CN108962302A - 一种可双路供电及读写的存储装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可双路供电及读写的存储装置，该装置包括有电源模块、第一电平转换模块、第二电平转换模块和存储单元，电源模块用于提供第一电源使能信号、第二电源使能信号以分别控制第一电平转换模块、第二电平转换模块，以实现电源模块仅连接第一电源时，外接设备可通过所述第一读写接口和第一电平转换模块以实现存储单元的数据读写；电源模块仅连接第二电源时，外接设备可通过第二读写接口和第二电平转换模块以实现存储单元的数据读写；电源模块同时连接第一电源和第二电源时，外接设备可通过所述第一读写接口和第一电平转换模块以实现存储单元的数据读写，以实现仅有一种供电方式或两种供电方式共存时外部设备可对存储单元进行数据读写。

Description

一种可双路供电及读写的存储装置
技术领域
本发明属于存储技术领域，具体涉及一种可双路供电及读写的存储装置。
背景技术
存储装置是用于储存信息的装置，通常是将信息数字化后再以利用电、磁或光学等方式的媒体加以存储。常用存储装置由存储元件、主控器、接口电路和电源电路组成，其中，电源电路给整个存储装置供电，从主控器引出的接口电路用于连接外部设备，以实现外部设备对存储元件的读写。
现有的存储装置存在以下不足，其一，在主电源电路不供电的情况下，引出的几种接口电路中任意一种均无法读写存储元件；其二，当主控器不工作的情况下，引出的几种接口电路中任意一种也均无法读写存储元件，例如，放置在某一电子设备中的存储装置，可由电子设备本身进行读写，也可由其它电子设备通过接口电路进行读写，然而在电子设备不供电的情况下，其它电子设备也无法通过接口电路进行读写。另外，如果提供两种供电方式及双路接口电路对存储装置进行供电时，一旦产生两种供电方式同时接入，则会因为供电电压不相同时则会造成电路短路对电子设备造成损坏。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种可双路供电及读写的存储装置，其电源模块通过设置第一电源使能信号、第二电源使能信号以分别控制第一电平转换模块、第二电平转换模块的开启或关闭，以实现仅有一种供电方式或两种供电方式共存时外部设备可对存储单元进行数据读写。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种可双路供电及读写的存储装置，该装置包括有电源模块、第一电平转换模块、第二电平转换模块和存储单元，其中，
电源模块用于与外部的第一电源和/或第二电源电连接且同时与第一电平转换模块和第二电平转换模块电连接，该电源模块用于提供第一电源使能信号、第二电源使能信号以分别控制第一电平转换模块和第二电平转换模块工作；
第一电平转换模块和第二电平转换模块均与存储单元连接，且第一电平转换模块和第二电平转换模块还分别设置有第一读写接口和第二读写接口，该第一读写接口和第二读写接口可在对应的第一电平转换模块和第二电平转换模块工作时允许外接设备通过其和对应的电平转换模块对存储单元进行数据读写；
且电源模块可在仅连接第一电源或仅连接第二电源时分别产生第一电源使能信号和第二使能信号，并在其同时连接第一电源和第二电源时仅产生第一电源使能信号或第二电源使能信号，实现在一种或两种供电方式共存时外部设备可对存储单元进行可靠数据读写。
作为本发明的进一步改进，第一电源和第二电源设置可为不同或相同电压的电源。
作为本发明的进一步改进，第一读写接口和第二读写接口接口类型不同。
作为本发明的进一步改进，外接设备还可以通过接口转换电路连接第一电平转换模块和/或第二电平转换模块。
作为本发明的进一步改进，存储单元可以为EMMC、Sata memory、Nandflash和串口存储器。
作为本发明的进一步改进，电源模块通过设置MOS管的导通或截止以控制第一电源使能信号和第二电源使能信号。
作为本发明的进一步改进，第一电源和第二电源之间串联有极性相反的第一二极管和第二二极管，第一电源还设置连接有第一电阻以及第一MOS管的栅极，第一二极管和第二二极管之间设置有并联第二电阻和第三电阻，第二电阻的另一端连接第一MOS管的漏极，第三电阻的另一端设置连接第二MOS管的漏极，第一MOS管的漏极连接第二MOS管的栅极，第一电阻的另一端、第一MOS管的源极和第二MOS管的源极均接地，第一MOS管的漏极输出即为第二电源使能信号，第二MOS管的漏极输出即为第一电源使能信号。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
(1)本发明的可双路供电及读写的存储装置，其电源模块通过设置第一电源使能信号、第二电源使能信号以分别控制第一电平转换模块、第二电平转换模块的开启或关闭，以实现仅有一种供电方式或两种供电方式共存时外部设备可对存储单元进行数据读写。
(2)本发明的可双路供电及读写的存储装置通过在电源模块设计双电源接入电路设计，使得两种电源同时接入的误操作时不会因为电压不同造成短路，并采用MOS管来产生第一电源使能信号、第二电源使能信号以控制存储设备的读写接口的使能，保证存储装置的电源及读写的可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置结构示意图；
图2是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置电路示意图；
图3是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置的电源模块电路示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面结合具体实施方式对本发明进一步详细说明。
图1是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置结构示意图。如图1所示，存储单元分别连接有第一电平转换模块和第二电平转换模块，其中，第一电平转换模块设置有第一接口用于直连其他设备，第一电平转换模块还设置有使能接口用于连接电源模块；第二电平转换模块设置有第二接口用于直连其他设备，第二电平转换模块还设置有使能接口用于连接电源模块；电源模块用于提供第一电平转换模块和第二电平转换模块的电源，电源模块连接有电源D和电源E，其中，电源模块工作原理如下：
电源模块仅连接第一电源时，电源模块发送第一电源使能信号给第一电平转换模块，外接设备可通过第一接口和第一电平转换模块连接存储单元并进行数据读写；
电源模块仅连接第二电源时，电源模块发送第二电源使能信号给第二电平转换模块，外接设备可通过第二接口和第二电平转换模块连接存储单元并进行数据读写；
电源模块同时连接第一电源和第二电源时，电源模块仅发送第一电源使能信号给第一电平转换模块，外接设备可通过第一接口和第一电平转换模块连接存储单元并进行数据读写。
图2是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置电路示意图。如图2所示，电源模块为电源变换及互斥保护逻辑电路，其外接有电源D和电源E，电源变换及互斥保护逻辑电路转换出3.3V、1.8V、1.2V用于供给整个存储装置电源，同时转换出使能信号ENA和ENB，存储单元S为EMMC存储器，其中，
电源变换及互斥保护逻辑电路仅连接电源D时，电源变换及互斥保护逻辑电路发送电源使能信号ENA给3.3V转1.8V模块A，外接设备可通过EMMC接口A和3.3V转1.8V模块A连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写；
电源变换及互斥保护逻辑电路仅连接电源E时，电源变换及互斥保护逻辑电路发送电源使能信号ENB给1.8V转1.2V模块B，外接设备可通过EMMC接口B和1.8V转1.2V模块B连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写，外接设备还可以通过USB接口C、USB转EMMC电路、EMMC接口B和电平转换模块B连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写；
电源变换及互斥保护逻辑电路同时连接电源D和电源E时，电源变换及互斥保护逻辑电路仅发送电源使能信号ENA给3.3V转1.8V模块A，外接设备可通过EMMC接口A和3.3V转1.8V模块A连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写。当然，图2仅为示意图，存储单元S可以为USB、Nandflash和串口存储器等存储设备，电源D、E的电压值、电路转换模块的数量和排列方式可以依据需要进行调整并不仅限于图示。
图3是本发明实施例的可双路供电及读写的存储装置的电源模块电路示意图。如图3所示，5V0即为可双路供电及读写的存储装置的电源D，USB3_VCC即为可双路供电及读写的存储装置的电源E，5V0连接二极管V11的一端、电阻R280的一端以及N-MOS管U38的栅极，二极管V11的另一端输出为5V0_eMMC，5V0_eMMC同时连接电阻R279和电阻R281的一端，R279的另一端连接N-MOS管U38的漏极，R281的另一端连接N-MOS管U39的漏极，N-MOS管U38的漏极输出的信号为USB_eMMC_OE即为保护逻辑电路仅发送电源使能信号ENB，USB_eMMC_OE连接MOS管U39的栅极，N-MOS管U39的漏极输出的信号为PPC_eMMC_OE即为保护逻辑电路仅发送电源使能信号ENA，N-MOS管U38和U39的源极均接地。
电源变换及互斥保护逻辑电路仅连接5V0时，N-MOS管U38的栅极为高电平，N-MOS管U38导通，N-MOS管U38的漏极电压等同于其源极电压，即N-MOS管U38的漏极电压等同接地，继而N-MOS管U39的栅极为低电压，MOS管U39处于截止状态，5V0_eMMC置高，此时，USB_eMMC_OE置低，而PPC_eMMC_OE置高，电源模块中PPC_eMMC_OE输出高电平即输出电源使能信号ENA给3.3V转1.8V模块A，外接设备可通过EMMC接口A和3.3V转1.8V模块A连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写；
电源变换及互斥保护逻辑电路仅连接USB3_VCC时，MOS管U38的栅极为低电平，N-MOS管U38处于截止状态，5V0_eMMC置高，此时N-MOS管U39的栅极为高电平，N-MOS管U39导通，N-MOS管U39的漏极电压等同于其源极电压，即N-MOS管U39的漏极电压等同接地，因此，USB_eMMC_OE置高，而PPC_eMMC_OE置低，电源模块中USB_eMMC_OE输出高电平即输出电源使能信号ENB给1.8V转1.2V模块B，外接设备可通过EMMC接口B和1.8V转1.2V模块B连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写，外接设备还可以通过USB接口C、USB转EMMC电路、EMMC接口B和电平转换模块B连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写；
电源变换及互斥保护逻辑电路同时连接USB3_VCC和5V电源E时，N-MOS管U38的栅极为高电平，N-MOS管U38导通，N-MOS管U38的漏极电压等同于其源极电压，即N-MOS管U38的漏极电压等同接地，继而N-MOS管U39的栅极为低电压，N-MOS管U39处于截止状态，5V0_eMMC置高，此时，USB_eMMC_OE置低，而PPC_eMMC_OE置高，电源模块中USB_eMMC_OE输出高电平即输出电源使能信号ENA给3.3V转1.8V模块A，外接设备可通过EMMC接口A和3.3V转1.8V模块A连接存储单元S(EMMC存储器)并进行数据读写。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种可双路供电及读写的存储装置，其特征在于，该装置包括有电源模块、第一电平转换模块、第二电平转换模块和存储单元，其中，
所述电源模块用于与外部的第一电源和/或第二电源电连接且同时与所述第一电平转换模块和第二电平转换模块电连接，该电源模块用于提供第一电源使能信号、第二电源使能信号以分别控制所述第一电平转换模块和所述第二电平转换模块工作；
所述第一电平转换模块和第二电平转换模块均与所述存储单元连接，且所述第一电平转换模块和第二电平转换模块还分别设置有第一读写接口和第二读写接口，该第一读写接口和第二读写接口可在对应的第一电平转换模块和所述第二电平转换模块工作时允许外接设备通过其和对应的电平转换模块对存储单元进行数据读写；
且所述电源模块可在仅连接第一电源或仅连接第二电源时分别产生第一电源使能信号和第二使能信号，并在其同时连接第一电源和第二电源时仅产生第一电源使能信号或第二电源使能信号，实现在一种或两种供电方式共存时外部设备可对存储单元进行可靠数据读写。
2.根据权利要求1所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，所述第一电源和第二电源设置可为不同或相同电压的电源。
3.根据权利要求1所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，所述第一读写接口和第二读写接口接口类型不同。
4.根据权利要求3所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，外接设备还可以通过接口转换电路连接所述第一电平转换模块和/或所述第二电平转换模块。
5.根据权利要求1所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，所述存储单元可以为EMMC、Sata memory、Nandflash和串口存储器。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，所述电源模块通过设置MOS管的导通或截止以控制第一电源使能信号和第二电源使能信号。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的一种可双路供电及读写的存储装置，其中，所述第一电源和第二电源之间串联有极性相反的第一二极管和第二二极管，第一电源还设置连接有第一电阻以及第一MOS管的栅极，第一二极管和第二二极管之间设置有并联第二电阻和第三电阻，第二电阻的另一端连接第一MOS管的漏极，第三电阻的另一端设置连接第二MOS管的漏极，第一MOS管的漏极连接第二MOS管的栅极，第一电阻的另一端、第一MOS管的源极和第二MOS管的源极均接地，所述第一MOS管的漏极输出即为所述第二电源使能信号，所述第二MOS管的漏极输出即为所述第一电源使能信号。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103457348A (zh) * 2012-05-28 2013-12-18 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路及其操作方法
CN103903647A (zh) * 2007-02-16 2014-07-02 莫塞德技术公司 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器
CN104882155A (zh) * 2015-04-30 2015-09-02 厦门睿联创信息科技有限公司 低功耗防丢安全优盘
CN207265705U (zh) * 2017-09-19 2018-04-20 上海丹焱信息科技有限公司 一种具有供电电路的电子装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103903647A (zh) * 2007-02-16 2014-07-02 莫塞德技术公司 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器
CN103457348A (zh) * 2012-05-28 2013-12-18 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路及其操作方法
CN104882155A (zh) * 2015-04-30 2015-09-02 厦门睿联创信息科技有限公司 低功耗防丢安全优盘
CN207265705U (zh) * 2017-09-19 2018-04-20 上海丹焱信息科技有限公司 一种具有供电电路的电子装置

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