CN109155617B - 双侧电路 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了电路和用于制造电路的方法。电路可以包括具有第一表面、第二表面、外围的绝缘体,布置在第一表面上的电路元件的第一子集,布置在第二表面上的电路的第二子集,以及布置在所述外围上的至少一个导电侧壁,其中所述导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集。
Description
技术领域
本公开的一些方面通常涉及无线通信装置,并且更特别地涉及双面电路。
背景技术
无线通信装置常规地包括大量电路,其例如包括一个或多个多路复用器。通常,多路复用器可以将输入信号或输出信号分离成多个相异的频带。例如,无线通信装置可以包括将输入信号或输出信号分离成与不同带宽相关的两个频带的多路复用器。不同的带宽可以分别居中在例如第一频率和第二频率上,其中第一频率高于第二频率。这些带宽可以分别称作高频带和低频带。
每个电路可以包括无源部件,例如电容器和电感器。在多路复用器中,例如,无源部件可以被配置用于将输入信号或输出信号分离成高频分量(也即在高频带内的信号分量)和低频分量(也即在低频带内的信号分量)。无线通信装置可以包括多个多路复用器,例如用于无线局域网(WLAN)连接性(例如根据Wi-Fi连接协议)的第一多路复用器以及用于无线广域网(WWAN)连接性(例如根据长期演进或LTE连接协议)的第二多路复用器。
在无线通信装置的领域存在对于趋向于具有大型无源部件(诸如,例如,电感器)的更小电路尤其是多路复用器的需求。
也需要提高电路的性能。例如,在一些现有的多路复用器配置中,两个电感器的相对邻近可以引起串扰,由此当信号穿过多路复用器时使信号失真。
发明内容
在一个方面中,本公开提供了一种电路设备。电路设备可以包括具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体,布置在第一表面上的电路元件的第一子集,布置在第二表面上的电路元件的第二子集,以及布置在外围上的至少一个导电侧壁,其中导电侧壁将电路元件的第一子集电耦合至电路元件的第二子集。
在另一方面中,本公开提供了一种制造电路设备的方法。方法可以包括:提供具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体,在第一表面上布置电路元件的第一子集,在第二表面上布置电路元件的第二子集,以及在外围上布置至少一个导电侧壁,其中导电侧壁将电路元件的第一子集电耦合至电路元件的第二子集。
附图说明
当通过参考结合单纯为了说明而非限制本发明所展示的附图考虑以下详细说明书而使得本公开的一些方面和许多附图变得更好理解时,更易于获得对其的更完整理解,以及其中:
图1一般地说明了根据本公开的一些方面的多路复用器的示意图。
图2一般地说明了用于实施多路复用器的常规平面电路布局。
图3A一般地说明了用于实施根据本公开的一些方面的多路复用器的双面电路布局的顶部立体视图。
图3B一般地说明了图3A的双面电路布局的顶视图。
图3C一般地说明了图3A-图3B的双面电路布局的底面立体视图。
图3D一般地说明了图3A-图3C的双面电路布局的底视图。
图4一般地说明了用于实施根据本公开另一些方面的多路复用器电路的双面电路布局的侧视图。
图5一般地说明了用于实施根据本公开的又一些方面的多路复用器电路的双面电路布局的侧视图。
图6一般地说明了用于制造具有根据本公开的又一些方面的双面电路布局的多路复用器的流程图。
图7一般地说明了示出其中可以有利地采用本公开的一些方面的示例性无线通信系统的方框图。
图8一般地说明了示出用于所公开半导体IC封装的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的方框图。
具体实施方式
在涉及本公开具体一些方面的以下说明书和相关附图中公开了本公开的一些方面。可以设计备选一些方面而并未脱离本发明的范围。额外地,将不会详细描述或将省略本发明的广泛已知要素以便于不模糊本发明的相关细节。
在此使用词语“示例性”和/或“示例”以意味着“用作示例、实例或说明”。在此描述为“示例性”和/或“示例”的任何一些方面不必构造为在其他一些方面之上优选或有利的。同样,术语“本公开的一些方面”并未要求本发明的所有方面包括所公开的特征、优点或操作模式。
如在此所使用的,术语“垂直”通常相对于其上形成了半导体封装的衬底或载板的表面而定义。衬底或载板将通常定义“水平”平面,以及垂直方向近似于粗略地正交于水平面的方向。
图1一般地说明了根据本公开的一些方面的电路100的示意图。电路100可以例如是多路复用器。
电路100可以包括电路元件的第一子集111a-111e(可以统称为电路元件的第一子集111)和电路元件的第二子集121a-121g(可以统称为电路元件的第二子集121)。电路元件的第一子集111和电路元件的第二子集121可以均包括经由导电迹线相互耦合的多个无源电部件(例如电容器和电感器)。导电迹线可以被配置为在电路100的各个部件之间形成直接电耦合。
电路100可以进一步包括多个端子131a-131e(可以统称为电路元件的第一子集111)。如图1中所示,多个端子131可以包括LB端子131a(其中“LB”代表低频带),HB端子131b(其中“HB”代表高频带),以及天线端子131c。多个端子131可以进一步包括一个或多个接地端子,例如,第一接地端子131d和第二接地端子131e。
如图1中所示,LB端子131a可以经由电路元件的第一子集111而耦合至天线端子131c和一个或多个接地端子。具体而言,LB端子131a可以经由导电迹线耦合至第一LB电容器111a、第一LB电感器111b和第二LB电容器111c。第一LB电容器111a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子,例如,第二接地端子131e。第一LB电感器111b和第二LB电容器111c可以并联布置并且可以经由导电迹线耦合至第三LB电感器111d和第二LB电感器111e。第三LB电感器111d可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子,例如,第一接地端子131d。第二LB电感器111e可以经由导电迹线耦合至天线端子131c。
应该理解,尽管电路元件的第一子集111可以包括第一LB电容器111a、第一LB电感器111b、第二LB电容器111c、第三LB电容器111d以及第三LB电感器111e中的一个或多个,如图1中所示,但是电路元件的第一子集111可以包括比图1中出现的更少的部件,或者除了所列出那些之外更多的部件。
HB端子131b可以经由电路元件的第二子集121耦合至天线端子131c和一个或多个接地端子。具体而言,HB端子131b可以经由导电迹线耦合至第一HB电容器121a、第一HB电感器121b、和第二HB电容器121c。第一HB电容器121a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子,例如第一接地端子131d。第一HB电感器121b和第二HB电容器121c可以并联布置,并且可以经由导电迹线耦合至第三HB电容器121d、第二HB电感器121e、以及第四HB电容器121f。第三HB电容器121d和第二HB电感器121e可以并联布置并可以经由导电迹线耦合至第五HB电容器121g。第五HB电容器121g可以耦合至一个或多个接地端子,例如,第二接地端子131e。第四HB电容器121f可以经由导电迹线耦合至天线端子131c。
应该理解,尽管电路元件的第二子集121可以包括第一HB电容器121a、第一HB电感器121b、第二HB电容器121c、第三HB电容器121d、第二HB电感器121e、第四HB电容器121f和第五HB电容器121g中的一个或多个,如图1中所示,但是电路元件的第二子集121可以包括比图1中出现的更少的部件,或者除了所列出的那些之外更多的部件。
在一些实施方式中,电路元件的第一子集111可以被配置为对从LB端子131a或天线端子131c接收的信号进行滤波。此外,电路元件的第二子集121可以被配置为对从HB端子131b或天线端子131c接收的信号进行滤波。由电路元件的第一子集111和/或电路元件的第二子集121执行的滤波可以减少在特定频率带宽外的信号分量。例如,电路元件的第一子集111可以减少居中在第一频率周围的LB频率带宽外的信号分量,并且电路元件的第二子集121可以减少居中在第二频率周围的HB频率带宽外的信号分量,其中第二频率高于第一频率。LB频率带宽和HB频率带宽可以是不重叠的。此外,电路元件的第一子集可以包括第一电感器和第一电容器,且电路元件的第二子集可以包括具有比第一电感器更低电感的第二电感器以及具有比第一电容器更低电容的第二电容器。
电路100可以经由LB端子131a和/或HB端子131b耦合至无线通信装置的一个或多个处理器、一个或多个存储器、或者一个或多个其他部件。电路100可以是经由天线端子131c耦合至天线并经由一个或多个接地端子例如第一接地端子131d和/或第二接地端子131e耦合至无线通信装置的接地端的多路复用器。
图2一般地说明了用于实施电路例如多路复用器的常规平面电路布局200。图2中所示的电路可以具有类似于图1中所示部件的一些部件。例如,图2中所示的电路可以包括电路元件的第一子集,其包括第一LB电感器211a和第二LB电感器211b。图2中所示的电路可以进一步包括电路元件的第二子集,其包括第一HB电感器221a和第二HB电感器221b。图2中所示电路可以进一步包括LB端子231a,HB端子231b,以及天线端子231c。应该理解,图2中所示各个部件可以在一些一些方面上类似于图1中所示的各个端子和电感器。
如从图2中可以理解,第一LB电感器211a、第二LB电感器211b、第一HB电感器221a、和第二HB电感器221b均被实施为制造在衬底201的第一平坦表面201a上的螺旋电感器。第一平坦表面201a的面积必须足够大以容纳图2中所示的每个螺旋电感器。然而,在无线通信装置的领域中,需要减小趋向于包括相对大型部件(诸如例如图2中所示的电感器)的多路复用器的尺寸。因此,需要新的电路布局,其减小了例如衬底201的第一平坦表面201a的面积。
如将从图2中进一步所理解的,各个部件可以相互紧密靠近而布置。例如,第一LB电感器211a相对靠近第一HB电感器221a且第二LB电感器211b相对靠近第二HB电感器221b。结果,部件的紧密靠近可以引起例如串扰,由此当信号穿过多路复用器时使其失真。因此,需要减小在部件之间的邻近性的新电路布局。
图3A-图3D总体说明了用于实施根据本公开一些方面的电路300的双面电路布局。电路300可以例如是多路复用器。图3A-图3B提供了电路300的自顶向下视图,而图3C-图3D提供了电路300的自底向上的视图。然而,应该理解,诸如“顶部”和“底部”之类的术语是严格在彼此之间使用的相对性术语,并且并未表达或暗示与重力、用于制造电路300的制造装置、或电路300耦合、安装至其的一些其他装置的任何关系。
电路300包括绝缘体301。绝缘体301可以包括在绝缘体301的顶部上的第一表面301a和在绝缘体301的底部上的第二表面301d。第一表面301a和第二表面301d可以均基本上是平坦的。第一表面301a可以在图3A-图3B中看到,且第二表面301d可以在图3C-图3D中看到。电路元件的第一子集可以布置在第一表面301a上,且电路元件的第二子集可以布置在第二表面301d上。
绝缘体301可以进一步包括将第一表面301a与第二表面301d分离的外围。如图3A中所示,外围可以包括第一外围表面301b和第二外围表面301c。尽管示出了两个外围表面且可以推断另外两个,应该理解的是,绝缘体301的外围可以包括任意数目的外围表面。尽管第一外围表面301b和第二外围表面301c示出为相互正交的平坦表面,应该理解的是,其他配置是可能的而并未脱离本公开的范围。
绝缘体301可以具有由在第一表面301a和第二表面301d之间的距离所定义的绝缘体厚度。绝缘体301的绝缘体厚度可以大于提供在其上的电路元件的相应厚度(如以下更详细所述)。绝缘体301可以由任何合适的材料形成。例如,绝缘体301可以包括玻璃。
一个或多个导电侧壁可以布置在绝缘体301的外围上。一个或多个导电侧壁可以配置作为端子。因此,一个或多个导电侧壁331可以包括LB端子331a、HB端子331b、天线端子331c、以及一个或多个接地端子,例如第一接地端子331d和第二接地端子331e。LB端子331a、HB端子331b、天线端子331c、第一接地端子331d、和第二接地端子331e可以分别类似于图1中所示的LB端子131a、HB端子131b、天线端子131c、第一接地端子131d、和第二接地端子131e。一个或多个导电侧壁331可以进一步包括虚设端子331f。备选地,虚设端子331f可以是不导电的或者可以一起省略。
如图3A中所示,电路元件的第一子集311可以布置在第一表面301a上。电路元件的第一子集311可以包括第一LB电容器311a、第一LB电感器311b、第二LB电容器311c、第三LB电容器311d、以及第二LB电感器311e。图3A-图3B中所示的第一LB电容器311a、第一LB电感器311b、第二LB电容器311c、第三LB电容器311d和第二LB电感器311e可以分别类似于图1中所示的第一LB电容器111a、第一LB电感器111b、第二LB电容器111c、第三LB电容器111d、和第二LB电感器111e。
如图3A-图3B中所示,LB端子331a可以经由电路元件的第一子集311耦合至天线端子331c和一个或多个接地端子。具体而言,LB端子331a可以经由导电迹线耦合至第一LB电容器331a、第一LB电感器311b以及第二LB电容器311c。第一LB电容器311a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子,例如第二接地端子331e。第一LB电感器311b和第二LB电容器311c可以并联布置并且可以经由导电迹线耦合至第三LB电容器311d和第二LB电感器311e。第三LB电容器311d可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子,例如第一接地端子311d。第二LB电感器311e可以经由导电迹线耦合至天线端子331c。
应该理解,尽管电路元件的第一子集311可以包括第一LB电容器311a、第一LB电感器311b、第二LB电容器311c、第三LB电容器311d、以及第二LB电感器311e中的一个或多个,如图3A-图3B中所示,但是电路元件的第一子集311可以包括比图3A-图3B中出现的更少的部件,或者除了所列出之外更多的部件。
如图3C-图3D中所示,电路元件的第二子集321可以被布置在第二表面301d上。电路元件的第二子集321可以包括第一HB电容器321a、第一HB电感器321b、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第二HB电感器321e、第四HB电容器321f以及第五HB电容器321g。图3C-图3D中所示的第一HB电容器321a、第一HB电感器321b、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第二HB电感器321e、第四HB电容器321f、以及第五HB电容器321g可以分别类似于图1中所示的第一HB电容器121a、第一HB电感器121b、第二HB电容器121c、第三HB电容器121d、第二HB电感器121e、第四HB电容器121f以及第五HB电容器121g。
HB端子331b可以经由电路元件的第二子集321耦合至天线端子331c和一个或多个接地端子。具体而言,HB端子331b可以经由导电迹线耦合至第一HB电容器321a、第一HB电感器321b和第二HB电容器321c。第一HB电容器321a可以经由导电迹线耦合至一个或多个接地端子例如第一接地端子331d。第一HB电感器321b和第二HB电容器321c可以并联布置并且可以经由导电迹线耦合至第三HB电容器321d、第二HB电感器321e和第四HB电容器321f。第三HB电容器321d和第二HB电感器321e可以并联布置并且可以经由导电迹线耦合至第五HB电容器321g。第五HB电容器321g可以耦合至一个或多个接地端子,例如第二接地端子331e。第四HB电容器321f可以经由导电迹线耦合至天线端子331c。
应该理解,尽管电路元件的第二子集321可以包括第一HB电容器321a、第一HB电感器321b、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第二HB电感器321e、第四HB电容器321f、和第五HB电容器321g中的一个或多个,如图3C-图3D所示,但是电路元件的第二子集321可以包括比图3C-图3D中出现的更少的部件,或者除了所列出那些之外更多的部件。
在一些实施方式中,电路元件的第一子集311可以被配置为对从LB端子331a或天线端子331c接收的信号进行滤波。此外,电路元件的第二子集321可以被配置为对从HB端子331b或天线端子331c接收的信号进行滤波。由电路元件的第一子集311和/或电路元件的第二子集321执行的滤波可以减少在特定频率带宽外的信号分量。例如,电路元件的第一子集311可以减少居中在第一频率周围的LB频率带宽外的信号分量,并且电路元件的第二子集321可以减少居中在第二频率周围HB频率带宽外的信号分量,其中第二频率高于第一频率。LB频率带宽和HB频率带宽可以是不重叠的。
电路300可以经由LB端子331a和/或HB端子331b耦合至无线通信装置中的一个或多个处理器、一个或多个存储器、或者一个或多个其他部件。电路300可以经由天线端子331c耦合至天线并可以经由一个或多个接地端子,例如第一接地端子331d和/或第二接地端子331e,耦合至无线通信装置的接地端。
在一些实施方式中,一个或多个导电侧壁331可以符合特定的占用区域(footprint)。例如,电路300的占用区域可以具有与第一表面301a和/或第二表面301d的面积本质上相等的面积。此外,电路300的占用区域可以本质上是矩形的。矩形占用区域可以具有拥有本质上等于x毫米的各自长度的两个长侧边以及拥有等于y毫米各自长度的两个短侧边。例如,矩形足迹可以是2.5毫米乘以2.0毫米,2.0毫米乘以1.25毫米,1.6毫米乘以0.8毫米,或任何其他合适的足迹。
HB端子331b、第一接地端子331d、和LB端子331a可以布置在矩形足迹的第一长侧边上,如图3C-图3D中所示,并且天线端子331c、虚设端子331f和第二接地端子331e可以布置在矩形占用区域的分别与HB端子331b、第一接地端子331d和LB端子331a相对的第二长侧边上。如上所述,在一些实施方式中,虚设端子331f可以是非导电的,或者可以一起省略。
在一些实施方式中,可以省略第一接地端子331d或第二接地端子331e或者采用导电或非导电虚设端子替代。例如,第一LB电容器331a和第五HB电容器321g可以经由导电迹线耦合至第一接地端子331d而不是第二接地端子331e,并且第二接地端子331e可以省略或者采用类似于虚设端子331f的虚设端子替代。备选地,第一HB电容器321a和第三LB电容器311d可以经由导电迹线耦合至第二接地端子331e而不是第一接地端子331d,并且第一接地端子331d可以省略或者采用类似于虚设端子331f的虚设端子替代。例如,一个或多个过孔或导电迹线可以穿过绝缘体301的一个或多个表面而形成或者布置在其上。
在一些实施方式中(诸如图3A-图3D中所示的实施方式),绝缘体301可以是不具有从第一表面301a延伸至第二表面301d的孔洞或过孔、也不具有从一个外围表面延伸至另一外围表面的孔洞或过孔的实心体。替代地,在第一表面301a和第二表面301d之间的所有导电互联由布置在绝缘体301的外围上的导电侧壁331形成。在其他实施方式中,除了导电侧壁331之外或者作为备选,绝缘体301可以具有布置在绝缘体301内的一个或多个孔洞或导电互联。
图4一般地说明了用于实施根据本公开另一些方面的电路400的双面电路布局的侧视图。
电路400可以例如是多路复用器。电路400可以包括具有第一表面和第二表面的绝缘体401。第一表面和第二表面可以分别类似于图3A-图3D中所示的第一表面301a和第二表面301d。第一表面可以具有布置在其上的第一内部导电层421,且第二表面可以具有布置在其上的第二内部导电层422。第一内部导电层421可以形成与例如第一LB电容器311a、第二LB电容器311c和/或第三LB电容器311d类似的一个或多个电容器的端子。第二内部导电层422可以形成与例如第一HB电容器321a、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第四HB电容器321f、和/或第五HB电容器321g类似的一个或多个电容器的端子。第一内部导电层421和第二内部导电层422可以包括任何合适的材料,例如铜。第一内部导电层421和第二内部导电层422可以具有任何合适的厚度例如两微米,并且厚度可以远小于绝缘体401。
第一内部导电层421可以具有布置在其上的第一介电层431,且第二内部导电层422可以具有布置在其上的第二介电层432。第一介电层431可以形成类似于例如第一LB电容器311a、第二LB电容器311c和/或第三LB电容器311d的一个或多个电容器的介电层。第二介电层432可以形成类似于例如第一HB电容器321a、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第四HB电容器321f和/或第五HB电容器321g的一个或多个电容器的介电层。第一介电层431和第二介电层432可以包括任何合适的材料,例如氧化铝和/或氮化硅。
第一介电层431可以具有布置在其上的第一中间导电层441,且第二介电层432可以具有布置在其上的第二中间导电层442。第一中间导电层441可以形成类似于例如第一LB电容器311a、第二LB电容器311c和/或第三LB电容器311d的一个或多个电容器的端子。第二中间导电层442可以形成类似于例如第一HB电容器321a、第二HB电容器321c、第三HB电容器321d、第四HB电容器321f和/或第五HB电容器321g的一个或多个电容器的端子。第一中间导电层441和第二中间导电层442可以包括任何合适的材料,例如铜。第一中间导电层441和第二中间导电层442可以具有任何合适的厚度,例如两微米,并且厚度可以远小于绝缘体401。
第一内部导电层421、第一介电层431和第一中间导电层441可以嵌入在第一中间绝缘体445中。第一内部导电层421、第一介电层431和第一中间导电层441可以嵌入在第二中间绝缘体446中。第一中间绝缘体445和第二中间绝缘体446可以包括任何合适的材料,例如层压板。
第一中间绝缘体445可以具有形成在其中的一个或多个第一过孔451,且第二中间绝缘体446可以具有形成在其中的一个或多个第二过孔452。一个或多个第一过孔451可以是导电的并可以耦合至第一内部导电层421和/或第一中间导电层441。一个或多个第二过孔452可以是导电的且可以耦合至第二内部导电层422和/或第二中间导电层442。
第一中间绝缘体445可以具有布置在其上的第一外部导电层461,且第二中间绝缘层446可以具有形成在其上的第二外部导电层462。第一外部导电层461可以与一个或多个第一过孔451中的一个或多个接触,且第二外部导电层462可以与一个或多个第二过孔452中的一个或多个接触。第一外部导电层461和第二外部导电层462的一部分可以采取螺旋电感器的形状。例如,图3A-图3B中所示的第一LB电感器311b和/或第二LB电感器311e可以由第一外部导电层461形成,且第一HB电感器321b和/或第二HB电感器321e可以由第二外部导电层462形成。
第一外部导电层461和第二外部导电层462中的每个外部导电层可以包括三个子层,内部导电子层、具有过孔穿过其中的绝缘子层、以及外部导电子层。
第一外部绝缘层491可以布置在第一外部导电层461和/或第一中间绝缘体445上,且第二外部绝缘层492可以布置在第二外部导电层462和/或第二中间绝缘体446上。可以图案化第一外部绝缘层491和/或第二外部绝缘层492以便于分别暴露第一外部导电层461和/或第二外部导电层462中的一个或多个部分。第一外部绝缘层491和/或第二外部绝缘层492可以包括耐焊材料。
一个或多个焊料球494可以以球栅阵列(BGA)的形式布置在第一外部绝缘层491和/或第二外部绝缘层492上。一个或多个焊料球494可以放置为与第一外部导电层461和/或第二外部绝缘层492的一个或多个暴露部分接触。如图4中所示,一个或多个焊料球494布置在第一外部绝缘层491上并被放置为与第一外部导电层461的一个或多个暴露部分接触。然而,应该理解,一个或多个焊料球494可以放置在电路400的任一侧面上。
一个或多个导电侧壁499可以布置在绝缘体401、第一中间绝缘体445和/或第二中间绝缘体446的外围上。一个或多个导电侧壁499可以接触第一内部导电层421、第一中间导电层441、第一外部导电层461、第二内部导电层422、第二中间导电层442、第二外部导电层462、或者其任意组合。
图5总体示出了用于实施根据本公开的又一些方面的电路500的双面电路布局的侧视图。电路500可以例如是多路复用器。图5包括与之前参照图4所述的元件类似的许多元件。例如,电路500可以包括类似于绝缘体401的绝缘体501,分别类似于第一内部导电层421和第二内部导电层422的第一内部导电层521和第二内部导电层522,分别类似于第一介电层431和第二介电层432的第一介电层531和第二介电层532,分别类似于第一中间导电层441和第二中间导电层442的第一中间导电层541和第二中间导电层542,分别类似于第一中间绝缘体445和第二中间绝缘体446的第一中间绝缘体545和第二中间绝缘体546,分别类似于一个或多个第一过孔451和一个或多个第二过孔452的一个或多个第一过孔551和一个或多个第二过孔552,分别类似于第一外部导电层461和第二外部导电层462的第一外部导电层561和第二外部导电层562,分别类似于第一外部绝缘层491和第二外部绝缘层492的第一外部绝缘层591和第二外部绝缘层592,以及类似于一个或多个导电侧壁499的一个或多个导电侧壁599。
因此,在此将仅描述电路500与图4中所示电路400之间的差异。例如,电路500以焊区栅格阵列(LGA)封装而不是BGA封装的方式设置。可以不图案化第一外部绝缘层591和/或第二外部绝缘层592。因此,可以不将第一外部导电层561和/或第二外部导电层562暴露至电路500的顶或底表面。此外,从电路500省略了图4中所示的一个或多个焊料球494。替代于焊料球494,一个或多个导电层侧壁599可以用作电路500的端子。具体而言,一个或多个导电侧壁599可以类似于例如图3A-图3D中所示的导电侧壁331中的一个或多个。
图6是总体示出了用于制造具有根据本公开又一些方面的双面电路布局的电路的方法600的流程图。电路可以例如是多路复用器。根据方法600制造的电路可以类似于图1、图3A-图3D、图4和/或图5中所示的任意电路。然而,将如执行其以制造图5中所示电路500而描述方法600。
可以对面板执行方法600的第一部分610。第一部分610可以执行作为双面玻璃上无源器件(PoG)工艺。
在612处,方法600图案化并金属化在面板两侧上的内部导电层。面板可以包括绝缘体的薄片,例如玻璃薄片。玻璃可以形成在根据方法600所制造的至少一个电路500中的绝缘体501。内部导电层可以类似于第一内部导电层521和第二内部导电层522。
在614处,方法600在面板的两侧上施加介电层。可以选择性地施加介电层至在612处图案化并金属化的内部导电层的一部分。介电层可以类似于第一介电层531和第二介电层532。
在616处,方法600图案化并金属化在面板两侧上的中间导电层。中间导电层可以类似于第一中间导电层541和第二中间导电层542。可以配置内部导电层、介电层、和外部导电层以在面板的两侧上形成电容器。
在618处,方法600在面板的两侧上施加中间绝缘体并激光图案化在其中的过孔。内部导电层、介电层和外部导电层可以嵌入在618处施加的中间绝缘体中。中间绝缘体的施加可以包括层压,并且中间绝缘体可以包括层压板。中间绝缘体可以类似于第一中间绝缘体545和第二中间绝缘体546。激光图案化可以包括通过在中间绝缘体中形成过孔而暴露内部导电层和/或外部导电层的已选择部分。可以采用任何合适的导电材料,例如铜,来填充过孔。
在622处,方法600图案化并电镀在面板的两侧上的内部导电子层。内部导电子层的所选择部分可以接触在618处形成的过孔。因此,内部导电子层可以与内部导电层和/或外部导电层的所选择部分电接触。可以图案化内部导电子层的一部分以形成螺旋电感器。
在624处,方法600在面板的两侧上施加绝缘子层并在其中激光图案化过孔。在622处图案化并电镀的内部导电子层可以嵌入在624处施加的中间绝缘体中。激光图案化可以包括通过在绝缘子层中形成过孔而暴露内部导电子层的已选择部分。可以采用任何合适的导电材料,例如铜,来填充过孔。
在626处,方法600图案化并电镀在面板的两侧上的外部导电子层。外部导电子层的所选择部分可以接触在624处形成的过孔。因此,外部导电子层的所选择部分可以与内部导电子层的所选择部分电接触。可以图案化外部导电子层的一部分以形成螺旋电感器。具体而言,在622处图案化并电镀的内部导电子层、在624处激光图案化的过孔、以及在626处图案化并电镀的外部导电子层可以被配置为在面板的两侧上形成绝缘体。在622、624和626处形成的三个子层可以形成类似于第一外部导电层561和第二外部导电层562的外部导电层。
在628处,方法600在面板的两侧上施加外部绝缘层。外部绝缘层可以类似于第一外部绝缘层591和第二外部绝缘层592。
备选地,如果方法600用于制造具有BGA封装的电路400,则外部绝缘层可以类似于图4中所示的第一外部绝缘层491和第二外部绝缘层492。因此,方法600可以任选地在面板的用于焊球放置的一个或多个侧面上图案化第一外部绝缘层491和/或第二外部绝缘层492。
方法600的第二部分640可以是后端工艺。
在642处,方法600任选地放置焊料球。如上所示,当制造具有如图4中所示BGA封装的电路400时,在642处放置焊料球可以仅是必需的。在642处放置的焊料球可以类似于图4中所示的焊料球494。
在644处,方法600任选地对面板划片。如果在面板上形成多个电路可以执行划片。划片可以包括对面板切片以将多个电路相互分离。
在646和648处,方法600金属化了电路500的侧壁。金属化的侧壁可以类似于导电侧壁599。
在646处,方法600可以执行遮蔽掩模沉积。遮蔽掩模沉积可以使用干式化学处理,例如,钛(Ti)、铬(Cr)和/或另一合适材料的金属蒸发或溅射。
在648处,方法600可以将镍(Ni)、铜(Cu)、和/或另一合适材料沉积至遮蔽掩模沉积物上作为种子层,并随后执行例如化学镀镍和/或电镀焊料。
额外地或备选地,在646和648处金属化可以如下执行。在646处,方法600可以使用例如丝网或模板执行浆料印刷。随后在648处,方法600可以移除使得金属材料的丝网/模板可印刷的任何有机物。在648处的移除可以包括烧结或回流(如果浆料是焊料材料)。
图7是示出了其中可以有利地采用本公开一些方面的示例性无线通信系统700的方框图。为了说明的目的,图7示出了三个远程单元720、730和750,以及两个基站740。应该认识到,无线通信系统可以具有更多的远程单元和基站。远程单元720、730和750包括集成电路(IC)装置725、735和755,如下所述。应该认识到,包含了IC的任何装置也可以包括具有所公开特征的半导体部件和/或由在此所公开工艺制造的部件,包括基站、开关装置以及网络设备。图7示出了从基站740至远程单元720、730和750的正向链路信号780,以及从远程单元720、730和750至基站740的反向链路信号。
在图7中,远程单元720示出为移动电话,远程单元730示出为便携式计算机,以及远程单元750示出为在无线本地回路系统中的固定位置的远程单元。例如,远程单元可以是诸如音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机的装置。尽管图7说明了根据本公开教导的远程单元,本公开不限于这些示例性所示单元。本公开可以合适地利用在包括半导体部件的任何装置中,如下所述。
在此所公开的电路可以包括在诸如机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元或计算机的装置中。
图8是说明了用于如在此所公开的半导体部件的电路、布局和设计的设计工作站的方框图。设计工作站800可以包括包含了操作系统软件、支持文档和设计软件诸如Cadence或OrCAD的硬盘。设计工作站800也包括显示器以促进可以包括电路和半导体裸片的半导体部件810的设计。提供存储媒介804以用于有形地存储半导体部件810。半导体部件810可以以诸如GDSII或GERBER的文件格式存储在存储媒介804上。存储媒介804可以是CD-ROM、DVD、硬盘、闪存、或其他合适装置。进一步,设计工作站800包括用于接收来自存储媒介804的输入或者向其写入输出的驱动设备803。
在存储媒介804上记录的数据可以规定逻辑电路配置,用于光刻掩模的图案数据,或者用于串行写入工具诸如电子束光刻的掩模图案数据。在存储媒介804上提供数据通过减少了用于设计电路和半导体裸片的工艺数目而促进了半导体部件810的设计。
前述说明书可以参考相异的元件或属性,诸如电容器、电容性的、电阻器、电阻性的、电感器、电感性、电导、电导性的等等。然而,应该知晓的是,在此所公开的各个一些方面不限于具体元件并且各种部件、元件、或者部件或元件的一部分可以用于实现一个或多个相异元件或属性的功能。例如,电容性部件或电容性元件可以是相异的装置,或者可以通过由介电质材料所分离的导电迹线的特殊布置而形成,或者其组合。同样,电感性部件或电感性元件可以是相异的装置,或者可以通过导电迹线和材料(例如空气内核、磁性、顺磁性等)的特殊布置而形成,或者其组合。类似的,电阻性部件或电阻性元件可以是相异的装置,或者可以由半导体材料、绝缘材料形成、调节导电迹线的长度和/或布置,或者其组合。此外,导电迹线和材料的特殊布置可以提供一个或多个电阻性、电容性或电感性功能。因此,应该知晓的是,在此所公开的各种部件或元件不限于特殊一些方面或详细说明的布置,其仅提供作为说明性示例。
尽管前述公开说明了本公开的一些方面,应该注意的是,可以在此做出各种改变和修改而并未脱离如由所附权利要求所限定的本发明的范围。根据在此所述的本公开的一些方面的方法权利要求的功能、步骤和/或动作无需以任何特定顺序执行。此外,尽管可以以单数形式描述或请求保护本公开的要素,预期设计了复数形式,除非明确规定了限定于单数形式。
Claims (20)
1.一种电路设备,包括:
绝缘体,具有第一表面、第二表面和外围;
电路元件的第一子集,布置在所述第一表面上;
电路元件的第二子集,布置在所述第二表面上;以及
至少一个导电侧壁,布置在所述外围上,
其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集,
其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器,并且
其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。
2.根据权利要求1所述的电路设备,其中:
所述绝缘体包括玻璃;以及
所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。
3.根据权利要求1所述的电路设备,其中,所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波,并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波,所述第二频带高于所述第一频带。
4.根据权利要求1所述的电路设备,其中:
所述电路元件的第一子集还包括第一电感器;以及
所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器,以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。
5.根据权利要求4所述的电路设备,其中,所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。
6.根据权利要求4所述的电路设备,其中,所述电路设备进一步包括在所述绝缘体的所述第一表面上的第一中间绝缘体以及在所述绝缘体的所述第二表面上的第二中间绝缘体,以及其中:
所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层;以及
所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。
7.根据权利要求4所述的电路设备,其中:
所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。
8.根据权利要求7所述的电路设备,其中,所述电路设备进一步包括在所述绝缘体的所述第一表面上的第一中间绝缘体以及在所述绝缘体的所述第二表面上的第二中间绝缘体,所述第一电容器嵌入在所述第一中间绝缘体中并且所述第二电容器嵌入在所述第二中间绝缘体中,其中:
所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层;以及
所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。
9.根据权利要求8所述的电路设备,进一步包括:
一个或多个第一过孔,被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器;以及
一个或多个第二过孔,被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。
10.根据权利要求1所述的电路设备,其中,所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面,所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个:
低频带接触表面,电耦合至所述电路元件的第一子集;
高频带接触表面,电耦合至所述电路元件的第二子集;以及
天线接触表面,被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。
11.一种制造电路设备的方法,所述方法包括:
提供具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体;
在所述第一表面上布置电路元件的第一子集;
在所述第二表面上布置电路元件的第二子集;以及
在所述外围上布置至少一个导电侧壁,
其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集,
其中布置所述电路元件的第一子集包括布置第一电容器,并且
其中布置所述第一电容器包括图案化并且金属化与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、施加与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及图案化并且金属化与所述第一介电层接触的第一中间导电层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中:
所述绝缘体包括玻璃;以及
所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并且大于所述电路元件的第二子集的厚度。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波,并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波,所述第二频带高于所述第一频带。
14.根据权利要求11所述的方法,其中:
布置所述电路元件的第一子集还包括布置第一电感器;以及
布置所述电路元件的第二子集包括布置具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器,以及布置具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。
15.根据权利要求14所述的方法,其中:
布置所述第一电感器包括图案化第一螺旋图案并且根据所述第一螺旋图案来电镀第一螺旋电感器;以及
布置所述第二电感器包括图案化第二螺旋图案并且根据所述第二螺旋图案来电镀第二螺旋电感器。
16.根据权利要求14所述的方法,进一步包括:
在所述绝缘体的所述第一表面上布置第一中间绝缘体,并且在所述绝缘体的所述第二表面上布置第二中间绝缘体,以及其中:
布置所述第一电感器包括图案化并且电镀与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层;以及
布置所述第二电感器包括图案化并且电镀与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。
17.根据权利要求14所述的方法,其中:
布置所述第二电容器包括图案化并且金属化与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、施加与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及图案化并且金属化与所述第二介电层接触的第二中间导电层。
18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括,在所述绝缘体的所述第一表面上布置第一中间绝缘体,并且在所述绝缘体的所述第二表面上布置第二中间绝缘体,所述第一电容器被嵌入在所述第一中间绝缘体中并且所述第二电容器被嵌入在所述第二中间绝缘体中,其中:
布置所述第一电感器包括图案化并且电镀与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层,施加与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层,以及图案化并且电镀与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层;以及
布置所述第二电感器包括图案化并且电镀与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、施加与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及图案化并且电镀与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。
19.根据权利要求18所述的方法,进一步包括:
将一个或多个第一过孔激光图案化至所述第一中间绝缘体中,所述一个或多个第一过孔被配置为将所述第一电感器耦合至所述第一电容器;以及
将一个或多个第二过孔激光图案化至所述第二中间绝缘体中,所述一个或多个第二过孔被配置为将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。
20.根据权利要求11所述的方法,其中,在所述外围上布置所述至少一个导电侧壁包括金属化所述外围以形成一个或多个电路接触表面,所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个:
低频带接触表面,电耦合至所述电路元件的第一子集;
高频带接触表面,电耦合至所述电路元件的第二子集;以及
天线接触表面,被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/161,138 | 2016-05-20 | ||
US15/161,138 US10103703B2 (en) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | Double-sided circuit |
PCT/US2017/028851 WO2017200701A1 (en) | 2016-05-20 | 2017-04-21 | Double-sided circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109155617A CN109155617A (zh) | 2019-01-04 |
CN109155617B true CN109155617B (zh) | 2022-04-22 |
Family
ID=58671926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780030358.0A Active CN109155617B (zh) | 2016-05-20 | 2017-04-21 | 双侧电路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10103703B2 (zh) |
EP (1) | EP3459175A1 (zh) |
JP (1) | JP2019522915A (zh) |
KR (1) | KR20190012162A (zh) |
CN (1) | CN109155617B (zh) |
BR (1) | BR112018073498A2 (zh) |
WO (1) | WO2017200701A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2017-04-21 KR KR1020187033339A patent/KR20190012162A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-04-21 JP JP2018559895A patent/JP2019522915A/ja active Pending
- 2017-04-21 BR BR112018073498A patent/BR112018073498A2/pt unknown
- 2017-04-21 EP EP17721923.5A patent/EP3459175A1/en not_active Withdrawn
- 2017-04-21 WO PCT/US2017/028851 patent/WO2017200701A1/en active Search and Examination
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BR112018073498A2 (pt) | 2019-03-26 |
WO2017200701A1 (en) | 2017-11-23 |
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US20170338788A1 (en) | 2017-11-23 |
JP2019522915A (ja) | 2019-08-15 |
CN109155617A (zh) | 2019-01-04 |
US10103703B2 (en) | 2018-10-16 |
EP3459175A1 (en) | 2019-03-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |