KR20180130447A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 표시장치 제공한다.
본 발명에 따른 표시장치는, 제 1 기판과, 상기 기판 상의 발광다이오드와, 상기 발광다이오드 상의 제 2 기판과, 상기 발광다이오드의 주위를 봉지하는 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 댐을 구비하고, 상기 댐은, 수지와 판상 필러를 포함하고, 상기 판상 필러는, 상기 제 1 기판 면에 대하여 비평행하게 배향되어 구성된다.

Description

표시장치{Display device}
본 발명은, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 표시장치에 관한 것이다.
유기 전계 발광 장치는, 산소의 영향 및 수분의 영향에 의해 유기물 열화가 발생하고, 발광 성능이 저하된다. 그렇기 때문에 유기 전계 발광 장치에 있어서는 유기물을 봉지하여 산소 및 수분의 투과를 방지하는 것이 대단히 중요하다.
유기 전계 발광 장치의 두께 방향에 있어서는, 무기막 또는 금속막을 설치함으로써 산소 및 수분 투과를 억제하고 있다. 한편 유기 전계 발광 장치의 측면에 있어서는, 댐 재료에 의해 유기물 주위를 봉지하여 산소 및 수분 투과를 억제하고 있다.
예를 들면 특허문헌 1에서는, 특정 구조의 중합성 화합물과 충전재, 중합개시제를 포함한 경화성 조성물을 댐 재료로서 사용한 유기 전계 발광 장치가 개시되어 있다. 또한 특허문헌 1은, 충전재로서 표면 수식(표면 개질, surface modification)된 판상의 무기 입자를 함유한 경화성 조성물을 사용함으로써, 경화성 조성물을 토출하여 댐 재료를 형성할 때의 토출량을 정밀하게 조정할 수 있는 것을 개시하고 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개공보 2015-151528호
그러나 특허문헌 1에 따른 유기 전계 발광 장치라고 하더라도 산소 및 수분에 대한 충분한 차폐성을 부여하려면 댐 재료의 폭(면 방향에 있어서의 두께)을 크게 하는 것이 필수이다. 한편 유기 전계 발광 장치에 있어서는 비표시 영역 저감, 디자인성 향상, 소형화 및 경량화의 관점에서, 댐 재료의 폭은 좁은 것이 바람직하여, 네로우 베젤화(슬림 베젤화)가 강하게 요구되고 있다.
따라서 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성과 네로우 베젤화는 트레이드 오프 관계에 있고, 이들을 고차원으로 달성하는 것이 요구되고 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술에 있어서의 모든 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 유기 전계 발광 장치 및 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 표시장치는, 제 1 기판과 상기 제 1 기판 상의 발광다이오드와, 상기 발광다이오드 상의 제 2 기판과, 상기 발광다이오드의 주위를 봉지하는 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 댐을 구비한 유기 전계 발광 장치로서, 상기 댐은, 수지와 판상 필러를 포함하며, 상기 판상 필러는, 상기 제 1 기판 면에 대하여 비평행하게 배향되어 이루어진다.
또한 본 발명의 다른 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은, 기판 상에 발광다이오드을 형성하는 공정과, 상기 기판 상의 상기 발광다이오드의 주위에, 수지 및 판상 필러를 포함한 도공액을 도포하여 댐 물질 패턴을 형성하는 공정과, 상기 발광다이오드 상에 대향 기판을 설치하는 공정과, 상기 댐 물질 패턴을 경화시켜서 댐을 형성하는 공정을 구비한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법으로서, 상기 댐 물질 패턴을 형성하는 공정은, 상기 판상 필러를, 상기 기판 면에 대하여 비평행하게 배향시킨다.
본 발명에 의하면 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 유기 전계 발광 장치 및 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치에 있어서의 구성의 일례를 도시한 개략 단면도이다.
도 2는, 종래의 유기 전계 발광 장치의 일례에 있어서의 수분 투과를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 일례에 있어서의 수분 투과를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치에 있어서의 구성의 일례를 도시한 개략 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 제 1 필러의 배향 방법에 대하여 설명하는 도면으로서, 슬릿 형상의 토출구를 가지는 토출 장치의 외관도이다.
도 6은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 제 2 필러의 배향 방법에 대하여 설명하는 도면으로서, (a)는 전기장 인가 노즐과, 기판 상의 미경화 댐 물질 패턴의 관계를 도시한 부감도이고, (b)는 러빙 시에 있어서의 전기장 인가 노즐과, 기판 상의 미경화 댐 물질 패턴의 관계를 도시한 개략 단면도이며, (c)는 전기장 인가 노즐의 요부 확대도이다.
도 7은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 기판과 대향 기판의 합착 방법에 대하여 설명하는 도면으로서, (a)는 압착 시를 도시한 개략도이고, (b)는 완화 시를 도시한 개략도이며, (c)는 경화 시를 도시한 개략도이다.
다음으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 장치 및 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 대하여, 그 실시형태를 도시한 도면을 참조하면서 더욱 상세히 설명한다.
또한 이하에 서술하는 실시형태는, 본 발명의 바람직한 실시형태이므로 기술적으로 바람직한 여러 가지 한정이 부여되어 있지만, 본 발명의 범위는 이하의 설명에 있어서 본 발명을 한정하는 뜻의 기재가 없는 한 이들의 양태에 한정되는 것은 아니다.
<유기 전계 발광 장치(제 1 실시형태)>
도 1은, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치(1, 표시장치)에 있어서의 구성을 도시한 개략 단면도이다.
도 1에 도시한 유기 전계 발광 장치(1)는, 전면 발광 타입이다. 또한 이하에서는 전면 발광 타입의 유기 전계 발광 장치를 예로 들어서 설명하지만, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 장치는 전면 발광 타입에 한정되는 것이 아니라, 배면 발광 타입 유기 전계 발광 장치여도 된다.
우선 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치(1)가 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성되는 메커니즘에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다.
도 2는 종래의 유기 전계 발광 장치의 일례에 있어서의 수분 투과를 설명하기 위한 개략 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 일례에 있어서의 수분 투과를 설명하기 위한 개략 단면도이다. 또한 도 2 및 도 3에서는, 배리어층(12) 및 패시베이션층(14)(모두 상세한 내용은 후술한다)의 도시를 생략하고 있다.
도 2에 도시한 종래의 예에서는, 댐(16)은 수지(17)와 구형(球形)의 게터 재료(19)로 구성되어 있다. 게터 재료(19)가 구형이므로, 수분이 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향(도 2 중에 있어서의 왼쪽 방향)으로 이동할 때 가로막는 효과가 작다. 따라서 수분은 댐(16)에 있어서 거의 최단 경로를 취득하는 점으로부터, 수분에 대한 차폐성이 낮고, 충분한 차폐성을 발휘하기 위해서는 댐(16)의 폭 방향(도 2 중에 있어서의 좌우 방향)의 두께를 크게 할 필요가 있다. 그렇기 때문에 뛰어난 차폐성을 달성하려면 네로우 베젤화를 희생하지 않으면 안 된다. 종래의 유기 전계 발광 장치에 있어서의 베젤 폭(두께)은, 4.5 mm 이상이다.
이에 비해서 도 3에 도시한 본 실시형태에서는, 도 2에 도시한 종래의 예에 더하여, 판상 필러(18)가 댐(16) 중에 포함되어 있다. 또한 판상 필러(18)는, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향(도 3 중에 있어서의 좌우 방향)에 대해서 비평행하게 배향되어 있고, 특히 도 3에 있어서는 단면에 연직한 방향에 대해서 수직으로(도 3 중에 있어서의 상하 방향으로) 배향되어 있다. 본 실시형태에서는, 판상 필러(18)가 구형이 아니므로, 그 내부에 발광다이오드(13) 등이 밀폐된 공간을 향해서 수분이 이동할 때, 수분 차단 효과가 크다. 따라서 수분은 댐(16) 중에 있어서 최단 경로를 취득하지 않고, 최단 경로로부터 크게 벗어난, 복잡하고 매우 긴 경로를 통해 밀폐 공간에 도달한다. 그 결과 본 실시형태의 유기 전계 발광 장치(1)는 뛰어난 차폐성을 가지며, 네로우 베젤화를 달성할 수 있다.
<유기 전계 발광 장치(1)의 전체 구성>
본 실시형태의 유기 전계 발광 장치(1)는, 기판(11, 제 1 기판)과, 기판(11) 상의 발광다이오드(13)와, 발광다이오드(13) 상의 대향 기판(20, 제 2 기판)과, 발광다이오드(13)의 주위를 봉지하는 댐(16)을 구비하고, 댐(16)은, 수지(17)와 판상 필러(18)를 포함한다. 판상 필러(18)는, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하게 배향되어 구성된다.
도 1에 도시한 예에서는, 댐(16)은 게터 재료(19)를 포함한다. 또한 기판(11)의 상면(기판(11)과 발광다이오드(13) 사이)에는 배리어층(12)이 설치되어 있다. 더욱이 발광다이오드(13)의 상면 및 측면에는, 패시베이션층(14)이 설치되고, 댐(16)과 기판(11)과 대향 기판(20)으로 둘러싸인 밀폐 공간에는 충전재층(15)이 충전되어 있다.
패시베이션층(14)은 무기층의 단일층 구조일 수 있다. 이와 달리, 패시베이션층(14)은 순차 적층된 제 1 무기층, 유기층, 제 2 무기층의 삼중층 구조를 가져 인캡슐레이션층(또는 인캡슐레이션필름)의 기능을 할 수 있다. 충전재층(15)는 판상필러를 포함할 수 있다. 이 경우, 발광다이오드(13) 일측에 대응되는 충전재층(15)의 영역에서 판상필러는 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대하여 비평행하게 배열되고, 발광다이오드(13) 전면측에 대응되는 충전재층(15)의 영역에서 판상필러는 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 대하여 비평행하게 배열될 수 있다.
또한 도 1에 도시한 예에서는, 댐(16)이 기판(11) 및 대향 기판(20) 사이에 설치되어 있는 구성으로 되어 있지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 즉, 댐(16)이 발광다이오드(13)의 주위(측면)를 봉지할 수 있는 구성이라면 어떠한 구성이어도 된다. 예를 들면 상세히 후술하는 제 2 실시형태(도 4 참조)와 같이 대향 기판(금속층, 41) 및 발광다이오드 쌍방의 측면을, 기판 상에 형성된 댐이 봉지하는 구성이어도 된다.
이하, 유기 전계 발광 장치(1)를 구성하는 각 요소에 대하여 순서대로 설명한다.
<기판(11)>
기판(11)은, 그 위에 발광다이오드(13) 등을 적층 형성 가능한 것이라면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 유리 기판, 플라스틱 기판이다.
<배리어층(12)>
기판(11) 상에는 배리어층(12)이 형성되어 있다. 배리어층(12)의 재료로서는, 산소 및 수분에 대한 차폐성을 가지는 재료라면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 등의 절연물질을 들 수 있다. 또한 배리어층(12)은 단층이어도 되고, 2층 이상의 적층 구성이어도 된다.
또한 배리어층(12) 상에는 발광다이오드(13)를 구동하는 구동 회로를 구성하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 포함하는 TFT층(미도시)이 형성되어 있다.
<발광다이오드(13)>
TFT층 상에는 발광다이오드(13)가 형성되어 있다. 발광다이오드(13)는, 애노드(양극)와, 애노드 상에 형성된 유기 화합물층(유기발광층)과, 유기 화합물층 상에 형성된 캐소드(음극)를 가진다. 또한 유기 화합물층은, 애노드 측으로부터 순서대로 정공주입층, 정공수송층, 발광물질층, 전자수송층 및 전자주입층의 적층 구조를 가질 수 있다.
발광다이오드(13)를 구성하는 각 층은, 공지된 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
애노드로서는, 예를 들면 알루미늄, 은, 백금, 크롬 등 반사율이 높은 재료의 박막으로 이루어지는 반사 전극 및 이들 박막 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등 투명 도전성 산화물의 박막을 형성한 반사 전극을 들 수 있다.
유기 화합물층은, 예를 들면 픽셀을 구성하는 서브 픽셀에 따라서, 적색광을 발광하는 R용 유기 화합물층과, 녹색광을 발광하는 G용 유기 화합물층과, 청색광을 발광하는 B용 유기 화합물층을 포함하고 있다. R, G, B용 유기 화합물층은, 각각의 발광층에 따른 공지된 재료에 의해 구성되어 있다.
캐소드로서는, 예를 들면 은, 은합금, ITO, IZO 등의 박막으로 이루어지는 반투명 전극 또는 투명 전극이 사용된다.
<패시베이션층(14)>
발광다이오드(13) 상에는, 패시베이션층(14)이 형성되어 있다. 패시베이션층(14)은, 발광다이오드(13)를 덮도록 발광다이오드(13)의 상면 및 측면에 형성되어 있다.
패시베이션층(14)은, 투습성이 낮은 무기막으로 이루어지고, 발광다이오드(13)를 산소 및 수분으로부터 보호하는 보호막으로서 기능한다. 패시베이션층(14)으로서는, 예를 들면 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 이용할 수 있다. 이와 달리, 패시베이션층(14)은 순차 적층된 제 1 무기층, 유기층, 제 2 무기층의 삼중층 구조를 가져 인캡슐레이션층(또는 인캡슐레이션필름)의 기능을 할 수 있다.
<댐(16)>
발광다이오드(13) 주위의 배리어층(12) 상에는, 발광다이오드(13)를 포함하는 패널 주위를 둘러싸도록 댐(16)이 형성되어 있다. 즉, 댐(16)은, 기판(11) 상에 매트릭스상으로 형성된 복수의 발광다이오드(13)를 포함하는 패널 주위를 둘러싸도록 형성되어 있다.
댐(16)이 형성된 기판(11) 상에는, 기판(11)에 대향하도록 대향 기판(20)이 설치되고, 본 실시형태에 있어서의 대향 기판(20)은 댐(16)에 의해 기판(11) 상에 대향 상태로 고정되어 있다. 즉, 댐(16)은 기판(11, 배리어층(12))과 대향 기판(20) 사이에 설치되어 있고, 댐(16), 기판(11) 및 대향 기판(20)에 의해 밀폐 공간이 형성되어 있다. 발광다이오드(13)는, 기판(11), 대향 기판(20) 및 댐(16)에 의해 둘러싸인 기밀한 밀폐 공간 내에 봉지되어 있다.
댐(16)은, 수지(17)와 판상 필러(18)를 포함하고, 게터 재료(19), 탄성 스페이서(도 7의 71)를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 이들의 상세에 대해서는 후술한다.
댐(16)의 폭은, 3 mm 이하인 것이 바람직하고, 2 mm 이하인 것이 보다 바람직하며, 1 mm 이하인 것이 특히 바람직하다. 3 mm 이하면 네로우 베젤화에 의해 비표시영역 저감, 디자인성 향상, 소형화 및 경량화를 더욱더 달성할 수 있다.
또한 댐(16)의 폭은, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 있어서의 길이를 의미한다. 다시 말하면 댐(16)의 폭은, 댐(16)의 각 위치에 있어서, 상기 댐(16)의 둘레 방향에 대해서 수직인 동시에 또한 기판(11)의 주면(主面)에 대해서 평행한 방향의 길이이다. 즉, 도 1에 있어서의 좌우 방향(수평 방향)의 길이이다.
<수지(17)>
수지(17)로서는, 열경화성 수지, 광경화성 수지 등을 들 수 있다. 더욱 구체적으로는 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 사용할 수 있다.
또한 후술하는 판상 필러(18)를 소망하는 배향으로 하기 위해, 수지(17)에 액정 모노머 또는 아조벤젠을 첨가해도 된다.
액정 모노머를 배향시킴으로써, 댐(16)에 함유된 판상 필러(18)의 배향도 제어할 수 있다.
또한 아조벤젠은 cis체/trans체의 이성질체가 존재하고, 빛의 조사에 의해 구조를 제어할 수 있다. 그렇기 때문에 빛을 조사하여 이성화(cis체로부터 trans체)를 재촉함으로써, 댐(16)에 함유된 판상 필러(18)의 배향을 제어할 수 있다.
<판상 필러(18)>
판상 필러(18)는, 댐(16) 중에 있어서, 유기 전계 발광 장치(1), 즉 기판(11)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하게 배향되어 이루어진다. 다시 말해, 판상 필러(18)는 기판(11) 면에 수직하거나 비스듬하게 배열된다. 판상 필러(18)가 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 평행하면, 단면으로부터 침투해오는 수분 및 산소 등을 차폐하는 효과가 지극히 작기 때문에 충분한 차폐성을 부여하기 위해서는 베젤 폭을 크게 할 필요가 있다. 한편 판상 필러(18)가 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하면, 단면으로부터 침투해오는 수분 및 산소 등이 최단 경로로 내부의 밀폐 공간에 도달하는 것을 효과적으로 가로막으므로 차폐 효과가 크고, 네로우 베젤화에 크게 기여한다.
판상 필러(18)의 배향 방향은, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하면 되지만, 단면에 연직한 방향에 대해서 수직 방향에 가까워지는 것이 보다 바람직하다. 이상적으로는, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 모든 판상 필러(18)가 수직 방향으로 배향되어 이루어지는 배향 상태지만, 생산성 및 비용면이 악화된다는 측면도 있기 때문에 용도에 맞추어 소망하는 오더 파라미터로 하는 것이 바람직하다.
또한 여기서 말하는 배향은, 판상 필러가 랜덤하게 존재하고 있는 상태(어떠한 배향 제어도 되어있지 않은 상태)로부터, 각각의 판상 필러에 대하여, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 수직 방향 측으로 배향되도록 제어되어 있으면 된다. 따라서 반드시 모든 판상 필러가 동일한 방향으로 배향되어 있는 것을 요구하는 것은 아니다.
댐(16) 중의 판상 필러(18)의 오더 파라미터는 0.5 이상인 것이 바람직하고, 0.5 이상 0.8 이하인 것이 보다 바람직하다.
오더 파라미터는 SEM(Scanning Electron Microscope: 전자현미경)으로 관찰하는 등 주지 관용되고 있는 방법으로 측정할 수 있다.
판상은, 예를 들면 각판상 및 원판상을 들 수 있지만, 판상이라면 특별히 형상에 제한은 없다.
판상 필러(18)의 재료로는, 종횡비가 높은 판상 재료가 바람직하고, 예를 들면 클레이, 마이카, 탤크 등을 들 수 있다. 종횡비는 단축 길이에 대한 장축 길이의 비를 의미한다.
판상 필러(18)의 종횡비는, 10 이상인 것이 바람직하고, 25 이상인 것이 보다 바람직하고, 50 이상인 것이 더욱 바람직하며, 100 이상인 것이 특히 바람직하다. 종횡비 상한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 핸들링성의 관점에서, 예를 들면 10만 이하이다. 종횡비가 10 이상이면 수분 및 산소에 대한 차폐성이 보다 높아진다.
판상 필러(18)의 크기는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 장축 지름이 10 nm 이상 10 μm 이하이다.
<게터 재료(19)>
본 실시형태에서는, 댐(16)은 게터 재료(19)를 함유할 수 있다. 게터 재료(19)는 댐(16) 중에 반드시 포함되어 있을 필요는 없지만, 침투해오는 수분, 산소 등을 흡착함으로써 차폐성을 보다 높일 수 있으므로 포함되어 있는 것이 바람직하다.
게터 재료(19)로는, 화학 흡습재, 물리 흡착재를 사용할 수 있다. 화학 흡습재로는, 예를 들면 산화 칼슘, 산화 바륨, 산화 스트론튬, 산화 마그네슘, 황산 리튬, 황산 나트륨, 황산 칼슘, 황산 마그네슘, 황산 코발트, 황산 갈륨, 황산 티탄, 황산 니켈 등을 들 수 있다. 또한 물리 흡착재로는, 예를 들면 제올라이트, 다공질 실리카, 활성탄 등을 들 수 있다. 이들은 1종만 사용해도 되고 2종 이상을 사용해도 된다.
<탄성 스페이서(71)>
댐(16)은, 탄성 스페이서(71, 도 7 참조)를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 탄성 스페이서(71)의 재료로는, 탄성을 가지는 재료라면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 탄성을 가지는 수지를 들 수 있다. 탄성 스페이서(71)를 댐(16)용 도공액(댐 물질 용액)에 함유시킴으로써, 기판(11)과 대향 기판(20)의 간격을 간이하게 조정할 수 있다. 또한 탄성을 가지는 스페이서이므로 기판(11)과 대향 기판(20)을 합착시킬 때 소정의 응력을 부여하고 탄성 변형시켜서 확실히 합착시킨 후, 응력을 완화하거나 또는 제거함으로써 이 탄성 변형을 회복시킬 수 있다. 탄성 변형이 회복되면 탄성 변형에 의해 발생한 댐(16)용 도공액 중의 판상 필러(18)의 배향 흐트러짐을, 원래의 배향 상태에 가깝게 할 수 있다.
또한 판상 필러(18)의 배향을 향상시키기 위해 탄성 스페이서(71)에 의해 위치 조정을 하면 기판(11) 상에 도포된 도공액(경화되어 댐(16)이 된다)은, 부착 시에 응력이 부여되어 손상된 상태가 되므로, 이 상태로부터 응력이 완화되거나 제거되면 그 상하 방향의 중심 부근이 움푹 패인 형상이 된다. 즉 댐(16)은 내벽 및 외벽이 오목한 형상이 된다.
<첨가제>
또한 댐 물질 용액에는, 주지 관용되고 있는 각종 첨가제, 예를 들면 실란커플링 재료 등을 첨가해도 된다.
<대향 기판(20)>
대향 기판(20)은, 예를 들면 유리 기판이다. 대향 기판(20)으로서 투명 기판을 사용함으로써, 전면 발광 타입 표시 장치를 구성할 수 있다. 대향 기판(20)은, 기판(11)에 대향하도록 배치되어 있다. 기판(11)에 대향하도록 배치된 본 실시형태의 대향 기판(20)은, 댐(16)에 접착되어 댐(16) 상에 고정되어 있다. 대향 기판(20)은 인캡슐레이션 기판의 역할을 할 수 있다.
<충전재층(15)>
또한 기판(11), 대향 기판(20) 및 댐(16)에 의해 둘러싸인, 발광다이오드(13)를 봉지하는 기밀한 밀폐 공간에는, 충전재층(15)이 충전될 수 있다. 충전재층(15)은, 발광다이오드(13)를 내장하고 있다. 충전재층(15)의 재료로는, 예를 들면 흡습 기능을 가지는 투명 수지를 사용할 수 있다.
<유기 전계 발광 장치의 적용예>
본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치는, 표시 장치에 적용해도 되고 조명 장치에 적용해도 된다.
표시 장치는 그 표시 방식에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 RGB(레드, 그린, 블루) 각각으로 발광하는 3종류의 발광다이오드가 서브 필셀 별로 분리되어 있어도 되고, 청색(B)으로 발광하는 발광층에 색 변환막 및 컬러 필터를 각각 설치하여 RGB 발색을 얻어도 된다. 또한 백색 발광의 발광다이오드와 컬러 필터를 이용하여 RGB 발색을 얻어도 된다.
예를 들어, 청색 발광다이오드가 적색, 녹색 및 청색 화소 각각에 형성되고, 적색 양자점을 포함하는 적색 색변환층과 녹색 양자점을 포함하는 녹색 색변환층이 적색 및 녹색 화소에 형성될 수 있다. 청색 발광다이오드로부터 발광된 청색 빛은 적색 화소의 적색 색변환층에 의해 적색 빛으로 변환되고, 청색 발광다이오드로부터 발광된 청색 빛은 녹색 화소의 녹색 색변환층에 의해 녹색 빛으로 변환된다. 이 경우, 적색 및 녹색 색변환층 각각은 적색 및 녹색 컬러필터 역할을 한다. 따라서, 풀컬러 영상이 제공될 수 있다. 또한, 적색, 녹색 및 청색 컬러필터가 적색, 녹색 및 청색 화소 각각에 더 형성되어 색 순도를 향상시킬 수 있다. 이 경우, 적색 색변환층은 적색 화소의 청색 발광다이오드와 적색 컬러필터 사이에 위치하고, 녹색 색변환층은 녹색 화소의 청색 발광다이오드와 녹색 컬러필터 사이에 위치할 수 있다.
한편, 백색 발광다이오드가 적색, 녹색 및 청색 화소 각각에 형성되고, 적색 양자점을 포함하는 적색 색변환층, 녹색 양자점을 포함하는 녹색 색변환층, 청색 양자점을 포함하는 청색 색변환층이 적색, 녹색, 청색 화소에 형성될 수 있다. 백색 발광다이오드는 제 1 발광스택, 제 2 발광스택 및 이들 사이의 전하생성층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광스택은 청색 빛을 발광하고, 제 2 발광스택은 옐로우-그린 빛을 발광할 수 있다. 이와 달리, 백색 발광다이오드는 제 3 발광스택을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 발광스택이 제 1 및 제 3 발광스택 사이에 위치하는 경우, 제 2 및 제 3 발광스택 사이에 별도의 전하생성층이 배치될 수 있다. 백색 발광다이오드로부터의 백색 빛은 적색 화소의 적색 색변환층에 의해 적색 빛으로 변환되고, 녹색 화소의 녹색 색변환층에 의해 녹색 빛으로 변환되며, 청색 화소의 청색 색변환층에 의해 청색 빛으로 변환된다. 이 경우, 적색, 녹색 및 청색 색변환층 각각은 적색, 녹색 및 청색 컬러필터 역할을 한다. 따라서, 풀컬러 영상이 제공될 수 있다. 또한, 적색, 녹색 및 청색 컬러필터가 적색, 녹색 및 청색 화소 각각에 더 형성되어 색 순도를 향상시킬 수 있다. 이 경우, 적색 색변환층은 적색 화소의 백색 발광다이오드와 적색 컬러필터 사이에 위치하고, 녹색 색변환층은 녹색 화소의 백색 발광다이오드와 녹색 컬러필터 사이에 위치하며, 청색 색변환층은 청색 화소의 백색 발광다이오드와 청색 컬러필터 사이에 위치할 수 있다.
조명 장치는 그 용도에 특별히 제한은 없고, 예를 들면 실내용 조명, 옥외용 조명으로서 사용해도 되고, 액정 표시 장치의 백라이트 등 전자 디바이스용 조명으로서도 사용해도 된다.
이상의 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치에 따르면, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된다. 네로우 베젤화에 의해 플렉서블한 유기 전계 발광 장치, 투명한 유기 전계 발광 장치에 적용할 수도 있다. 또한 판상 필러를 소정 배향으로 함으로써 뛰어난 차폐성을 가지는 점으로부터, 댐 중의 필러 양이 소량이어도 장수명화, 고신뢰성을 확보할 수 있는 한편 상대적으로 수지의 양이 증가함으로써 접착력을 향상시킬 수 있다. 더욱이 네로우 베젤화에 의해 디자인성이 향상된다.
<유기 전계 발광 장치의 변형예(제 2 실시형태)>
도 4는, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치에 있어서의 구성의 일례를 도시한 개략 단면도이다.
도 4에 도시한 제 2 실시형태에서는, 제 1 실시형태와 비교해서, 제 1 실시형태에 있어서의 충전재층(15) 및 대향 기판(20)을 대신하여, 대향 기판으로서 기능하는 금속층(41)을 설치하고 있다. 여기서 댐(16)은, 패시베이션층(14)의 측면뿐만 아니라 금속층(41)의 측면까지 연장된 형태로 설치되어 있다.
이상의 점을 제외하고, 제 2 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치는, 제 1 실시형태의 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치와 동일한 구성이므로, 다른 설명에 대해서는 생략한다.
제 2 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치에 따르면, 상기한 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치와 동일한 효과가 얻어진다.
<유기 전계 발광 장치의 제조 방법(제 3 실시형태)>
다음으로, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치를 제조하는 방법이다.
즉, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은,
(3-1) 기판(11) 상에 발광다이오드(13)를 형성하는 공정과,
(3-2) 기판(11) 상의 발광다이오드(13) 주위에, 수지(17) 및 판상 필러(18)를 포함하는 도공액을 도포하여 미경화 댐 물질 패턴(66, 댐 재료, 댐 물질층)을 형성하는 공정과,
(3-3) 발광다이오드(13) 상에 대향 기판(20)을 설치하는 공정과,
(3-4) 댐 물질 패턴(66)을 경화시켜서 댐(16)으로 하는 공정을 포함한다.
여기서 상기 (3-2)의 댐 물질 패턴(66)을 형성하는 공정은, 판상 필러(18)를, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하게 배향시킨다.
이하, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법 중, 상기 (3-2) ~ (3-4)의 공정에 대하여 도 5 ~ 도 7을 참조하면서 더욱 상세히 설명한다.
또한 상기 (3-1)의 기판(11) 상에 발광다이오드(13)를 형성하는 공정은, 주지 관용되고 있는 제법에 의해 형성할 수 있고, 예를 들면 발광다이오드(13)를 구성하는 각 층의 재료를 도포하거나 또는 증착 등의 수단에 의해 순차적으로 적층 형성하면 된다.
<(3-2) 미경화 댐 물질 패턴을 형성하는 공정>
기판(11) 상에 미경화 댐 물질 패턴(66)을 형성할 때에는 수지(17) 및 판상 필러(18), 필요에 따라서 첨가되는 게터 재료(19), 용매 등을 포함한 도공액을, 기판(11) 상의 발광다이오드(13) 주위의 소정 위치에 도포하여 형성한다. 이 때, 판상 필러(18)를 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하게 배향시킨다.
판상 필러(18)를 배향시키는 바람직한 방법에 대하여, 이하에 구체예를 들어 설명한다.
<제 1 필러의 배향 방법>
도 5는, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 제 1 필러의 배향 방법에 대하여 설명하는 도면으로서, 슬릿 형상의 토출구를 가지는 토출 장치의 외관도이다.
토출 장치(51)는, 복수의 슬릿 형상의 토출구(53)를 가지고, 토출구(53)로부터 수지(17) 및 판상 필러(18)를 포함한 도공액을 기판(11, 배리어층(12)) 상에 토출한다. 이 때, 좁은 개구인 슬릿 형상의 토출구(53)로부터 도공액이 토출됨으로써, 도공액에 함유된 판상 필러(18)가 소정 방향으로 배향된다. 이렇게 해서 기판(11) 상에 소정 배향 상태의 판상 필러(18)를 포함한 도공액(댐 물질 패턴(66))이 형성된다.
<제 2 필러의 배향 방법>
도 6은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 제 2 필러의 배향 방법에 대하여 설명하는 도면이다. 도 6(a)는 전기장 인가 노즐과, 기판 상의 미경화 댐 물질의 관계를 도시한 부감도이고, 도 6(b)는 러빙 시에 있어서의 전기장 인가 노즐과, 기판 상의 미경화 댐 물질의 관계를 도시한 개략 단면도이며, 도 6(c)는 전기장 인가 노즐의 요부 확대도이다.
도 6에서는, 토출되는 도공액에 대하여 전기장을 인가 가능한 전기장 인가 노즐(61)을 사용하여, 기판(11) 상에 댐 물질 패턴(66)을 형성하고 있다.
우선 전기장 인가 노즐(61)의 노즐부를 통과할 때, 인가되는 전기장에 의해 도공액 중의 판상 필러(18)가 소정 방향으로 배향된다. 전기장 인가 노즐(61)에는 절연부(63)가 설치되어 있고, 내부를 통과하여 토출되는 도공액에 전기장을 인가할 수 있는 구성으로 되어 있다.
그 다음, 기판(11) 상에 도포된 댐 물질 패턴(66)은, 더욱 소망하는 배향이 되도록, 전기장 인가 노즐(61)에 설치되어 있는 러빙부 재료(65)에 의해 상면이 러빙된다. 전기장 인가 노즐(61)을 화살표 방향으로 이동시키면서 도공액을 토출함으로써, 러빙부 재료(65)가 댐 물질 패턴(66)의 상면을 러빙할 수 있는 구성으로 되어 있다.
그리고 기판(11) 상에 소정 배향 상태의 판상 필러(18)를 포함한 댐 물질 패턴(66)이 형성된다.
<(3-3) 대향 기판을 설치하는 공정>
도 7은, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 있어서의 기판과 대향 기판의 합착 방법에 대하여 설명하는 도면으로서, 도 7(a)는 압착 시를 도시한 개략도이고, 도 7(b)는 완화 시를 도시한 개략도이며, 도 7(c)는 경화 시를 도시한 개략도이다.
제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 제 1 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치(1)를 제조하는 방법으로서, 준비한 대향 기판(20)을 합착시킴으로써 발광다이오드(13) 상에 대향 기판(20)을 설치한다.
기판(11)과 대향 기판(20)을 합착시킬 때에는 상기 (3-2)의 댐 물질 패턴(66)을 형성하는 공정에 있어서 소정 배향 상태가 된 판상 필러(18)의 배향 상태를, 가능한 한 어지럽히지 않고 합착을 수행하는 것이 바람직하다.
그래서 본 실시형태에 있어서의 댐(16) 형성용 도공액은, 수지(17) 및 판상 필러(18)에 더하여 탄성 스페이서(71)를 포함한다.
우선 기판(11)과 대향 기판(20)을 합착시킬 때에는, 지그(73)에 의해 대향 기판(20)에 소정 응력을 부여함으로써, 기판끼리 확실히 합착시킨다(도 7(a) 참조). 이 때, 탄성 스페이서(71)에도 응력이 미치므로 탄성 변형된다. 또한 본 실시형태에서는 대향 기판(20)에 응력을 부여했지만, 기판(11) 측에 응력을 부여해도 되고 기판(11) 및 대향 기판(20) 쌍방에 응력을 부여해도 된다.
응력을 부여한 압착 시에는, 댐 물질 패턴(66) 중의 판상 필러(18)는, 압착 전의 배향 상태와 비교하면 배향 상태가 조금 흐트러진 상태가 되었다.
다음으로, 지그(73)에 의한 응력을 완화함으로써 이 탄성 변형을 회복시킨다(도 7(b) 참조). 또한 본 실시형태에서는 대향 기판(20)에 부여한 응력을 완화하고 있지만, 응력을 완전히 제거해도 된다.
이 때, 탄성 스페이서(71)의 탄성 변형이 회복되므로, 압착 시(도 7(a))에 발생한 댐 물질 패턴(66) 중의 판상 필러(18)의 배향 흐트러짐을, 본래의 소망 배향된 상태에 가깝게 할 수 있다.
그리고 판상 필러(18)를 본래의 소망 배향된 상태로 한 상태에서, 빛 조사 등에 의해 댐 물질 패턴(66)에 경화 반응을 발생시키고, 댐(16)을 통하여 기판(11)과 대향 기판(20)이 접착된다(도 7(c) 참조; 경화 공정).
<(3-4) 댐 물질 패턴을 경화시키는 공정; 경화 공정>
댐 물질 패턴(66)을 경화시켜서 댐(16)을 형성하는 공정은, 주지 관용 방법에 의해 경화하면 되고, 예를 들면 열을 부여하는 수단, 빛을 조사하는 수단에 의해 댐 물질 패턴(66)을 경화시키면 된다.
또한 예를 들면 대향 기판(20) 측으로부터 빛을 조사하는 경우(도 7(c) 참조), 대향 기판(20) 상을 조사 수단(미도시)이 주사하여 경화를 수행하지만, 판상 필러(18)가 소망 배향 상태가 되는 흐름을 야기시키도록 주사 조건을 조정하는 것이 바람직하다.
이상의 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 유기 전계 발광 장치를 얻을 수 있다.
<유기 전계 발광 장치의 제조 방법(제 4 실시형태)>
다음으로 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 제 2 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치를 제조하는 방법이다.
즉, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법은,
(4-1) 기판(11) 상에 발광다이오드(13)를 형성하는 공정과,
(4-2) 발광다이오드(13) 상에 대향 기판으로서 금속층(41)을 설치하는 공정과,
(4-3) 기판(11) 상의 발광다이오드(13) 및 금속층(41) 주위에, 수지(17) 및 판상 필러(18)를 포함한 도공액을 도포하여 댐 물질 패턴(66)을 형성하는 공정과,
(4-4) 댐 물질 패턴(66)을 경화시켜서 댐(16)을 형성하는 공정을 포함한다.
여기서 상기 (4-3)의 댐 물질 패턴(66)을 형성하는 공정은, 판상 필러(18)를, 유기 전계 발광 장치(1)의 단면에 연직한 방향에 대해서 비평행하게 배향시킨다.
제 4 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법과, 제 3 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법의 대응 관계는 다음과 같다.
상기 (4-1)과 상기 (3-1)이 대응하고, 이들은 동일한 공정으로 실시할 수 있다.
상기 (4-2)와 상기 (3-3)이 대응하고 있다. 단 상기 (3-3)은 준비한 대향 기판(20)을 합착시키고 있지만, 본 실시형태에서는 발광다이오드(13) 상에 대향 기판으로서 금속층(41)을 형성하고 있다. 금속층(41)은 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다.
상기 (4-3)과 상기 (3-2)가 대응하고, 본 실시형태, 즉 상기 (4-3)에서는 대향 기판으로서 기능하는 금속층(41)의 측면까지 연장시켜서 댐 물질 패턴(66)을 형성하는 점을 제외하고, 상기 (3-2)와 동일한 공정으로 실시할 수 있다.
상기 (4-4)와 상기 (3-4)가 대응하고, 이들은 동일한 공정으로 실시할 수 있다.
이상의 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 산소 및 수분에 대한 뛰어난 차폐성을 가지는 동시에 네로우 베젤화가 달성된 유기 전계 발광 장치를 얻을 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예를 들어서 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
표 1에 기재한 필러 종류(형상, 길이 L[nm], 두께 t[nm], L/2t), 필러 체적분율, 게터 재료 종류(형상), 게터 재료 체적분율, 수지 종류(WVTR), 수지 체적분율의 조건을 따라서, 댐의 WVTR(Water Vapor Transmission Rate; 수증기 투과도)을 시뮬레이션에 의해 산출했다. 이 때 오더 파라미터는 0.5(평균 배열 각도 55도)로 했다. 또한 게터 재료는 1 nm의 구상으로 했다.
시뮬레이션은 하기의 Nielsen 식을 이용하여 계산했다.
<식 1>
Figure pat00001
여기서 Pn은 조성물의 가스 투과도, Pp는 수지의 가스 투과도, Φp는 수지의 체적분율, Φc는 필러의 체적분율, L은 단일 필러의 평균 길이, t는 단일 필러의 평균 두께이다.
<표 1>
Figure pat00002
시뮬레이션에 의해 얻어진 댐의 WVTR과, 수지 모노머(5 mm 폭)의 WVTR을 비교하고, 그 비율을 상승비로서 산출했다. 산출한 값을 표 1에 도시한다.
실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 6에 따르면, 소정 배향 상태의 판상 필러를 함유한 실시예 1 ~ 9는, 이를 함유하지 않는 비교예 1 ~ 6에 비교해서, 지극히 높은 차폐성을 가지는 것을 알 수 있다. 예를 들면 판상 필러의 체적분율이 30 %인 실시예 3의 경우, 수지 단체와 비교해서 34배의 차폐성을 가진다.
또한 적은 필러의 체적분율도, 매우 뛰어난 차폐성을 발휘하는 것을 알 수 있다.
다음으로 실시예 4 ~ 9에 대하여, 종래의 게터 재료 80 %, 5 mm 폭의 댐과 동등한 차폐성을 가질 수 있으려면 어느 정도의 베젤 폭(댐의 폭)을 필요로하는지를 산출했다. 결과를 표 2에 도시한다.
<표 2>
Figure pat00003
실시예 4 ~ 9 모두 베젤 폭이, 종래의 5 mm 폭의 반 이하가 되는 것을 알 수 있다. 특히 실시예 5 ~ 6 및 실시예 8 ~ 9는 약 1 mm 또는 그 이하의 베젤 폭을 달성할 수 있었다.
또한 오더 파라미터의 영향에 대하여, 표 3에 기재한 조건을 따라서 시뮬레이션에 의해 산출했다. 시뮬레이션은 상술한 실시예 1 ~ 9 및 비교예 1 ~ 6과 동일하다. 즉 필러 종류(형상, 길이 L[nm], 두께 t[nm], L/2t), 필러 체적분율, 게터 재료 종류(형상), 게터 재료 체적분율, 수지 종류(WVTR), 수지 체적분율의 조건을 따르고, 조성물의 WVTR(Water Vapor Transmission Rate; 수증기 투과도)을 표 3에 기재한 조건으로 하며, Nielsen Eq.를 이용하여 계산했다.
<표 3>
Figure pat00004
시뮬레이션에 의해 얻어진 각 조성물의 WVTR에 대하여, 오더 파라미터가 0.0인 WVTR과 비교하고, 그 비율을 상승비로서 산출했다. 산출한 값을 표 3에 도시한다.
표 3의 참고예 1 ~ 7에 따르면, 오더 파라미터가 0.5인 댐은, 오더 파라미터가 0.0인 댐과 비교하여, 실제로 10배나 뛰어난 차폐성을 발휘하는 것을 알 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서, 발광다이오드(13) 일측(예를 들어 도 1의 좌측)의 댐(16) 내에 포함된 판상 필러(18)는 제 1 방향으로 배열되고, 발광다이오드(13) 타측(반대측, 예를 들어 도 1의 우측)의 댐(16) 내에 포함된 판상 필러(18)는 제 2 방향으로 배열될 수 있다.
이때, 제 1 방향과 제 2 방향은 평행하거나 비평행할 수 있다.
1: 유기 전계 발광 장치, 11: 기판, 12: 배리어층, 13: 발광다이오드, 14: 패시베이션층, 15: 충전재층, 16: 댐, 17: 수지, 18: 판상 필러, 19: 게터 재료, 20: 대향 기판, 41: 금속층, 51: 토출 장치, 53: 슬릿, 61: 전기장 인가 노즐, 63: 절연부, 65: 러빙 부재, 66: 댐 물질 패턴, 71: 탄성 필러, 73: 지그

Claims (20)

  1. 제 1 기판과,
    상기 기판 상의 발광다이오드와,
    상기 발광다이오드 상의 제 2 기판과,
    상기 발광다이오드의 주위를 봉지하는 상기 제 1 및 제 2 기판 사이의 댐을 구비한 표시 장치로서,
    상기 댐은, 수지와 판상 필러를 포함하고,
    상기 판상 필러는, 상기 제 1 기판 면에 대하여 비평행하게 배향되어 이루어지는 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드 일측에 위치하는 댐의 상기 판상 필러는 제 1 방향으로 배열되고, 상기 발광다이오드의 타측에 위치하는 댐의 상기 판상 필러는 제 2 방향으로 배열되는 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향과 평행한 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향과 비평행한 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 적색, 녹색 및 청색 화소 각각에 위치하는 청색 발광다이오드인 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적색 화소의 적색 색변환층과, 상기 녹색 화소의 녹색 색변환층을 더 포함하는 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 적색 색변환층은 적색 양자점을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 녹색 양자점을 포함하는 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 청색 발광다이오드로부터의 청색 빛은 상기 적색 화소의 상기 적색 색변환층에 의해 적색 빛으로 변환되고, 상기 청색 발광다이오드로부터의 청색 빛은 상기 녹색 화소의 상기 녹색 색변환층에 의해 녹색 빛으로 변환되는 표시장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 적색 화소의 적색 컬러필터와, 상기 녹색 화소의 녹색 컬러필터와, 상기 청색 화소의 청색 컬러필터를 더 포함하는 표시장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 제 1 발광스택과, 제 2 발광스택과, 상기 제 1 및 제 2 발광스택 사이에 위치하는 전하생성층을 포함하는 백색 발광다이오드인 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 발광스택은 청색 빛을 발광하고, 상기 제 2 발광스택은 옐로우-그린 빛을 발광하는 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 백색 발광다이오드는 제 3 발광스택을 더 포함하는 표시장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐 중의 상기 판상 필러의 오더 파라미터가 0.5 이상인 표시장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐의 폭이 3 mm 이하인 표시장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 판상 필러의 종횡비가 10 이상인 표시장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐이 게터 재료를 더욱 포함하는 표시장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐이 탄성 스페이서를 더욱 포함하는 표시장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 댐은 내벽 및 외벽이 오목한 형상인 표시장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐은 액정모노머 또는 아조-벤젠 화합물을 더 포함하는 표시장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 아조-벤젠 화합물은 cis-trans 이성질체를 갖는 표시장치.
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