CN212136428U - 表面贴装二极管器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种表面贴装二极管器件,包括:二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线;所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱,所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间;所述第一金属引线的焊接端和引脚端之间具有一第一折弯部,所述第二金属引线的焊接端和引脚端之间具有第二折弯部,第一金属引线、第二金属引线各自的引脚端与环氧封装体底部平行且在高度方向低于环氧封装体底部。本实用新型态电压抑制器提高了器件的可靠性,也减少占用的空间同时,有利于焊接和热量的扩散。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种表面贴装二极管器件。
背景技术
二极管产品是最常用的电子元器件之一,其最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过;二极管可应用于整流电路、检波电路、稳压电路、电压抑制电路以及各种调制电路。表面贴装二极管是指无需对印制板钻插装孔,直接将表面组装元器件贴焊到印制板表面规定位置上的技术产品,具有组装密度高、体积小、重量轻的特点,易于实现自动化,提高生产效率,降低成本,节省材料、能源、设备、人力、时间等优点。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种表面贴装二极管器件,该瞬态电压抑制器提高了器件的可靠性,也减少占用的空间同时,有利于焊接和热量的扩散。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种表面贴装二极管器件,包括:二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线,所述二极管芯片与第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端均位于环氧封装体内,此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体底部延伸出,所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接;
所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱,2个所述焊片层分别位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间;
所述第一金属引线的焊接端和引脚端之间具有一第一折弯部,所述第二金属引线的焊接端和引脚端之间具有第二折弯部,第一金属引线、第二金属引线各自的引脚端与环氧封装体底部平行且在高度方向低于环氧封装体底部,此第一金属引线的第一折弯部和第二金属引线的第二折弯部均开有一通孔。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
1. 上述方案中,所述焊片层为锡层或银层。
2. 上述方案中,所述通孔位于第一折弯部或者第二金属引线的中部。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1. 本实用新型表面贴装二极管器件,其第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱,所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间,有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移,避免了虚焊,从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。
2. 本实用新型表面贴装二极管器件,其第一金属引线的焊接端和引脚端之间具有一第一折弯部,所述第二金属引线的焊接端和引脚端之间具有第二折弯部,第一金属引线、第二金属引线各自的引脚端与环氧封装体底部平行且在高度方向低于环氧封装体底部,此第一金属引线的第一折弯部和第二金属引线的第二折弯部均开有一通孔,减少占用的空间同时,有利于焊接和热量的扩散。
附图说明
附图1为本实用新型表面贴装二极管器件结构示意图。
以上附图中:1、二极管芯片;2、第一金属引线;3、第二金属引线;4、焊接端;5、引脚端;6、环氧封装体;7、焊片层;8、端面板;9、凸柱;10、第一折弯部;11、第二折弯部;12、通孔。
具体实施方式
实施例1:一种表面贴装二极管器件,包括:二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3,所述二极管芯片1与第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4均位于环氧封装体6内,此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6底部延伸出,所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4与二极管芯片1均通过焊片层7连接;
所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4进一步包括端面板8和位于端面板8表面间隔分布的若干个凸柱9,2个所述焊片层7分别位于金属引线的端面板8、凸柱9与二极管芯片1之间;
所述第一金属引线2的焊接端4和引脚端5之间具有一第一折弯部10,所述第二金属引线3的焊接端4和引脚端5之间具有第二折弯部11,第一金属引线2、第二金属引线3各自的引脚端5与环氧封装体6底部平行且在高度方向低于环氧封装体6底部,此第一金属引线2的第一折弯部10和第二金属引线3的第二折弯部11均开有一通孔12。
上述焊片层7为锡层。
实施例2:一种表面贴装二极管器件,包括:二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3,所述二极管芯片1与第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4均位于环氧封装体6内,此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6底部延伸出,所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4与二极管芯片1均通过焊片层7连接;
所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4进一步包括端面板8和位于端面板8表面间隔分布的若干个凸柱9,2个所述焊片层7分别位于金属引线的端面板8、凸柱9与二极管芯片1之间;
所述第一金属引线2的焊接端4和引脚端5之间具有一第一折弯部10,所述第二金属引线3的焊接端4和引脚端5之间具有第二折弯部11,第一金属引线2、第二金属引线3各自的引脚端5与环氧封装体6底部平行且在高度方向低于环氧封装体6底部,此第一金属引线2的第一折弯部10和第二金属引线3的第二折弯部11均开有一通孔12。
上述焊片层7为银层。
上述通孔12位于第一折弯部10或者第二金属引线3的中部。
采用上述表面贴装二极管器件时,其第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱,所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间,有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移,避免了虚焊,从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命;还有,其第一金属引线的焊接端和引脚端之间具有一第一折弯部,所述第二金属引线的焊接端和引脚端之间具有第二折弯部,第一金属引线、第二金属引线各自的引脚端与环氧封装体底部平行且在高度方向低于环氧封装体底部,此第一金属引线的第一折弯部和第二金属引线的第二折弯部均开有一通孔,减少占用的空间同时,有利于焊接和热量的扩散。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种表面贴装二极管器件,其特征在于:包括:二极管芯片(1)、第一金属引线(2)和第二金属引线(3),所述二极管芯片(1)与第一金属引线(2)和第二金属引线(3)各自的焊接端(4)均位于环氧封装体(6)内,此第一金属引线(2)和第二金属引线(3)各自引脚端(5)分别从环氧封装体(6)底部延伸出,所述第一金属引线(2)和第二金属引线(3)各自的焊接端(4)与二极管芯片(1)均通过焊片层(7)连接;
所述第一金属引线(2)和第二金属引线(3)各自的焊接端(4)进一步包括端面板(8)和位于端面板(8)表面间隔分布的若干个凸柱(9),2个所述焊片层(7)分别位于金属引线的端面板(8)、凸柱(9)与二极管芯片(1)之间;
所述第一金属引线(2)的焊接端(4)和引脚端(5)之间具有一第一折弯部(10),所述第二金属引线(3)的焊接端(4)和引脚端(5)之间具有第二折弯部(11),第一金属引线(2)、第二金属引线(3)各自的引脚端(5)与环氧封装体(6)底部平行且在高度方向低于环氧封装体(6)底部,此第一金属引线(2)的第一折弯部(10)和第二金属引线(3)的第二折弯部(11)均开有一通孔(12)。
2.根据权利要求1所述的表面贴装二极管器件,其特征在于:所述焊片层(7)为锡层或银层。
3.根据权利要求1所述的表面贴装二极管器件,其特征在于:所述通孔(12)位于第一折弯部(10)或者第二金属引线(3)的中部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021219249.9U CN212136428U (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 表面贴装二极管器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021219249.9U CN212136428U (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 表面贴装二极管器件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN212136428U true CN212136428U (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=73686130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202021219249.9U Active CN212136428U (zh) | 2020-06-28 | 2020-06-28 | 表面贴装二极管器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN212136428U (zh) |
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