CN109036494A - 一种快速检测闪存瑕疵的方法 - Google Patents

一种快速检测闪存瑕疵的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109036494A
CN109036494A CN201810806210.8A CN201810806210A CN109036494A CN 109036494 A CN109036494 A CN 109036494A CN 201810806210 A CN201810806210 A CN 201810806210A CN 109036494 A CN109036494 A CN 109036494A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
flash memory
buffer
buffer area
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810806210.8A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡定国
李庭育
黄中柱
许豪江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Hua Cun Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201810806210.8A priority Critical patent/CN109036494A/zh
Priority to PCT/CN2018/105887 priority patent/WO2020015130A1/zh
Publication of CN109036494A publication Critical patent/CN109036494A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明公开了一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括以下步骤：A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器；B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1；C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器；D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2；E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对，是否有某位比特错误；F、有错误表示该位置的输入输出有问题；G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对，是否有某位比特错误；H、有错误表示该位置的输入输出有问题；I、设定一组时间阈值，本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值，在区域数内进行读取测试的方法相结合，使检测的速度快，检测准确，提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。

Description

一种快速检测闪存瑕疵的方法
技术领域
本发明涉及快速检测闪存瑕疵的技术领域，具体为一种快速检测闪存瑕疵的方法。
背景技术
闪存为非消失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，藉由下命令进行一些特性的控制以及读写资料。生产闪存的良率并非百分之百，常伴随着就绪忙碌引脚信号不良或读写上输入输出不正确的瑕疵。虽然读取闪存的标识号码是正确的，但之后进行生产失败后，追查原因后发现是闪存本身的瑕疵造成的，白白浪费时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值，在区域数内进行读取测试的方法相结合，使检测的速度快，检测准确，提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度的一种快速检测闪存瑕疵的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取，所述暂存器上设块组，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，所述暂存器上还设有缓冲区域。
优选的，所闪存芯片上包括资料资料暂存器。
优选的，一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器；
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1；
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器；
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2；
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对，是否有某位比特错误；
F、有错误表示该位置的输入输出有问题；
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对，是否有某位比特错误；
H、有错误表示该位置的输入输出有问题；
I、设定一组时间阈值。
优选的，一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、以块0为起始点，逐次往下一个块；
B、向页0发出读取命令；
C、取得读取反应时间，如果超过时间阈值，表示就绪忙碌引脚信号不良；
D、测试块是否小于区域数，测试块小于区域数的时候，选择大于0的数据，返回步骤A重新开始读取，当测试块大于区域数；
E、直接输出测试结果。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值，在区域数内进行读取测试的方法相结合，使检测的速度快，检测准确，提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
附图说明
图1为本发明检测闪存瑕疵方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案：一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取，其特征在于：所述暂存器上设块组，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，所述暂存器上还设有缓冲区域。
闪存芯片上包括资料资料暂存器。
一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器；
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1；
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器；
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2；
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对，是否有某位比特错误；
F、有错误表示该位置的输入输出有问题；
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对，是否有某位比特错误；
H、有错误表示该位置的输入输出有问题；
I、设定一组时间阈值。
一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、以块0为起始点，逐次往下一个块；
B、向页0发出读取命令；
C、取得读取反应时间，如果超过时间阈值，表示就绪忙碌引脚信号不良；
D、测试块是否小于区域数，测试块小于区域数的时候，选择大于0的数据，返回步骤A重新开始读取，当测试块大于区域数；
E、直接输出测试结果。
将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器，接从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1，同样将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器，从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2。取出缓冲区1，2与0x55，0xAA进行比特比对，是否有某位比特错误，有错误表示该位置的输入输出有问题。
接下来设定一组时间阈值，再区域数内，以块0为起始点，逐次往每一个块，向页0发出读取命令，然后取得读取反应时间，如果超过时间阈值，表示就绪忙碌引脚信号不良。经过上述两项检测便可先把有瑕疵的闪存先筛选掉。
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值，在区域数内进行读取测试的方法相结合，使检测的速度快，检测准确，提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
本发明的有益效果是：
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值，在区域数内进行读取测试的方法相结合，使检测的速度快，检测准确，提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取，其特征在于：所述暂存器上设块组，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，所述暂存器上还设有缓冲区域。
2.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：所闪存芯片上包括资料资料暂存器。
3.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器；
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1；
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器；
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2；
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对，是否有某位比特错误；
F、有错误表示该位置的输入输出有问题；
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对，是否有某位比特错误；
H、有错误表示该位置的输入输出有问题；
I、设定一组时间阈值。
4.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于：包括以下步骤：
A、以块0为起始点，逐次往下一个块；
B、向页0发出读取命令；
C、取得读取反应时间，如果超过时间阈值，表示就绪忙碌引脚信号不良；
D、测试块是否小于区域数，测试块小于区域数的时候，选择大于0的数据，返回步骤A重新开始读取，当测试块大于区域数；
E、直接输出测试结果。
CN201810806210.8A 2018-07-20 2018-07-20 一种快速检测闪存瑕疵的方法 Pending CN109036494A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810806210.8A CN109036494A (zh) 2018-07-20 2018-07-20 一种快速检测闪存瑕疵的方法
PCT/CN2018/105887 WO2020015130A1 (zh) 2018-07-20 2018-09-15 一种快速检测闪存瑕疵的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810806210.8A CN109036494A (zh) 2018-07-20 2018-07-20 一种快速检测闪存瑕疵的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109036494A true CN109036494A (zh) 2018-12-18

Family

ID=64643950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810806210.8A Pending CN109036494A (zh) 2018-07-20 2018-07-20 一种快速检测闪存瑕疵的方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109036494A (zh)
WO (1) WO2020015130A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1554069A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 ��ʽ���������Ƽ� 存储卡及其初始化设置方法
CN101540202A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质的快速筛选方法和系统
CN101866676A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 智微科技股份有限公司 用于多通道快闪存储系统的数据存取方法及其数据存取装置
CN102063943A (zh) * 2010-11-01 2011-05-18 香港应用科技研究院有限公司 Nand闪存参数自动检测系统
US20170308438A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory system, and method of operating memory device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100559509C (zh) * 2007-04-13 2009-11-11 福州瑞芯微电子有限公司 Bch纠错技术中的校验码写入方法及其写入装置
CN100458977C (zh) * 2007-04-29 2009-02-04 北京中星微电子有限公司 一种自适应控制闪存接口读写速度的装置和方法
CN103839592B (zh) * 2014-03-05 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法及装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1554069A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 ��ʽ���������Ƽ� 存储卡及其初始化设置方法
CN101540202A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 深圳市朗科科技股份有限公司 闪存介质的快速筛选方法和系统
CN101866676A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 智微科技股份有限公司 用于多通道快闪存储系统的数据存取方法及其数据存取装置
CN102063943A (zh) * 2010-11-01 2011-05-18 香港应用科技研究院有限公司 Nand闪存参数自动检测系统
US20170308438A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory system, and method of operating memory device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020015130A1 (zh) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10853238B2 (en) Unaligned data coalescing
JP4435833B2 (ja) 試験装置および選択装置
CN101599305B (zh) 具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法
TWI447731B (zh) 資料讀取方法、記憶體儲存裝置及其控制器
US9514843B2 (en) Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same
KR101891429B1 (ko) 임계 전압 분석
CN102568603A (zh) 数据传输装置、存储器控制装置和存储器系统
US20130024744A1 (en) Nonvolatile semiconductor memory and memory system
CN103811072B (zh) 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统
US20100195411A1 (en) Semiconductor memory device and fail bit detection method in semiconductor memory device
US9552287B2 (en) Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same
CN106340324A (zh) 半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法
US20140372831A1 (en) Memory controller operating method for read operations in system having nonvolatile memory device
US9754682B2 (en) Implementing enhanced performance with read before write to phase change memory
US20120173798A1 (en) Memory controller, memory device and method for determining type of memory device
US20130151752A1 (en) Bit-level memory controller and a method thereof
CN109710472A (zh) 内存自动化测试与分级方法
US20190278480A1 (en) Block management method, memory control circuit unit and memory storage apparatus
CN109036494A (zh) 一种快速检测闪存瑕疵的方法
US8065468B2 (en) Data storing methods and apparatus thereof
CN113419688B (zh) 一种mlc芯片的错误率分析方法、系统及装置
CN107481764B (zh) 一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统
TWI512734B (zh) 快閃記憶體及其存取方法
CN108231133A (zh) 一种Nand Flash坏块的使用方法
US11327770B2 (en) Data storage devices, access device and data processing methods

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181218

RJ01 Rejection of invention patent application after publication