CN108997016A - 一种高热导率硼化锆陶瓷及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于超高温陶瓷技术领域,公开了一种高热导率硼化锆陶瓷及其制备方法和应用,所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料,B2O3为催化剂,添加B和C烧结助剂后混合,得到ZrB2‑B2O3‑B‑C混合粉体,再将该混合粉体过筛,在热压烧结制得。该方法具有工艺简单、成本低等优点,制备的ZrB2陶瓷具有高热导率,其相对密度大于95%,热导率大于100W/(m·k),能够用于航空航天领域中,特别有望适用于高超声速飞行器的鼻锥和机翼前缘关键部位。
Description
技术领域
本发明属于超高温陶瓷材料技术领域,更具体地,涉及一种高热导率硼化锆陶瓷(ZrB2)及其制备方法和应用。
背景技术
超高温陶瓷主要包括熔点>3000℃的过渡金属硼化物、碳化物、氮化物及其相应的复相陶瓷,例如ZrB2、HfB2、ZrC、HfC、ZrB2-SiC、HfB2-SiC等,是重要的热防护结构材料。在超高温陶瓷家族中,ZrB2基超高温陶瓷具有高熔点、低密度、高强度等优异的特性。在航空航天、能源、机械等领域有着广泛的应用前景,特别在高超声速飞行器防护材料上具有很好的应用前景。然而其抗热性能还没有得到很好的解决,为了更好将高超声速飞行器热端的热量迅速扩散到冷端部位,要求防护材料具有更高的热导率。由于氧杂质、晶粒尺寸、致密度等因素的影响,现有技术制备的ZrB2多晶陶瓷的热导率在室温一般介于40~80W·m-1·K-1之间,限制了其在各领域的进一步应用。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的不足和缺点,提供一种高热导率ZrB2陶瓷。
本发明的另一目的在于提供上述高热导率ZrB2陶瓷的制备方法。
本发明的再一目的在于提供上述高热导率ZrB2陶瓷的应用。
本发明的目的通过下述技术方案来实现:
一种高热导率硼化锆陶瓷,所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料,B2O3为催化剂,添加B和C烧结助剂后混合,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体,再将该混合粉体过筛,经热压烧结制得。
优选地,所述热压烧结的具体方法:在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,升温至1000~1400℃,并保温Ⅰ,然后充入1atm的氩气,再升温至1800~2200℃,并保温Ⅱ,保温结束后降温至1200℃后随炉冷却。
优选地,所述升温的速率为5~30℃/min,所述保温Ⅰ的时间为1~4h,所述保温Ⅱ的时间为0.5~4h,所述降温的速率为10℃/min。
优选地,所述ZrB2:B2O3:B:C的质量比为(80~95):(0~15):(0.5~2):(0.5~3)。
更为优选地,所述ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3。
优选地,所述ZrB2粉的纯度为99~100%,粒径<1μm;所述B2O3粉的纯度为99~100%,所述B粉的粒径<0.5μm;C粉的粒径<0.5μm。
所述的高热导率硼化锆陶瓷的制备方法,包括如下具体步骤:
S1.将ZrB2粉、B2O3,B和C烧结助剂,以乙醇为溶剂,ZrB2作为球磨介质进行球磨混合,经干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
S2.将步骤S1中ZrB2-B2O3-B-C混合粉体过筛,放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以5~30℃/min的速率升温至1000~1400℃,并保温1~4h;
S3.然后充入1atm的氩气,再以5~30℃/min速率升温至1800~2200℃,并保温0.5~4h,保温结束后以5~15℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得硼化锆陶瓷。
优选地,步骤S2中所述升温的速率为10℃/min,所述升温的温度为1200℃,所述保温的时间为2h。
优选地,步骤S3中所述升温的速率为10℃/min,所述升温的温度为1950℃,所述保温的时间为2h。
所述的高热导率硼化锆陶瓷在航空航天领域中应用,特别有望适用于高超声速飞行器的鼻锥、机翼前缘等各种高温关键部位。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
1.本发明制得的ZrB2陶瓷具有高热导率,其相对密度大于95%,热导率大于100W/(m·k)。能够在高超声飞行、大气层再入和火箭推进系统等极端环境下应用。
2.本发明中ZrB2的氧含量越低,晶粒尺寸越大,致密度越高,其热导率越高。B2O3能够促进ZrB2粒径的快速长大,以B2O3作为促进晶粒长大的催化剂,可以制备出晶粒尺寸大的ZrB2陶瓷;同时以B和C作为除氧烧结助剂,可以降低ZrB2陶瓷的氧含量,改善ZrB2陶瓷的致密度。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的内容,但不应理解为对本发明的限制。若未特别指明,实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。除非特别说明,本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
实施例1
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以10℃/min的速率升温至1200℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温至1950℃,并保温2h,保温结束后以5℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为99%,热导率为113W·m-1·K-1。
实施例2
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为90:5:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以10℃/min的速率升温至1200℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温至1950℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为98%,热导率为102W·m-1·K-1。
实施例3
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以10℃/min的速率升温至1100℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温至1850℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为97%,热导率为103W·m-1·K-1。
实施例4
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为90:5:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以10℃/min的速率升温至1300℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温至2000℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为98%,热导率为96W·m-1·K-1。
实施例5
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为80:15:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以10℃/min的速率将升温至1300℃,并保温1h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温度至1950℃,并保温2h,保温结束后以15℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为96%,热导率为90W·m-1·K-1。
实施例6
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为90:5:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,在真空度<20Pa下,以10℃/min的速率升温至1200℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min的速率升温至2100℃,并保温2h,保温结束后以5℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为99%,热导率为105W·m-1·K-1。
实施例7
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为90:5:2:3%进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,在真空度<20Pa下,以10℃/min的升温速率升温至1000℃,并保温1h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min升温速率升温至1800℃,并保温1h,保温结束后以5℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为95%,热导率为87W·m-1·K-1。
实施例8
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,在真空度<20Pa下,以10℃/min的升温速率升温至1400℃,并保温4h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min升温速率升温至2050℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为99%,热导率为99W·m-1·K-1。
对比例1
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B:C的质量分数比为95:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B-C混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,在真空度<20Pa下,以10℃/min的速率升温至1200℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min速率升温至1950℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为99%,热导率为51W·m-1·K-1。
对比例2
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂。按ZrB2:B2O3的质量比为9:1的配比进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,在真空度<20Pa下,以10℃/min的升温速率升温至1200℃,并保温2h;
(3)然后充入1atm的氩气,再以10℃/min升温速率升温至1950℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得本实施例制备得到的ZrB2陶瓷的相对密度约为92%,热导率为58W·m-1·K-1。
对比例3
1.制备:
(1)以ZrB2粉(纯度99%,粒径0.8μm)为原料,以B2O3(纯度99%,粒径1μm)作为促进晶粒长大的催化剂,以B粉(纯度99.9%,粒径0.3μm)和C粉(纯度99.9%,粒径0.33μm)作为除氧烧结助剂。按ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3进行配料,以乙醇为溶剂,ZrB2球为球磨介质,在行星球磨机上以转速200r/min球磨混合4h,经混料、干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
(2)将ZrB2-B2O3-B-C混合粉体放入石墨模具中,施加30MPa的压力,充入1atm的氩气,再以5℃/min的速率升温至1950℃,并保温2h,保温结束后以10℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得ZrB2陶瓷。
2.性能测试:上述所制得的ZrB2陶瓷的相对密度约为90%,热导率为43W·m-1·K-1。
表1实施例1~8和对比例1~3的热导率
表1为实施例1~8和对比例1~3的热导率。从表1中可以看出,与对比例1~3相比,本发明制备的ZrB2陶瓷的热导率明显更高。这是由于ZrB2陶瓷的热导率依赖于多方面的因素,其中增加ZrB2晶粒尺寸,提高致密度,可以提高其热导率。在实施例1~8中添加B2O3作为催化剂,可以使ZrB2晶粒尺寸快速长大。对比例1中没有添加B2O3,制备的ZrB2陶瓷的热导率较低;在对比例2中,因为没有添加B和C作为除氧烧结助剂,使得其致密度不高,热导率也不高;在对比例3中没有采用二步保温法,催化剂和除氧烧结助剂的效果不明显,反而会作为杂质降低其热导率。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合和简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料,B2O3为催化剂,添加B和C烧结助剂后混合,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体,再将该混合粉体过筛,经热压烧结制得。
2.根据权利要求1所述的高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述热压烧结的具体方法:在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,升温至1000~1400℃,并保温Ⅰ,然后充入1atm的氩气,再升温至1800~2200℃,并保温Ⅱ,保温结束后降温至1200℃后随炉冷却。
3.根据权利要求2所述的高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述升温的速率为5~30℃/min,所述保温Ⅰ的时间为1~4h,所述保温Ⅱ的时间为0.5~4h,所述降温的速率为5~15℃/min。
4.根据权利要求1所述的高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述ZrB2:B2O3:B:C的质量比为(80~95):(0~15):(0.5~2):(0.5~3)。
5.根据权利要求4所述的高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述ZrB2:B2O3:B:C的质量比为85:10:2:3。
6.根据权利要求1所述的高热导率硼化锆陶瓷,其特征在于,所述ZrB2粉的纯度为99~100%,粒径<1μm;所述B2O3粉的纯度为99~100%,所述B粉的粒径<0.5μm;C粉的粒径<0.5μm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的高热导率硼化锆陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下具体步骤:
S1.将ZrB2、B2O3,B和C烧结助剂,以乙醇为溶剂,ZrB2作为球磨介质进行球磨混合,经干燥后,得到ZrB2-B2O3-B-C混合粉体;
S2.将步骤S1中ZrB2-B2O3-B-C混合粉体过筛,放入石墨模具中,在真空度<20Pa下,施加30MPa的压力,以5~30℃/min的速率升温至1000~1400℃,并保温1~4h;
S3.然后充入1atm的氩气,再以5~30℃/min速率升温至1800~2200℃,并保温0.5~4h,保温结束后以5~15℃/min的速率降温至1200℃后随炉冷却,制得硼化锆陶瓷。
8.根据权利要求7所述的高热导率硼化锆陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述升温的速率为10℃/min,所述升温的温度为1200℃,所述保温的时间为2h。
9.根据权利要求7所述的高热导率硼化锆陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤S3中所述升温的速率为10℃/min,所述升温的温度为1950℃,所述保温的时间为2h。
10.权利要求1-6任一项所述的高热导率硼化锆陶瓷在航空航天领域中的应用。
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