CN109161855A - 一种蒸镀装置及蒸镀方法 - Google Patents

一种蒸镀装置及蒸镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109161855A
CN109161855A CN201811313344.2A CN201811313344A CN109161855A CN 109161855 A CN109161855 A CN 109161855A CN 201811313344 A CN201811313344 A CN 201811313344A CN 109161855 A CN109161855 A CN 109161855A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
chamber
underlay substrate
evaporation coating
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811313344.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109161855B (zh
Inventor
刘金彪
郭雄飞
李有亮
徐天宇
胡斌
罗楠
岳小非
肖鹏
仪修超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811313344.2A priority Critical patent/CN109161855B/zh
Publication of CN109161855A publication Critical patent/CN109161855A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109161855B publication Critical patent/CN109161855B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，该蒸镀装置包括第一过渡腔、传送腔、蒸镀腔和温控单元；其中，传送腔被配置为导通第一过渡腔与蒸镀腔；蒸镀腔被配置为采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀；温控单元被配置为监控在蒸镀腔外部且蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔内的衬底基板至第一温度。通过将第一过渡腔内的衬底基板的温度预先控制为蒸镀所需温度，有效遏制了衬底基板进入蒸镀腔后由于受热形变而产生的相对位移，从而提高了蒸镀过程中的对位精度。

Description

一种蒸镀装置及蒸镀方法
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置及蒸镀方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
通常采用蒸镀工艺在衬底基板上形成OLED器件。具体地，蒸镀工艺是指在一定的真空条件下加热蒸镀材料，使蒸镀材料熔化(或升华)成原子、分子或原子团组成的蒸汽，然后凝结在衬底基板表面成膜，从而形成OLED器件的功能层。
要实现OLED器件的高分辨率，提高蒸镀的像素对位精度(Pixel PositionAccuracy，PPA)是一个关键。在蒸镀过程中，衬底基板进入蒸镀腔后会先进行对位，当对位精度达到设定值(Spec)后，再进行蒸镀。一般情况下，衬底基板刚进入蒸镀腔时的温度较低，随后在蒸镀过程中其温度会因蒸镀腔温度较高而逐渐升高，致使衬底基板发生形变，使得PPA变差。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种蒸镀装置及蒸镀方法，用以提高蒸镀过程中的对位精度。
因此，本发明实施例提供的一种蒸镀装置，包括：第一过渡腔、传送腔、蒸镀腔和温控单元；其中，
所述传送腔被配置为导通所述第一过渡腔与所述蒸镀腔；
所述蒸镀腔被配置为采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀；
所述温控单元被配置为监控在所述蒸镀腔外部且蒸镀完成后的所述衬底基板的第一温度，并控制所述第一过渡腔内的衬底基板至所述第一温度。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述温控单元，包括：第一温度传感器、第二温度传感器、第一温控模块和第一加热模组；
所述第一温度传感器位于所述第一过渡腔内，所述第一温度传感器被配置为实时监控所述衬底基板的温度，并将监控到的温度反馈至所述第一温控模块；
所述第二温度传感器位于所述传送腔内，所述第二温度传感器被配置为监控所述第一温度，并将所述第一温度反馈至所述第一温控模块；
所述第一加热模组位于所述第一过渡腔内，所述第一温控模块被配置为在确定所述第一温度传感器反馈的温度小于所述第一温度时，控制所述第一加热模组对所述衬底基板进行加热；以及在确定所述第一温度传感器反馈的温度等于所述第一温度时，控制所述第一加热模组对所述衬底基板停止加热。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器均为红外测温仪。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述第一加热模组，包括：多个并列设置的红外灯管。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，各所述红外灯管与所述第一过渡腔内的衬底基板之间的距离，大于或等于所述红外灯管的直径与相邻两个所述红外灯管之间的间距之和的1.5倍。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，还包括：存储腔；
所述传送腔还被配置为导通所述存储腔与所述蒸镀腔；
所述温控单元还被配置为实时监控所述蒸镀腔内的掩膜版的第二温度，并控制所述存储腔内的掩膜版至所述第二温度。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述温控单元，还包括：至少一个第三温度传感器、第四温度传感器、第二温控模块和第二加热模组；
所述第三温度传感器位于所述存储腔内，所述第三温度传感器被配置为实时监控所述掩膜版的温度，并将监控到的温度反馈至所述第二温控模块；
所述第四温度传感器位于所述蒸镀腔内，所述第四温度传感器被配置为实时监控所述第二温度，并将所述第二温度反馈至所述第二温控模块；
所述第二加热模组位于所述存储腔内，所述第二温控模块被配置为在确定所述第三温度传感器反馈的温度小于所述第二温度时，控制所述第二加热模组对所述掩膜版进行加热；以及在确定所述第三温度传感器反馈的温度等于所述第二温度时，控制所述第二加热模组对所述掩膜版停止加热。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述第三温度传感器和所述第四温度传感器均为热电偶。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述第三温度传感器与所述存储腔内的掩膜版一一对应。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，所述第二加热模组为电阻丝。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，还包括：旋转腔，所述旋转腔被配置为将待蒸镀的衬底基板传递至所述第一过渡腔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，还包括：第二过渡腔，所述第二过渡腔被配置为将上游传送的待蒸镀的衬底基板传递至所述旋转腔。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，还包括：上位机，所述上位机被配置为接收并显示所述温控单元的温控过程。
相应地，本发明实施例还提供了一种蒸镀方法，包括：
温控单元监控在蒸镀腔外部的蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔内的衬底基板至所述第一温度；
传送腔控制衬底基板在所述第一过渡腔与所述蒸镀腔之间传递；
所述蒸镀腔采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述蒸镀方法中，还包括：
所述温控单元实时监控所述蒸镀腔内的掩膜版的第二温度，并控制存储腔内的掩膜版升温至所述第二温度；
所述传送腔控制掩膜版在所述存储腔与所述蒸镀腔之间传递。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的蒸镀装置及蒸镀方法中，该蒸镀装置包括第一过渡腔、传送腔、蒸镀腔和温控单元；其中，传送腔被配置为导通第一过渡腔与蒸镀腔；蒸镀腔被配置为采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀；温控单元被配置为监控在蒸镀腔外部且蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔内的衬底基板至第一温度。通过将第一过渡腔内的衬底基板的温度预先控制为蒸镀所需温度，有效遏制了衬底基板进入蒸镀腔后由于受热形变而产生的相对位移，从而提高了蒸镀过程中的对位精度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的蒸镀装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的温控单元的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第一过渡腔的结构示意图之一；
图4为本发明实施例提供的第一过渡腔的结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的第一过渡腔内红外灯管与衬底基板之间距离的示意图；
图6为本发明实施例提供的第一过渡腔内相邻两个红外灯管之间的间距的示意图；
图7为本发明实施例提供的存储腔的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的蒸镀方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的蒸镀装置及蒸镀方法的具体实施方式进行详细的说明。需要说明的是本说明书所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合；此外，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
具体地，本发明实施例提供的一种蒸镀装置，如图1和图2所示，包括：第一过渡腔101、传送腔102、蒸镀腔103和温控单元104；其中，
传送腔102被配置为导通第一过渡腔101与蒸镀腔103；
蒸镀腔103被配置为采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀；
温控单元104被配置为监控在蒸镀腔103外部且蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔101内的衬底基板至第一温度。
在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，通过将第一过渡腔101内的衬底基板的温度预先控制为蒸镀所需温度，有效遏制了衬底基板进入蒸镀腔103后由于受热形变而产生的相对位移，从而提高了蒸镀过程中的对位精度。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，衬底基板可以是柔性基板，例如塑料基板；还可以是刚性基板，例如玻璃基板，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图1和图2所示，温控单元104，具体可以包括：第一温度传感器1041、第二温度传感器1042、第一温控模块1043和第一加热模组1044；
第一温度传感器1041位于第一过渡腔101内，第一温度传感器1041被配
置为实时监控衬底基板的温度，并将监控到的温度反馈至第一温控模块1043；
第二温度传感器1042位于传送腔102内，第二温度传感器1042被配置为监控第一温度，并将第一温度反馈至第一温控模块1043；
第一加热模组1044位于第一过渡腔101内，第一温控模块1043被配置为在确定第一温度传感器1041反馈的温度小于第一温度时，控制第一加热模组1044对衬底基板进行加热；以及在确定第一温度传感器1041反馈的温度等于第一温度时，控制第一加热模组1044对衬底基板停止加热。
具体地，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，由于衬底基板在第一过渡腔101内停留时间比较短、不固定，因此第一温度传感器1041可以为响应时间快的红外测温仪，这样以来，即使衬底基板在第一过渡腔101内停留时间较短，第一温度传感器1041也可以准确获取第一过渡腔101内衬底基板的实时温度。此外，因蒸镀过程中，衬底基板在蒸镀腔103内的停留时间也比较短，且蒸镀腔103内的温度有可能与衬底基板的温度有一定的差异，故为便于测量、同时提高测量的准确性，同样可采用红外测温仪作为第二温度传感器1042来测量蒸镀完成后的衬底基板自蒸镀腔103出来时的温度，作为衬底基板在蒸镀过程中的温度。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图3和图4所示，第一加热模组1044，可以包括：多个并列设置的红外灯管L。具体地，采用红外灯管L对衬底基板进行加热的原因在于，衬底基板在第一过渡腔101内停留时间较短，而红外灯管L反应迅速，热惯性小，能够使在第一过渡腔101内停留时间较短的衬底基板的温度迅速提升并稳定至目标温度。
进一步地，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，为了确保第一过渡腔101内的衬底基板的受热均一性，各红外灯管L与第一过渡腔101内的衬底基板G之间的距离Y，大于或等于红外灯管L的直径D与相邻两个红外灯管L之间的间距X之和的1.5倍，如图5和图6所示。也就是说，红外灯管L与第一过渡腔101内的衬底基板G之间的距离Y，红外灯管L的直径D，以及相邻两个红外灯管L之间的间距X满足以下关系式Y≥1.5*(X+D)。
现有技术中，在每次更换掩膜版(Mask)后，由于掩膜版刚进入蒸镀腔时温度较低，致使蒸镀过程中掩膜版也会存在升温和形变的过程，这个过程也会对PPA造成影响。
基于此，为进一步提高蒸镀过程中的对位精度，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图1和图2所示，还可以包括：存储腔105；
传送腔102还被配置为导通存储腔105与蒸镀腔103；
温控单元104还被配置为实时监控蒸镀腔103内的掩膜版的第二温度，并控制存储腔105内的掩膜版至第二温度。
通过将存储腔105内的掩膜版的温度预先控制为蒸镀所需温度，有效遏制了掩膜版进入蒸镀腔103后由于受热形变而产生的相对位移，从而进一步提高了蒸镀过程中的对位精度。
此种情况下，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，温控单元104，具体还可以包括：至少一个第三温度传感器1045、第四温度传感器1046、第二温控模块1047和第二加热模组1048；
第三温度传感器1045位于存储腔105内，第三温度传感器1045被配置为实时监控掩膜版的温度，并将监控到的温度反馈至第二温控模块1047；
第四温度传感器1046位于蒸镀腔103内，第四温度传感器1046被配置为实时监控第二温度，并将第二温度反馈至第二温控模块1047；
第二加热模组1048位于存储腔105内，第二温控模块1047被配置为在确定第三温度传感器1045反馈的温度小于第二温度时，控制第二加热模组1048对掩膜版进行加热；以及在确定第三温度传感器1045反馈的温度等于第二温度时，控制第二加热模组1048对掩膜版停止加热。
值得注意的是，在本发明实施例提供的蒸镀装置中，为节省成本，第一温控模块1043和第二温控模块1047可以集成于一温控器100中，如图1和图2所示。
具体地，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，由于掩膜版在存储腔105内和蒸镀腔103内停留的时间均比较长，为较准确测量存储腔105和蒸镀腔103内的掩膜版的温度，选用了接触式测温元件——热电偶作为第三温度传感器1045和第四温度传感器1046来实时测量掩膜版的温度。
进一步地，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，可以仅设置一个第三温度传感器1045，通过其检测存储腔105的温度来预估存储腔105内的掩膜版的温度。还可以设置第三温度传感器1045与存储腔105内的掩膜版M一一对应，如图7所示，即采用每一个第三温度传感器1045测量与其接触的掩膜版M的温度。相较于仅设置一个第三温度传感器1045的测温方式，设置与掩膜版M一一对应的第三温度传感器1045的测温方式，可以更好表征每张掩膜版M的实时温度。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图7所示，第二加热模组1048为电阻丝R。具体地，由于掩膜版在存储腔105内的存放时间较长，故仅需保持存储腔105有一个稳定的热环境就行。而电阻丝R的加热升温时间较长，且性能稳定，故比较适合用来对存储腔105内的掩膜版进行加热。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图1所示，还可以包括：旋转腔106，旋转腔106被配置为将待蒸镀的衬底基板传递至第一过渡腔101。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图1所示，还可以包括：第二过渡腔107，第二过渡腔107被配置为将上游传送的待蒸镀的衬底基板传递至旋转腔106。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀装置中，如图2所示，还可以包括：上位机108，上位机108被配置为接收并显示温控单元104的温控过程。
相应地，本发明实施例还提供了一种蒸镀方法，如图8所示，包括：
S801、温控单元监控在蒸镀腔外部的蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔内的衬底基板至第一温度；
S802、传送腔控制衬底基板在第一过渡腔与蒸镀腔之间传递；
S803、蒸镀腔采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述蒸镀方法中，还可以执行以下步骤：
S901、温控单元实时监控蒸镀腔内的掩膜版的第二温度，并控制存储腔内的掩膜版升温至第二温度；
S902、传送腔控制掩膜版在存储腔与蒸镀腔之间传递。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述蒸镀方法中，步骤S801与步骤S901的执行顺序具体根据实际情况进行确定，在此不做限定。并且，步骤S802与步骤S902的执行顺序具体也需根据实际情况进行确定，在此亦不做限定。
为更好地理解本发明的技术方案，下面对采用图1所示的蒸镀装置进行蒸镀的过程进行详细介绍。
旋转腔106将第二过渡腔107接收的上游传送待蒸镀的衬底基板传递至第一过渡腔101；
第一温度传感器1041(例如红外测温仪)实时监控第一过渡腔101内衬底基板的温度，并将监控到的温度反馈至第一温控模块1043；
第二温度传感器1042(例如红外测温仪)监控完成蒸镀的衬底基板自蒸镀腔103出来时的第一温度，并将第一温度反馈至第一温控模块1043；
第一温控模块1043在确定第一温度传感器1041(例如红外测温仪)反馈的温度小于第一温度时，通过PID调节，控制红外灯管对第一过渡腔101内的衬底基板进行加热，使得衬底基板迅速升温至第一温度；并在确定第一温度传感器1041(例如红外测温仪)反馈的温度等于第一温度时，控制红外灯管对第一过渡腔101内的衬底基板停止加热；
第三温度传感器1045(例如热电偶)实时监控存储腔105内与其一一对应掩膜版的温度，并将监控到的温度反馈至第二温控模块1047；
第四温度传感器1046(例如热电偶)实时监控蒸镀腔103内掩膜版的第二温度，并将第二温度反馈至第二温控模块1047；
第二温控模块1047在确定第三温度传感器1045(例如热电偶)反馈的温度小于第二温度时，通过PID调节，控制电阻丝对存储腔105内的掩膜版进行加热，使得掩膜版逐渐升温至第二温度；并在确定第三温度传感器1045(例如热电偶)反馈的温度等于第二温度时，控制电阻丝对存储腔105内的掩膜版停止加热；
第一过渡腔101内具有第一温度的衬底基板和存储腔105内具有第二温度的掩膜版经传送腔102进入蒸镀腔103；
在蒸镀腔103内采用具有第二温度的掩膜版对具有第一温度的衬底基板进行蒸镀；
蒸镀完成后的衬底基板自传送腔102传递至下游工艺设备。
可以理解的是，上述对存储腔105内掩膜版加热升温至第二温度的过程，以及对第一过渡腔101内衬底基板加热升温至第一温度的过程，并不限于上述先后顺序，具体可根据实际情况进行设置。
由上述描述可知，通过第二温度传感器1042(例如红外测温仪)监控衬底基板蒸镀所需第一温度，并采用第四温度传感器1046(例如热电偶)监控掩膜版蒸镀所需第二温度，再以二者监控到的温度作为目标温度，之后通过第一过渡腔101和存储腔105内的加热模组，分别对即将进入蒸镀腔103的衬底基板和掩膜版进行加热，并使其温度分别稳定为第一温度和第二温度，从而有效遏制了衬底基板和掩膜版进入蒸镀腔103后由于受热形变而产生的相对偏移，进而提高了蒸镀装置的对位精度和稳定性。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：第一过渡腔、传送腔、蒸镀腔和温控单元；其中，
所述传送腔被配置为导通所述第一过渡腔与所述蒸镀腔；
所述蒸镀腔被配置为采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀；
所述温控单元被配置为监控在所述蒸镀腔外部且蒸镀完成后的所述衬底基板的第一温度，并控制所述第一过渡腔内的衬底基板至所述第一温度。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述温控单元，包括：第一温度传感器、第二温度传感器、第一温控模块和第一加热模组；
所述第一温度传感器位于所述第一过渡腔内，所述第一温度传感器被配置为实时监控所述衬底基板的温度，并将监控到的温度反馈至所述第一温控模块；
所述第二温度传感器位于所述传送腔内，所述第二温度传感器被配置为监控所述第一温度，并将所述第一温度反馈至所述第一温控模块；
所述第一加热模组位于所述第一过渡腔内，所述第一温控模块被配置为在确定所述第一温度传感器反馈的温度小于所述第一温度时，控制所述第一加热模组对所述衬底基板进行加热；以及在确定所述第一温度传感器反馈的温度等于所述第一温度时，控制所述第一加热模组对所述衬底基板停止加热。
3.如权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器均为红外测温仪。
4.如权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一加热模组，包括：多个并列设置的红外灯管。
5.如权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，各所述红外灯管与所述第一过渡腔内的衬底基板之间的距离，大于或等于所述红外灯管的直径与相邻两个所述红外灯管之间的间距之和的1.5倍。
6.如权利要求1-5任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：存储腔；
所述传送腔还被配置为导通所述存储腔与所述蒸镀腔；
所述温控单元还被配置为实时监控所述蒸镀腔内的掩膜版的第二温度，并控制所述存储腔内的掩膜版至所述第二温度。
7.如权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于，所述温控单元，还包括：至少一个第三温度传感器、第四温度传感器、第二温控模块和第二加热模组；
所述第三温度传感器位于所述存储腔内，所述第三温度传感器被配置为实时监控所述掩膜版的温度，并将监控到的温度反馈至所述第二温控模块；
所述第四温度传感器位于所述蒸镀腔内，所述第四温度传感器被配置为实时监控所述第二温度，并将所述第二温度反馈至所述第二温控模块；
所述第二加热模组位于所述存储腔内，所述第二温控模块被配置为在确定所述第三温度传感器反馈的温度小于所述第二温度时，控制所述第二加热模组对所述掩膜版进行加热；以及在确定所述第三温度传感器反馈的温度等于所述第二温度时，控制所述第二加热模组对所述掩膜版停止加热。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第三温度传感器和所述第四温度传感器均为热电偶。
9.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第三温度传感器与所述存储腔内的掩膜版一一对应。
10.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第二加热模组为电阻丝。
11.如权利要求1-5任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：旋转腔，所述旋转腔被配置为将待蒸镀的衬底基板传递至所述第一过渡腔。
12.如权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：第二过渡腔，所述第二过渡腔被配置为将上游传送的待蒸镀的衬底基板传递至所述旋转腔。
13.如权利要求1-5任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：上位机，所述上位机被配置为接收并显示所述温控单元的温控过程。
14.一种使用如权利要求1所述的蒸镀装置的蒸镀方法，其特征在于，包括：
温控单元监控在蒸镀腔外部的蒸镀完成后的衬底基板的第一温度，并控制第一过渡腔内的衬底基板至所述第一温度；
传送腔控制衬底基板在所述第一过渡腔与所述蒸镀腔之间传递；
所述蒸镀腔采用掩膜版对衬底基板进行蒸镀。
15.如权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，还包括：
所述温控单元实时监控所述蒸镀腔内的掩膜版的第二温度，并控制存储腔内的掩膜版升温至所述第二温度；
所述传送腔控制掩膜版在所述存储腔与所述蒸镀腔之间传递。
CN201811313344.2A 2018-11-06 2018-11-06 一种蒸镀装置及蒸镀方法 Active CN109161855B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811313344.2A CN109161855B (zh) 2018-11-06 2018-11-06 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811313344.2A CN109161855B (zh) 2018-11-06 2018-11-06 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109161855A true CN109161855A (zh) 2019-01-08
CN109161855B CN109161855B (zh) 2021-01-22

Family

ID=64875946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811313344.2A Active CN109161855B (zh) 2018-11-06 2018-11-06 一种蒸镀装置及蒸镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109161855B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111321376A (zh) * 2020-03-26 2020-06-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀机
CN112030114A (zh) * 2020-10-19 2020-12-04 合肥维信诺科技有限公司 一种蒸镀机构及其工作方法
CN113667957A (zh) * 2021-08-20 2021-11-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的传送单元及工艺设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693927A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 初星太阳能公司 用于线性地传送的衬底的可变的加热或冷却的动态系统
CN104152847A (zh) * 2014-07-16 2014-11-19 上海和辉光电有限公司 一种改善oled蒸镀工艺中金属掩膜温度稳定性的方法
CN106256925A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693927A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 初星太阳能公司 用于线性地传送的衬底的可变的加热或冷却的动态系统
CN104152847A (zh) * 2014-07-16 2014-11-19 上海和辉光电有限公司 一种改善oled蒸镀工艺中金属掩膜温度稳定性的方法
CN106256925A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111321376A (zh) * 2020-03-26 2020-06-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀机
CN111321376B (zh) * 2020-03-26 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀机
CN112030114A (zh) * 2020-10-19 2020-12-04 合肥维信诺科技有限公司 一种蒸镀机构及其工作方法
CN113667957A (zh) * 2021-08-20 2021-11-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的传送单元及工艺设备
CN113667957B (zh) * 2021-08-20 2024-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的传送单元及工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN109161855B (zh) 2021-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109161855A (zh) 一种蒸镀装置及蒸镀方法
JP6080842B2 (ja) プロセスチャンバ内の複数区域ヒータの温度を制御するための方法および装置
CN101028964B (zh) 控制玻璃板厚度均匀性的装置及其控制方法
JP5509361B2 (ja) 静電チャック支持組立体
RU2012106213A (ru) Незапотевающая тепловырабатывающая стеклянная система и способ управления ею
WO2016029539A1 (zh) 蒸镀设备及蒸镀方法
CN103938160A (zh) 一种坩埚
WO2015192400A1 (zh) 曲率可调节的背板及其应用
JP2010168649A (ja) 基板処理装置、成膜方法、電子デバイスの生産方法
JPWO2013015093A1 (ja) 基板製造装置
TW201414041A (zh) 沈積裝置
CN107012086A (zh) 一种实时荧光pcr热循环装置及pcr仪
KR20100119369A (ko) 증착 소스
JP5538050B2 (ja) 局所加熱装置、及び局所加熱する位置の調整方法
CN104007137A (zh) 一种用于测量伪装遮障红外热透过率的装置及其方法
CN105296928A (zh) 线光源及具备此线光源的薄膜蒸镀装置
CN101140425A (zh) 曝光装置、曝光方法、及显示用面板基板的制造方法
KR20070051609A (ko) 증착 챔버의 두께 측정 장치
KR102123824B1 (ko) 박막증착장치 및 그 제어방법
JP2014215084A (ja) 加熱対象物の温度測定方法
KR20140083847A (ko) 증착 장치
JP2018526615A (ja) 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
JP2005207738A (ja) 熱伝導を利用した温度環境実験機とその制御方法及び温度特性の測定方法
JP2015069859A (ja) 有機ｅｌ製造装置及び有機ｅｌ製造方法
JP2006242721A (ja) 膜厚測定装置および膜厚測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant