CN109087866A - 一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n‑MOSFET制备方法,在结衬底材料选定后、外延工艺实施前,先进行与p型岛光刻与硼注入,之后进行缓冲层外延和耐压层外延;后继工艺与常规功率MOSFET制备相同;p型岛注入窗口尺寸及硼注入剂量严格控制,保证器件导通态时处于单极模式情况下;同时在器件处于阻断态时,p型岛对缓冲层‑衬底高低结附近电场有调节作用,改善高低结附近电场分布,提高器件单粒子烧毁阈值。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体器件制备技术,具体说是一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,通过该技术制备的器件,在受高能带电粒子辐照时具有一定抗烧毁能力,适用于具有单粒子辐照的空间工作环境。
背景技术
功率MOSFET因其开关速度快、驱动电路简单等优越性能,广泛应用于各类电子设备,进行诸如整流、逆变、升压、降压、变频等电能转化与处理。同时,凭借器件的优异性能和成熟的技术优势,硅基功率MOSFET也被认为是太空电子系统应用领域最令人满意的器件之一,在各类航空航天电子设备中大量使用。但是空间环境存在大量宇宙射线和高能带电粒子,太空应用的功率MOSFET器件存在一定几率与高能粒子发生碰撞。若碰撞瞬态,功率MOSFET处于阻断态,则可能诱发单粒子烧毁效应,导致功率MOSFET器件失效,进而影响整个航天电子设备的正常工作。因此,对于航天应用,功率 MOSFET器件抗单粒子烧毁的能力既是评估器件坚固性的重要指标,也是器件设计者必须面对和重点关注的问题。
目前,有关功率MOSFET单粒子烧毁机理,已经达成比较普遍的共识,依托器件内在工作机理,器件研发与制造者,提出各种降低寄生BJT增益的方法,包括:降低源区尺寸和源区掺杂浓度、提高 p+体区掺杂浓度和厚度、采用缓冲层结构等。
缓冲层结构,通过借助大电流下耗尽层向缓冲层扩展时,高低结处电荷分布干预,改善和提高功率MOSFET大电流下二次击穿电场。因此改善电场分布是本质。为此提出具有p型岛缓冲层结构的 MOSFET。本发明将为这种结构提供制备技术方案。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种外延前硼注入复合双层外延的 n-MOSFET制备方法,可以获得具有p型岛复合缓冲层结构的MOSFET 器件,所述p型岛位置、大小、掺杂浓度合理可控。
为实现上述目的,本发明采用如下的技术方案:
一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,包括以下步骤:
A)选择衬底:衬底为(100)晶向的重掺杂n++型硅衬底,衬底掺杂杂质为砷或者磷;
B)p型岛光刻:在重掺杂n++型衬底层上先进行岛注入光刻,光刻窗口为条形或方形,窗口宽度为0.5微米到2微米;
C)p型岛硼带胶注入:带胶进行p型岛硼注入,硼注入的剂量为1 ×1013cm-2到1×1014cm-2之间,注入能量在50keV到180keV之间;注入完成时,p型岛初始位置位于在n++衬底;
D)芯片清洗,n+型缓冲层外延:缓冲层浓度在3×1015cm-3到5× 1016cm-3之间,缓冲层厚度在10-20微米之间。
E)漂移区外延:外延浓度与厚度由器件耐压决定;
F)之后表面MOS结构、背面减薄及电极制备工艺与按常规 MOSFET工艺流程进行,最终p型岛最终位置位于缓冲层。
本发明n-MOSFET的制备方法,异于常规功率MOSFET的制备的核心技术包括三方面:A)在重掺杂n++型衬底层上先进行岛注入光刻,光刻窗口为条形或方形,窗口宽度为0.5微米到2微米;B)在完成光刻后,带胶进行p型岛硼注入,硼注入的剂量为1×1013cm-2到1 ×1014cm-2之间,注入能量在50keV到180keV之间。注入完成时,p 型岛初始位置位于在n++衬底;C)完成岛注入及芯片清洗后,进行 n+型缓冲层外延,缓冲层浓度在3×1015cm-3到5×1016cm-3之间,缓冲层厚度在10-20微米之间。后继漂移区外延及表面MOS结构、背面减薄及电极制备工艺与常规MOSFET相同。由于在整个器件制备过程中,需经过多个高温过程,p型岛最终位置,位于缓冲层。
本发明增加了p型岛注入和缓冲层外延,岛注入窗口尺寸、剂量大小选择、缓冲层浓度匹配综合考虑,保证最终p型岛的尺寸、位置和峰值掺杂浓度精确可控,保证器件工作在单极模式的同时,改善器件发生二次击穿的电压和阈值电流。
附图说明
图1、具有p型岛缓冲层结构的平面栅n沟MOSFET的元胞结构;
图2、具有p型岛缓冲层结构的沟槽栅n沟MOSFET的元胞结构;
图3(a)、p型岛注入窗口示意图-条形元胞图;
图3(b)、p型岛注入窗口示意图-方形元胞图。
具体实施方式:
本发明技术的核心是p型岛位置、尺寸、峰值浓度的控制,它只涉及常规的光刻、注入和外延工艺等,这些技术是微电子领域技术人员所掌握和公知的技术。下面按照本发明的技术方案,给出具体外延前硼注入复合双层外延n MOSFET制备方案,说明本发明实施的可行性。
本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,包括如下步骤:
A)选择衬底:衬底为(100)晶向的重掺杂n++型硅衬底,衬底掺杂杂质为砷或者;
B)p型岛光刻:岛光刻版窗口与周期控制是工艺关键,也是发明重点之一。光刻窗口重复周期与元胞完全,形状亦与元胞保持一致,为条形(1601)或方形(1602),窗口宽度(1501或1502)为0.5微米到2微米,如图3(a)、图3(b)所示。
C)p型岛硼带胶注入:硼注入的剂量亦为发明重点,为1×1013cm-2到1×1014cm-2之间,注入能量在50keV到180keV之间。注入完成时,p 型岛初始位置(16)位于在n++衬底。
D)缓冲层外延:n+型缓冲层(9)外延,缓冲层浓度在3×1015cm-3到5×1016cm-3之间,缓冲层厚度(13)在10-20微米之间。
E)漂移区外延:外延浓度与厚度由器件耐压决定。
后继表面MOS结构、背面减薄及电极制备工艺与常规MOSFET相同。由于在整个器件制备过程中,需经过多个高温过程,p型岛最终位置(10),位于缓冲层。
实施例1外延前硼注入复合双层外延平面栅MOSFET制备
本实施例是制备具有p型岛缓冲层结构的平面栅MOSFET工艺,耐压200V。具体工艺如下:
(1)在电阻率为0.01Ωcm的(100)晶向、掺砷衬底进行对版标记光刻与刻蚀工艺;
(2)岛注入光刻,光刻图形为条形,条宽0.7微米,重复周期 10微米;
(3)p型岛注入,注入能量80keV,剂量5×1013cm-2;
(4)缓冲层外延,缓冲层外延掺磷,浓度2×1016cm-3,厚度15 微米;
(5)漂移区外延,外延层掺磷,掺杂浓度1×1015cm-3,厚度15 微米;
(6)之后工艺按常规平面栅MOSFET工艺流程进行,完成表面 MOS结构,表面钝化,背面减薄、背面多层电极等,最终形成如图1 所示的剖面结构。
按此工艺制备的器件,p型岛4位于沟道正下方,宽度为3微米,高度1微米,距离衬底原始表面距离3微米,两个p型岛中心距离5 微米。经试验证明,本实施例具有p型岛缓冲层结构的MOSFET,源漏阻断电压为220V。在-10V栅偏条件下,370MeV Au照射,单粒子烧毁阈值190V。
实施例2外延前硼注入复合双层外延槽栅MOSFET制备
本实施例是制备具有p型岛缓冲层结构的平面栅MOSFET工艺,耐压100V。具体工艺如下:
(1)在电阻率为0.02Ωcm的(100)晶向、掺锑衬底进行对版标记光刻与刻蚀工艺;
(2)岛注入光刻,光刻图形为方形,边长1.5微米,重复周期 12微米;
(3)p型岛注入,注入能量60keV,剂量3×1013cm-2;
(4)缓冲层外延,缓冲层外延掺磷,浓度5×1016cm-3,厚度10 微米;
(5)漂移区外延,外延层掺磷,掺杂浓度3.5×1015cm-3,厚度 8.5微米;
(6)之后工艺按常规平面栅MOSFET工艺流程进行,完成表面 MOS结构,表面钝化,背面减薄、背面多层电极等,最终形成如图2 所示的剖面结构。
按此工艺制备的器件,p型岛位于体区正下方,宽度为3微米,高度1微米,距离衬底原始表面距离3微米,两个p型岛中心距离 12微米。经试验证明,本实施例具有p型岛缓冲层结构的MOSFET,源漏阻断电压为113V。在0栅偏条件下,370MeV Au照射,单粒子烧毁阈值90V。
Claims (3)
1.一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A)选择衬底:衬底为晶向的重掺杂n++型硅衬底,衬底掺杂杂质为砷或者;
B)p型岛光刻:在重掺杂n++型衬底层上先进行岛注入光刻,光刻窗口为条形或方形,窗口宽度为0.5微米到2微米;
C)p型岛硼带胶注入:带胶进行p型岛硼注入,硼注入的剂量为1×1013cm-2到1×1014cm-2之间,注入能量在50keV到180keV之间;注入完成时,p型岛初始位置位于在n++衬底;
D)芯片清洗,n+型缓冲层外延:缓冲层浓度在3×1015cm-3到5×1016cm-3之间,缓冲层厚度在10-20微米之间。
E)漂移区外延:外延浓度与厚度由器件耐压决定;
F)之后表面MOS结构、背面减薄及电极制备工艺与按常规MOSFET工艺流程进行,最终p型岛最终位置位于缓冲层。
2.如权利要求1所述的外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,其特征在于,缓冲层外延中,缓冲层外延掺磷,浓度2×1016cm-3,厚度15微米。
3.如权利要求1所述的外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法,其特征在于,漂移区外延中,外延层掺磷,掺杂浓度3.5×1015cm-3,厚度8.5微米。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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