CN109190563A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 192
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 28
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 21
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 235000016768 molybdenum Nutrition 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 208000003351 Melanosis Diseases 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Human Computer Interaction (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括:光敏传感器;遮光层,设置在光敏传感器的感应侧;遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,第一开口与光敏传感器在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口的光可以照射到光敏传感器上;光处理膜,设置在遮光层的靠近第二开口的区域且远离光敏传感器的至少部分表面,光处理膜的光反射率小于遮光层的光反射率。该显示面板所具有的光处理膜可以避免入射光从第二开口射到光敏传感器上,从而可以避免不必要的入射光对光敏传感器的感应精度产生不利影响。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
指纹识别技术包括光学技术、超声波技术等。光学指纹识别技术是将手指在光源照射下,将纹路投射在指纹识别器件上,进而形成脊线(指纹图像中具有一定宽度和走向的纹线)呈黑色、谷线(纹线之间的凹陷部分)呈白色的数字化的、可被指纹设备算法处理的指纹图像。
目前,指纹识别装置已经广泛应用于例如移动电话、平板电脑等便携式电子装置中。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板,包括:光敏传感器;遮光层,设置在所述光敏传感器的感应侧;所述遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,所述第一开口与所述光敏传感器在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过所述第一开口的光可以照射到所述光敏传感器上;光处理膜,设置在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,所述光处理膜的光反射率小于所述遮光层的光反射率。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板,还包括衬底基板;所述光敏传感器设置在所述衬底基板上,所述遮光层设置在所述光敏传感器的远离所述衬底基板的一侧;或者,所述光敏传感器和所述遮光层分别设置在所述衬底基板的两侧。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板,还包括:设置在所述遮光层的远离所述光敏传感器的一侧的功能层;其中,所述功能层包括至少一个第四开口,所述第四开口与所述光处理膜的至少一部分在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述第四开口与所述光处理膜在垂直于所述显示面板的表面的方向上完全重叠;所述功能层还包括至少一个第三开口,所述第三开口与所述第一开口在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠以使得穿过所述第一开口和第三开口的光可以照射到所述光敏传感器上。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述功能层包括电极层,所述光敏传感器构造为用于指纹识别。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述显示面板包括设置在所述衬底基板上的多个像素单元;每个所述像素单元对应至少一个第一开口和至少一个第二开口;所述光敏传感器对应多个所述像素单元。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述遮光层为第一导电层,包括:多个导电部分,电连接于每个所述像素单元且用于向每个所述像素单元施加电信号。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述光处理膜包括光吸收材料。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板中,所述遮光层的材料包括钛、铝和钼中的一种或多种,所述光处理膜的材料包括氧化钼。
本公开至少一实施例提供一种显示面板的制备方法,包括:提供光敏传感器;在所述光敏传感器的感应侧形成遮光层;其中,所述遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,所述第一开口与所述光敏传感器在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过所述第一开口的光可以照射到所述光敏传感器上;形成光处理膜,所述光处理膜形成在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,并且所述光处理膜的光反射率小于所述遮光层的光反射率。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法,还包括:提供衬底基板;所述光敏传感器形成在所述衬底基板上,所述遮光层形成在所述光敏传感器的远离所述衬底基板的一侧;或者所述遮光层和所述光敏传感器分别形成在所述衬底基板的两侧。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法,还包括:在所述遮光层的远离所述光敏传感器的一侧形成功能层;其中,所述功能层包括至少一个第四开口,所述第四开口与所述光处理膜的至少一部分在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法中,形成光处理膜包括:在所述遮光层上形成光处理膜材料层;对光处理膜材料层进行光刻工艺,以在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上形成所述光处理膜。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法中,所述遮光层的材料包括钼,所述光处理膜的材料包括氧化钼;形成所述光处理膜包括:在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上对所述遮光层进行氧等离子体处理,以在所述遮光层的表面形成所述光处理膜。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法中,形成所述光处理膜还包括:
在所述遮光层上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案暴露所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,然后对所述遮光层进行所述氧等离子体处理。
例如,本公开至少一实施例提供的显示面板的制备方法中,所述遮光层的材料包括钼,所述光处理膜的材料包括氧化钼;形成所述光处理膜包括:在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上,在氧气的氛围下沉积材料钼,以使得最终沉积在所述遮光层上的材料包括氧化钼。
本公开至少一实施例提供一种显示装置,包括上述任一所述的显示面板。
本公开至少一实施例提供的显示面板所具有的光处理膜可以避免入射光从第二开口射到光敏传感器上,从而可以避免不必要的入射光对光敏传感器的感应精度产生不利影响。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种显示面板的示意图;
图2为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图;
图3为本公开一实施例提供的另一种显示面板的示意图;
图4A-4D为本公开一实施例提供的一种显示面板在制备过程中的示意图;
图5A-5D为本公开一实施例提供的另一种显示面板在制备过程中的示意图;
图6为本公开一实施例提供的再另一种显示面板在制备过程中的示意图;
图7为本公开一实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前的电子装置通常将用于身份识别的例如指纹识别装置与显示屏集成在一起,从而可以利用指纹识别装置来实现显示屏解锁等功能。例如,图1示出了一种显示面板,该显示面板包括衬底基板10、设置在衬底基板10一侧的指纹识别装置11以及设置在衬底基板上的遮光层12等结构。遮光层12通常包括多个开口,例如包括至少一个第一开口121和至少一个第二开口122;第一开口121用于指纹识别,第一开口121与指纹识别装置11在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口121的光可以照射到指纹识别装置11上。第二开口122例如是由于显示面板的构造需求而设置的开口,并不用于指纹识别。
例如,该显示面板还包括设置在遮光层12上的其他功能层,例如电极层17,电极层17通常也包括多个开口,例如包括至少一个第三开口171和至少一个第四开口172;第三开口171与第一开口121在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠,使得穿过第一开口121和第三开口171的光可以照射到指纹识别装置11上。第四开口172例如是为了在电极层17中形成多个图案化电极,例如条状电极等,而产生的间断。
例如,遮光层12和电极层17通常由金属或其他导电材料制成,这些材料往往具有较高的光反射率,因此从电极层17的第二开口172射入的光往往会被遮光层12和电极层17反射,如图1所示,导致反射光线可以从遮光层12的第二开口122射入指纹识别装置11。由第二开口122射入的光并不用于指纹识别,因此会对指纹识别装置11产生干扰,进而降低指纹识别装置11的识别精度。
本公开至少一实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:光敏传感器;遮光层,设置在光敏传感器的感应侧;遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,第一开口与光敏传感器在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口的光可以照射到光敏传感器上;光处理膜,设置在遮光层的靠近第二开口的区域且远离光敏传感器的至少部分表面,光处理膜的光反射率小于遮光层的光反射率。
本公开至少一实施例提供的一种显示面板的制备方法,包括:提供光敏传感器;在光敏传感器的感应侧形成遮光层;其中,遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,第一开口与光敏传感器在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口的光可以照射到光敏传感器上;形成光处理膜,光处理膜形成在遮光层的靠近第二开口的区域且远离光敏传感器的至少部分表面,并且光处理膜的光反射率小于遮光层的光反射率。
本公开至少一实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述显示面板。
下面通过几个具体的实施例对本公开的显示面板及其制备方法、显示装置进行说明。
本公开至少一实施例提供一种显示面板,如图2和图3所示,该显示面板包括光敏传感器101、遮光层102以及光处理膜1023。遮光层102设置在光敏传感器101的感应侧,该感应侧为光敏传感器接受光的一侧,例如对应于显示面板的显示侧。遮光层102包括至少一个第一开口1021和至少一个第二开口1022,第一开口1021与光敏传感器101在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口1021的光可以照射到光敏传感器101上。光处理膜1023设置在遮光层102的靠近第二开口1022的区域且远离光敏传感器101的至少部分表面,光处理膜1023的光反射率小于遮光层102的光反射率。
例如,本实施例中,显示面板还包括衬底基板100。例如,光敏传感器101设置在衬底基板100上,遮光层102设置在光敏传感器101的远离衬底基板100的一侧,即图3示出的情况。或者,在另一示例中,光敏传感器101和遮光层102分别设置在衬底基板100的两侧,即图2示出的情况。
例如,光敏传感器101可以为用于指纹识别、虹膜识别等具有身份识别功能的传感器,可实现解锁显示面板的显示屏等功能。例如,本实施例中,光敏传感器101构造为用于指纹识别,此时光敏传感器101可以对由遮光层102中的第一开口1021射入的光线进行处理并识别,即遮光层102中的第一开口1021用于对光敏传感器101输入有效光信息。
例如,本实施例中,显示面板还包括设置在遮光层102的远离光敏传感器101的一侧的功能层;该功能层例如包括显示面板的电极层107,电极层107例如用于对显示面板的发光结构提供驱动电压,例如用作发光结构的阳极。该功能层,例如电极层107,包括至少一个第四开口1072,第四开口1072与光处理膜1023的至少一部分在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠。因此,当有光线从第四开口1072射入时,光处理膜1023可以减小甚至消除对光线的反射,使得光线不会从遮光层102的第二开口1022射入光敏传感器101而对入光敏传感器101的感应精度产生影响。
本实施例中,该功能层,例如电极层107,还包括至少一个第三开口1071,第三开口1071与第一开口1021在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠,以使得穿过第一开口1021和第三开口1071的光可以照射到光敏传感器101上,进而光敏传感器101可以对该输入光进行处理与识别。
例如,该功能层还可以包括其他导电层等,而不局限于电极层,本实施例对该功能层的具体形式不做限定。
例如,本实施例中,光处理膜1023包括光吸收材料;此时,当有光线射入到光处理膜1023时,该光线会被光处理膜1023吸收,而不会被反射。例如,该光吸收材料为黑化材料,此时光处理膜1023形成为黑化膜层。例如,该黑化材料为加入黑色掺杂的树脂材料,或者为基本呈黑色的例如金属或金属氧化物等材料,本实施例对此不做限定。
例如,光处理膜1023可以设置在遮光层102的靠近第二开口1022的区域;例如,电极层107的第四开口1072与光处理膜1023在垂直于显示面板的表面的方向上完全重叠;此时,第四开口1072在衬底基板100上的正投影与光处理膜1023在衬底基板100上的正投影完全重叠,例如第四开口1072在衬底基板100上的正投影位于光处理膜1023在衬底基板100上的正投影的内部或者二者的正投影完全重合。该设置可以更好地避免从第四开口1072入射的光从遮光层102的第二开口1022射入到光敏传感器101。例如,在其他示例中,光处理膜1023可以围绕第二开口1022设置,即在靠近第二开口1022的多个方向上设置光处理膜1023,从而可以避免不必要的光线从第二开口1022的多个方向射入到光敏传感器101。
例如,本实施例中,显示面板包括设置在衬底基板100上的多个像素单元,每个像素单元包括发光结构以及用于驱动该发光结构的薄膜晶体管(TFT)和存储电容等。例如,每个像素单元对应至少一个第一开口1021和至少一个第二开口1022;光敏传感器101对应多个像素单元。
例如,本实施例中,遮光层102为第一导电层,包括多个导电部分,该多个导电部分分别电连接于每个像素单元并配置为向每个像素单元施加电信号,例如数据信号、电源电压等。
例如,显示面板还包括设置在衬底基板100上的第二导电层104。例如,第二导电层104包括用于形成薄膜晶体管的源极和漏极;第一导电层,即遮光层102,的多个导电部分例如分别连接于第二导电层104种的源极和漏极,以用于为该源极和漏极施加电信号,例如数据信号、电源电压等。
例如,本实施例中,遮光层102的材料可以为金属材料,例如包括钛、铝和钼中的一种或多种;此时,光处理膜1023的材料可以为金属氧化物材料,例如包括氧化钼等。例如,当遮光层102的材料包括钼、光处理膜1023的材料包括氧化钼时,光处理膜1023可以通过氧化部分遮光层102的表面而形成,因此可以简化制备工艺。
例如,第二导电层的材料可以为金属材料或其他合适的导电材料,例如包括钛、铝、铜和钼等金属或其合金。例如,电极层107可以为金属材料或者透明导电氧化物等,例如包括ITO、IZO等材料,本公开的实施例对各功能层的材料不做具体限定。
本实施例中,显示面板还可以包括其他功能层,例如包括用于显示的显示电路以及驱动电路等,例如包括发光结构以及用于驱动该发光结构的薄膜晶体管(TFT)和存储电容等。例如,如图2和图3所示,显示面板还包括设置在衬底基板100上的栅功能层103,栅功能层103例如包括用于形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层等结构。例如,显示面板还包括设置在各导电层之间的多个绝缘层,例如包括第一绝缘层105和第二绝缘层106。例如,显示面板还包括设置在电极层107上的发光层以及其他电极层(图中未示出),以构成显示面板的发光结构。本实施例对显示面板的具体结构不做限定。
在本实施例提供的显示面板中,从第一开口1021和第三开口1071入射的光可以照射到光敏传感器101上,光敏传感器101可以对该输入光进行处理与识别;此时,光处理膜1023可以避免入射光从第二开口1022射入到光敏传感器101上,从而可以避免不必要的入射光对光敏传感器101的感应精度产生影响。因此,该显示面板所具有的光敏传感器101识别精度更高,识别速度更快,并且该显示面板具有更高的安全性。
本公开至少一实施例提供一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:提供光敏传感器,在光敏传感器的感应侧形成遮光层,以及在遮光层上形成光处理膜。该遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,第一开口与光敏传感器在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过第一开口的光可以照射到光敏传感器上;该光处理膜形成在遮光层的靠近第二开口的区域且远离光敏传感器的至少部分表面,并且光处理膜的光反射率小于遮光层的光反射率。
例如,本实施例中,显示面板的制备方法还包括:提供衬底基板。例如,光敏传感器形成在衬底基板上,遮光层形成在光敏传感器的远离衬底基板的一侧,即图3示出的情况。或者在另一示例中,遮光层和光敏传感器分别形成在衬底基板的两侧,即图2示出的情况。此时,参见图2,例如可以在衬底基板100上形成遮光层102以及光处理膜1023等功能层后,再在衬底基板100的另一侧形成光敏传感器101;或者,先在在衬底基板100上形成光敏传感器101之后,再在衬底基板100的另一侧形成遮光层102以及光处理膜1023等功能层。本公开的实施例对各功能的形成顺序不做限定。
下面,本实施例以光敏传感器和遮光层分别形成在衬底基板的两侧为例,对显示面板的制备方法进行介绍。
如图4A所示,可以采用光刻工艺在衬底基板100上依次形成栅功能层103、第二导电层104、第一绝缘层105以及遮光层102等结构。例如,一次光刻工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影以及刻蚀等工序。
例如,栅功能层103包括栅极和栅绝缘层(图中未示出)。例如,形成栅功能层103包括通过一次光刻工艺形成栅极,然后再通过一次光刻工艺形成栅绝缘层。其中,栅极可以采用金属等导电材料制成,例如采用钛、铝、铜和钼等金属或其合金材料。栅绝缘层例如可以采用有机绝缘材料或无机绝缘材料制成,例如可以采用聚酰亚胺、二氧化硅等。
例如,第二导电层104、第一绝缘层105以及遮光层102可以分别通过一次光刻工艺形成。例如,第二导电层104包括源极和漏极的电极图案,可以采用金属材料或其他导电材料制成,例如可以采用钛、铝、铜和钼等金属或其合金等。第一绝缘层105可以采用有机绝缘材料或无机绝缘材料制成,例如可以采用聚酰亚胺、二氧化硅等。例如,遮光层102包括分别连接于第二导电层104中源极和漏极的多个导电部分,遮光层102可以采用金属材料制成,例如采用钛、铝和钼中的一种或多种。
例如,在遮光层102形成后,可以在遮光层102的表面形成光处理膜。例如,在一个示例中,如图4B-4D所示,形成光处理膜包括:在遮光层102上形成光处理膜材料层10230;对光处理膜材料层10230进行光刻工艺,以在遮光层102的靠近第二开口1022的区域且远离光敏传感器101的至少部分表面上形成光处理膜1023。
例如,如图4B所示,首先在遮光层102上形成一整层光处理膜材料层10230。然后在光处理膜材料层10230上形成光刻胶层,并对该光刻胶层进行曝光与显影,以形成光刻胶图案111,如图4C所示,所形成的光刻胶图案111覆盖光处理膜1023将要形成的区域,即遮光层102的靠近第二开口1022的区域,并且光刻胶图案111暴露不需要形成光处理膜1023的区域。然后以光刻胶图案111为刻蚀掩模对光处理膜材料层10230进行刻蚀,该刻蚀例如可以采用干法刻蚀或湿法刻蚀,该刻蚀方法可以根据光处理膜材料等情况进行选择。在刻蚀过程中,被光刻胶图案111暴露的光处理膜材料被刻蚀去除,而仅留下被光刻胶图案111覆盖的部分光处理膜材料。刻蚀完成后,剥离光刻胶图案111,即形成如图4D所示的光处理膜1023。
例如,光处理膜1023的材料可以采用光吸收材料。例如,该光吸收材料为黑化材料,此时光处理膜1023形成为黑化膜层。例如,该黑化材料为加入黑色掺杂的树脂材料,或者为基本呈黑色的例如金属或金属氧化物等材料,本实施例对此不做限定。
例如,在一个示例中,遮光层102的材料包括钼,光处理膜1023的材料包括氧化钼;此时,如图5A-5D所示,形成光处理膜1023可以包括:在遮光层102的靠近第二开口1022的区域且远离光敏传感器101的至少部分表面上对遮光层102进行氧等离子体处理,以在遮光层102的表面形成光处理膜1023。此时,光处理膜1023通过氧化遮光层102的表面材料而形成。
例如,如图5A所示,在衬底基板100上采用光刻工艺形成遮光层102等功能层后,如图5B所示,在遮光层102上形成光刻胶图案110,光刻胶图案110暴露光处理膜1023将要形成的区域,即遮光层102的靠近第二开口1022的区域且远离光敏传感器101的至少部分表面;然后以光刻胶图案110为掩模对遮光层102进行氧等离子体处理,如图5C所示,被光刻胶图案110暴露的遮光层102的表面的材料钼通过氧化反应形成氧化钼,即形成光处理膜1023的材料。在氧化钼形成到一定量后,剥离光刻胶图案110,从而形成如图5D所示的光处理膜1023。
例如,在另一示例中,当遮光层的材料包括钼,光处理膜的材料包括氧化钼时,光处理膜还可以采用其他方法制成。例如,形成光处理膜可以包括:在遮光层的靠近第二开口的区域且远离光敏传感器的至少部分表面上,在氧气的氛围下沉积材料钼,以使得最终沉积在遮光层上的材料包括氧化钼。例如,结合图5B,在光刻胶图案110形成后,在氧气的氛围下在遮光层102上沉积材料钼,因此在钼沉积的过程中可以与空气中的氧气进行反应,以使得最终沉积在遮光层102上的材料包括氧化钼,即形成材料为氧化钼的光处理膜1023。
例如,本实施例中,如图6所示,在光处理膜1023形成后,本实施例提供的显示面板的制备方法还包括:在遮光层102的远离光敏传感器101的一侧形成其他功能层,例如通过光刻工艺依次形成第二绝缘层106、电极层107以及发光层(图中未示出)等。
例如,第二绝缘层106可以采用有机绝缘材料或无机绝缘材料制成,例如可以采用聚酰亚胺、二氧化硅等。电极层107可以采用金属材料或者透明导电氧化物等制成,例如可以采用ITO、IZO等材料,本实施例对各功能层的形成材料不作限定。
例如,所形成的电极层107包括至少一个第四开口1071,第四开口与光处理膜1023的至少一部分在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠。例如,电极层107还包括至少一个第三开口1071,第三开口1071与第一开口1021在垂直于显示面板的表面的方向上彼此重叠。
例如,本实施例中,在衬底基板100上的功能层形成完成后,可以在衬底基板100的另一侧形成光敏传感器101,从而形成如图2所述的显示面板。例如,光敏传感器101可以为预先形成的独立结构,因此在衬底基板100上的功能层形成完成后,可以将光敏传感器101整体贴附在衬底基板100的另一侧。
例如,光敏传感器101可以为用于指纹识别、虹膜识别等具有身份识别功能的传感器。在该显示面板中,从第一开口1021和第三开口1071入射的光可以照射到光敏传感器101上,光敏传感器101可以对该输入光进行处理与识别;此时,光处理膜1023可以避免入射光从第二开口1022射入到光敏传感器101上,从而可以避免不必要的入射光对光敏传感器101的感应精度产生影响。因此,该显示面板所具有的光敏传感器101识别精度更高,识别速度更快,并且该显示面板具有更高的安全性。
本公开至少一实施例提供一种显示装置,如图7所示,显示装置30包括上述任一的显示面板301。例如,显示装置30可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本公开的实施例对此不做限定。
还有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种显示面板,包括:
光敏传感器;
遮光层,设置在所述光敏传感器的感应侧;所述遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,所述第一开口与所述光敏传感器在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过所述第一开口的光可以照射到所述光敏传感器上;
光处理膜,设置在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,所述光处理膜的光反射率小于所述遮光层的光反射率。
2.根据权利要求1所述的显示面板,还包括衬底基板;
所述光敏传感器设置在所述衬底基板上,所述遮光层设置在所述光敏传感器的远离所述衬底基板的一侧;或者,所述光敏传感器和所述遮光层分别设置在所述衬底基板的两侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:
设置在所述遮光层的远离所述光敏传感器的一侧的功能层;
其中,所述功能层包括至少一个第四开口,所述第四开口与所述光处理膜的至少一部分在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第四开口与所述光处理膜在垂直于所述显示面板的表面的方向上完全重叠;
所述功能层还包括至少一个第三开口,
所述第三开口与所述第一开口在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠以使得穿过所述第一开口和第三开口的光可以照射到所述光敏传感器上。
5.根据权利要求1-4任一所述的显示面板,其中,所述功能层包括电极层,所述光敏传感器构造为用于指纹识别。
6.根据权利要求2-4任一所述的显示面板,其中,所述显示面板包括设置在所述衬底基板上的多个像素单元;
每个所述像素单元对应至少一个第一开口和至少一个第二开口;所述光敏传感器对应多个所述像素单元。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述遮光层为第一导电层,包括:
多个导电部分,电连接于每个所述像素单元且用于向每个所述像素单元施加电信号。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述光处理膜包括光吸收材料。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述遮光层的材料包括钛、铝和钼中的一种或多种,所述光处理膜的材料包括氧化钼。
10.一种显示面板的制备方法,包括:
提供光敏传感器;
在所述光敏传感器的感应侧形成遮光层;
其中,所述遮光层包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,所述第一开口与所述光敏传感器在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠且使得穿过所述第一开口的光可以照射到所述光敏传感器上;
形成光处理膜,所述光处理膜形成在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,并且所述光处理膜的光反射率小于所述遮光层的光反射率。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,还包括:
提供衬底基板;所述光敏传感器形成在所述衬底基板上,所述遮光层形成在所述光敏传感器的远离所述衬底基板的一侧;或者
所述遮光层和所述光敏传感器分别形成在所述衬底基板的两侧。
12.根据权利要求10或11所述的显示面板的制备方法,还包括:
在所述遮光层的远离所述光敏传感器的一侧形成功能层;
其中,所述功能层包括至少一个第四开口,所述第四开口与所述光处理膜的至少一部分在垂直于所述显示面板的表面的方向上彼此重叠。
13.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,其中,形成光处理膜包括:
在所述遮光层上形成光处理膜材料层;
对光处理膜材料层进行光刻工艺,以在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上形成所述光处理膜。
14.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,其中,所述遮光层的材料包括钼,所述光处理膜的材料包括氧化钼;
形成所述光处理膜包括:在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上对所述遮光层进行氧等离子体处理,以在所述遮光层的表面形成所述光处理膜。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制备方法,其中,形成所述光处理膜还包括:
在所述遮光层上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案暴露所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面,然后对所述遮光层进行所述氧等离子体处理。
16.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,其中,所述遮光层的材料包括钼,所述光处理膜的材料包括氧化钼;
形成所述光处理膜包括:在所述遮光层的靠近所述第二开口的区域且远离所述光敏传感器的至少部分表面上,在氧气的氛围下沉积材料钼,以使得最终沉积在所述遮光层上的材料包括氧化钼。
17.一种显示装置,包括权利要求1-9任一所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811031248.9A CN109190563B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
PCT/CN2019/092817 WO2020048190A1 (zh) | 2018-09-05 | 2019-06-25 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201811031248.9A CN109190563B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109190563A true CN109190563A (zh) | 2019-01-11 |
CN109190563B CN109190563B (zh) | 2022-02-25 |
Family
ID=64914726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811031248.9A Active CN109190563B (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11508177B2 (zh) |
CN (1) | CN109190563B (zh) |
WO (1) | WO2020048190A1 (zh) |
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WO2020048190A1 (zh) | 2020-03-12 |
CN109190563B (zh) | 2022-02-25 |
US11508177B2 (en) | 2022-11-22 |
US20210142027A1 (en) | 2021-05-13 |
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PB01 | Publication | ||
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