CN108962578A - 一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动，所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt％和0.1‑65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述方法实现了工业化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷，改进了主相晶粒界面，调整了晶界相成分及结构，促进了晶界相的再分布，提高了取向烧结磁体的磁性能、热稳定性。本发明还公开了采用所述方法修复得到的磁体。

Description

一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体

技术领域

本发明属于永磁材料制备领域，具体涉及一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复得到的磁体。

技术背景

第三代稀土钕铁硼(NdFeB)永磁材料由于具有高的饱和磁化强度、矫顽力和磁能积(BH)max良好的机械加工特性和相对低廉的价格，在许多领域得到广泛的应用，但易腐蚀、脆性大、工作温度偏低是制约烧结钕铁硼进一步发展和应用的主要缺陷，研究表明这些缺陷几乎都与晶界相、缺陷结构等密切相关。

研究表明，高取向度、细化均匀的晶粒与较细富稀土晶界相的连续均匀分布、光滑无缺陷的相界面等是制备高性能烧结钕铁硼磁体的关键因素。目前通常可采用溅射、涂覆膜层再加热处理的方法修复烧结钕铁硼磁体内部缺陷，但这些方法对取向烧结磁体内部缺陷的改善有限，对磁性能、耐热性的影响也不太稳定、容易使磁体取向度降低，且原料损耗高、处理成本高、处理磁体的质量不太稳定，成品率较低，不适于工业化推广应用等问题。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提供了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动。

所有利用原子扩散向磁体(包括磁环、磁瓦、磁片等)内部渗入某种元素的方法都基于固相反应的机理，即在高温条件下，当含有不同浓度元素的固体接触在一起的时候，元素会从浓度高的固体向浓度低的固体扩散，即发生原子迁移扩散运动，这也是渗透或扩散反应的机理。

优选的，渗透过程采用采用变速率升温和分段保温制度：以3-8℃/min的加热速率升温到500-800℃保温1-20h，然后再以0.5-4℃/min的加热速率缓慢升温到800-1050℃下保温3-40h，之后快速冷却或自然冷却至40-100℃，冷却中磁环继续保持相对于目标渗透源的相对运动，其中第二段升温速率小于第一段升温速率，总渗透时间控制在50h以内。

所述目标渗透源由35-99.9wt％渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素；所述渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种；所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物；所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种；

所述目标渗透源含有0.1-5wt％、熔点为29.8℃的金属Ga。

由于取向烧结磁体中存在很多缺陷，包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等，渗透进入磁体的元素会进行不同程度的二次化学反应，修复部分缺陷、也会有部分缺陷消失，使得主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整。

因此，本发明还提供了一种烧结取向钕铁硼磁体内部缺陷的修复方法，依次包括以下步骤：

A、磁体表面处理：去除磁体的表面污染物、锈迹及氧化层；

B、配制目标渗透源；

C、运动渗透处理：将经过步骤A表面处理的磁体与B步骤配置的预混合的

目标渗透源按照1:1-1:100的体积比分批装入处理设备进行运动渗透处理，

在渗透过程中，所述磁体与所述目标渗透源之间始终存在相对宏观运动，但

不包括球磨运动；运动渗透中保持真空或惰性气体气氛；所述相对运动为旋

转运动或搅拌运动；

D、运动渗透处理结束后，将磁体取出进行回火处理；

E、回火处理后，得到产品。

其中，所述步骤B包括：所述目标渗透源由35-99.9wt％渗透助剂和0.1-65wt％渗透助剂可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素；所述渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种；所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物；所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种；将各原料粉末按照上述比例进行混合，得到预混合的目标渗透源。

所述步骤C中，所述步骤C中，渗透温度为500-1050℃，时间1-100h。

优选的，采用缓慢升温和分段保温制度，避免了因磁体受热不均匀导致开裂、变形等问题，有效地提高了工业规模化处理磁体的质量及成品率，其中，以3-8℃/min的加热速率升温到500-800℃保温1-20h，然后再以0.5-4℃/min的加热速率缓慢升温到800-1050℃下保温3-40h，之后快速冷却或自然冷却至40-100℃，冷却中磁环继续保持相对于目标渗透源的相对运动，其中第二段升温速率小于第一段升温速率，总渗透时间控制在50h以内。

所述步骤D中，回火温度为400-600℃，时间1-20h。。

优选的，步骤A之前，还具有对取向磁体内外表面进行粗加工的步骤。

本发明还提供了一种采用前述方法修复后的烧结取向磁体，所述磁体包括2:14:1主相≥95％体积，Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、C、F、N中任一种或多种进入晶界相或晶界角隅后形成的化合物、固溶体占0.1-5％体积，晶界相中的O、C、F、N元素含量高于其在主相中的含量，Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti在晶界相的含量高于其在主相中的含量，主相中的稀土含量高于其在晶界相或晶界角隅中的含量。

所述烧结永磁的组成为以下通式表示：RaTbMcBdXe，其中：R为选自包括Y和Sc的稀土族元素中的至少一种元素，T为Fe和Co中的一种或两种，M为选自Al、Ti、Ni、Cu、Ga、Zr、Nb中的至少一种元素，B为硼，X为O、F、N、C、H中的至少一种元素；a、b、e、d、e表示重量百分比，28≤a≤35，0.5≤c≤5，0.95≤d≤1.2，0≤e≤0.5，余量为b。

本发明所述取向磁体的易磁化方向沿中心辐射取向。

其中，辐射取向磁体的成型步骤包括磁场取向成型步骤，成型中，取向磁场与模具之间存在相对旋转运动。

所述磁场取向成型包括如下步骤：(1)模腔内充填待成型磁粉，模腔内部设置一内磁极，模腔外部设置一外磁极；(2)外磁极相对模腔旋转、或模腔相对外磁极旋转，内、外磁极之间产生一取向磁场，所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转，对磁粉进行磁化和辐射取向；(3)旋转的同时，施加逐渐增加的压力对所述磁粉进行压制成型，得到辐射取向磁体坯体，将该坯体在1000-1100℃进行真空烧结，得到所述烧结取向磁体。

所述磁场取向成型包括如下步骤：(1)模腔内充填待成型磁粉，模腔内部设置一磁芯，模腔外部对称设置多个外磁极；(2)多个外磁极同时相对模腔旋转、或模腔相对所述外磁极旋转，磁芯与多个外磁极之间产生多个取向磁场，所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转，对磁粉进行磁化和辐射取向；(3)旋转的同时，施加逐步增加的压力对所述磁粉进行压制成型，得到辐射取向磁体坯体，将该坯体在1000-1100℃进行真空烧结，得到所述烧结取向磁体。

本发明通过对取向磁体的内部缺陷通过元素渗透进行修复，在提高磁体取向度的同时，提高了磁体的磁性能、热稳定性。

本发明具有以下突出的有益效果：

(1)本发明的缺陷修复方法实现了工业化或规模化生产中稳定地修复取向磁体的内部缺陷，改进了主相晶粒界面，调整了晶界相成分及结构，促进了晶界相的再分布，提高了取向烧结磁体的磁性能，与目前常用的双合金法、涂层、粉体覆盖等方法相比，目标元素进入磁体内部的渗透量易于控制、渗透均匀，不再受限于渗透原料的熔点、物性、状态，原料的选择范围广、成本低，且渗透效果好，可稳定提高烧结磁体的矫顽力、热稳定性。

(2)本发明使用的目标渗透源中含有选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种的渗透助剂，解决了目标渗透物、尤其是含有粘性较高的渗透物质时的流动性较差、扩散反应较难的问题，同时目标渗透源与磁体的相对运动中，对磁体内外表面具有摩擦清洗作用，随着磁体不断露出新鲜表面，目标渗透元素不断地进行渗透、扩散，促进渗透反应的进行，解决了工业生产中渗透反应效率低、目标元素渗透量难以控制的技术难题。

(3)本发明的目标渗透元素基本没有损耗，与磁体接触参与渗透的目标元素直接扩散入磁体内部，未进行扩散或渗透的目标元素仍然以原有的状态保留在渗透源中，下次可继续使用；而现有技术中的涂层、镀膜、粉体覆盖等工艺均存在着渗透反应结束后未参与、或未能完全渗透的膜、粉末或其他残留物，全部变成了废渣；因此与传统渗透工艺相比，本发明渗透元素利用率高、基本没有损耗、成本低，适用于产业化应用。

(4)本发明方法能够稳定提高烧结磁体的磁性能，其中矫顽力较处理前提高了40％，剩磁下降则不足4％，热稳定性显著提高。

(5)本发明在处理取向磁体时，采用分批加入，可防止磁体之间互相碰撞产生缺角、变形、损伤等现象，并且渗透处理中，采用缓慢速率升温及分段保温制度，有效的避免了因磁体受热不均匀导致开裂、变形等问题，使得渗透均匀、渗透反应效率高，提高了工业规模化处理磁体的质量及成品率。

具体实施例

下面结合具体实施方式对本发明做进一步详细说明，但本发明的保护范围并不限于此。

实施例1

一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，包括以下制备步骤：

A、按既定组成及配比准备待成型磁粉、取向成型、然后烧结得到取向烧结磁体，成型中所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转；所述磁粉的组成及配比为(重量百分比)：稀土PrNd含量28-31％，Dy+Tb含量1.5-6％，Co含量0.2-1％，B含量0.95-1.15％，Nb含量0.2-1％，Cu含量≤0.20％，Al含量0.2-1.0％，余量为Fe及不可避免的杂质；

B、预处理：去除磁体表面的污染物、锈迹及氧化层，优选地，预处理前先对磁体的内外表面进行粗加工，对待修复的磁体内部组织结构更加有利；

C、准备目标渗透源：目标渗透源的组成及配比主要包括：35-99.9wt％的氧化锆或氧化镁或氧化铝或氧化钛、0.1-5wt％的金属镓、0-37％的氟化铽、0-15wt％的羰基钴粉、0-8wt％铌粉；预先对氧化锆或氧化镁或氧化铝原料进行1050℃以上的高温烘烤，再将金属镓加热熔化加入到氧化锆粉末中，将经过120℃烘烤的氟化铽、羰基钴粉、铌粉依次加入到金属镓与氧化锆(或氧化镁或氧化铝或氧化钛)的预混合物中，混合均匀后，得到目标渗透源物质；

D、旋转渗透处理：将经过预处理的取向烧结磁体加入到可旋转、可抽真空的渗透处理装置中，将经过步骤B预处理的磁体与步骤C准备的目标渗透源物质按照1:1-1:100的体积比装入一可抽真空、可旋转和加热的容器中进行渗透处理；在渗透过程中，磁体与目标渗透源物质之间始终存在旋转运动，旋转速度为0.01rpm-6000rpm，优选0.5-1000rpm，更优选0.5-500rpm、或1-100rpm；运动渗透中先抽真空6Pa以下，优选小于6x10^-2Pa，之后充入惰性气体，具体为氮气或氩气；为避免磁体受热不均匀引起变形、开裂等问题，采用变速率升温和多段渗透保温制度；其中：以3-8℃/min的加热速率升温到600℃，保温5h，然后以0.5-3/min的速率升温至850-1050℃，保温8h，之后快速冷却或自然冷却至40-60℃，冷却中保持惰性气体保护气氛，且磁体继续保持相对于目标渗透源的相对旋转运动；

D、运动渗透处理结束后，将磁体取出，在410-580℃下回火处理2-8h。

磁性能测试表明：本实施例处理前取向烧结磁体的典型磁性能、热稳定性如下：剩磁Br＝13.06kGs、矫顽力Hcj＝18.21kOe、磁能积(BH)max＝39.06MGO，磁体从室温加热至120℃再回到室温，磁通热衰减-11.8％。

本实施例处理后取向烧结磁体的典型磁性能、热稳定性如下：剩磁Br＝12.64kGs、矫顽力Hcj＝25.79kOe，磁能积(BH)max＝38.12MGOe，磁体从室温加热至120℃再回到室温，磁通热衰减下降到-2.2％。

可见，本实施例处理后烧结磁体的矫顽力较处理前稳定地提高了近40％，剩磁下降不到4％，磁体从室温加热至120℃再回到室温的磁通热衰减小于2.1％，处理后烧结磁体的磁性能、热稳定性均显著提高。

进一步分析表明，处理后的磁体的相组成包括：包括2:14:1主相约≥95％体积，Ga、Nb、Cu、Al、O、C、F、N中任一种或多种进入晶界相或晶界角隅后形成的化合物、固溶体约占0.5-5％体积，晶界相中的O、C、F、N元素含量高于其在主相中的含量，Ga、Cu、Al、Nb、Co在晶界相的含量高于其在主相中的含量，主相中的稀土含量高于其在晶界相或晶界角隅中的含量。

实施例2

一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，包括以下制备步骤：

A、按既定组成及配比准备待成型磁粉、取向成型、然后烧结得到取向烧结磁体，成型中所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转；所述磁粉的组成及配比为(重量百分比)：稀土PrNd含量28-30％，Dy+Tb含量2-4％，Ho含量0.5-1.0％，Co含量0.1-0.5％，B含量0.95-1.15％，Nb+Zr含量0.5-2.0％，Cu含量0.50-1.0％，Al含量0.5-1.0％，Ti含量0.2-1.0％，余量为Fe及不可避免的杂质；；

B、预处理：去除磁体表面的污染物、锈迹及氧化层，优选地，预处理前先对磁体的内外表面进行粗加工，对待修复的磁体内部组织结构更加有利；

C、准备目标渗透源：目标渗透源的组成及配比主要包括：60-96.4wt％的氧化锆或氧化镁或氧化铝或氧化钛、0.1-5wt％的金属镓、1.5-15％的氟化铽、1.5-15％氟化镝、0.2-2.0wt％的羰基钴粉、0.3-3wt％铌粉或锆粉或钛粉；预先对氧化锆或氧化镁或氧化铝原料进行1050℃以上的高温烘烤，再将金属镓加热熔化加入到氧化锆粉末中，将经过120℃烘烤的氟化铽、氟化镝、羰基钴粉、铌粉或锆粉或钛粉依次加入到金属镓与氧化锆(或氧化镁或氧化铝)的预混合物中，混合均匀后，得到目标渗透源物质；

D、旋转渗透处理：将经过预处理的取向烧结磁体加入到可旋转、可抽真空的渗透处理装置中，将经过步骤B预处理的磁体与步骤C准备的目标渗透源物质按照1:1-1:100的体积比装入一可抽真空、可旋转和加热的容器中进行渗透处理；在渗透过程中，磁体与目标渗透源物质之间始终存在旋转运动，旋转速度为0.01rpm-6000rpm，优选0.5-1000rpm，更优选0.5-500rpm、或1-100rpm；运动渗透中先抽真空6Pa以下，优选小于6x10^-2Pa，之后充入惰性气体，具体为氮气或氩气；为避免磁体受热不均匀引起变形、开裂等问题，采用变速率升温多段渗透保温制度；以3-8℃/min的加热速率升温到800℃，保温1h，然后以0.5-2℃/min的速率升温至900-1000℃，保温8-12h，之后快速冷却或自然冷却至40-60℃，冷却中保持惰性气体保护气氛，且磁体继续保持相对于目标渗透源的相对旋转运动；

D、运动渗透处理结束后，将磁体取出，在550-600℃下回火处理4h。

磁性能测试表明：本实施例处理前取向烧结磁体的典型磁性能、热稳定性如下：剩磁Br＝13.58kGs、矫顽力Hcj＝18.03kOe、磁能积(BH)max＝42.93MGO，磁体从室温加热至120℃再回到室温，磁通热衰减-11.2％。

按照本实施例处理后取向烧结磁体的典型磁性能、热稳定性如下：剩磁Br＝13.12kGs、矫顽力Hcj＝24.98kOe，磁能积(BH)max＝40.87MGOe，磁体从室温加热至120℃再回到室温，磁通热衰减下降到-2.1％。

可见，本实施例处理后烧结磁体的矫顽力较处理前稳定地提高了37％，剩磁下降不到4％，磁体从室温加热至120℃再回到室温的磁通热衰减从处理前的-11.2％急剧下降到-2.1％，处理后烧结磁体的磁性能、热稳定性均得到显著提高。

进一步分析表明，处理后的磁体的相组成包括：包括2:14:1主相约≥96％体积，Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、C、F、N中任一种或多种进入晶界相或晶界角隅后形成的化合物、固溶体约占0.1-4％体积，晶界相中的O、C、F、N元素含量高于其在主相中的含量，Ga、Cu、Al、Nb、Co、Ti在晶界相的含量高于其在主相中的含量，主相中的稀土含量高于其在晶界相或晶界角隅中的含量，主相晶粒界面较为清晰光滑，起到了较好的去磁耦合作用，相邻主晶粒之间的晶界相呈均匀连续分布，具有一定宽度，取向度提高；通过控制步骤C中制备的目标渗透源中各元素的成分配比、步骤D的旋转速度、最高渗透温度及时间，可调节、控制上述元素进入主相的量、进入晶界相的量及进入晶界角隅相的量。

以上实施例仅是本发明的优选实施方式，并不能理解为本发明保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形、替代及改进，这些均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，其特征在于：采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，包括主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整；修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：采用变速率升温和分段保温制度：以3-8℃/min的加热速率升温到500-800℃保温1-20h，然后再以0.5-4℃/min的加热速率缓慢升温到800-1050℃下保温3-40h，之后快速冷却或自然冷却至40-100℃，冷却中磁体继续保持相对于目标渗透源的宏观相对运动，其中第二段升温速率小于第一段升温速率，总渗透时间控制在50h以内。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述目标渗透源包括35-99.9wt％的渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素；所述渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种；所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物；所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述目标渗透源含有0.1-5wt％、熔点为29.8℃的金属Ga。

5.一种烧结取向钕铁硼磁体内部缺陷的修复方法，依次包括以下步骤：

A、磁体表面处理：去除烧结取向磁体的表面污染物、锈迹及氧化层；

B、配制目标渗透源；

C、运动渗透处理：将经过步骤A表面处理的磁体与B步骤配置的预混合的目标渗透源按照1:1-1:100的体积比装入处理设备进行运动渗透处理，在渗透过程中，所述磁体与所述目标渗透源之间始终存在宏观相对运动，但不包括球磨运动；运动渗透中保持真空或惰性气体气氛，优选的，渗透温度为500-1050℃，时间1-100h；

D、运动渗透处理结束后，将磁体与目标渗透源分离，进行回火处理；优选的，回火温度为400-600℃，时间1-20h；

E、回火处理后，得到产品；

优选的，所述磁体的易磁化方向沿中心辐射取向。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述步骤B包括：所述目标渗透源由35-99.9wt％的渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素；所述渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种；所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物；所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种；将各原料粉末按照上述比例进行混合，得到预混合的目标渗透源。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于：所述辐射取向磁体采用磁场取向成型，成型中，取向磁场与模具之间存在相对旋转运动。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述磁场取向成型包括如下步骤：(1)模腔内充填待成型磁粉，模腔内部设置一内磁极，模腔外部设置一外磁极；(2)外磁极相对模腔旋转、或模腔相对外磁极旋转，内、外磁极之间产生一取向磁场，所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转，对磁粉进行磁化和辐射取向；(3)旋转的同时，施加逐渐增加的压力对所述磁粉进行压制成型，得到辐射取向磁体坯体，将该坯体在1000-1100℃进行真空烧结，得到所述烧结取向磁体坯体。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述磁场取向成型包括如下步骤：(1)模腔内充填待成型磁粉，模腔内部设置一磁芯，模腔外部对称设置多个外磁极；(2)多个外磁极同时相对模腔旋转、或模腔相对所述外磁极旋转，磁芯与多个外磁极之间产生多个取向磁场，所述取向磁场与磁粉之间存在相对旋转，对磁粉进行磁化和辐射取向；(3)旋转的同时，施加逐步增加的压力对所述磁粉进行压制成型，得到辐射取向磁体坯体，将该坯体在1000-1100℃进行真空烧结，得到所述烧结取向磁体坯体。

10.一种采用权利要求1-9中任一所述方法修复得到的烧结取向磁体，其特征在于：所述磁体包括2:14:1主相≥95％体积，Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、C、F、N中任一种或多种进入晶界相或晶界角隅后形成的化合物、固溶体占0.1-5％体积，晶界相中的O、C、F、N元素含量高于其在主相中的含量，Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti在晶界相的含量高于其在主相中的含量，主相中的稀土含量高于其在晶界相或晶界角隅中的含量。