CN109174130B - 一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 16
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 15
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 claims abstract description 9
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VEFXTGTZJOWDOF-UHFFFAOYSA-N benzene;hydrate Chemical compound O.C1=CC=CC=C1 VEFXTGTZJOWDOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000012265 solid product Substances 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 10
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/04—Sulfides
- B01J27/047—Sulfides with chromium, molybdenum, tungsten or polonium
- B01J27/051—Molybdenum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0264—Inorganic materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种二维面面SnS2‑MoS2复合物的制备方法。本发明方法将SnCl4、乙二胺、硫脲，水混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，得到二维纳米片状SnS2；将二维纳米片状SnS2，H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水混合成前驱液，置于水热反应釜中进行二次水热反应得到二维面面SnS2‑MoS2复合物。本发明方法工艺简单、易于控制、生产效率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法。
背景技术
SnS2是一种新型光电材料，已有报道通过水热合成能得到二维纳米片状SnS2。这种二维纳米片状SnS2具有较大比表面积，表现出一定的光电转换和催化性能，这种二维纳米片状结构还是一种很理想的复合载体，因为其比表面积大，能比较容易复合其他纳米颗粒材料，其复合物往往具有更好的光电转换和催化性能。MoS2也是一种二维纳米片状材料，未有报道能得到二维面面SnS2-MoS2复合物，申请人发现主要是因为二维纳米片状MoS2尺寸较大，容易卷曲，导致SnS2不易与其复合，如果能有效减小MoS2尺寸，有望得到二维面面SnS2-MoS2复合物。二维面面SnS2-MoS2复合物可以提高光电转换性能及光催化性能，能够用于光催化剂，太阳能电池等领域。然而，二维纳米片状SnS2合成条件和二维纳米片状MoS2差别较大，兼容这两种纳米材料得到复合物存在一定困难，故而本发明提供了一种成熟可靠的方法制备出二维面面SnS2-MoS2复合物。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法。
本发明为解决上述技术问题所提供的技术方案是：
先制备二维纳米片状SnS2，再对二维纳米片状SnS2中加入H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水，水热反应即可得到二维面面SnS2-MoS2复合物，其二维纳米片状SnS2与二维纳米片状SnS2形成二维面面复合；具体包括如下步骤：
步骤(1).将SnCl4、乙二胺、硫脲、水按照质量比1：(1～2)：(2～4)：60混合，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160～200℃，恒温时间为8～12小时；
步骤(2).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在70～80℃下烘干5～8小时；
步骤(3).将烘干后产物研磨成粉末，得到二维纳米片状SnS2；
步骤(4).将上述二维纳米片状SnS2、H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水按照质量比10：(1～2)：(2～4)：(1～4)：50混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160～200℃，恒温时间为20～30小时；
步骤(5).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在80～90℃下烘干8～10小时；
步骤(6).将烘干后产物研磨成粉末，得到二维面面SnS2-MoS2复合物。
本发明的有益效果是：采用SnCl4、乙二胺、硫脲制备出二维纳米片状SnS2，其二维纳米片状结构易于与二维纳米片状MoS2进行复合；采用H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠作为前驱体制备二维纳米片状MoS2；硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠不会对二维纳米片状SnS2进行破坏，同时可以缩小二维纳米片状MoS2尺寸，可以保证二维纳米片状SnS2与二维纳米片状MoS2形成二维面面复合结构，保证复合效果。
附图说明
图1为实施例1制备的二维面面SnS2-MoS2复合物的透射电镜图(TEM)；
图2为实施例2制备的二维面面SnS2-MoS2复合物的X射线衍射图谱(XRD)。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步阐述，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之内。
实施例1：
将SnCl4、乙二胺、硫脲，水按照质量比1：1：2：60混合，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160℃，恒温时间为8小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在70℃下烘干 5小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维纳米片状SnS2；将上述二维纳米片状SnS2、 H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水按照质量比10：1：2：1：50混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160℃，恒温时间为20小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干8小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维面面SnS2-MoS2复合物。
图1为实施例1制备的二维面面SnS2-MoS2复合物的透射电镜图(TEM)；从中可以看出，实施例1制备的二维面面SnS2-MoS2复合物具有二维面面复合结构，二维纳米片状SnS2与二维纳米片状MoS2面面贴合在一起形成面面复合结构。X射线衍射图谱(XRD)显示二维面面SnS2-MoS2复合物中含有SnS2和MoS2结构，结晶良好。
实施例2：
将SnCl4、乙二胺、硫脲，水按照质量比1：2：4：60混合，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为200℃，恒温时间为12小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干8小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维纳米片状SnS2；将上述二维纳米片状SnS2、 H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水按照质量比10：2：4：4：50混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为200℃，恒温时间为30小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在90℃下烘干10小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维面面SnS2-MoS2复合物。
图2为实施例2制备的二维面面SnS2-MoS2复合物的X射线衍射图谱(XRD)；从中可以看出，实施例2制备的二维面面SnS2-MoS2复合物中含有SnS2和MoS2结构，结晶良好。透射电镜图(SEM)显示二维面面SnS2-MoS2复合物具有二维面面复合结构，二维纳米片状SnS2与二维纳米片状MoS2面面贴合在一起形成面面复合结构。
实施例3：
将SnCl4、乙二胺、硫脲，水按照质量比1：1：3：60混合，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为180℃，恒温时间为10小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干6小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维纳米片状SnS2；将上述二维纳米片状SnS2、 H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水按照质量比10：2：3：3：50混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为180℃，恒温时间为24小时；将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤3次后在90℃下烘干10小时；将烘干后产物研磨成粉末，得到二维面面SnS2-MoS2复合物。
X射线衍射图谱(XRD)显示实施例3制备的二维面面SnS2-MoS2复合物中含有SnS2和MoS2结构，结晶良好。透射电镜图(SEM)显示二维面面SnS2-MoS2复合物具有二维面面复合结构，二维纳米片状SnS2与二维纳米片状MoS2面面贴合在一起形成面面复合结构。
Claims (3)
1.一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法，该SnS2-MoS2复合物具有二维面面复合结构，二维纳米片状SnS2与二维纳米片状MoS2面面贴合在一起形成面面复合结构，其特征在于该方法具体是：
步骤(1).将SnCl4、乙二胺、硫脲，水按照质量比1：(1～2)：(2～4)：60混合，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160～200℃，恒温时间为8～12小时；
步骤(2).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤多次后烘干；
步骤(3).将烘干后产物研磨成粉末，得到二维纳米片状SnS2；
步骤(4).将上述二维纳米片状SnS2、H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水按照质量比10：(1～2)：(2～4)：(1～4)：50混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，水热反应温度为160～200℃，恒温时间为20～30小时；
步骤(5).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离，倒出液态产物，将固态产物取出，用去离子水洗涤多次后烘干；
步骤(6).将烘干后产物研磨成粉末，得到二维面面SnS2-MoS2复合物。
2.如权利要求1所述的一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法，其特征在于步骤(2)烘干工艺：70～80℃下烘干5～8小时。
3.如权利要求1所述的一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法，其特征在于步骤(5)烘干工艺：80～90℃下烘干8～10小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810906366.3A CN109174130B (zh) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810906366.3A CN109174130B (zh) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109174130A CN109174130A (zh) | 2019-01-11 |
| CN109174130B true CN109174130B (zh) | 2021-11-26 |
Family
ID=64920794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810906366.3A Active CN109174130B (zh) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109174130B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112853373B (zh) | 2021-01-08 | 2021-12-03 | 广东省科学院测试分析研究所(中国广州分析测试中心) | 共生孪晶Ni2Mo6S6O2/MoS2二维纳米片的合成方法 |
| CN114225949B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-02-02 | 杭州电子科技大学 | 一种零维Bi2WO6-二维MoSSe异质结催化剂及其制备和应用 |
| CN114291840B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-12-26 | 杭州电子科技大学 | 一种二维可调SnSSe多孔纳米片及其制备和应用 |
| CN114517307A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-05-20 | 吉林大学 | 一种二硫化锡/二硫化钼电催化剂的制备方法及其在电催化还原n2合成nh3的应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104821240A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-08-05 | 岭南师范学院 | 一种一步水热合成SnS2/MoS2复合材料的方法及其应用 |
| KR20170042157A (ko) * | 2015-10-08 | 2017-04-18 | 한국과학기술원 | 2차원 층상 구조를 갖는 금속 황화물이 중공 구조의 탄소나노섬유에 결착된 수소 발생 촉매 및 이의 제조 방법 |
| CN107416892A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-12-01 | 东北大学 | 一种具有分级结构的SnS2水热制备方法 |
| CN108358244A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-08-03 | 西北大学 | 一种二硫化钼/硫化锌复合材料的制备方法 |
-
2018
- 2018-08-10 CN CN201810906366.3A patent/CN109174130B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104821240A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-08-05 | 岭南师范学院 | 一种一步水热合成SnS2/MoS2复合材料的方法及其应用 |
| KR20170042157A (ko) * | 2015-10-08 | 2017-04-18 | 한국과학기술원 | 2차원 층상 구조를 갖는 금속 황화물이 중공 구조의 탄소나노섬유에 결착된 수소 발생 촉매 및 이의 제조 방법 |
| CN107416892A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-12-01 | 东北大学 | 一种具有分级结构的SnS2水热制备方法 |
| CN108358244A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-08-03 | 西北大学 | 一种二硫化钼/硫化锌复合材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Epitaxial thin films of large organic molecules：characterization of phthalocyanine and coronene overlayers on the layered semiconductors MoS2 and SnS2;C. D. England等;《Langmuir》;19941231;第10卷;全文 * |
| 水热合成基于MoS2二维材料的MoS2/SnO2与MoS2/SnS2复合物;骆志军 等;《武汉大学学报（理学版）》;20171231;第63卷(第6期);全文 * |
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|---|---|
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| GR01 | Patent grant | ||
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