CN109119543B - 异质结结构量子点及其合成方法与应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种异质结结构量子点的合成方法，包括：提供第一导电类型的第一量子点；在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。本发明还公开了一种量子点发光二极管器件及其制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。较之现有技术，本发明运用纳米粒子与量子点配合形成异质结结构，提高量子点层与空穴传输层的匹配度和空穴量，从而提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，提高电子与空穴的复合率，改善电子与空穴的注入平衡，使得QDs层与空穴传输层有着更好的结合，解决QLED器件问题。

Description

异质结结构量子点及其合成方法与应用

技术领域

本发明涉及纳米材料制备技术领域，具体的涉及一种异质结结构量子点及其合成方法与应用。

背景技术

量子点是一种重要的低维半导体材料，其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍。量子点具备色纯度高，量子效应好，稳定性好等特点，在显示领域有着很好的应用前景。

经过众多学者和科研人员的研究努力，量子点材料和其QLED器件制备有了实质性的进展。但是仍然存在许多问题有待解决，在QLED器件的探索中就有电子和空穴的注入不平衡，从而影响了QLED器件的发光效率、亮度、寿命等问题。在目前的器件制备中，存在的最大的问题是空穴的传输不足，导致电子与空穴注入不平衡，电子数量过饱和容易产生俄歇复合，对QLED各方面参数有着很大的影响。

为了提高空穴的传输量，科研学者们提出在量子点层与空穴注入层之间引入一层空穴传输层，但是其效果差强人意，对空穴传输上有所提高但是其符合比例仍然不高。此外也有学者提出使用纯无机材料如CuO、MoO₃、NiO等作为空穴传输，但是仍然无法载流子的注入不平衡问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种异质结结构量子点及其合成方法与应用，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种异质结结构量子点的合成方法，包括：

提供第一导电类型的第一量子点；

在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。

本发明实施例还提供一种异质结结构量子点，其由上述的任一种方法合成。

本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极，所述量子点发光层包含所述的异质结结构量子点。

本发明实施例还提供一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤，具体包括：采用所述的方法或所述的异质结结构量子点制备所述的量子点发光层。

与现有技术相比，本发明的有益效果包括：

1)本发明实施例提供的异质结结构量子点的合成方法，运用纳米粒子与量子点组合形成异质结结构，提高量子点层与空穴传输层的匹配度和空穴量，从而提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，提高电子与空穴的复合率，改善电子与空穴的注入平衡，解决QLED器件问题。

2)采用外部悬挂或者结合P型半导体纳米材料形成异质结结构，提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，使得QDs层与空穴传输层有着更好的结合。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一典型实施方案中量子点发光二极管器件的结构图一；

图2是本发明一典型实施方案中量子点发光二极管器件的结构图二；

图3是实施例1中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图；

图4是对照例1中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图；

图5是实施例3中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图；

图6是对照例3中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

本发明实施例提供的一种异质结结构量子点的合成方法，包括：

提供第一导电类型的第一量子点；

在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。

在一些实施方案中，包括：

提供核壳结构的量子点，其包括作为核的第一量子点和壳层；

将所述壳层置换为所述第二纳米粒子。

在一些较为优选的实施方案中，所述第一量子点的材质包括CdZnSe、CdSe、CdZnSeS、InP和CuInS中的任意一种或两种以上的组合。

在一些较为优选的实施方案中，所述第一量子点的粒径为2～10nm。

其中，对于第一量子点的制备可参考业界已知的方法，例如，Cd类量子点合成可参考文献Synthesis and Characterization of Highly Luminescent CdSe-Core CdS/Zn_0.5Cd _0.5S/ZnS Multishell Nanocrystals等业内已有文献的方法。

具体例如：将Cd源，Zn源(0.01∶1～1∶1)溶解在配位溶剂和非配位溶剂中，通入Ar，加热至200～300℃，在搅拌的过程中加入Se源(与金属离子比例0.1∶1～1∶1)得到CdZnSe量子点。

所选的配位性溶剂例如包括碳原子数量≥5的饱和或不饱和脂肪酸，碳原子数量≥6的饱和或不饱和的胺类的一种或者多种。非配位性溶剂例如包括碳原子≥10的烷烃类、烯烃类和醚类、芳香族化合物的一种或者多种。

在一些较为优选的实施方案中，所述壳层的材质包括ZnS。

在一些具体的实施方案中，包覆壳层的方法包括：于250℃～320℃，加入摩尔比为0.1∶1～1∶1的Zn源与S源，在所述第一量子点上包覆ZnS层。

在一些较为优选的实施方案中，所述第二纳米粒子的材质包括CuI、CoO、SnO、Cu₂O和Ag₂O中的任意一种或两种以上的组合。

其中，第二纳米粒子优选为P型半导体纳米材料。

在一些较为优选的实施方案中，所述第二纳米粒子的尺寸为1～10nm。

在一些较为优选的实施方案中，包括：

提供核壳结构量子点；

至少将组成所述壳层的部分第一元素置换为来源于所述核壳结构量子点外部的第二元素；

至少使被置换入所述壳层的第二元素与来源于所述核壳结构量子点外部的第三元素反应结合而形成第二纳米粒子，从而形成所述异质结。

进一步地，包括：

提供核壳结构量子点，其中壳层由ZnS组成；

将核壳结构量子点的分散液与第一前驱体混合反应，至少使所述壳层中的部分Zn²⁺被来源于所述第一前驱体的第一阳离子置换，之后加入第二前驱体，使被置换入所述壳层的第一阳离子与来源于第二前驱体的第二阴离子反应结合，从而形成所述第二纳米粒子。

更进一步地，所述第一阳离子与组成所述壳层的ZnS的摩尔比为0.01∶1～0.99～1。

更进一步地，所述第二阴离子与被置换入所述壳层的第一阳离子的摩尔比为1∶1～1∶0.1。

更进一步地，所述反应的温度为100℃～200℃；

更进一步地，所述第一前驱体包括氧化亚铜、氯化亚铜、乙酰丙酮铜、醋酸铜、硫酸铜和硝酸铜中的任意一种或两种以上的组合；

更进一步地，所述第二前驱体包括碘粉、碘化钾、碘化胺和碘化钠中的任意一种或两种以上的组合；

更进一步地，所述分散液所含的溶剂包括配位性溶剂和/或非配位性溶剂。

其中，所述配位性溶剂包括碳原子数量≥5的饱和或不饱和脂肪酸和碳原子数量≥6的饱和或不饱和的胺类中的任意一种或两种以上的组合，所述非配位性溶剂包括碳原子≥10的烷烃类、烯烃类、醚类和芳香族化合物中的任意一种或两种以上的组合。

在一些具体的实施方案中，第二纳米粒子为CuI，异质结结构量子点的合成方法包括：

加入Cu⁺置换出部分Zn中的Zn²⁺(Cu⁺与ZnS的摩尔比例0.01∶1～0.99∶1)，反应温度优选为100～200℃；

加入I源(与Cu⁺摩尔比例1∶1～1∶0.1)，温度为100～200℃，形成CuI，得到异质结结构的新型量子点CdZnSe/ZnS-CuI。

其中，所选Cu源包括氧化亚铜，氯化亚铜，乙酰丙酮铜，醋酸铜，硫酸铜，硝酸铜等。

所选I源包括碘粉，碘化钾，碘化胺，碘化钠等，优选为碘化胺。

相应的，本发明实施例还提供一种异质结结构量子点，其由上述的任意一种方法合成。

相应的，本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极，所述量子点发光层包含上述的异质结结构量子点。

相应的，本发明实施例还提供一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤，具体包括：采用上述的异质结结构量子点制备所述的量子点发光层。

在一些实施方案中，所述空穴注入层的材质包括PEDOT-TPD、CBP、MoO₃、O₂W和O₁₃V₆中的任意一种或两种以上的组合。

在一些实施方案中，所述空穴传输层的材质包括TPD、Poly-TPPD、Spiro-TPD、PVK、CBP、NPB和TFB中的任意一种或两种以上的组合。

在一些实施方案中，所述电子传输层的材质包括ZnO、ZnMgO、TiO、ZnSnO和InSnO中的任意一种或两种以上的组合。

在一些实施方案中，所述第一电极包括ITO导电玻璃。

在一些实施方案中，所述第二电极包括Al电极或Ag电极。

在一些实施方案中，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的制作方法包括旋涂、涂布、喷墨、打印、滚涂、电磁溅射和气相沉积中的任意一种或两种以上的组合。

例如，在一些具体的实施方案中，一种量子点发光二极管器件(图1～图2)的制备方法如下：

在ITO玻璃上制备空穴注入层，50～150℃退火，优选温度80～150℃；

在空穴注入层上制备空穴传输层，50～150℃退火，优选温度80～150℃；

在空穴传输层上制备上述量子点发光层，50～150℃退火，优选温度80～150℃；

在量子点发光层上制备电子传输层，50～150℃退火，优选温度80～150℃；

在电子传输层上制备阴极形成量子点发光二极管器件。

以下通过实施例并结合附图进一步详细说明本发明的技术方案。然而，所选的实施例仅用于说明本发明，而不限制本发明的范围。

本发明如下实施例中应用的各类试剂、量子点等可以从市售途径获取，也可以参考现有方法合成。例如，其中一些反应试剂的制备方法如下：

油酸镉配制方法(Cd(OA)₂ 0.2mmol/ml)

将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空，至无气泡后升温至260℃溶解后降温至80℃备用。

油酸锌溶液配制方法(Zn(OA)₂ 0.5mmol/ml)

将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。

S-TOP溶液配制方法(2mmol/ml)

将上述原料置于50ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。

Se-TOP溶液配制方法(2mmol/ml)

将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。

硬脂酸锌溶液配制方法(Zn(st)₂ODE 1mmol/ml)

将上述原料置于250ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。

铟前驱体溶液配置(In/OLAM 0.5mmol/ml)

将上述原料置于100ml三颈烧瓶中升温至120℃抽真空至无气泡后，得到无色透明溶液后降温至80℃后备用。

实施例1

CdZnSe/ZnS-CuI异质结结构量子点的合成方法：

1、取100ml三口烧瓶中，加入Cd(OA)₂溶液15ml、Zn(OA)2 15ml，ODE 10ml，120℃，Ar氛围下，除水除氧

2、升温至300℃，加入Se-TOP 0.7ml，反应20min得到CdZnSe量子点核；

3、将温度降至260℃，滴加二乙基锌/十八烯溶液(DEZ/ODE)0.5M，2ml，同时滴加辛硫醇(OT)1ml反应20min；

7、加入2mmol Cu(acac)₂，溶解在20ml ODE，2ml OA，温度100～200℃，用来置换部分Zn²⁺；

8、加入2mmol NH₄I反应1～60min，温度25℃～200℃，形成CdZnSe/ZnS-CuI量子点。

实施例2

InP/ZnS-CuI异质结结构量子点的合成方法：

1、在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液1ml、硬脂酸锌Zn(st)₂粉末、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至150℃，反应30min，氩气氛围，其中，铟源与硬脂酸锌Zn(st)₂的摩尔比为0.01∶1；

2、升温至200℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)₃)反应10min，形成InP或InZnP量子点核；

3、加入TOPSe 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应30min；

4、加入TOPS 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应20min；

5、加入正十二硫醇(DDT)2ml，在280℃反应20min后得到最终产物；

6、加入2mmol Cu(acac)₂，溶解在20mlODE，2ml OA，温度100～200℃，用来置换部分Zn²⁺；

7、加入2mmol NH₄I反应1～60min 25℃～200℃，形成InP/ZnS-CuI量子点。

实施例3

CdZnSe/ZnS-Cu₂S异质结结构量子点的合成方法：

1、取100ml三口烧瓶中，加入Cd(OA)₂溶液15ml、Zn(OA)₂15ml，ODE 10ml，120℃，Ar氛围下，除水除氧；

2、升温至280℃，加入Se-TOP 0.7ml，反应20min得到CdZnSe量子点核；

3、将温度降至260℃，滴加二乙基锌/十八烯溶液(DEZ/ODE)0.5M，1.6ml，同时滴加辛硫醇(OT)1ml反应20min；

7、加入2mmol Cu(acac)₂，溶解在20ml ODE，2ml OA，温度100～200℃，用来置换部分Zn²⁺；

8、加入2mmol S-TOP反应1～60min，温度25℃～200℃，形成CdZnSe/ZnS-Cu₂S量子点。

实施例4

InP/ZnS-Cu₂S异质结结构量子点的合成方法：

1、在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液1ml、硬脂酸锌Zn(st)₂粉末、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至150℃，反应30min，氩气氛围，其中，铟源与硬脂酸锌Zn(st)₂的摩尔比为0.01∶1；

2、升温至200℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)₃)反应10min，形成InP或InZnP量子点核；

3、加入TOPSe 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应30min；

4、加入TOPS 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应20min；

5、加入正十二硫醇(DDT)2ml，在280℃反应20min后得到最终产物；

6、加入2mmol Cu(acac)₂，溶解在20mlODE，2ml OA，温度100～200℃，用来置换部分Zn²⁺；

7、加入2mmol S-TOP反应1～60min 25℃～200℃，形成InP/ZnS-Cu₂S量子点。

实施例5

正置结构的量子点发光二极管器件的制备方法：

ITO清洗：将ITO玻璃片，依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用；

将制备的CdZnSe/ZnS-CuI量子点溶解在正辛烷中，溶度20mg/ml，备用；

氧化锌乙醇溶液溶度为30mg/ml；

TFB/氯苯溶液，溶度控制在8mg/ml；

在ITO导电玻璃上旋涂空穴注入层Pedot：Pss，80℃退火；

在空穴注入层上旋涂一层空穴传输层TFB，110℃退火；

在空穴传输层上旋涂上述方法所合成出的结构的量子点，100℃退火；

在量子点发光层上旋涂ZnO电子传输层，80℃退火；

在电子传输层上蒸镀铝电极，得到正置器件结构。

实施例6

倒置结构的量子点发光二极管器件的制备方法：

ITO清洗：将ITO玻璃片，依次放入盛有丙酮、酒精和去离子水的烧杯，并将烧杯置于超声波清洗仪中，依次清洗10分钟。将洗过的ITO置于真空干燥箱中，烘干备用；

将制备的CdZnSe/ZnS-CuI量子点溶解在正辛烷中，溶度20mg/ml，备用；

氧化锌乙醇溶液溶度为30mg/ml；

TFB/氯苯溶液，溶度控制在8mg/ml；

在ITO导电玻璃上旋涂电子传输层ZnO，转速3000rpm，80℃退火；

在电子传输层上旋涂量子点层，转速3000rpm，120℃退火；

在量子点层上旋涂空穴传输层TFB，转速3000rpm，90℃退火；

在空穴传输层上旋涂空穴注入层Pedot：Pss，转速3000rpm，80℃退火；

在空穴注入层上蒸镀铝电极，得到倒置器件结构。

上述制备量子点发光二极管器件的方法中，空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的制备方法可以包括旋涂、涂布、喷墨、打印、滚涂、电磁溅射和气相沉积中的任意一种或两种以上的组合。

对照例1：

CdZnSe/ZnS量子点的合成方法：

1、取100ml三口烧瓶中，加入Cd(OA)₂溶液15ml、Zn(OA)₂15ml，ODE 10ml，120℃，Ar氛围下，除水除氧；

2、升温至300℃，加入Se-TOP 0.7ml，反应20min得到CdZnSe量子点核；

3、将温度降至260℃，滴加二乙基锌/十八烯溶液(DEZ/ODE)0.5M，2ml，同时滴加辛硫醇(OT)1ml反应20min，得到CdZnSe/ZnS量子点。

该对照例1与实施例1的区别在于，该量子点并非为异质结结构。

对照例2

InP/ZnS结构量子点的合成方法：

1、在100ml三口烧瓶中，加入上述配制的In/OLAM溶液1ml、硬脂酸锌Zn(st)₂粉末、OLAM 5ml、ODE 5ml，升温至150℃，反应30min，氩气氛围，其中，铟源与硬脂酸锌Zn(st)₂的摩尔比为0.01∶1；

2、升温至200℃，加入三(二甲胺基)膦(P(EDA)₃)反应10min，形成InP或InZnP量子点核；

3、加入TOPSe 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应30min；

4、加入TOPS 1.5ml，Zn(st)₂ODE 12ml，在280℃反应20min；

5、加入正十二硫醇(DDT)2ml，在280℃反应20min后得到最终产物：InP/ZnS量子点。

该对照例2与实施例2及实施例4的区别在于，该量子点并非为异质结结构。

对照例3

CdZnSe/ZnS结构量子点的合成方法：

1、取100ml三口烧瓶中，加入Cd(OA)₂溶液5ml、Zn(OA)215ml，ODE 10ml，120℃，Ar氛围下，除水除氧；

2、升温至280℃，加入Se-TOP 0.7ml，反应20min得到CdZnSe量子点核；

3、将温度降至260℃，滴加二乙基锌/十八烯溶液(DEZ/ODE)0.5M，1.6ml，同时滴加辛硫醇(OT)1ml反应20min，形成CdZnSe/ZnS量子点。

该对照例3与实施例3的区别在于，该量子点并非为异质结结构。

对实施例1、对照例1中所得量子点分别制备成的器件进行测试，图3是实施例1中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图，图4是对照例1中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图。可见，实施例1中量子点制备成的器件，电流效率为22.4Cd/A，外量子效率为16％，而对照例1中量子点制备成的器件，电流效率为6Cd/A，外量子效率为3％。

对实施例3、对照例3中所得量子点分别制备成的器件进行测试，图5是实施例3中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图，图6是对照例3中量子点制备成的器件的电流效率与外量子效率随亮度变化曲线图。可见，实施例3中量子点制备成的器件，电流效率为50.5Cd/A，外量子效率为11.7％，而对照例3中量子点制备成的器件，电流效率为26.7Cd/A，外量子效率为6.3％。

此外，实施例2中量子点制备成的器件，其电流效率及外量子效率同样高于对比例2中量子点制备成的器件的电流效率及外量子效率。

此外，本案发明人还参照以上实施例的方式，以本说明书中列出的其它原料和条件等进行了试验，同样可以制得异质结结构量子点及高空穴传输、高空穴数量、高电流效率与外量子效率的QLED器件。

应当理解，以上所述的仅是本发明的一些实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的创造构思的前提下，还可以做出其它变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤，其特征在于，其中制作量子点发光层的步骤包括：

提供核壳结构量子点，其包括作为核的第一量子点和壳层，所述第一量子点是第一导电类型的；

将核壳结构量子点的分散液与第一前驱体混合反应，至少使所述壳层中作为第一元素的部分Zn²⁺被来源于所述第一前驱体且作为第二元素的第一阳离子置换，之后加入第二前驱体，使被置换入所述壳层的第一阳离子与来源于第二前驱体且作为第三元素的第二阴离子反应结合，从而形成第二纳米粒子，所述第二纳米粒子是第二导电类型的，并且所述第二纳米粒子能与第一量子点配合形成异质结，从而制得异质结结构量子点；以及

利用所述异质结结构量子点制成量子点发光层；

其中，所述第一量子点的材质选自CdZnSe、CdSe、CdZnSeS、InP和CuInS中的任意一种或两种以上的组合，所述壳层的材质为ZnS，所述第二纳米粒子的材质选自CuI、CoO、SnO、Cu₂O和Ag₂O中的任意一种或两种以上的组合。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一量子点的粒径为2~10nm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第二纳米粒子的尺寸为1~10nm。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述第一阳离子与组成所述壳层的ZnS的摩尔比为0.01：1~0.99~1，所述第二阴离子与被置换入所述壳层的第一阳离子的摩尔比为1：1～1：0.1。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述核壳结构量子点的分散液与第一前驱体混合反应的反应温度为100℃~200℃。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一前驱体包括氧化亚铜、氯化亚铜、乙酰丙酮铜、醋酸铜、硫酸铜和硝酸铜中的任意一种或两种以上的组合。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第二前驱体包括碘粉、碘化钾、碘化胺和碘化钠中的任意一种或两种以上的组合。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述分散液所含的溶剂包括配位性溶剂和/或非配位性溶剂。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述配位性溶剂包括碳原子数量≥5的饱和或不饱和脂肪酸和碳原子数量≥6的饱和或不饱和的胺类中的任意一种或两种以上的组合，所述非配位性溶剂包括碳原子≥10的烷烃类、烯烃类、醚类和芳香族化合物中的任意一种或两种以上的组合。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述空穴注入层的材质包括PEDOT-TPD、CBP、MoO₃和O₁₃V₆中的任意一种或两种以上的组合。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述空穴传输层的材质包括TPD、Poly-TPPD 、Spiro-TPD、PVK、CBP、NPB和TFB中的任意一种或两种以上的组合。

12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述电子传输层的材质包括ZnO、ZnMgO、TiO、ZnSnO和InSnO中的任意一种或两种以上的组合。

13.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一电极包括ITO导电玻璃。

14.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第二电极包括Al电极或Ag电极。

15.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的制作方法包括涂布、喷墨、打印和气相沉积中的任意一种或两种以上的组合。

Images