CN109041559A - 带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层，基材层的至少一侧设有系统地层，系统地层远离基材层的一侧设置有保护层，包括如下步骤，S1：在保护层上制造使系统地层外露的开窗；S2：将屏蔽膜贴于带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使屏蔽膜包覆带状射频传输线/微带射频传输线，其中，屏蔽膜包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；S3：挤压屏蔽膜，使屏蔽膜上的导电胶填充开窗以让屏蔽膜与系统地层导通。形成一个完整的、封闭的屏蔽结构，极大程度上提高了带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽性能。

Description

带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法
技术领域
本发明涉及带状射频传输线/微带射频传输线，尤其涉及带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法。
背景技术
随着移动通信技术的快速发展，到当前4G网络，移动互联网不论是在用户数还是传输速率都呈现爆发增长，全球移动用户的数量达到30多亿，4G网络传输速率达到百Mbps级，且未来5G网络的商用，百亿级的入网数量、ms级别的低延时及Gbps的传输速率即将变为现实。
终端产品则需要采用MIMO的多通道技术以实现高速传输。限于终端产品的轻薄化，越来越多的射频传输方式由同轴线转化为带状馈线，带状馈线一方面可达到和同轴线一样的低损耗，另一方面可集成多合一传输线，还能达到轻薄化，但现有的用于传输射频信号的带状馈线因其侧面完全开放，无法达到同轴线般的屏蔽性能。
未来5G终端产品集成化越来越高，天线的数量与工作频率也将达到毫米波，必将对传输线的屏蔽性能提出更高的要求，才能保证传输线对外的辐射不会影响天线或其他器件正常工作，同样天线或其他器件的辐射也会对传输线本身造成大的干扰。因此，有必要为现有的带状射频传输线/微带射频传输线增加屏蔽结构。
现有的带状射频传输线/微带射频传输线一般包括基材层，所述基材层的至少一侧设有系统地层，所述系统地层远离所述基材层的一侧设置有保护层。基材层两侧分别有所述系统地层时，为带状线；基材层仅一侧有所述地层时，为微带线。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法以给现有的带状射频传输线/微带射频传输线增加屏蔽结构从而提高带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽性能。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，所述带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层，所述基材层的至少一侧设有系统地层，所述系统地层远离所述基材层的一侧设置有保护层，包括如下步骤，
S1：在所述保护层上制造使所述系统地层外露的开窗；
S2：将屏蔽膜贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜，使屏蔽膜上的导电胶填充所述开窗以让所述屏蔽膜与所述系统地层导通。
本发明的有益效果在于：设置包覆带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽膜，并让屏蔽膜与带状射频传输线/微带射频传输线的系统地层导通，从而形成一个完整的、封闭的屏蔽结构，有效地防止电磁信号从带状射频传输线/微带射频传输线的左右侧面泄露，极大程度上提高了带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽性能。
附图说明
图1为本发明带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法的流程图；
图2为利用本发明实施例一的制造方法制造出的带状射频传输线的截面图；
图3为利用本发明实施例一的制造方法制造出的另一种微带射频传输线的截面图；
图4为利用本发明实施例二的制造方法制造出的带状射频传输线的截面图；
图5为利用本发明实施例二的制造方法制造出的另一种微带射频传输线的截面图；
图6为利用本发明实施例三的制造方法制造出的带状射频传输线的截面图；
图7为利用本发明实施例三的制造方法制造出的另一种微带射频传输线的截面图。
标号说明：
1、基材层；
2、系统地层；
3、保护层；
4、信号线；
5、地线；
6、地孔；
7、开窗；
8、堆叠部；
9、间隙；
10、屏蔽膜。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：设置包覆带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽膜，并让屏蔽膜与带状射频传输线/微带射频传输线的系统地层导通，从而形成一个完整的、封闭的屏蔽结构。
请参照图1至图7，带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，所述带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层1，所述基材层1的至少一侧设有系统地层2，所述系统地层2远离所述基材层1的一侧设置有保护层3，包括如下步骤，
S1：在所述保护层3上制造使所述系统地层2外露的开窗7；
S2：将屏蔽膜10贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜10包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜10包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜10，使屏蔽膜10上的导电胶填充所述开窗7以让所述屏蔽膜10与所述系统地层2导通。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：设置包覆带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽膜，并让屏蔽膜与带状射频传输线/微带射频传输线的系统地层导通，从而形成一个完整的、封闭的屏蔽结构，有效地防止电磁信号从带状射频传输线/微带射频传输线的左右侧面泄露，极大程度上提高了带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽性能。
进一步的，步骤S2具体包括：先将屏蔽膜10的第一部分区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面或底面，然后将屏蔽膜10的第二部分区域与所述带状射频传输线/微带射频传输线的侧面粘接，再将屏蔽膜10余下的区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面或顶面。
由上述描述可知，带状射频传输线/微带射频传输线的顶面(或底面)面积大，先将屏蔽膜的第一部分区域粘接在此处，方便后续用屏蔽膜包覆带状射频传输线/微带射频传输线。
进一步的，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面的下方；或者，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面的上方。
由上述描述可知，带状射频传输线/微带射频传输线的顶面(或底面)面积大，屏蔽膜的两个端部位于带状射频传输线/微带射频传输线的顶面(或底面)上，可以方便员工操作。
进一步的，所述屏蔽膜10的两个端部之间留有间隙9，所述保护层3通过所述间隙9外露。
进一步的，所述间隙9靠近所述开窗7设置。
由上述描述可知，屏蔽膜的两个端部之间留有让保护层外露的间隙，有利于降低带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽结构加工精度要求，利于控制生产成本。
进一步的，步骤S2之后还具有步骤S22：将所述屏蔽膜10的两个端部堆叠、粘接在一起。
由上述描述可知，屏蔽膜的两个端部堆叠、粘接在一起，有利于降低带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽结构加工精度要求，利于控制生产成本。
进一步的，步骤S1之后还具有步骤S12：向所述开窗7内填充导电介质。
进一步的，所述导电介质为导电胶。
由上述描述可知，当屏蔽膜中导电胶的量偏少，不能完全填充开窗时，为保证屏蔽膜能够稳定地与系统地层导通，在将屏蔽膜粘接在状射频传输线之前，可以选择先向开窗内填充导电介质。
进一步的，步骤S3之后具有步骤S4：对所述屏蔽膜10进行熟化处理。
进一步的，所述熟化处理包括烘烤处理。
实施例一
请参照图1至图3，本发明的实施例一为：带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层1，所述基材层1的至少一侧设有系统地层2，所述系统地层2远离所述基材层1的一侧设置有保护层3，所述基材层1上设有信号线4，可选的，所述基材层1上还设有与所述系统地层2导通的地线5；可选的，所述地线5通过地孔6与所述系统地层2导通。
带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，包括如下步骤，
S1：在所述保护层3上制造使所述系统地层2外露的开窗7；
S2：将屏蔽膜10贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜10包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜10包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜10，使屏蔽膜10上的导电胶填充所述开窗7以让所述屏蔽膜10与所述系统地层2导通。
请参阅图2，带状射频传输线的基材层1的顶面和底面分别设有系统地层2。请参阅图3，微带射频传输线或共面波导线仅在其基材层1的底面设有系统地层2。优选的，带状射频传输线/微带射频传输线由PCB传输线生产工艺加工而成。
所述基材层1的材质包括但不限于PI、PTFE、PEEK、LCP、FR4和粘结片，所述屏蔽膜10包括但不限于EMI屏蔽膜和电磁屏蔽胶带。
步骤S2具体包括：先将屏蔽膜10的第一部分区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面或底面，然后将屏蔽膜10的第二部分区域与所述带状射频传输线/微带射频传输线的侧面粘接，再将屏蔽膜10余下的区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面或顶面。本实施例中，上述屏蔽膜10余下的区域对应于屏蔽膜10的两个端部，优选的，屏蔽膜10的两个端面接触在一起。
进一步的，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面的下方；或者，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面的上方。
当屏蔽膜10中导电胶的量不够时，可选的，步骤S1之后还具有步骤S12：向所述开窗7内填充导电介质，所述导电介质为导电胶。
为加速带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构的形成速度，步骤S3之后具有步骤S4：对所述屏蔽膜10进行熟化处理。本实施例中，所述熟化处理包括烘烤处理，具体的，将完成步骤S3的带状射频传输线/微带射频传输线放入烤箱中进行烘烤。
实施例二
请参照图1、图4和图5，本发明的实施例二为：带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层1，所述基材层1的至少一侧设有系统地层2，所述系统地层2远离所述基材层1的一侧设置有保护层3，所述基材层1上设有信号线4，可选的，所述基材层1上还设有与所述系统地层2导通的地线5；可选的，所述地线5通过地孔6与所述系统地层2导通。
带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，包括如下步骤，
S1：在所述保护层3上制造使所述系统地层2外露的开窗7；
S2：将屏蔽膜10贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜10包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜10包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜10，使屏蔽膜10上的导电胶填充所述开窗7以让所述屏蔽膜10与所述系统地层2导通。
请参阅图4，带状射频传输线的基材层1的顶面和底面分别设有系统地层2。请参阅图5，微带射频传输线或共面波导线仅在其基材层1的底面设有系统地层2。优选的，带状射频传输线/微带射频传输线由PCB传输线生产工艺加工而成。
所述基材层1的材质包括但不限于PI、PTFE、PEEK、LCP、FR4和粘结片，所述屏蔽膜10包括但不限于EMI屏蔽膜和电磁屏蔽胶带。
步骤S2具体包括：先将屏蔽膜10的第一部分区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面或底面，然后将屏蔽膜10的第二部分区域与所述带状射频传输线/微带射频传输线的侧面粘接，再将屏蔽膜10余下的区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面或顶面。本实施例中，上述屏蔽膜10余下的区域对应于屏蔽膜10的两个端部。
进一步的，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面的下方；或者，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面的上方。
为增加的生产速度、降低加工精度要求，步骤S2之后还具有步骤S22：将所述屏蔽膜10的两个端部堆叠、粘接在一起形成堆叠部8。
当屏蔽膜10中导电胶的量不够时，可选的，步骤S1之后还具有步骤S12：向所述开窗7内填充导电介质，所述导电介质为导电胶。
为加速带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构的形成速度，步骤S3之后具有步骤S4：对所述屏蔽膜10进行熟化处理。本实施例中，所述熟化处理包括烘烤处理，具体的，将完成步骤S3的带状射频传输线/微带射频传输线放入烤箱中进行烘烤。
实施例三
请参照图1、图6和图7，本发明的实施例三为：带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层1，所述基材层1的至少一侧设有系统地层2，所述系统地层2远离所述基材层1的一侧设置有保护层3，所述基材层1上设有信号线4，可选的，所述基材层1上还设有与所述系统地层2导通的地线5；可选的，所述地线5通过地孔6与所述系统地层2导通。
带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，包括如下步骤，
S1：在所述保护层3上制造使所述系统地层2外露的开窗7；
S2：将屏蔽膜10贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜10包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜10包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜10，使屏蔽膜10上的导电胶填充所述开窗7以让所述屏蔽膜10与所述系统地层2导通。
请参阅图6，带状射频传输线的基材层1的顶面和底面分别设有系统地层2。请参阅图7，微带射频传输线或共面波导线仅在其基材层1的底面设有系统地层2。优选的，带状射频传输线/微带射频传输线由PCB传输线生产工艺加工而成。
所述基材层1的材质包括但不限于PI、PTFE、PEEK、LCP、FR4和粘结片，所述屏蔽膜10包括但不限于EMI屏蔽膜和电磁屏蔽胶带。
步骤S2具体包括：先将屏蔽膜10的第一部分区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面或底面，然后将屏蔽膜10的第二部分区域与所述带状射频传输线/微带射频传输线的侧面粘接，再将屏蔽膜10余下的区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面或顶面。本实施例中，上述屏蔽膜10余下的区域对应于屏蔽膜10的两个端部。
进一步的，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面的下方；或者，所述屏蔽膜10的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面的上方。
为增加的生产速度、降低加工精度要求，可选的，所述屏蔽膜10的两个端部之间留有间隙9，所述保护层3通过所述间隙9外露。优选的，所述间隙9靠近所述开窗7设置。
当屏蔽膜10中导电胶的量不够时，可选的，步骤S1之后还具有步骤S12：向所述开窗7内填充导电介质，所述导电介质为导电胶。
为加速带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构的形成速度，步骤S3之后具有步骤S4：对所述屏蔽膜10进行熟化处理。本实施例中，所述熟化处理包括烘烤处理，具体的，将完成步骤S3的带状射频传输线/微带射频传输线放入烤箱中进行烘烤。
综上所述，本发明提供的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，设置包覆带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽膜，并让屏蔽膜与带状射频传输线/微带射频传输线的系统地层导通，从而形成一个完整的、封闭的屏蔽结构，有效地防止电磁信号从带状射频传输线/微带射频传输线的左右侧面泄露，极大程度上提高了带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽性能；带状射频传输线/微带射频传输线的顶面(或底面)面积大，先将屏蔽膜的第一部分区域粘接在此处，方便后续用屏蔽膜包覆带状射频传输线/微带射频传输线；屏蔽膜的两个端部堆叠或留有间隙，有利于降低带状射频传输线/微带射频传输线的屏蔽结构加工精度要求，利于控制生产成本。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，所述带状射频传输线/微带射频传输线包括基材层，所述基材层的至少一侧设有系统地层，所述系统地层远离所述基材层的一侧设置有保护层，其特征在于，包括如下步骤，
S1：在所述保护层上制造使所述系统地层外露的开窗；
S2：将屏蔽膜贴于所述带状射频传输线/微带射频传输线的表面，并使所述屏蔽膜包覆所述带状射频传输线/微带射频传输线，其中，所述屏蔽膜包括屏蔽层且屏蔽层的一侧具有导电胶；
S3：挤压屏蔽膜，使屏蔽膜上的导电胶填充所述开窗以让所述屏蔽膜与所述系统地层导通。
2.根据权利要求1所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，步骤S2具体包括：先将屏蔽膜的第一部分区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面或底面，然后将屏蔽膜的第二部分区域与所述带状射频传输线/微带射频传输线的侧面粘接，再将屏蔽膜余下的区域粘接在所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面或顶面。
3.根据权利要求2所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，所述屏蔽膜的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的底面的下方；或者，所述屏蔽膜的两个端部分别位于所述带状射频传输线/微带射频传输线的顶面的上方。
4.根据权利要求3所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，所述屏蔽膜的两个端部之间留有间隙，所述保护层通过所述间隙外露。
5.根据权利要求4所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，所述间隙靠近所述开窗设置。
6.根据权利要求3所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，步骤S2之后还具有步骤S22：将所述屏蔽膜的两个端部堆叠、粘接在一起。
7.根据权利要求1所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，步骤S1之后还具有步骤S12：向所述开窗内填充导电介质。
8.根据权利要求7所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，所述导电介质为导电胶。
9.根据权利要求1所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，步骤S3之后具有步骤S4：对所述屏蔽膜进行熟化处理。
10.根据权利要求9所述的带状射频传输线/微带射频传输线中屏蔽结构制造方法，其特征在于，所述熟化处理包括烘烤处理。
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