CN109065523B - 整流芯片的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条，所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽。本发明可以在保证焊料用量的同时防止多于焊料外溢而发生短路等情况。

Description

整流芯片的封装结构
技术领域
本发明涉及一种整流芯片的封装结构，属于半导体封装器件技术领域。
背景技术
整流器是利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。
现有同类产品均为4颗二极管芯片同向，需要贴装4颗形状不同的连接片，产品结构及工艺都比较复杂，引线框结构复杂且强度较差。
发明内容
本发明的目的是提供一种整流芯片的封装结构，该整流芯片的封装结构仅需要2颗连接片就可实现各二极管芯片之间的桥接，结构简单，且两个连接片形状尺寸简单一致，便于贴装，且可以在保证焊料用量的同时防止多于焊料外溢而发生短路等情况。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条，所述环氧封装体内部左、右侧分别对称固定有第一芯片基板和第二芯片基板，所述正极金属条和负极金属条分别位于第一芯片基板和第二芯片基板外侧；
所述第一二极管芯片的正极端与第一芯片基板上表面电连接，所述第三二极管芯片的负极端与第一芯片基板上表面电连接，所述第二二极管芯片的正极端与第二芯片基板上表面电连接，所述第四二极管芯片的负极端与第二芯片基板上表面电连接；
所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接；
所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一二极管芯片位于第一芯片基板的第一凹槽内部区域，所述第二二极管芯片位于第二芯片基板的第二凹槽内部区域；
所述第一芯片基板和第二芯片基板作为交流输入端，所述负极金属条作为直流负极端，所述正极金属条作为直流正极端，所述第一芯片基板、第二芯片基板、正极金属条和负极金属条上均连接有引脚；
所述第一连接片、第二连接片各自的第一焊接部和第二焊接部之间具有一连接区，此连接区与第一焊接部、第二焊接部之间分别设置有第一折弯部和第二折弯部，使得连接区高度高于第一焊接部和第二焊接部。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述第一连接片的第一焊接部与正极金属条上表面连接，所述第二连接片的第一焊接部与负极金属条上表面连接。
2. 上述方案中，所述第一连接片的第二焊接部与第一二极管芯片的负极端连接，所述第二连接片的第二焊接部与第四二极管芯片的正极端连接。
3. 上述方案中，所述第一连接片、第二连接片各自的第二焊接部相对的两侧端面具有条形凹槽。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明整流芯片的封装结构，其所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面，所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面电连接，所述第三二极管芯片的正极端、第四二极管芯片的正极端均通过第二连接片与负极金属条上表面电连接，通过第一二极管芯片与第二二极管芯片的反贴设计，仅需要2颗连接片就可实现各二极管芯片之间的桥接，结构简单，且两个连接片形状尺寸简单一致，便于贴装，同时，引线框的形状可实现简化且强度高；其次，其所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自下方的第一芯片基板和第二芯片基板上分别设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一二极管芯片位于第一芯片基板的第一凹槽内部区域，所述第二二极管芯片位于第二芯片基板的第二凹槽内部区域，沟槽的设置，首先可以对二极管芯片起到一定的定位作用，保证二极管芯片焊接位置的准确性；此外，因为第一二极管芯片与第二二极管芯片的反贴设置，二极管芯片与基板接触面较小，但同时需要保证二极管芯片与基板的焊接面，沟槽的设置则可以在保证焊料用量的同时防止多于焊料外溢而发生短路等情况。
2、本发明整流芯片的封装结构，其所述第一连接片、第二连接片各自的第一焊接部和第二焊接部之间具有一连接区，此连接区与第一焊接部、第二焊接部之间分别设置有第一折弯部和第二折弯部，使得连接区高度高于第一焊接部和第二焊接部，在保证不降低接触面积和增加电阻的情况下，可以自适应吸收多余的焊料，从而防止焊料进入非焊接区，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性，大大提高了良率；其次，其第一连接片、第二连接片各自的第二焊接部相对的两侧端面具有条形凹槽，条形凹槽的设置，则进一步防止焊料进入非焊接区，避免了因为焊料量多而溢出的情况，保证产品品质。
附图说明
附图1为现有整流桥结构示意图；
附图2为本发明整流芯片的封装结构结构示意图；
附图3为本发明整流芯片的封装结构局部结构剖视图；
附图4为本发明整流芯片的封装结构局部结构剖面示意图。
以上附图中：1、环氧封装体；2、第一二极管芯片；3、第二二极管芯片；4、第三二极管芯片；5、第四二极管芯片；6、正极金属条；7、负极金属条；8、第一芯片基板；9、第二芯片基板；10、第一连接片；11、第二连接片；12、引脚；13、第一凹槽；14、第二凹槽；31、第一焊接部；32、第二焊接部；33、连接区；34、第一折弯部；35、第二折弯部。
具体实施方式
实施例1：一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体1包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片2、3、4、5、正极金属条6和负极金属条7，所述环氧封装体1内部左、右侧分别对称固定有第一芯片基板8和第二芯片基板9，所述正极金属条6和负极金属条7分别位于第一芯片基板8和第二芯片基板9外侧；
所述第一二极管芯片2的正极端与第一芯片基板8上表面电连接，所述第三二极管芯片4的负极端与第一芯片基板8上表面电连接，所述第二二极管芯片3的正极端与第二芯片基板9上表面电连接，所述第四二极管芯片5的负极端与第二芯片基板9上表面电连接；
所述第一二极管芯片2和第二二极管芯片3分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板8和第二芯片基板9上表面，所述第一二极管芯片2的负极端、第二二极管芯片3的负极端均通过第一连接片10与正极金属条6上表面电连接，所述第三二极管芯片4的正极端、第四二极管芯片5的正极端均通过第二连接片11与负极金属条7上表面电连接；
所述第一二极管芯片2、第二二极管芯片3各自下方的第一芯片基板8和第二芯片基板9上分别设置有第一凹槽13和第二凹槽14，所述第一二极管芯片2位于第一芯片基板8的第一凹槽13内部区域，所述第二二极管芯片3位于第二芯片基板9的第二凹槽14内部区域；
所述第一芯片基板8和第二芯片基板9作为交流输入端，所述负极金属条7作为直流负极端，所述正极金属条6作为直流正极端，所述第一芯片基板8、第二芯片基板9、正极金属条6和负极金属条7上均连接有引脚12；
所述第一连接片10、第二连接片11各自的第一焊接部31和第二焊接部32之间具有一连接区33，此连接区33与第一焊接部31、第二焊接部32之间分别设置有第一折弯部34和第二折弯部35，使得连接区33高度高于第一焊接部31和第二焊接部32。
上述第一连接片10的第一焊接部31与正极金属条6上表面连接，所述第二连接片11的第一焊接部31与负极金属条7上表面连接；
上述第一连接片10的第二焊接部32与第一二极管芯片2的负极端连接，所述第二连接片11的第二焊接部32与第四二极管芯片5的正极端连接。
实施例2：一种整流芯片的封装结构，包括由环氧封装体1包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片2、3、4、5、正极金属条6和负极金属条7，所述环氧封装体1内部左、右侧分别对称固定有第一芯片基板8和第二芯片基板9，所述正极金属条6和负极金属条7分别位于第一芯片基板8和第二芯片基板9外侧；
所述第一二极管芯片2的正极端与第一芯片基板8上表面电连接，所述第三二极管芯片4的负极端与第一芯片基板8上表面电连接，所述第二二极管芯片3的正极端与第二芯片基板9上表面电连接，所述第四二极管芯片5的负极端与第二芯片基板9上表面电连接；
所述第一二极管芯片2和第二二极管芯片3分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板8和第二芯片基板9上表面，所述第一二极管芯片2的负极端、第二二极管芯片3的负极端均通过第一连接片10与正极金属条6上表面电连接，所述第三二极管芯片4的正极端、第四二极管芯片5的正极端均通过第二连接片11与负极金属条7上表面电连接；
所述第一二极管芯片2、第二二极管芯片3各自下方的第一芯片基板8和第二芯片基板9上分别设置有第一凹槽13和第二凹槽14，所述第一二极管芯片2位于第一芯片基板8的第一凹槽13内部区域，所述第二二极管芯片3位于第二芯片基板9的第二凹槽14内部区域；
所述第一芯片基板8和第二芯片基板9作为交流输入端，所述负极金属条7作为直流负极端，所述正极金属条6作为直流正极端，所述第一芯片基板8、第二芯片基板9、正极金属条6和负极金属条7上均连接有引脚12；
所述第一连接片10、第二连接片11各自的第一焊接部31和第二焊接部32之间具有一连接区33，此连接区33与第一焊接部31、第二焊接部32之间分别设置有第一折弯部34和第二折弯部35，使得连接区33高度高于第一焊接部31和第二焊接部32。
上述第一连接片10、第二连接片11各自的第二焊接部32相对的两侧端面具有条形凹槽。
采用上述整流芯片的封装结构时，其通过第一二极管芯片与第二二极管芯片的反贴设计，仅需要2颗连接片就可实现各二极管芯片之间的桥接，结构简单，且两个连接片形状尺寸简单一致，便于贴装，同时，引线框的形状可实现简化且强度高；其次，沟槽的设置，首先可以对二极管芯片起到一定的定位作用，保证二极管芯片焊接位置的准确性；此外，因为第一二极管芯片与第二二极管芯片的反贴设置，二极管芯片与基板接触面较小，但同时需要保证二极管芯片与基板的焊接面，沟槽的设置则可以在保证焊料用量的同时防止多于焊料外溢而发生短路等情况；再次，其在保证不降低接触面积和增加电阻的情况下，可以自适应吸收多余的焊料，从而防止焊料进入非焊接区，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性，大大提高了良率；再次，条形凹槽的设置，则进一步防止焊料进入非焊接区，避免了因为焊料量多而溢出的情况，保证产品品质。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种整流芯片的封装结构，其特征在于：包括由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）、正极金属条（6）和负极金属条（7），所述环氧封装体（1）内部左、右侧分别对称固定有第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9），所述正极金属条（6）和负极金属条（7）分别位于第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）外侧；
所述第一二极管芯片（2）的正极端与第一芯片基板（8）上表面电连接，所述第三二极管芯片（4）的负极端与第一芯片基板（8）上表面电连接，所述第二二极管芯片（3）的正极端与第二芯片基板（9）上表面电连接，所述第四二极管芯片（5）的负极端与第二芯片基板（9）上表面电连接；
所述第一二极管芯片（2）和第二二极管芯片（3）分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）上表面，所述第一二极管芯片（2）的负极端、第二二极管芯片（3）的负极端均通过第一连接片（10）与正极金属条（6）上表面电连接，所述第三二极管芯片（4）的正极端、第四二极管芯片（5）的正极端均通过第二连接片（11）与负极金属条（7）上表面电连接；
所述第一二极管芯片（2）、第二二极管芯片（3）各自下方的第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）上分别设置有第一凹槽（13）和第二凹槽（14），所述第一二极管芯片（2）位于第一芯片基板（8）的第一凹槽（13）内部区域，所述第二二极管芯片（3）位于第二芯片基板（9）的第二凹槽（14）内部区域；
所述第一芯片基板（8）和第二芯片基板（9）作为交流输入端，所述负极金属条（7）作为直流负极端，所述正极金属条（6）作为直流正极端，所述第一芯片基板（8）、第二芯片基板（9）、正极金属条（6）和负极金属条（7）上均连接有引脚（12）；
所述第一连接片（10）、第二连接片（11）各自的第一焊接部（31）和第二焊接部（32）之间具有一连接区（33），此连接区（33）与第一焊接部（31）、第二焊接部（32）之间分别设置有第一折弯部（34）和第二折弯部（35），使得连接区（33）高度高于第一焊接部（31）和第二焊接部（32）。
2.根据权利要求1所述的整流芯片的封装结构，其特征在于：所述第一连接片（10）的第一焊接部（31）与正极金属条（6）上表面连接，所述第二连接片（11）的第一焊接部（31）与负极金属条（7）上表面连接。
3.根据权利要求1所述的整流芯片的封装结构，其特征在于：所述第一连接片（10）的第二焊接部（32）与第一二极管芯片（2）的负极端连接，所述第二连接片（11）的第二焊接部（32）与第四二极管芯片（5）的正极端连接。
4.根据权利要求1所述的整流芯片的封装结构，其特征在于：所述第一连接片（10）、第二连接片（11）各自的第二焊接部（32）相对的两侧端面具有条形凹槽。
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