CN1091291C - 可记录的/可重放的光记录介质及其光记录方法 - Google Patents

Abstract

一种具有薄金属记录膜的可记录的/可重放的光记录介质及其光记录方法，该光记录介质包括：一个基片、一个在基片上形成的薄金属膜、一个设在薄金属膜上的反射层、一个插在可热变形的薄金属膜和保护各淀积层的保护层之间的缓冲层。采用了缓冲层使记录很便利，并且与传统的CD播放机的兼容是可能的。因为不必使用昂贵的有机染料，所以可降低制造成本，并可大大改善生产效率。

Description

可记录的/可重放的光记录介质及其光记录方法

本发明涉及一种可记录的/可重放的光记录介质，具体来说涉及具有一个金属的或非金属的记录层的一种可记录的/可重放的高密度光盘(CD)及光记录方法。

广泛使用光介质作为高密度记录介质，因为光介质所需的每单位记录量的记录面积小于常规的磁记录介质。光记录介质按照它们的功能大体分为三类，即：ROM(只读存贮器)，只用于重放记录的信息；WORM(写一次读多次)，用于只记录一次；以及，RW(可重写的)，用于在记录后擦除并重写。对于ROM型记录介质，记录的信息应该可以在播放机中重放。因此，应该遵守ROM型记录介质的“红本(Red Book)”标准，即记录介质的反射率应该超过70％，并且记录介质的CNR(载波与噪声之比)应为47dB。

可记录的光记录介质利用记录前后的由物理形变引起的反射率变化、相位变化、或记录层的磁性变化来复制信息。光记录介质要用作和CD(高密度光盘)兼容的记录介质，除了具有以上所述的高反射率和CNR特征外，还应该具有长期稳定性和高的记录灵敏度。已经提出了各种各样的光记录介质，并且通过使用各种材料部分地实施了这些介质，从而使这些特征得以改善，并且便利于制造这种介质。

按照日本的专利公开出版物No.Showa 63-268142(如图1所示)，记录介质的结构包括一个基片1、由叠置在基片1上的明胶、酪素、或PVA构成的一个敏感层2、叠置在敏感层2上的厚度为50-500的Cr、Ni、或Au的薄金属膜3。在这种记录介质中，薄金属膜在光记录操作期间吸收激光束，使敏感层2和薄金属膜3发生形变，形成记录凹坑。但这样一种结构的记录介质因为记录凹坑暴露在外，所以难以维持长期稳定。

美国专利No.4,973,520公开了一种用于获得在50dB以上有优异记录特性的技术，即形成一个具有三层结构的薄金属膜2a，该三层结构包括第一薄金属膜1、一个金属氧化物，和第二薄金属膜2，该三层结构叠置在一个基片1a上，如图2所示。但因凹坑是通过激光辐射在薄金属膜2a上形成的，露出了记录凹坑，所以记录稳定性也变得很差。

如图3所示，美国专利No.4,983,440试图解决这样一些问题，并且公开了一种技术：在基片1b上形成双层的薄金属膜2b和2b’，以此作为记录层2a，并且在上边形成一个保护层4以记录层2a。但因没有反射层使反射率小于20％，所以使用这种技术的记录介质不可能用作与常规CD播放机兼容的介质。如果要把这种不兼容的介质用在另外的常规CD播放机中，那么就需要高功率的光源。

还有，如图4所示，按照美国专利No.5,039,558，在一对基片1c和1c’上都淀积上薄金属膜2c和2c’、以及保护层4c和4c’，然后用粘结层5对称地将它们粘结起来，从而可改进记录凹坑的稳定性。但按此方法，薄金属膜2c和2c’不可能作为一个反射膜和一个吸光层同时起作用，因此即使按原理考虑反射率也达不到70％。

按照美国专利No.5,328,813，在基片上设一薄的金属膜作为记录层，并且在膜上形成一个固体金属氧化物层以提高记录的信号的长期稳定性，其反射率高达40％-60％。但问题是CNR依然很低。

此外，美国专利No.4,990,388和No.5,155,723公开了一种技术，在基片1d上形成一个有机染料层6作为记录层，在层6上再形成一个反射膜7和一个保护层4d，如图5所示。在此介质中记录信息时，涂料层吸收记录的激光并产生热量使基片变形。因此，按照变形区记录前、后的反射率的变化就可识别信息，从而就可在反射率大于70％以及记录后CNR大于47dB的条件下利用与传统CD播放机的兼容性。

但这样一种光盘还存在一些问题，其中包括耐热和耐光性差、使用的有机染料昂贵。此外，还要用旋涂法在基片上淀积液态的染料(用有机溶剂溶解的染料)。因为反射率按照涂层的厚度偏差剧烈变化，所以需要有能把涂层的厚度控制在偏差±3％的昂贵设备，并且因为对染料厚度的要求很精确所以使生产效率降低。

为解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种可记录的/可重放的光记录介质和一种光记录方法，它与传统的CD播放机兼容并且还能降低制造成本和提高生产效率。

本发明的另一个目的是提供一种可记录的/可重放的光记录介质和一种光记录方法，它具有高的反射率和高的记录信号，并且改善了记录的稳定性。

因此，为实现上述目的，提供一种可记录的/可重放的光记录介质，该光记录介质包括：一个透光的基片，在基片上形成记录期间用于导光的预设沟槽；在基片上形成的一个薄金属膜；设在薄金属膜上的一个反射层，插在薄金属膜和反射层之间的一个由有机材料制成的可变形的缓冲层。

此外，还提供一种在光记录介质上进行光记录的方法，该方法包括如下步骤：在有预设沟槽的基片上提供一个薄膜，在薄金属记录膜上提供一个缓冲层，用记录激光束加热位于有预设沟槽的基片和缓冲层之间的薄金属记录膜，从而在有预设沟槽的基片、薄金属记录层、和缓冲层至少三者之一上引起形变，并且在形变发生的位置形成凹坑。

通过上述步骤用光学方法可形成可记录的/可读出的凹坑。这里，凹坑代表通过激光束产生形变的部分。术语“按光学方法可记录的/可读出的凹坑”一般来说包括按光学方法可读出的或可检测的所有种类的标记。还有，基片、薄金属层的形变部分和缓冲层的光学性质和未发生形变的部分不同。

在光记录介质上的光记录方法最好还包括如下步骤：通过添加能够吸收辐射到缓冲层的激光束的有机染料，在辐照激光束的同时直接加热缓冲层和金属层。

在按本发明的光记录介质中，优选的作法是，在记录期间在基片上形成用于导光的预设沟槽。

还有，形成薄金属膜的材料的复数折射率的虚部的数值(发)最好大于或等于0.01。薄金属层的厚度范围最好为30-500。从由Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta和Fe构成的这组材料中选出至少一种金属作为薄金属的材料，或者最好采用它们的合金。

还有，缓冲层的厚度范围最好是50-10000，玻璃化转变温度范围最好为60℃-180℃。此外，为了提高记录稳定性，可将一种有机染料加到缓冲层的有机材料中，其数量为30％或更小些。

通过参照附图对优选实例的下述详细描述，可使本发明的上述目的和优点变得更加清楚明白，其中：

图1-5是说明常规光记录介质(光盘)的淀积结构的剖面图；

图6是说明按本发明的光记录介质(光盘)的淀积结构的剖面图；

图7是说明一个凹坑的结构的示意剖面图，这个凹坑是在按本发明的光盘上形成的一个记录部分；

图8是说明反射率变化相对于按本发明的光盘的薄金属膜的厚度变化的一个曲线图，反射率变化取决于记录期间缓冲层的厚度变化；

图9是说明在按本发明的光盘中反射率的变化取决于缓冲层中厚度变化的曲线图；

图10是说明按本发明的第一实例的写入功率和CNR的变化的曲线图；

图11是在一个记录的部分上的基片/薄金属层的AFM图像；以及

图12是在一个记录的部分上的缓冲层的AFM图像。

本发明的光记录介质具有如图6所示的叠层结构。基片10具有一个预设沟槽，用于在记录期间导光，在基片10上形成一个薄的金属记录膜20，并且还依次淀积一个缓冲层30和一个反射层40。在反射层40上用光学方法设置一个保护层50，用于保护记录介质。

按本发明，在进行光记录时，集中的记录激光束加热薄金属记录膜20，热量传递到基片10上，也传递到缓冲层30上。靠近被加热的薄金属膜部分的基片10的部分由于热膨胀而发生了形变，并且薄金属记录膜20的被加热的部分膨胀进入缓冲层30，从而形成凹坑。当复制已记录的信息时，由于存在下述的原理，使基片10的已记录部分(即，凹坑)和薄金属膜20的已变形部分具有较低的反射率(相对于未记录的部分而言)。

第一，由于从基片10和薄金属记录膜20之间的边界面反射的光和从缓冲层30和反射层40之间的边界面反射的光的相消干扰降低了反射率。即，如图7所示，首先确定未记录部分中缓冲层30的厚度，令其为“d₁”，使从反射层40反射的光“b₁”和从薄金属膜20反射的光“C”在基片10的预设沟槽中彼此相长干扰。而在已记录的部分，基片10和薄金属膜20因热膨胀而加大，挤入缓冲层30，并使缓冲层30变形。因此，缓冲层30的厚度变薄，即变为厚度“d₂”，这时要发生相消干扰。然而，膨胀进缓冲层30也将使反射层40变形。因此，由于由基片10和薄金属膜20之间的边界面反射的光“a”和由缓冲层30和反射层40之间的边界面反射的光“b₂”引起的相消干扰将使反射率降低。

上述现象来源于法布里-珀罗(Fabry-Perot)效应，并且如图8所示，记录介质的反射率随缓冲层的厚度而变化。因此，应该使用可变形的材料制作缓冲层，其厚度“d₂”应适于来源于薄金属膜20的形变的相消干扰。

第二，由于入射光被在记录部分中形成的倾斜的圆壁散射而使反射率降低。这就是说，基片10、薄金属记录膜20、和缓冲层30要发生如图7所示的形变。由于在已记录部分的两侧都存在倾斜的圆表面，所以记录的激光束在薄金属膜20的变形部分的侧壁被散射，因而反射率相对于没发生入射光散射的非记录部分来说有所下降。因此，和非记录部分相比，记录部分的特征是降低了反射率，因而在回放期间由于在记录部分和非记录部分之间存在反射率的差别才有可能复制记录的信息。

第三，当薄金属膜20吸收入射记录光束、局部加热了吸光部分、使温度急剧升高，薄金属膜20、相邻的基片10、和缓冲层30的材料都要发生局部形变，使总的反射率降低，因而减小了如图7所示的反射光“a”和“b₂”。在如图11和12所示的除去了上述的层后的基片10和薄金属膜20的形变的AFM图像也表示出在除去了反射层40后的缓冲层30的形变。

如以上所述，按本发明的光盘通过在缓冲层30上设置一个反射层40、并且调节缓冲层30的厚度以使从反射层40反射的光“b”和从薄金属膜20反射的光“c”彼此相长干扰，从而使非记录部分的反射率可达70％或更高。具体来说，通过向缓冲层30添加或不添加染料来调节缓冲层30的反射率，可使法布里-珀罗效效应最大。

在上述按本发明的光盘中，基片10相对于激光光束来说是透明的，并且可由具有优秀的抗冲击强度并且可热膨胀的材料制成，如聚碳酸酯、有机玻璃、环氧树脂、聚酯、或非晶的聚烯烃。基片10的热形变的玻璃化转变温度范围是80℃-200℃，最好是100℃-200℃。为了在信息记录期间引导激光束，必须在基片10上形成深度为30-450nm，宽度为0.1-1.2μm的一个预设沟槽。

由于薄金属膜20起吸收记录的激光束并产生热量的生热层的作用、并且还起展示记录前、后对比度的偏光镜的作用，所以，膜20的吸收率和反射率应该恒定不变。膜20的适宜材料应有30-500的厚度、5-95％的透光率，和5-95％的吸光性。然而，还可以使用非金属膜，如硅和它的化合物：氮化硅、锗化硅、二氧化硅、一氧化硅。

因此，作为形成这样一个薄的金属膜或非金属膜的材料的光学性质之一，复数的折射率的虚数部分的值(k)最好大于或等于0.01。如果k小于0.01，则在记录期间的吸光率较低，并且记录部分发生形变的程度较低，从而使记录灵敏度较低。从计算机模拟结果已经确定，k值落入由在n、k平面内的顶点7.15+3.93i、7.15+5.85i、8.96+6.28i、9.56+5.90i和8.14+3.77i确定的一个五角形内的薄金属膜或非金属膜的材料不能为期望的可记录的高密度光盘提供有效的记录灵敏度。

如果薄金属膜20的厚度大于500，则由于以下的原因使记录信号变小。第一，由于记录期间薄金属膜20妨碍了基片10的膨胀使记录部分的形变变小。第二，如图9所示，薄金属膜20越厚，则和记录期间保护层的厚度变化密切相关的反射率的减少越小，这就降低了记录的部分和非记录的部分之间的对比度。

如果薄金属膜20的厚度小于30，则由于记录期间吸光产生的热量变小，难以使基片10发生形变。

还有，如果薄金属膜20的导热率大于或等于4W/cm℃，那么当在记录期间加热该膜时热量不可能集中在薄膜20上，使用激光光束的加热的热量将迅速地在薄金属膜20周围传递，使得超过预定温度的加热变得非常困难。即使加热是可能的，也要增大记录部分的尺寸以达到相邻的轨道。因此，应将薄金属膜的导热率调到4W/cm℃或其以下。

薄金属膜20的线性膨胀系数最好是3×10^-6/℃。如果小于这个值，由于记录期间变形的基片10的膨胀可能会在薄金属膜20中产生破裂，从而减小了获得均匀的记录信号值的可能性。

作为足以满足上述条件的薄金属膜20的材料，可以采用从下述材料构成的一个组中至少选出的一种金属材料：Au、Al、Cr、Cu、Ni、Pt、Ag、Fe、Ti、Ta、和它们的合金。通过真空淀积方法、电子束方法、或溅射方法，在基片10上淀积由这样的材料构成的薄金属膜20。

吸收基片10和薄金属膜20的形变的缓冲层30是容易发生形变的，并且最好由具有适当的迁移率的有机材料形成。缓冲层30的玻璃化转变温度范围最好为60℃-180℃，并且应该低于基片10的玻璃化转变温度。这里，如果缓冲层30的玻璃化转变温度低于60℃，则有可能减小记录稳定性。在一种有机溶剂中溶解由有机材料构成的缓冲层30，以便随后用旋涂方法进行涂敷。这时，应采用能很好溶解该有机材料但又不会伤及基片的材料作为溶剂。对缓冲层30的厚度进行确定，使其具有70％或更高些的反射率。如图9所示。这时的层30的厚度范围为50-10000是适宜的。

可用作缓冲层30的有机材料包括：乙烯醇树脂、乙烯基乙酸酯树脂、丙烯酸酯树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、聚苯乙烯树脂、尿烷树脂、纤维素树脂、脂肪酸和低分子量有机化合物。还可以使用上述材料的共聚物作缓冲层30。

为了便于基片在记录期间产生热形变，可向缓冲层30添加一种有机染料。如果添加了染料，则在记录期间也要加热缓冲层30，这将使基片更容易产生形变。添加的染料量应小于缓冲层材料的30％(按重量计)。若大于这个染料数量，则难以获得较高的反射率。按照记录激光束的短波长(即，高密度光盘)或长波长(即，低密度光盘)来选择记录期间吸收入射光的染料。最好使用吸收的波长范围为780-850nm的近红外染料，或者吸收的波长范围为610-700nm的染料。例如可使用花青、邻二羟环戊稀三酮鎓盐(croconium)、二羟基环丁烯二酮鎓盐(squarrylium)酞菁或萘醛缩花青。

可以通过真空淀积法、电子束方法、或溅射方法形成反射层40。可以采用诸如Au、Al、Cu、Cr、Ni、Pt、Ag、Fe、Ti、Ta、和它们的合金作为反射层40的材料，反射层的厚度范围是500-1500。

保护记录介质的保护层50可以是具有高的抗冲击强度的一种透明的材料，并且这种材料应可由紫外(UV)线固化。可通过旋涂法涂敷环氧或丙烯酸酯系列的固化树脂，然后用UV线进行固化，从而形成保护层50。

虽然以上描述的本发明中的每一层都发生形变(即，基片、薄金属膜、缓冲层、和反射层)，但应该注意的是，形变可以只发生在一层或两层中，这取决于每一层的激光束功率和/或物理性质(如杨氏模量、导热率、热膨胀系数、玻璃化转变温度、等等)。还应该注意的是，薄金属膜本身的热形变由于它的极高的熔化温度是不寻常的。但薄金属膜的热形变可以由激光束的功率产生。例如，当记录激光束的功率很高时，就可能熔解薄金属记录膜20，通过在高于金属熔点的情况下加热可在聚焦光的中心的周围形成凸缘。

然而，如果和用于基片10的材料相比，用于缓冲层的材料具有稳定的物理性质(例如，较低的热膨胀系数、较高的玻璃化转变温度、和/或较高的杨氏模量)，那么形变只可能发生在基片10中。应该注意，通过激光记录期间在薄金属膜20中的热量传递作用，形变也可能发生在薄金属膜20和缓冲层30中。但薄金属膜20和缓冲层30中的形变极其微小，观察极其困难。这样的形变在记录期间几乎没有产生什么效果。

此外，如果和用于缓冲层30的材料相比、用于基片的材料具有稳定的物理性质，那么，形变主要发生在缓冲层30中。当用于基片10和缓冲层30的材料具有相似的物理性质时，形变也可能主要发生在基片10和缓冲层30之两者当中。

下面，参照实例进一步详细描述本发明。但应该理解，本发明决不只局限于这样一些特殊的实例。

例1

在一个1.2mm厚的聚碳酸酯基片上真空淀积10nm厚的一个铝薄膜，该基片本来就具有一个170nm深、0.5μm宽的预设沟槽和1.6μm的轨道间距。在10毫升的双丙酮醇中溶解0.9克氰基联苯环氧胺从而形成涂敷溶液，以2000转/分的速率旋涂该涂敷溶液，从而形成一个缓冲层。这时，通过扫描电子显微镜测量有预设沟槽部分的缓冲层的厚度，所得结果为2500。在真空烘箱中保持40℃计4个小时烘干后，真空淀积1000的铝，从而形成一个反射层。然后再旋涂可紫外固化的环氧丙烯酸酯树脂，并随后将其固化，由此制作出一个光盘。

使用一个评价设备、采用780nm的激光束，来评价这种光盘。用0.7mW的写入功率并在1.3m/秒、720kHz、和8mW的记录条件下获得51dB的CNR和73％的反射率。在记录速度为4.8m/秒、写入功率为10mW的情况下，可获得42dB的CNR。如果改变该记录条件下的写入功率，如图10所示，则可能以4mW或更高的功率复制出具有47dB的CNR或更高的CNR的复制信号。如果在Pioneer Corp(先锋公司)制造的RP-1000CD上进行音频记录，则这个光盘就可在一个光盘播放机上重放。使用CD-CATS对记录特性的评价结果可以证明：该光盘满足CD规定中的所有的项目。

例2-3

和例1相比，改变了铝薄膜的厚度：对于例2该厚度为7nm，对于例3该厚度为12nm。但在制造光盘过程中的随后的过程都与你1相同。还有，在和例1相同的评价条件下进行记录评价。结果表明，7nm薄金属膜制成的光盘具有73％的反射率和48dB的CNR，12nm薄金属膜制成的光盘具有69％的反射率和53dB的CNR。

例4-8

和以上实例相比，用Au、Cu、Ag、Ni、或Pt来代替Al(铝)，如以下表格所示，并且用和例1相同的方法来制造该光盘。

                      表1

例	薄金属膜	反射率(％)	CNR(dB)
				4	Au	72	50
5	Cu	70	47
				6	Ag	69	50
7	Pt	73	52
				8	Ni	73	52

例9-13

和以上实例相比，将缓冲层的材料变为全都由Polyscience制造的Mw为25000的PMMA、Mw为35000的PVA、或Mw为32000的聚环氧乙烷、或由Tokyo Kasei制造的脂肪酸(标准桶FM M-1)。将预设沟槽中的缓冲层的厚度调节到2500，然后按照和例2相同的方式进行记录评价。

                    表2

例	缓冲层材料	反射率(％)	CNR(dB)
				9	PMMA	71	48
10	PVAC	72	50
				11	PVA	71	49
12	聚环氧乙烷	70	50
				13	脂肪酸	72	52

例14

在形成缓冲层的过程中，将按重计多达缓冲层材料的0.5％的NK125(Nippon Kankoh Shikisho Kenkyusho Co.)添加到缓冲层上。在制造光盘中的随后的过程全与例1相同。当用1.3m/秒和8mW的光盘进行记录时，获得52dB的CNR。当以4.8m/秒进行记录时，CNR是48dB。还有，反射率约为70％。该光盘可用于CD-R。

如以上所述，在本发明中，通过采用缓冲层允许进行记录，并且与CD的兼容是可能的。具体来说，由于没使用昂贵的有机染料，所以可降低制造成本，并且可大大改善生产效率。

本领域的普通技术人员应该理解，本发明是借助于典型实施例进行描述的，这些实施例是说明性的，对本发明的范围不起限制作用。本发明的范围将由以下所附的权利要求书确定。

Claims (30)

1.一种光记录介质，包括：

具有一个预设沟槽的一个基片；

在所说基片上形成的一个薄金属记录膜；

设在薄金属记录膜上方的一个反射层；以及

插在所说薄金属记录膜和所说反射层之间的一个由有机材料制成的可形变的缓冲层。

2.如权利要求1的光记录介质，进一步还包括设在所说反射层上的一个保护层。

3.如权利要求1的光记录介质，其中的所说有预设沟槽的基片，所说薄金属记录膜、和所说缓冲层中至少有一个具有可形变部分。

4.如权利要求1的光记录介质，其中所说有预设沟槽的基片和所说薄金属记录膜具有形变部分，并且所说缓冲层在所说形变部分的厚度减小。

5.如权利要求1的光记录介质，其中所说有预设沟槽的基片、所说薄金属记录膜、和所说缓冲层都有形变部分。

6.如权利要求5的光记录介质，其中所说反射层有一形变部分。

7.如权利要求1的光记录介质，其中所说薄金属记录膜的复数折射率的虚数部分大于或等于0.01。

8.如权利要求1的光记录介质，其中所说薄金属记录膜的厚度范围是30-500。

9.如权利要求1的光记录介质，其中所说薄金属记录膜是由从以下这组材料选出的一种材料构成的：Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe、和它们的合金。

10.如权利要求8的光记录介质，其中所说薄金属记录膜是从以下这组材料选出的一种材料构成的：Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe和它们的合金。

11.如权利要求1的光记录介质，其中所说缓冲层的厚度范围是50-10000。

12.如权利要求1的光记录介质，其中所说缓冲层的玻璃化转变温度范围是60℃-180℃。

13.如权利要求1的光记录介质，其中所说缓冲层具有形变部分。

14.如权利要求1的光记录介质，其中所说缓冲层包含小于30％的有机染料。

15.如权利要求1的光记录介质，其中所说缓冲层包含小于30％的有机染料。

16.如权利要求1的光记录介质，其中所说反射层是由从下述这组材料的组中选出的一种材料制成的：Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe，和它们的合金。

17.如权利要求1的光记录介质，其中所说薄金属记录膜的导热率不大于4W/cm℃。

18.如权利要求1的光记录介质，其中所说基片有一形变部分。

19.一种在光记录介质上进行光记录的方法，包括如下步骤：

在一个有预设沟槽的基片上提供一个薄金属记录膜；

在所说薄金属记录膜上提供一个缓冲层；以及

用激光束加热设在所说有预设沟槽的基片和所说缓冲层之间的所说薄金属记录膜，以使在所说设有预设沟槽的基片、所说薄金属记录膜、和所说缓冲层中至少有一个发生了形变，借此

在形变发生的位置形成凹坑。

20.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说加热所说薄金属记录膜的步骤进一步还包括如下步骤：

使所说缓冲层、所说薄金属记录膜、和所说有预设沟槽的基片都发生形变。

21.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，进一步还包括如下步骤：

在所说缓冲层上提供一个反射层。

22.如权利要求21的在光记录介质上进行光记录的方法，进一步还包括如下步骤：

在所说反射层上提供一个保护层。

23.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说缓冲层由有机材料制成。

24.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说薄金属记录膜是由从下述这组材料中选出的一种材料制成的：Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe，和它们的合金。

25.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说缓冲层的玻璃化转变温度范围是60℃-180℃。

26.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，进一步还包括如下步骤：

向所说缓冲层添加一种有机染料。

27.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说缓冲层包含小于30％的有机染料。

28.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说薄金属记录膜的导热率不大于4W/cm℃。

29.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法，其中所说加热薄金属记录膜的步骤进一步还包括以下步骤：使所说缓冲层发生形变。

30.如权利要求20的在光记录介质上进行光记录的方法，进一步还包括如下步骤：

使所说缓冲层上的反射层发生形变。

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