CN109174996A - Tft液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，包括步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤，将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成半成品铝板；步骤二、冷却步骤，将半成品铝板进行自然冷却步骤；步骤三、半成品铝板形成成品步骤，将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材，其中最后一次的压制展延的下压量为X，50％＜X＜70％。用以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。

Description

TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺

技术领域

本发明涉及TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺。

背景技术

TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材由高纯度的铝锭构成，铝锭的含铝量在99.999％，一般铝锭的尺寸为：宽度(1000mm－1500mm)＊长度(1800mm－3000mm)＊厚度(300mm－500mm)。而目前在将铝锭制作成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材时，目前的工艺无法使铝锭原料满足TFT液晶面板配线层的以下适用条件：(1)材料平均晶粒≤200μm，(2)材料各层晶粒大小稳定，(3)晶粒粒径要圆润，大小相近。

发明内容

为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，用以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。

为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，包括步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤，将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成半成品铝板，加热的目的是为了解决铝锭需要热压延，常温压延会发生边缘开裂，咬入困难，塑形变形差的问题；步骤二、冷却步骤，将半成品铝板进行自然冷却步骤；步骤三、半成品铝板形成成品步骤，将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断，将半成品铝板加热的目的是，可加大压下量，保证塑性的变形，形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材，其中最后一次的压制展延的下压量为X，50％＜X＜70％。

本发明TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺的有益效果是，将最后一道次的压下量控制在50％－70％之间，可以保证板材的晶粒在规格要求内，以满足TFT液晶面板配线层的适用条件。

优选地，所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的加热所需的环境温度相同。铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热是因为纯铝要达到再结晶温度；半成品铝板形成成品步骤中的加热因为设备的原因，需要进行切断，切断后产品的温度发生变化，需要将温度控制相同，保证品质。

优选地，所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的校直需要保证铝锭板材、半成品铝板板材的平整度，适用于TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材的要求。

优选地，所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的压延包括至少一次调整下压道次、多次连续下压道次，所述至少一次调整下压道次、多次连续下压道次的压下率逐渐增大。具体的调整下压道次的数量、连续下压道次的数量可以根据铝锭的尺寸以及产品最终所需达到的厚度而定，下一次下压的压下率需要大于上一次的压下率，以保证铝锭能较好的被压制展延。

优选地，所述半成品铝板形成成品步骤中的压延包括至少两次下压道次，具体的下压道次数量可以根据成品铝板所需的厚度而定，所述至少两次下压道次的压制展延压下率逐渐增大，同样，用以保证半成品铝板能较好的被压制展延。

附图说明

图1为最后一道次压延量在15％时的晶粒照片；

图2为最后一道次压延量在30％时的晶粒照片；

图3为最后一道次压延量在50％时的晶粒照片；

图4为最后一道次压下量在60％时的晶粒照片。

具体实施方式

下面结合较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本实施例的一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，原材料采用铝纯度达到99.999％的铝锭，其尺寸为1300＊2600＊378mm，该板材压延工艺包括如下步骤：

步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤，将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成半成品铝板。

在步骤一中，铝锭采用电加热炉内加热，电加热炉的炉温控制在200－260℃，并将铝锭放入炉内加热，加热保持时长2.5－4小时。铝锭出炉后，对铝锭的温度进行测量：控制实物的温度在70－140℃，由于温度变化对压延作业都会有影响，压延温度不可过低，各锭温度相同时对压延品的品质可保证一致。

再进行压延作业。

在步骤一中，铝锭形成半成品铝板作业步骤中的压延作业的压下量工艺为：

1)首先2道次，每道次压下厚度为恒定，该2道次为调整道次，每次压下率为3－4％左右。

2)连续3道次，每道次压下厚度恒定，且下压厚度大于高于1)中每次压下厚度，下压的厚度可以根据实际产品的厚度大小来调整，若比实施例中的厚度大，则可增加压下次数。

3)连续3道次，每道次压下厚度恒定，且下压厚度大于高于2)中每次压下厚度，每次压下率为恒定。

4)连续3道次，每道次压下厚度恒定，该道次的压下率逐渐增加。

5)连续3道次，每道次压下厚度恒定，该道次的压下率逐渐增加。

在步骤一中，铝锭经过压延作业后，需要对实物温度进行测量，压延后实测记录温度有120－200℃。一般，变形热所达到的温度在200℃以下。

步骤一中的较直作业：利用9辊较直机进行带热较直，将压延后的铝板控制在平整度＜2mm范围内。

步骤一中的切断作业：是将压延后的铝板进行平均分割作业，形成半成品铝板。

步骤二、冷却步骤，将压延后制品(半成品铝板)进行自然冷却。

此处不可加速冷却，因为加速冷却会使用晶粒本体发生变化，应力也发生变化，对后面的压延存在一定影响。将铝板半成品的温度控制在40℃以下。之所以要控制在40℃以下，可保证每一枚产品的温度接近相同，对后期产品的二次加热条件可实现相同。温度接近于常温后，可有效的让产品实现应力释放。

步骤三、半成品铝板形成成品步骤，将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材。

步骤三中的半成品铝板进行加热也是采用电加热炉加热，将电加热炉的炉温控制在200－260℃、半成品铝板放入炉内加热，加热保持时长1小时。将半成品铝板出炉，实物温度进行测量，控制实物的温度在90－180℃，进行压延作业。该温度适宜，若温度太低，大压下量较难实现；若温度太高，材料粘性大会发生粘辊，会导致产品表面异样。

步骤三中的压下量工艺为：

1)首先第1道次压下厚度为10mm，将半成品铝板的厚度从56mm下压至46mmm；

2)第2道次的压下厚度为：28mm，将半成品铝板的厚度从46mmm下降至18mm，该道次(最后一次)的压下率最为关键，压下率X，将X控制在50％＜X＜70％，最后一道次的压下量一定要＞50％以上，大压下量可以保证板材的晶粒在规格要求。

以下对最后一道次的压下量做了实验比对：

当最后一道次压延量在15％时，晶粒的平均值为：＞320μm，表层晶粒被拉大，如图1所示。

当最后一道次压延量在30％时，晶粒的平均值为：＞250μm，晶粒未完全破坏，如图2所示。

当最后一道次压延量在50％时的晶粒时，其平均值为：＞200μm，晶粒未达要求，如图3所示。

当最后一道次压下量在60％时的晶粒照片，晶粒的平均值为：＜200μm，如附图4所示。

因设备能力问题，材料的塑形变形方面的因素，无法实现70％以上的压延量作业。无此实验数据。

通过上述实验可获得：

1)在最后一道次压下量在15％时，晶粒有变拉大的现象。2)在最后一道次压下量在30％时，晶粒大小不均，存在较大的晶粒。3)在最后一道次压下量在50％时，晶粒有被全面破坏，但平均晶粒值偏大不符合规格要求。4)在最后一道次压下量在60％时，晶粒有被全面破坏，大小均一，满足使用要求。

步骤三中的较直作业也是采用9辊较直机进行带热较直，将半成品铝板的平整度控制在＜2mm。

步骤三中的切断作业，将压延后板材按要求长度进行切断作业。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，包括

步骤一、铝锭形成半成品铝板作业步骤，将铝锭依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成半成品铝板；

步骤二、冷却步骤，将半成品铝板进行自然冷却步骤；

步骤三、半成品铝板形成成品步骤，将半成品铝板依次经过加热、控温、压延、校直、切断，形成TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材，其中最后一次的压制展延的下压量为X，50％＜X＜70％。

2.根据权利要求1所述的TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，其特征在于：所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的加热所需的环境温度相同。

3.根据权利要求1所述的TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，其特征在于：所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的加热与半成品铝板形成成品步骤中的校直需要保证铝锭板材、半成品铝板板材的平整度。

4.根据权利要求1所述的TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，其特征在于：所述铝锭形成半成品铝板作业步骤中的压延包括至少一次调整下压道次、多次连续下压道次，所述至少一次调整下压道次、多次连续下压道次的压下率逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的TFT液晶面板配线层用高纯铝靶材的板材压延工艺，其特征在于：所述半成品铝板形成成品步骤中的压延包括至少两次下压道次，所述至少两次下压道次的压制展延压下率逐渐增大。