CN212136440U - 超薄微型桥堆半导体器件 - Google Patents

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张开航
马云洋
李飞帆
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Abstract

本实用新型公开一种超薄微型桥堆半导体器件，包括：第一二极管芯片、第二二极管芯片、金属引线框和L形金属引线，所述金属引线框进一步包括第一焊接条、与第一焊接条连接的2个交流引脚输入端和直流负极端；金属引线框的第一焊接条表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一焊接条、第一凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的正极端通过第一焊片层连接；L形金属引线的第二焊接条表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二焊接条、第二凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的负极端通过第二焊片层连接。本实用新型避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

Description

超薄微型桥堆半导体器件
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种超薄微型桥堆半导体器件。
背景技术
整流桥堆由二极管芯片组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥以及三相桥三种半桥又有正半桥和负半桥两种，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流。
在中国电子信息产业快速发展的推动下，半导体整流器件也得到了迅猛的发展。随着科技的进步，电子产品也不断的发展，电子产品向着轻、小、薄发展。电子元器件表面贴装技术成为国内外发展趋势，但由于受某些技术的限制，大功率元器件基本上都是插件式的封装。如何设计一种贴片式整流器件并进一步改善成为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种超薄微型桥堆半导体器件，该超薄微型桥堆半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种超薄微型桥堆半导体器件，包括：第一二极管芯片、第二二极管芯片、金属引线框和L形金属引线，所述金属引线框进一步包括第一焊接条、与第一焊接条连接的2个交流引脚输入端和直流负极端，所述L形金属引线进一步包括第二焊接条、与第二焊接条连接的直流正极端；
所述第一二极管芯片、第二二极管芯片、金属引线框和L形金属引线各自的焊接条位于环氧封装体内，此金属引线框的2个交流引脚输入端和直流负极端从环氧封装体延伸出，此L形金属引线的直流正极端从环氧封装体延伸出；
所述金属引线框的第一焊接条表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一焊接条、第一凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的正极端通过第一焊片层连接；
所述L形金属引线的第二焊接条表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二焊接条、第二凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的负极端通过第二焊片层连接。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片各自的正极端具有玻璃钝化层，所述第一凸柱的高度低于第二凸柱的高度。
2. 上述方案中，所述第一焊片层、第二焊片层为锡层或银层。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型超薄微型桥堆半导体器件，其金属引线框的第一焊接条表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一焊接条、第一凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的正极端通过第一焊片层连接，L形金属引线的第二焊接条表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二焊接条、第二凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的负极端通过第二焊片层连接，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。
附图说明
附图1为本实用新型超薄微型桥堆半导体器件结构示意图；
附图2为附图2的局部结构示意图。
以上附图中：11、第一二极管芯片；12、第二二极管芯片；2、金属引线框；21、第一焊接条；22、交流引脚输入端；23、直流负极端；3、L形金属引线；31、第二焊接条；32、直流正极端；4、玻璃钝化层；6、环氧封装体；71、第一焊片层；72、第二焊片层；8、第一凸柱；9、第二凸柱。
具体实施方式
实施例1：一种超薄微型桥堆半导体器件，包括：第一二极管芯片11、第二二极管芯片12、金属引线框2和L形金属引线3，所述金属引线框2进一步包括第一焊接条21、与第一焊接条21连接的2个交流引脚输入端22和直流负极端23，所述L形金属引线3进一步包括第二焊接条31、与第二焊接条31连接的直流正极端32；
所述第一二极管芯片11、第二二极管芯片12、金属引线框2和L形金属引线3各自的焊接条位于环氧封装体6内，此金属引线框2的2个交流引脚输入端22和直流负极端23从环氧封装体6延伸出，此L形金属引线3的直流正极端32从环氧封装体6延伸出；
所述金属引线框2的第一焊接条21表面间隔分布的若干个第一凸柱8，所述第一焊接条21、第一凸柱8与第一二极管芯片11、第二二极管芯片12的正极端通过第一焊片层71连接；
所述L形金属引线3的第二焊接条31表面间隔分布的若干个第二凸柱9，所述第二焊接条31、第二凸柱9与第一二极管芯片11、第二二极管芯片12的负极端通过第二焊片层72连接。
上述第一焊片层71、第二焊片层72为锡层。
实施例2：一种超薄微型桥堆半导体器件，包括：第一二极管芯片11、第二二极管芯片12、金属引线框2和L形金属引线3，所述金属引线框2进一步包括第一焊接条21、与第一焊接条21连接的2个交流引脚输入端22和直流负极端23，所述L形金属引线3进一步包括第二焊接条31、与第二焊接条31连接的直流正极端32；
所述第一二极管芯片11、第二二极管芯片12、金属引线框2和L形金属引线3各自的焊接条位于环氧封装体6内，此金属引线框2的2个交流引脚输入端22和直流负极端23从环氧封装体6延伸出，此L形金属引线3的直流正极端32从环氧封装体6延伸出；
所述金属引线框2的第一焊接条21表面间隔分布的若干个第一凸柱8，所述第一焊接条21、第一凸柱8与第一二极管芯片11、第二二极管芯片12的正极端通过第一焊片层71连接；
所述L形金属引线3的第二焊接条31表面间隔分布的若干个第二凸柱9，所述第二焊接条31、第二凸柱9与第一二极管芯片11、第二二极管芯片12的负极端通过第二焊片层72连接。
上述第一二极管芯片11、第二二极管芯片12各自的正极端具有玻璃钝化层4，所述第一凸柱8的高度低于第二凸柱9的高度。
上述第一焊片层71、第二焊片层72为银层。
上述金属引线框2的第一凸柱8的高度小于L形金属引线3的第二凸柱9的高度。
采用上述超薄微型桥堆半导体器件时，其金属引线框的第一焊接条表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一焊接条、第一凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的正极端通过第一焊片层连接，L形金属引线的第二焊接条表面间隔分布的若干个第二凸柱，所述第二焊接条、第二凸柱与第一二极管芯片、第二二极管芯片的负极端通过第二焊片层连接，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种超薄微型桥堆半导体器件，其特征在于：包括：第一二极管芯片（11）、第二二极管芯片（12）、金属引线框（2）和L形金属引线（3），所述金属引线框（2）进一步包括第一焊接条（21）、与第一焊接条（21）连接的2个交流引脚输入端（22）和直流负极端（23），所述L形金属引线（3）进一步包括第二焊接条（31）、与第二焊接条（31）连接的直流正极端（32）；
所述第一二极管芯片（11）、第二二极管芯片（12）、金属引线框（2）和L形金属引线（3）各自的焊接条位于环氧封装体（6）内，此金属引线框（2）的2个交流引脚输入端（22）和直流负极端（23）从环氧封装体（6）延伸出，此L形金属引线（3）的直流正极端（32）从环氧封装体（6）延伸出；
所述金属引线框（2）的第一焊接条（21）表面间隔分布的若干个第一凸柱（8），所述第一焊接条（21）、第一凸柱（8）与第一二极管芯片（11）、第二二极管芯片（12）的正极端通过第一焊片层（71）连接；
所述L形金属引线（3）的第二焊接条（31）表面间隔分布的若干个第二凸柱（9），所述第二焊接条（31）、第二凸柱（9）与第一二极管芯片（11）、第二二极管芯片（12）的负极端通过第二焊片层（72）连接。
2.根据权利要求1所述的超薄微型桥堆半导体器件，其特征在于：所述第一二极管芯片（11）、第二二极管芯片（12）各自的正极端具有玻璃钝化层（4），所述第一凸柱（8）的高度低于第二凸柱（9）的高度。
3.根据权利要求1所述的超薄微型桥堆半导体器件，其特征在于：所述第一焊片层（71）、第二焊片层（72）为锡层或银层。
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