CN108933199B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置,所述显示装置包括:第一基板;在所述基板上的发光二极管;在发光二极管上的第二基板;以及在第一基板与第二基板之间并且围绕发光二极管的坝,其中所述坝包含树脂和板状填充物,并且所述板状填充物布置为与第一基板的表面不平行。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年5月29日提交于日本的日本专利申请第2017-105603号的权益,其通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种有机电致发光装置(显示装置)。
背景技术
在有机电致发光装置中,由氧和/或水分产生有机材料的降解,使得发光效率降低。为了防止降解,有机材料被密封或封装以防止氧和/或水分的渗透。
在有机电致发光装置的厚度方向上,形成无机层(膜)或金属层以阻止氧和/或水分的渗透。在电致发光装置的一侧,有机材料周围被坝材料密封以阻止氧和/或水分的渗透。
例如,日本专利公开2015-151528号公开了一种使用用于坝材料的包含聚合化合物、填充物和聚合引发剂的可固化组合物的有机电致发光装置。此外,在日本专利公开2015-151528号中,通过使用包含表面改性的板状无机颗粒作为填充物的可固化组合物,当排出可固化组合物以形成坝材料时,精确地控制排出量。
发明内容
因此,本公开涉及一种有机电致发光装置,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题,并且具有其他优点。
本公开的附加特征和实施方案将在随后的描述中阐述,并且从描述中将变得明显。本公开的这些和其他技术改进将通过书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
如在本文中体现和广泛描述的,本公开提供了一种显示装置,其包括:基板(其在本公开中可以称为第一基板);在所述基板上的发光二极管;在发光二极管上的对置基板(其在本公开中可以称为第二基板);以及在第一基板与第二基板之间并且围绕发光二极管的坝,其中坝包含树脂和板状填充物,并且板状填充物布置为与第一基板的表面不平行。
在另一个实施方案中,本公开提供了一种制造有机电致发光装置的方法,该方法包括:在基板上形成发光二极管;通过涂敷坝材料溶液在基板上在发光二极管周围处形成坝材料图案,所述坝材料溶液包含树脂和板状填充物;在坝材料图案上设置对置基板;以及通过固化坝材料图案来形成坝,其中坝中的板状填充物布置为与基板的表面不平行。
在另一实施方案中,本公开提供了一种制造有机电致发光装置的方法,该方法包括:在基板上形成发光二极管;在发光二极管上形成金属层;通过涂覆坝材料溶液在基板上在发光二极管周围和金属层的侧面上形成坝材料图案,所述坝材料溶液包含树脂和板状填充物;以及通过固化坝材料图案来形成坝,其中所述坝中的板状填充物布置为与基板的表面不平行。
前面的一般描述和下面的详细描述是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施方案,并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据本发明的第一实施方案的有机电致发光装置的示意性截面图。
图2是示出现有技术的有机电致发光装置中的水分渗透的示意性截面图。
图3是示出根据本发明的第一实施方案的有机电致发光装置中的水分渗透的示意性截面图。
图4是根据本发明的第二实施方案的有机电致发光装置的示意性截面图。
图5是示出用于有机电致发光装置的示例性制造方法的排出单元的图。
图6是示出有机电致发光装置的示例性制造方法的图。
图7是示出用于图6的制造方法的排出喷嘴的图。
图8是示出本发明的制造方法中的两个基板的附接工艺的图。
具体实施方式
如上所述,日本专利公开2015-151528号公开了使用坝材料以阻止氧和/或水分的渗透的有机电致发光装置。然而,为了充分阻止氧和/或水分的渗透,必须增加坝材料的宽度,即沿平面方向的厚度。另一方面,为了减小有机电致发光装置的非显示区域、尺寸和重量并且改进有机电致发光装置的设计,期望坝材料的宽度变窄。即,需要窄边框结构。
因此,氧和/或水分渗透的阻止性和窄边框结构具有折衷关系。
本发明提供了具有窄边框结构并且能够充分地阻止氧和/或水分的渗透的有机电致发光装置以及制造该有机电致发光装置的方法。
现在将详细参考所公开的实施方案,其示例在附图中示出。
图1是根据本发明的第一实施方案的有机电致发光装置的示意性截面图。图2是示出现有技术的有机电致发光装置中的水分渗透的示意性截面图,以及图3是示出根据本发明的第一实施方案的有机电致发光装置中的水分渗透的示意性截面图。
图1的有机电致发光装置(显示装置)1是顶部发光型装置。或者,有机电致发光装置1可以是底部发光型装置。
参照图2和图3,说明了阻止氧和/或水分渗透的机制。在图2和图3中,示出了没有(图1的)阻挡层12和(图1的)钝化层14的有机电致发光装置1。
如图2所示,坝16包含树脂17和具有球形形状的吸气剂19。由于吸气剂19具有球形形状,所以当水分沿垂直方向移动(渗透)到有机电致发光装置1的截面(即,图2中的左方向)时,阻止水分的效果减小。即,水分在坝16中以基本上最小的路径渗透,使得对水分的阻止性降低。为了提供足够的阻止性,必须沿着宽度方向(即,图2中的左右方向)增加坝16的厚度。因此,为了提供足够的阻止性,窄边框特性劣化。在现有技术的有机电致发光装置中,边框的宽度等于或大于4.5mm。
另一方面,在本发明中,有机电致发光装置1中的坝16还包含板状填充物18。即,坝16包含树脂17和板状填充物18,并且可选地还包含吸气剂19,板状填充物18以与有机电致发光装置1的截面的垂直方向(即,图3中的左右方向)不平行的方式对准(或布置)。即,板状填充物18与基板11的顶表面倾斜或垂直对准。换句话说,板状填充物18的长轴与基板11的顶表面不平行。在图3中,板状填充物18相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向垂直对准。由于板状填充物18不具有球形形状,所以当水分渗透到发光二极管13所位于的封闭空间中时有效地或充分地阻止水分。因此,水分在坝16中以比最小路径长的非最小路径渗透,使得水分被具有小宽度的坝16有效地阻止。即,有机电致发光装置1的边框减小(窄边框)。
<有机电致发光装置1>
本发明的有机电致发光装置1包括:基板11,在基板11上或上方的发光二极管13,在发光二极管13上或上方的对置基板20,以及密封(或封装)发光二极管13周围的坝16。坝16包含树脂17和板状填充物18。板状填充物18被对准成相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向即基板11的顶表面不平行。
坝16还可以包含吸气剂19。在基板11的顶面上可以设置有阻挡层12。即,阻挡层12可以位于基板11和发光二极管13之间。在发光二极管13的顶表面和侧表面上可以设置有钝化层14,并且填充层15可以填充由坝16、基板11和对置基板20围绕的空间。钝化层14可以具有无机层的单层结构。或者,钝化层14可以具有顺序堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层的三层结构,使得钝化层14可以用作封装层(或膜)。填充物层15可以包括板状填充物。在这种情况下,在填充物层15的发光二极管13的横侧的区域中的板状填充物被对准成相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行,而在填充物层15的发光二极管13的前侧的区域中的板状填充物被对准成相对于有机电致发光装置1的截面不平行。
在图1中,坝16设置在基板11与对置基板20之间,但不限于此。需要坝16来密封发光二极管13周围(横向侧)。例如,如图4所示,坝16可以密封对置基板(金属层)41和发光二极管13两者的横侧面。
对有机电致发光装置1的元件进行更详细地说明。
<基板11>
在基板11上形成有发光二极管13。例如,基板11可以是玻璃基板或塑料基板,但不限于此。
<阻挡层12>
在基板11上形成有阻挡层12。阻挡层12具有抗氧和/或水分的阻止性,并且对阻挡层12的材料没有限制。例如,诸如硅氧化物、硅氮化物和铝氧化物的绝缘材料可以用于阻挡层12。阻挡层12可以具有单层结构或多层(至少两层)结构。
虽然未示出,但是可以在阻挡层12上形成包括构成用于驱动发光二极管13的驱动电路的TFT的薄膜晶体管(TFT)层。
<发光二极管13>
在TFT层上或上方形成有发光二极管13。发光二极管13可以包括阳极、阳极上的有机化合物层(有机发光层)和有机化合物层上的阴极。有机化合物层可以包括顺序堆叠在阳极上的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
发光二极管13的每个层可以由公知材料形成。
例如,阳极可以是由高反射性材料例如铝、银、铂或铬形成的薄膜的反射电极。此外,还可以在高反射性材料薄膜上形成例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电氧化物材料的薄膜。
在像素的每个子像素中有机化合物层可以包括红色(R)有机化合物层、绿色(G)有机化合物层和蓝色(B)有机化合物层。红色有机化合物层、绿色有机化合物层和蓝色有机化合物层可以由公知材料形成。
阴极可以是由银、银合金、ITO或IZO形成的薄膜的半透明电极或透明电极。
<钝化层14>
在发光二极管13上形成有钝化层14。钝化层14形成在发光二极管13的上表面和侧表面上以覆盖发光二极管13。
钝化层14包括具有低水分渗透性的无机层并且用作保护发光二极管13免受水分和/或氧的保护层。例如,钝化层14可以是硅氧化物层或硅氮化物层。或者,钝化层14具有多层结构,该多层结构包括顺序堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层,使得钝化层14可以用作封装层(或膜)。
<坝16>
在阻挡层12上在发光二极管13周围形成有坝16以围绕包括发光二极管13的面板的边缘。即,坝13围绕有机电致发光装置1的以矩阵布置的多个发光二极管13所位于的显示区域。
在形成有坝16的基板11上方设置有对置基板20,并且通过坝16将对置基板20固定为面向基板11。即,坝16被设置在基板11(或阻挡层12)和对置基板20之间,并通过坝16、基板11和对置基板20形成封闭空间。发光二极管13被密封在封闭空间内。
坝16包含树脂17和板状填充物18。坝16还可以包含吸气剂19和弹性间隔物71(图8)。
坝16具有等于或小于3mm,有利地等于或小于2mm,并且更有利地等于或小于1mm的宽度。在坝16具有等于或小于3mm的宽度的情况下,有机电致发光装置1的边框变小,使得非显示区域、尺寸和重量进一步减小,并且设计性进一步提高。
坝16的宽度是坝16在与有机电致发光装置1的截面垂直的方向上的长度。换句话说,坝16的宽度是沿与延伸方向垂直并与基板11的主表面(顶表面)平行的方向上的长度。在图1中,坝16的宽度是坝16在左右方向(水平方向)上的长度。
<树脂17>
树脂17可以是热固性树脂或光固化树脂。例如,树脂17可以是环氧树脂或丙烯酸树脂。
此外,为了使板状填充物18在期望的方向上有效地对准,可以将液晶单体或偶氮苯化合物作为对准剂添加到树脂17中。即,树脂17还可以包括液晶单体或偶氮苯化合物。
通过使液晶单体对准,还可以控制坝16中的板状填充物18的对准。
偶氮苯化合物具有顺式/反式异构体,使得可以通过光辐射来控制偶氮苯化合物的结构或构成。例如,通过加热产生从顺式结构异构化为反式结构,还可以控制坝16中的板状填充物18的对准。
<板状填充物18>
坝16中的板状填充物18被布置(或对准)成与有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行。换句话说,板状填充物18相对于基板11的顶表面垂直或倾斜地布置。当将板状填充物18布置成与有机电致发光装置1的截面的垂直方向平行的情况下,防止水分和/或氧沿有机电致发光装置1的截面方向渗透被降低,使得需要增加边框的宽度。但是,当将板状填充物18布置成与有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行的情况下,水分和/或氧的渗透路径增加,使得防止水分和/或氧的阻止性得到改善。结果,提供了窄边框有机电致发光装置1。
板状填充物18的对准方向与有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行,但优选的是,板状填充物18的对准方向与有机电致发光装置1的截面的垂直方向基本上垂直。此外,优选的是,将全部的板状填充物18布置成与有机电致发光装置1的截面的垂直方向垂直。然而,考虑到生产成品率和生产成本,控制板状填充物18的有序参数。
将没有任何对准地随机分散的板状填充物18控制为朝向相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向的垂直方向对准。不必全部的板状填充物18沿着相同的方向对准。
坝16中的板状填充物18的有序参数可以等于或大于0.5,并且有利地为0.5至0.8。
有序参数可以通过公知方法来测量。例如,可以使用扫描电子显微镜(SEM)测量有序参数。
板状填充物18的形状可以是角板或圆板,但不限于此。
板状填充物18具有高纵横比。纵横比是长轴(长边)的长度与短轴(短边)的长度的比率。例如,板状填充物18可以由粘土、云母或滑石形成。
板状填充物18的纵横比可以等于或大于10,有利地等于或大于25或50,并且更有利地等于或大于100。对纵横比的上限没有限制。考虑到操作效率,板状填充物18的纵横比可以等于或小于100000。当使用具有等于或大于10的纵横比的板状填充物18时,防止水分和/或氧的阻止性能进一步增加。
例如,板状填充物18的长轴长度(直径)可以具有10nm至10μm的范围,但是其不限于此。
<吸气剂19>
坝16可以包含吸气剂19。吸气剂19在坝16中不是必不可少的。水分和/或氧可以被吸气剂19吸收,由于吸气剂19使得坝16的阻止性可以进一步增加。
例如,化学吸湿剂或物理吸湿剂可以用于吸气剂19。例如,钙氧化物、钡氧化物、锶氧化物、镁氧化物、硫酸锂、硫酸钠、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钴、硫酸镓、硫酸钛、硫酸镍、沸石、多孔二氧化硅、活性炭或它们的组合可以用于吸气剂19。
<弹性间隔物71>
坝16还可以包括弹性间隔物71(图8)。例如,弹性间隔物71可以由弹性树脂形成,但是不限于此。由于用于形成坝16的坝材料溶液中的弹性间隔物71,确保了基板11与对置基板20之间的间隙。
在基板11和对置基板20的附接工艺中,施加应力,使得弹性间隔物71弹性变形。结果,基板11和对置基板20被牢固地附接。然后,释放或去除应力,使得弹性变形得以恢复。当弹性变形恢复时,由弹性变形导致的坝材料溶液中的板状填充物18的对准无序也基本上恢复到接近原始对准。
此外,在释放或去除应力之后,坝16沿垂直方向的中心部分凹陷。即,坝16的内壁和外壁具有凹的形状。
<添加剂>
坝材料溶液还可以包含公知添加剂。例如,坝材料溶液可以包含硅烷偶联剂。
<对置基板20>
对置基板20可以是玻璃基板。通过使用透明基板作为对置基板20提供顶部发光型有机电致发光显示装置。对置基板20面向基板11并且被固定并粘附在坝16上。对置基板20可以用作封装基板。
<填充物层15>
填充物层15可以填充由基板11、对置基板20和坝16围绕的封闭空间以覆盖或密封发光二极管13。即,填充物层15在其中包括发光二极管13。例如,填充物层15可以由具有吸湿性的透明树脂形成。
<有机电致发光装置的应用>
本发明公开的有机电致发光装置被应用于显示装置或照明装置。
例如,当使用有机电致发光装置作为显示装置时,红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管可以分别位于每个子像素中。或者,可以在蓝色发光二极管的一侧形成颜色转换层和滤色器以提供红色、绿色和蓝色。此外,滤色器可以形成在白色发光二极管的一侧。
例如,蓝色发光二极管形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个中,并且红色转换层(可以包括红色量子点)和绿色转换层(可以包括绿色量子点)分别形成在红色像素和绿色像素中。来自蓝色发光二极管的蓝色光被红色像素中的红色转换层转换成红色光,并且来自蓝色发光二极管的蓝色光被绿色像素中的绿色转换层转换成绿色光。在这种情况下,红色转换层和绿色转换层分别用作红色滤色器和绿色滤色器。因此,可以提供全色图像。此外,红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中,以改善颜色纯度。在这种情况下,红色转换层设置在红色像素中的蓝色发光二极管和红色滤色器之间,并且绿色转换层设置在绿色像素中的蓝色发光二极管和绿色滤色器之间。
或者,白色发光二极管形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个中,并且红色转换层(可以包括红色量子点)、绿色转换层(可以包括绿色量子点)和蓝色转换层(可以包括蓝色量子点)分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中。白色发光二极管可以包括第一发光堆叠体、第二发光堆叠体和在第一发光堆叠体与第二发光堆叠体之间的电荷产生层。例如,第一发光堆叠体可以发射蓝色光,并且第二发光堆叠体可以发射黄绿色光。或者,白色发光二极管还可以包括第三发光堆叠体。当第二发光堆叠体设置在第一发光堆叠体与第三发光堆叠体之间时,在第二发光堆叠体与第三发光堆叠体之间设置有另一电荷产生层。来自白色发光二极管的白光被红色像素中的红色转换层转换成红色光,被绿色像素中的绿色转换层转换成绿色光,并且被蓝色像素中的蓝色转换层转换成蓝色光。在这种情况下,红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层分别用作红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。因此,可以提供全色图像。此外,红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中,以改善颜色纯度。在这种情况下,红色转换层设置在红色像素中的白色发光二极管和红色滤色器之间,绿色转换层设置在绿色像素中的白色发光二极管和绿色滤色器之间,蓝色转换层设置在蓝色像素中的白色发光二极管和蓝色滤色器之间。
有机电致发光装置可以用作室内照明装置、室外照明装置或用于诸如液晶显示装置的电子装置的光源。
本发明的有机电致发光装置具有抗水分和/或氧的优异的阻止性和窄边框特性。因此,有机电致发光装置可以用于柔性有机电致发光装置或透明有机电致发光装置。此外,由于通过板状填充物18的对准而提高对水分和/或氧的阻止性,因此可以减少板状填充物18的量。因此,坝中的树脂量增加,使得坝的粘附强度提高。此外,由于窄边框特性,装置的设计得到改进。
<有机电致发光装置(第二实施方案)>
图4是根据本发明的第二实施方案的有机电致发光装置的示意性截面图。
在第二实施方案的有机电致发光装置1中,代替在第一实施方案的有机电致发光装置1中的填充物层15和对置基板20,形成用作对置基板的金属层41。坝16覆盖金属层41的侧表面以及钝化层14的侧表面。
除了上述特征之外,第二实施方案的有机电致发光装置1具有与第一实施方案相同的元件。其他要素的说明被省略。
第二实施方案的有机电致发光装置1具有与第一实施方案相同的效果。
<制造有机电致发光装置的方法(第三实施方案)>
第一实施方案的有机电致发光装置通过以下步骤制造。
制造有机电致发光装置的方法包括:(3-1)在基板11上形成发光二极管13的步骤,(3-2)在基板11上在发光二极管13的周围通过涂敷包含树脂17和板状填充物18的坝材料溶液形成坝材料图案66的步骤,(3-3)将对置基板20设置在发光二极管13上方和坝材料图案66上的步骤,以及(3-4)通过使坝材料图案66固化而形成坝16的步骤。
在形成坝材料图案66的(3-2)步骤中,板状填充物18被对准成相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行。
参照图5至图8对制造有机电致发光装置的方法中的(3-2)至(3-4)步骤进行更详细地说明。
在基板11上形成发光二极管13的(3-1)步骤可以通过公知工艺来执行。例如,可以顺序地涂覆或沉积用于发光二极管13的层的材料。
<(3-2)形成坝材料图案的步骤>
将包含树脂17和板状填充物18的坝材料溶液涂覆在基板11上以在发光二极管13的周围形成坝材料图案66。坝材料溶液还可以包含吸气剂19和溶剂。板状填充物18被对准成相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行。
对板状填充物18的示例性对准方法进行说明。
<使板状填充物对准的第一种方法>
图5是示出用于有机电致发光装置的示例性制造方法的排出单元的视图。图5中的排出单元包括具有狭缝形状的出口。
排出单元51包括多个出口53。出口53具有狭缝形状。包含树脂17和板状填充物18的坝材料溶液从出口53排出到基板11(或阻挡层12)上。在这种情况下,由于坝材料溶液通过具有狭缝形状的出口53作为窄开口排出,因此板状填充物18沿着一个方向对准。即,在基板11(或阻挡层12)上形成包括沿着该方向对准的板状填充物18的坝材料图案66。该方向与基板11的顶表面不平行。
<使板状填充物对准的第二种方法>
图6是示出有机电致发光装置的示例性制造方法的图,以及图7是示出用于图6中的制造方法的排出喷嘴的图。
如图6所示,通过使用能够对通过排出喷嘴61排出的坝材料溶液施加电场的排出喷嘴61在基板11上形成坝材料图案66。
当坝材料溶液通过排出喷嘴时,施加电场使得坝材料溶液中的板状填充物18沿着一个方向对准。
如图7所示,在排出喷嘴61中设置有绝缘部件63。两个电极部件设置在绝缘部件63的两侧以产生电场。
此外,通过安装在排出喷嘴61一侧的摩擦元件65摩擦坝材料图案66,使得板状填充物18的对准进一步改善。具有摩擦元件65的排出喷嘴61沿箭头方向移动以排出坝材料溶液并摩擦坝材料图案66的上表面。
结果,在基板11(或阻挡层12)上形成包括沿着该方向对准的板状填充物18的坝材料图案66。
<(3-3)设置对置基板的步骤>
图8是示出在本发明的制造方法中的两个基板的附接工艺的图。图8(a)示出了处于施加应力状态的装置,图8(b)示出了处于释放应力状态的装置,以及图8(c)示出了固化工艺中的装置。
在制造有机电致发光装置1的方法中,对置基板20与基板11附接,使得对置基板20设置在发光二极管13上方。
优选的是板状填充物18的对准在基板11和对置基板20的附接工艺中不被破坏。为了保持板状填充物18的对准,坝材料溶液还可以包含弹性间隔物71。
如图8(a)所示,通过利用Z形部73在对置基板20上施加预定应力,从而牢固地附接基板11和对置基板20。在这种情况下,由于应力也施加到弹性间隔物71,所以弹性间隔物71弹性变形。在图8(a)中,向对置基板20施加应力。或者,也可以对基板11或者基板11和对置基板20两者施加应力。
当施加应力时,与施加应力之前的对准相比,板状填充物18在坝材料图案66中的对准可能部分破坏或处于无序。
接下来,如图8(b)所示,释放了由Z形部73引起的应力,使得弹性变形恢复。或者,压力可以被完全去除。
由于弹性间隔物71的弹性变形恢复,因此坝材料图案66中的板状填充物18的破坏或无序被恢复,使得板状填充物18的对准可以更接近原始对准。
接下来,如图8(c)所示,坝材料图案66被固化,使得基板11和对置基板20通过坝16粘附。坝材料图案66的固化工艺可以通过光辐射来执行。
<(3-4)固化坝材料图案的步骤>
固化坝材料图案66以形成坝16的步骤可以通过公知方法进行。例如,坝材料图案66可以通过使用加热单元或光辐射单元来固化。
在图8(c)中,沿一个方向将光扫描到对置基板20上。优选的是调整扫描条件以改善或保持板状填充物18的对准状态。
根据有机电致发光装置的制造方法,提供了具有优异的抗水分和/或氧的阻止性和窄边框的有机电致发光装置。
<制造有机电致发光装置的方法(第四实施方案)>
第二实施方案的有机电致发光装置通过以下步骤制造。
制造有机电致发光装置的方法包括:(4-1)在基板11上形成发光二极管13的步骤,(4-2)在发光二极管13上方形成金属层41作为对对置基板的步骤,(4-3)在基板11上在发光二极管13和金属层41周围通过涂敷包含树脂17和板状填充物18的坝材料溶液形成坝材料图案66的步骤,以及(4-4)通过使坝材料图案66固化而形成坝16的步骤。
在形成坝材料图案66的(4-3)步骤中,板状填充物18被对准成相对于有机电致发光装置1的截面的垂直方向不平行。
根据第四实施方案的制造方法与根据第三实施方案的制造方法之间的对应关系如下。
(4-1)步骤对应于(3-1)步骤。(4-1)步骤和(3-1)步骤通过相同的工艺来执行。
(4-2)步骤可以对应于(3-3)步骤。在(3-3)步骤中,将制备的对置基板20附接至基板11。另一方面,在(4-2)步骤中,在发光二极管13上或上方形成金属层41作为对置基板。金属层41可以通过公知方法形成。
(4-3)步骤可以对应于(3-2)步骤。除了坝材料图案66覆盖金属层41的侧表面之外,(4-3)步骤可以通过与(3-2)步骤相同的工艺来执行。
(4-4)步骤对应于(3-4)步骤。(4-4)步骤和(3-4)步骤通过相同的工艺来执行。
根据有机电致发光装置的制造方法,提供了具有优异的抗水分和/或氧的阻止性和窄边框的有机电致发光装置。
<实施例>
根据表1中填充物的条件(形状、长度“L”[nm]、厚度“t”[nm]和L/2t)、填充物的体积比(Φc)、吸气剂的形状、吸气剂的体积比(Φg)、树脂的水蒸气透过率(WVTR)和树脂的体积比(Φp),使用下面的尼尔森公式模拟坝的WVTR。板状填充物的有序参数为0.5,并且板状填充物的平均对准角度为55度。吸气剂具有直径为1nm的球形。
(Pn:坝的气体透过率,Pp:树脂的气体透过率,Φp:树脂的体积比,Φc:填充物的体积比,L:单个填充物的平均长度,t:单个填充物的平均厚度)
表1
对坝的WVTR模拟值和树脂单体(宽度:5mm)的WVTR值进行比较,并且上升率(%)列于表1中。
与不包括板状填充物的参考例1至6中的坝相比,包含板状填充物的实施例1至9中的坝具有显着高的抗水分和/或氧的阻止性。例如,其中板状填充物的体积比为30%的实施例3中的坝的阻止性是树脂单体的34倍。
此外,尽管填充物的体积比率降低,但坝具有优异的阻止性。
计算实施例4至9中用于具有与包括体积比为80%和宽度为5mm的吸气剂的现有坝相同的阻止性的坝宽度(边框宽度),并将其列于表2中。表2
边框宽度(mm) | |
实施例4 | 2.2 |
实施例5 | 1.1 |
实施例6 | 0.6 |
实施例7 | 1.5 |
实施例8 | 0.7 |
实施例9 | 0.4 |
实施例4至9的边框宽度小于现有坝的宽度(5mm)的一半。具体地,实施例5、6、8和9中的边框宽度等于或小于约1mm。
根据表3中的有序参数,使用上述尼尔森公式来模拟坝的阻止性(WVTR)。表3中列出了填充物(板状填充物)和树脂的条件。
表3
计算实施例10中的WVTR相对于坝的上升率,其中板状填充物具有0.0的有序参数,并且列于表3中。
如表3所示,板状填充物的有序参数为0.5的实施例11中的坝的阻止性是实施例10中的坝的10倍。
本公开还涉及且不限于以下方面。
在本公开中,在坝中的显示装置的一侧的板状填充物沿第一方向布置,并且在坝中的显示装置的相对侧的板状填充物沿第二方向布置。
在本公开中,在坝中的显示装置一侧的板状填充物的第一方向与在坝中的显示装置的相对侧的板状填充物的第二方向平行。
在本公开中,在坝中的显示装置一侧的板状填充物的第一方向与在坝中的显示装置的相对侧的板状填充物的第二方向不平行。
对于本领域技术人员来说明显的是,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以对本发明的实施方案进行各种修改和变化。因此,这些修改和变化旨在覆盖本发明,只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
Claims (17)
1.一种显示装置,包括:
第一基板;
在所述基板上的发光二极管;
在所述发光二极管上的第二基板;
在所述第一基板与所述第二基板之间并围绕所述发光二极管的坝,
其中所述坝包含树脂和板状填充物,并且所述板状填充物布置为与所述第一基板的表面不平行;
其中在所述显示装置的一侧的坝中的板状填充物沿第一方向布置,以及在所述显示装置的相对侧的坝中的板状填充物沿第二方向布置;以及
其中在所述显示装置的一侧的所述坝中的板状填充物的所述第一方向与在所述显示装置的相对侧的所述坝中的板状填充物的所述第二方向不平行。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光二极管包括形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个中的蓝色发光二极管。
3.根据权利要求2所述的显示装置,还包括在所述红色像素中的红色转换层和在所述绿色像素中的绿色转换层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述红色转换层包括红色量子点以及所述绿色转换层包括绿色量子点。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中来自所述蓝色发光二极管的蓝色光通过所述红色像素中的所述红色转换层转换成红色光,以及来自所述蓝色发光二极管的蓝色光通过所述绿色像素中的所述绿色转换层转换成绿色光。
6.根据权利要求2所述的显示装置,还包括在所述红色像素中的红色滤色器、在所述绿色像素中的绿色滤色器和在所述蓝色像素中的蓝色滤色器。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光二极管包括白色发光二极管,所述白色发光二极管包括第一发光堆叠体、第二发光堆叠体、以及在所述第一发光堆叠体与所述第二发光堆叠体之间的电荷产生层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第一发光堆叠体发射蓝色光以及所述第二发光堆叠体发射黄绿色光。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述白色发光二极管还包括第三发光堆叠体。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述板状填充物的有序参数等于或大于0.5。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述坝的宽度等于或小于3mm。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述板状填充物的纵横比等于或大于10。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述坝还包含吸气剂。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述坝还包含弹性间隔物。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中所述坝的内壁和外壁具有凹的形状。
16.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述坝还包含液晶单体或偶氮苯化合物。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中所述偶氮苯化合物具有顺式/反式异构体。
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---|---|---|---|---|
CN108630829B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 |
CN110429206B (zh) * | 2019-08-07 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装盖板、显示装置、显示面板及显示面板的封装方法 |
JP7418077B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2024-01-19 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、表示装置、及び電子機器 |
CN111430567A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
KR20220000559A (ko) | 2020-06-26 | 2022-01-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시장치 |
CN113782556A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板制作方法、拼接屏制作方法及显示装置 |
KR20230097560A (ko) | 2021-12-24 | 2023-07-03 | 단고훈 농업회사법인주식회사 | 혈액형 맞춤형 차 제공 방법 |
WO2024004124A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101083277A (zh) * | 2006-06-01 | 2007-12-05 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN103328554A (zh) * | 2011-01-25 | 2013-09-25 | 埃克森美孚化学专利公司 | 弹性体纳米复合材料、纳米复合材料组合物和制造方法 |
CN103915577A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示器件及其制造方法 |
CN104347814A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示器 |
CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
WO2016031745A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11305243A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置 |
US6226890B1 (en) * | 2000-04-07 | 2001-05-08 | Eastman Kodak Company | Desiccation of moisture-sensitive electronic devices |
JP2005322432A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2006291072A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 光硬化型樹脂組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用接着剤、有機エレクトロルミネッセンス表示素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
JP4441883B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2010-03-31 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
KR101233144B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2013-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR20080088750A (ko) * | 2007-03-30 | 2008-10-06 | 삼성전자주식회사 | 유기발광장치 및 그 제조방법 |
KR101383711B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2014-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 이의 제조방법 |
KR101257685B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2013-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101002659B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8823154B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-09-02 | The Regents Of The University Of California | Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films |
DE102009036968A1 (de) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Tesa Se | Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung |
KR101146994B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
DE102010031866A1 (de) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Schott Ag | Silikonbeschichtung als Versiegelungsschicht für eine Dekorbeschichtung |
KR101754916B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2017-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5989342B2 (ja) | 2012-01-11 | 2016-09-07 | ローム株式会社 | 有機el装置およびその製造方法 |
KR101950836B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2019-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
KR20140010298A (ko) * | 2012-07-16 | 2014-01-24 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 |
KR102113609B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2020-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2015151528A (ja) | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 株式会社ダイセル | 硬化性組成物 |
KR102233100B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2021-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6175644B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2017-08-09 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
JP6749075B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2020-09-02 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101083277A (zh) * | 2006-06-01 | 2007-12-05 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN103328554A (zh) * | 2011-01-25 | 2013-09-25 | 埃克森美孚化学专利公司 | 弹性体纳米复合材料、纳米复合材料组合物和制造方法 |
CN103915577A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示器件及其制造方法 |
CN104347814A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示器 |
WO2016031745A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
CN105097878A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR102596754B1 (ko) | 2023-10-31 |
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US20180342655A1 (en) | 2018-11-29 |
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CN108933199A (zh) | 2018-12-04 |
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