层；
8，阴极；
9，光取出层。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明提供了一种有机发光器件，包括基板、阳极、至少含有空穴传输层的有机物层、阴极和光取出层，
构成所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-6～10-4cm2/Vs；
构成所述光取出层的材料的厚度为55～70nm，折射率为1.7～2.2。
所述光取出层位于阴极远离阳极的一侧，所述光取出层从靠近阴极的一侧开始，可以包括两层光取出层，即第一光取出层和第二光取出层，还可以包括一层光取出层，但不限于此。
优选的，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-5～10-4cm2/Vs。
优选的，所述光取出层的材料的厚度为55～65nm，折射率为1.9～2.2。
优选的，所述空穴传输层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述空穴传输层与光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
优选的，所述空穴传输层与光取出层所用材料相同。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物的通式如式I所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或取代或未取代的C1～C30的芳基中的一种；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；
*表示与氮原子的连接位置。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
本发明所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中，所述取代基独立地选自氘、C1-C10烷基、氰基、硝基、C6-C24芳基或C3-C20杂芳基。优选的，取代基为氘、氰基、甲基、三氟甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲氧基、甲硫基、苯氧基、苯硫基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基，9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氟基、三苯基硅基、三甲基硅基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、哌啶基、吡啶基、嘧啶基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或苯基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种。
优选的，所述具有联苯胺基团的化合物中的Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
最优选的，所述具有联苯胺基团的化合物选自如下所示化学结构中的任意一种：
本发明所述的式(1)化合物，可以通过以下合成路线合成：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或取代或未取代的C1～C30的芳基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；
*表示与氮原子的连接位置。
按照本发明，中间体a按照如下所示方法制备得到：
溴代的芴类化合物在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与伯胺类化合物经由C-N偶联反应，得到中间体a；
按照本发明，中间体b按照如下所示方法制备得到：
溴代的二苯并呋喃或溴代的二苯并噻吩在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与伯胺类化合物经由C-N偶联反应，得到中间体b；
按照本发明，中间体c按照如下所示方法制备得到：
中间体a在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与二溴取代的化合物经由C-N偶联反应，得到中间体c；
按照本发明，式I化合物按照如下所示方法制备得到：
中间体c在氮气保护，醋酸钯、三叔丁基膦为催化剂，叔丁基醇钠为碱，溶剂为甲苯的条件下，与中间体b经由C-N偶联反应，得到式I化合物。
若中间体a、中间体b或中间体c有售卖的，可直接购买使用。
参考图1，根据实施方式的有机电致发光器件包括彼此面对的阳极2和阴极8以及在阳极2和阴极8之间的空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7，还有位于阴极远离阳极的一侧的光取出层9。
阳极2可以由具有较大功函数的导体制成以辅助空穴注入，并可以是例如金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阳极2可以是金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌等；金属和氧化物的组合如氧化锌和铝；导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)，但不限于此。
阴极8可以由具有较小功函数的导体制成以辅助电子注入，并且可以是例如金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阴极8可以是金属或其合金，如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等；多层结构材料如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但不限于此。
空穴传输层4和阳极2之间的空穴注入层3可以改善用作阳极的ITO和用作空穴传输层4的有机材料之间的界面特性，并可以通过在不平坦的ITO的表面涂层而涂覆在ITO上来使ITO的表面平滑。例如，空穴注入层3可以选择具有ITO的功函数能级和空穴传输层4的HOMO能级的中值的材料，特别是具有合适导电性的材料，以便调节作为阳极的ITO的功函数能级和空穴传输层4的HOMO能级的差。结合本发明，空穴注入层3的材料可以是N4,N4'-联苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯基-4,4'-二胺，但不限于此。
电子传输层6的作用是当有电子注入时，在电场作用下，可以实现载流子的可控定向有序移动，从而来进行电荷传输，可以选取常规的材料，没有特别限制，例如，如四氰基苯醌二甲烷(TCNQ)、三硝基芴酮(TNF)、C60及其衍生物、Alq3、噁二唑、三氮唑、聚噻吩类、酞菁、萘酐、芘酐及其衍生物等的材料。
电子注入层7堆叠于电子传输层6上，使得电子由阴极注入，因而提高了功率效率，并可以包含通常使用的材料，而没有特别限制，例如，如LiF、Liq、NaCl、CsF、Li2O、BaO等的材料。
发光层5是发射光的有机层，并且在采用掺杂体系时，包括主体和掺杂剂。本发明中，主体主要促进电子和空穴的再结合，并在发光层中保持激子，而掺杂剂从由再结合获得的激子有效地发射光。发光层可以包含已知的主体和掺杂剂。当发光层包括主体和掺杂剂时，基于100wt％的发光层，掺杂剂的量通常可以为约0.01wt％至约15wt％，而没有限制。发光层可以具有约20nm至约70nm的厚度。
已知的主体可以是例如Alq3，CBP(4,4'-N,N'-二咔唑-联苯)，PVK(聚(N-乙烯基咔唑))，9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)，TCTA，TPBI(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)，TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)，mCP，OXD-7等，但并不限于此。
掺杂剂可以是荧光掺杂剂和磷光掺杂剂中的至少一种。磷光掺杂剂可以是包括Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf或两种或更多种的组合的有机金属络合物。已知的蓝色掺杂剂的实例可以是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三联芴(芴)(ter-fluorene(fluorene))，4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)，DPVBi等。已知的红色掺杂剂的实例可以包括PtOEP、Ir(piq)3、BtpIr等。已知的绿色掺杂剂的实例可以包括Ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3等。以上仅是部分举例，不限于此。
此外，上述有机层和光取出层除了使用蒸镀方法制作器件，还可以使用溶液工艺制作器件，例如旋涂、印刷、喷墨印刷，或者通过热转移法等方法，用较少的层数制造。
本发明所述有机电致发光器件可广泛应用于面板显示、照明OLED、柔性OLED、电子纸、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。
实施例1：化合物1-1的合成
中间体a-1的合成
将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至化合物A-1(59.1g，183mmol)和苯胺(17.0g，183mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体a-1(52.1g，产率为85％)。
质谱m/z：335.53(计算值：335.44)。理论元素含量(％)C25H21N：C,89.51；H,6.31；N,4.18实测元素含量(％)：C,89.51；H,6.33；N,4.16。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体b-1的合成
将中间体a-1的合成中的化合物A-1换成等摩尔的化合物B-1，其他步骤相同，得到目标产物中间体b-1。质谱m/z：259.33(计算值：259.30)。理论元素含量(％)C18H13NO：C,83.37；H,5.05；N,5.40；O,6.17实测元素含量(％)：C,83.35；H,5.06；N,5.43；O,6.16。上述结果证实获得产物为目标产品。
中间体c-1的合成
将2,4-二溴-1-(2,4-二溴苯基)苯(4g，10mmol)溶于25mL四氢呋喃，将混合物在-78℃下搅拌下，缓慢滴加8.84mL的2.5M的正丁基锂，继续搅拌2个小时后，缓慢滴加丙酮(1.2g，21mmol)的四氢呋喃(35mL)溶液，之后将反应温度缓慢升至室温，向体系中加入50mL饱和的碳酸钠溶液，二氯甲烷萃取，合并、干燥有机相，浓缩得到固体，即化合物D-2。将所得固体溶于30mL的醋酸中，再加入3mL的硫酸，之后保持120℃下回流反应2小时，反应结束后，向其中加入饱和的碳酸氢钠溶液，调节pH值至中性，之后用二氯甲烷萃取，合并、干燥有机相，浓酸得固体，即化合物D-3。
将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至化合物D-3(71.7g，183mmol)和中间体a-1(61.3g，183mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到中间体c-1(84.5g，产率为80％)。
质谱m/z：646.53(计算值：646.66)。理论元素含量(％)C43H36BrN：C,79.87；H,5.61；Br,12.36；N,2.17实测元素含量(％)：C,79.87；H,5.60；Br,12.38；N,2.15。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物1-1的合成
将三叔丁基膦(4.4mL的1.0M的甲苯溶液，1.48g，0.05mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体c-1(118.2g，183mmol)和中间体b-1(47.4g，183mmol)在脱气甲苯(1L)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶进行过滤，并重结晶。得到化合物1-1(105.7g，产率为70％)。
质谱m/z：825.09(计算值：825.05)。理论元素含量(％)C61H48N2O：C,88.80；H,5.86；N,3.40；O,1.94实测元素含量(％)：C,88.82；H,5.84；N,3.41；O,1.93。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例2：化合物1-13的合成
将实施例1中的化合物A-1换成等摩尔的2-溴-9,9-二甲基芴，其他步骤相同，得到化合物1-13。质谱m/z：774.99(计算值：774.96)。理论元素含量(％)C57H46N2O：C,88.34；H,5.98；N,3.61；O,2.06实测元素含量(％)：C,88.35；H,5.97；N,3.62；O,2.06。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3：化合物1-40的合成
将实施例1中的中间体a-1合成中的苯胺换成等摩尔的2-氨基-9,9-二甲基芴，中间体b-1合成中的苯胺换成等摩尔的化合物B-1，其他步骤相同，得到化合物1-40。质谱m/z：981.25(计算值：981.23)。理论元素含量(％)C72H56N2O2：C,88.13；H,5.75；N,2.85；O,3.26实测元素含量(％)：C,88.12；H,5.76；N,2.86；O,3.26。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例4：化合物2-19的合成
将实施例1中的中间体a-1合成中的化合物A-1换成等摩尔的2-溴-9,9-二苯基芴，中间体b-1合成中的化合物B-1换成等摩尔的化合物B-19，中间体c-1合成中的化合物D-3换成等摩尔的2,2’-二溴-9,9-二甲基芴，其他步骤相同，得到化合物2-19。质谱m/z：859.05(计算值：859.06)。理论元素含量(％)C64H46N2O：C,89.48；H,5.40；N,3.26；O,1.86实测元素含量(％)：C,89.49；H,5.42；N,3.25；O,1.84。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例5：化合物4-13的合成
将实施例1中的中间体a-1合成中的化合物A-1换成等摩尔的2-溴-9,9-二苯基芴，中间体c-1合成中的化合物D-3换成等摩尔的2,2’-二溴联苯，其他步骤相同，得到化合物4-13。质谱m/z：694.85(计算值：694.86)。理论元素含量(％)C51H38N2O：C,88.15；H,5.51；N,4.03；O,2.30实测元素含量(％)：C,88.15；H,5.52；N,4.01；O,2.32。上述结果证实获得产物为目标产品。
这些材料的载流子(空穴、电子)迁移率如下进行测定：
将10mm×10mm×1mm厚的带ITO透明电极的玻璃基板在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟。将清洗后的玻璃基板安装在真空蒸镀装置的基板支架上，首先，在ITO透明电极上通过电阻加热蒸镀将测定材料成膜为5um。接着，在该膜上使金属Al蒸镀10nm，形成透明电极，有机材料的蒸发速率约为0.2～0.5nm/s，金属电极蒸发速率约为5nm/s。
用飞行时间(Time of Flight)装置TOF-401测定上述制作的元件在0.4～0.5MV/cm的电场强度下的载流子(空穴、电子)迁移率。激发光使用337nm的氮激光。用双对数绘制光电流-时间曲线，将所得的拐点设为tr时，作为迁移率μ＝L2/(tr×V)，其中，L为样品厚度，V为电压。所得的值列于表1中。
表1
比较例1
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的NPB作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。最后，在阴极上面沉积60nm的Alq3作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例1：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的NPB作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物1-1作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例2：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的化合物1-1作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物1-1作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例3：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的化合物1-13作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物1-13作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例4：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的化合物1-40作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物1-40作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例5：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的化合物2-19作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物2-19作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
应用实施例2：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上制备含Ag的反射膜，然后蒸镀有机膜，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的化合物4-13作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Mg/Ag合金作为阴极，厚度为10nm。最后，在阴极上面沉积60nm的化合物4-13作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s。
表2
以上结果表明，使用本发明化合物的有机发光器件与比较例1相比，表现出更好的寿命等优点。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种有机发光器件，包括基板、阳极、至少含有空穴传输层的有机物层、阴极和光取出层，其特征在于，
构成所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-6～10- 4cm2/Vs；
构成所述光取出层的材料的厚度为55～70nm，折射率为1.7～2.2。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料的空穴迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为10-5～10-4cm2/Vs。
3.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述光取出层的材料的厚度为55～65nm，折射率为1.9～2.2。
4.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包含具有联苯胺基团的化合物。
5.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
6.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述空穴传输层与光取出层包含具有联苯胺基团的化合物。
7.根据权利要求1所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述空穴传输层与光取出层所用材料相同。
8.根据权利要求5～7任一项所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述具有联苯胺基团的化合物的通式如式I所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或取代或未取代的C1～C30的芳基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；
*表示与氮原子的连接位置。
9.根据权利要求8所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述具有联苯胺基团的化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C1～C30的芳基、取代或未取代的C1～C30的杂芳基中的一种；R1、R2独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种；X为氧或硫；Y选自氢或苯基；L1、L2独立的选自氢或与所在的苯环形成如下环结构：
式中，R3～R6独立的选自甲基、乙基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种。
10.根据权利要求8所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述具有联苯胺基团的化合物中的Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
CN201810925917.0A 2018-08-15 2018-08-15 一种有机发光器件 Active CN109192870B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810925917.0A CN109192870B (zh) 2018-08-15 2018-08-15 一种有机发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810925917.0A CN109192870B (zh) 2018-08-15 2018-08-15 一种有机发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109192870A true CN109192870A (zh) 2019-01-11
CN109192870B CN109192870B (zh) 2020-08-25

Family

ID=64921802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810925917.0A Active CN109192870B (zh) 2018-08-15 2018-08-15 一种有机发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109192870B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113036055A (zh) * 2021-03-03 2021-06-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种柔性有机发光器件及其制备方法和显示装置
CN113140686A (zh) * 2021-04-01 2021-07-20 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种改善大视角色偏显示器件及含有其的显示装置
CN113937233A (zh) * 2021-09-30 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 一种有机电致发光器件及其应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1733700A (zh) * 1998-09-09 2006-02-15 出光兴产株式会社 有机电致发光器件与苯二胺衍生物
KR20150006722A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN106167462A (zh) * 2015-05-19 2016-11-30 机光科技股份有限公司 茚并三亚苯的二胺衍生物及使用其的有机电激发光装置
CN106946865A (zh) * 2017-03-04 2017-07-14 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用
CN108129380A (zh) * 2018-01-17 2018-06-08 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺类化合物及其有机发光器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1733700A (zh) * 1998-09-09 2006-02-15 出光兴产株式会社 有机电致发光器件与苯二胺衍生物
KR20150006722A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN106167462A (zh) * 2015-05-19 2016-11-30 机光科技股份有限公司 茚并三亚苯的二胺衍生物及使用其的有机电激发光装置
CN106946865A (zh) * 2017-03-04 2017-07-14 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用
CN108129380A (zh) * 2018-01-17 2018-06-08 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺类化合物及其有机发光器件

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113036055A (zh) * 2021-03-03 2021-06-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种柔性有机发光器件及其制备方法和显示装置
CN113036055B (zh) * 2021-03-03 2022-07-19 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种柔性有机发光器件及其制备方法和显示装置
CN113140686A (zh) * 2021-04-01 2021-07-20 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种改善大视角色偏显示器件及含有其的显示装置
CN113937233A (zh) * 2021-09-30 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 一种有机电致发光器件及其应用
CN113937233B (zh) * 2021-09-30 2024-04-02 武汉天马微电子有限公司 一种有机电致发光器件及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN109192870B (zh) 2020-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3032606B1 (en) Organic optoelectric device and display device
TWI500604B (zh) 有機光電元件用組成物及有機光電元件及顯示元件
TWI651312B (zh) 有機化合物及有機光電裝置和顯示裝置
TWI679787B (zh) 有機光電裝置及使用其之顯示裝置
JP5638612B2 (ja) 新規な複素環誘導体およびこれを用いた有機発光素子
JP5012998B2 (ja) 発光素子材料および発光素子
EP2660300A2 (en) Novel compound, and organic light-emitting device using same
EP2719743A2 (en) Novel compounds and organic electronic device using same
KR20100079458A (ko) 비스-카바졸 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
KR20100099460A (ko) 비스카바졸 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
JP5773638B2 (ja) 縮合多環化合物及びこれを用いた有機発光素子
CN112079824B (zh) 用于有机光电器件的化合物、有机光电器件及显示器件
CN116322103A (zh) 有机光电装置与显示装置
WO2018093026A1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시장치
CN115745977B (zh) 一种电子传输材料及制备方法、有机电致发光器件
CN109192870B (zh) 一种有机发光器件
KR20130079890A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
CN115521214B (zh) 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
JP6478672B2 (ja) 有機化合物、組成物、有機光電子素子および表示装置
KR101599965B1 (ko) 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
CN112592333B (zh) 用于有机光电装置的化合物、有机光电装置及显示装置
JP2013177386A (ja) 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
CN112802969A (zh) 有机光电子器件及显示器件
WO2014185592A1 (ko) 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
CN115521242A (zh) 有机化合物和电子元件及电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: Building A5, phase I, Beihu science and Technology Park, 3333 Shengbei street, Beihu science and Technology Development Zone, Changchun City, Jilin Province

Patentee after: Changchun hiprunsi Technology Co., Ltd

Address before: 130000 A5, North Lake Science and Technology Park, 3333 North Sheng street, Beihu science and Technology Development Zone, Jilin, Changchun

Patentee before: CHANGCHUN HAIPURUNSI TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address