CN108913135A - 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 - Google Patents
一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108913135A CN108913135A CN201811069082.XA CN201811069082A CN108913135A CN 108913135 A CN108913135 A CN 108913135A CN 201811069082 A CN201811069082 A CN 201811069082A CN 108913135 A CN108913135 A CN 108913135A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substance
- broad band
- light
- infrared
- infrared luminous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) Chemical compound [Cr+3] BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N chromium(III) oxide Inorganic materials O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 4
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004829 CaWO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004647 CaMoO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Rare earth ion Chemical class 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- WRKLMCSHNIOUMC-UHFFFAOYSA-N [Lu].[La] Chemical compound [Lu].[La] WRKLMCSHNIOUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
- C09K11/68—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing chromium, molybdenum or tungsten
- C09K11/685—Aluminates; Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
- C09K11/68—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing chromium, molybdenum or tungsten
- C09K11/681—Chalcogenides
- C09K11/684—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7708—Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种宽谱带发射近红外发光物质，特别涉及一种在紫外、紫光、蓝光、红光激发下都能产生700nm‑1600nm范围的红光及近红外发射的材料，并进一步公开其制备方法，以及包含该发光材料的发光器件。本发明所述的宽谱带发射近红外发光物质，包括分子式为AaDbMcEdOe:xCr的无机化合物，该发光物质具有严格占位的有序结构，且该材料为单一物质，以Cr为光学活性中心，能很好的吸收紫外光、蓝光和红光，在紫外或紫光或蓝光激发下，可以实现700nm‑1600nm范围的宽谱带红光及近红外发射，且具有更短的荧光寿命。
Description
技术领域
本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种宽谱带发射近红外发光物质，特别涉及一种在紫外、紫光、蓝光、红光激发下都能产生700nm-1600nm范围的红光及近红外发射的材料，并进一步公开其制备方法，以及包含该发光材料的发光器件。
背景技术
在化学检测领域中，由于650nm-1700nm范围的红光及近红外区覆盖了含氢基团(O-H、N-H、C-H)振动的合频和各级倍频的吸收区特征信息，因此，通过扫描样品的近红外光谱，即可以分析得到样品中有机分子含氢基团的特征信息，对化学物质的结构鉴定和分析具有积极的意义。而且利用近红外光谱技术分析样品，具有方便、快速、高效、准确和成本较低的优势，并且具有无需不破坏样品，不消耗化学试剂，不污染环境等优点，可广泛的应用在石油化工、高分子、制药、临床医学、环境科学、纺织工业和食品检测等领域，并受到越来越多人的青睐。
现有技术中，获得红光及近红外光谱可以有多种方式，例如：
1、使用LED芯片获得红光及近红外光谱的宽光谱
由于LED芯片发光峰的半高宽有限(典型宽度20nm)，为获得范围650nm-1700nm(红光及近红外)如此之宽的光谱，需要数十个芯片才可能获得，如中国专利CN103156620A公开了一种多通道并行近红外光谱成像系统，但由于每个芯片的封装形式、驱动电压、驱动电流不同，因此，使用多芯片实现超宽范围的红光及近红外光谱(650nm-1700nm)，技术难度通常极大。
2、使用荧光粉转换材料获得宽光谱
比如中国专利CN202268389U公开了一种利用蓝光芯片激发下转换荧光体的近红外二极管，其公开了一种基于蓝光芯片激发下转换荧光粉获得近红外光波长范围在900nm-1100nm之间发射的方法。该发射光谱的范围之所以不宽，主要是因为使用了单一的荧光粉不能获得非常宽的红光及近红外发射(如650nm-1700nm)。因此，为了获得更为宽泛的光谱，出现了采用多种光源激发多种荧光粉的技术方案。
如中国专利CN105932140A公开了一种近红外波长led光源，即采用包含激发光源、波长转换组件和波长优化组件的方案，激发光源是可见光或近红外光光源，包括单颗LED(或LD)或是多颗或多组LED(或LD)可见光或近红外光芯片，或是LED可见光或近红外光集成光源，或是一个可见光或近红外光激光器，或者是一组可见光或近红外光激光器阵列，提供可见光或近红外光发光光源；波长转换组件是荧光粉与透明材质混和制备，包括荧光玻璃涂层波长转换组件、荧光树脂涂层波长转换组件、荧光树脂波长转换组件、荧光粉透镜波长转换组件，波长转换组件还可以是一种荧光体厚膜；波长转换组件含有的均匀分布的荧光体C，荧光体C采用受激发产生近红外波长的荧光粉，荧光体C在可见光或近红外光激发下发出特定中心波长的光线；荧光体C的受激发光波长范围覆盖近红外的波长范围，即波长范围为650nm～2500nm；在可见光或近红外光光源的激发下，荧光粉所发出的光线的中心波长应该在最终所需光源的发光波长中心或附近。所述激发光源并不限于可见光或近红外光光源，还可以为近紫外光源，与之相对应地，荧光体C必须是近紫外光线照射下可以发射近红外光线；采用近红外荧光粉(Y1-xLax)2O3:Er3+，以此为主对波长转换的波长转换组件在980nmLD近红外光照射下发出1.5μm近红外光线；采用近红外荧光粉Ba9.99Bi0.01(PO4)6Cl2；以此为主对波长转换的波长转换组件在690nm红光照射下可以发出1.25μm近红外光线；而采用近红外荧光粉26.6B2O3-52.33PbO-16GeO2-4Bi2O3-lSm2O3，以此为主对波长转换的波长转换组件在488nm蓝光照射下发出978nm和1.18μm近红外光线；采用近红外荧光粉Cr3+:GdAl3(BO3)4；以此为主对波长转换的波长转换组件在420nm蓝光照射下可以发出720nm近红外光线；采用近红外荧光粉CaMoO4:(Tb3+，Yb3+)；以此为主对波长转换的波长转换组件在306nm紫外光照射下发出1.05μm近红外光线。显然，该方案中需要多种荧光粉混合后，再采用不同波长的光源激发，才能获得较宽的红光及近红外发射。然而，多种荧光粉混合后，不同的荧光粉之间会存在发光互相吸收的现象，常导致发光效率低，且由于需要多个(该方案中至少需要5个)光源激发，每个光源的封装形式和驱动方式都不同，这必然导致红光及近红外发射器件制造工艺的复杂，很难有较好红光及近红外发射性能。
另外，单就红光及红外发射材料而言，目前如中国专利CN103194232A公开了一种宽带紫外-可见光激发的近红外荧光发射材料及其制备方法和应用，该发光材料中，化学式为Y1-x-zMzAl3-y(BO3)4:Crx 3+,Yby 3+，其中M为Bi3+和La3+中的一种或两种，0<x≤0.2，0<y≤0.2，0≤z≤0.2，该荧光材料的激发波长为350nm-650nm间，发射光谱范围在900nm-1100nm之间，发射光谱范围偏窄。
又如，德国专利DE102014107321A1公开了一种Infrarot LED，其提供了一种近红外荧光粉，通式为MAl12O19:xTi，其中M为Ca或Sr，该荧光粉在400-600nm范围内光的激发下可产生650nm-1000nm之间的红光及近红外发射，发射光谱范围偏窄且强度偏低。
又如非专利文献《LaAlO3:Mn4+as Near-Infrared EmittingPersistentLuminescence Phosphor for Medical Imaging:A Charge CompensationStudy》(Materials 2017，10，1422，1)公开了一种化学成分为LaAlO3:Mn4+的荧光粉，在紫外光的激发下，可产生从600nm-800nm之间的红光发射，发射光谱范围偏窄且不能被蓝光激发，依然存有一定的应用缺陷。
再如，欧洲专利EP2480626A2公开了成分为LiGaO2:0.001Cr3+,0.001Ni2+，在紫外光激发下可产生1000nm-1500nm之间的近红外发射，其具有发射光谱范围偏窄的问题，且该荧光粉有长余辉效果，发光时间持续数分钟，不适合做发光器件。
非专利文献《稀土离子掺杂CaWO4荧光粉的近红外量子剪裁研究》(太原理工大学硕士论文，李云青，2015年)公开了了一种化学成分为CaWO4:1％Yb3+的荧光粉，在紫外光的激发下，可产生900nm-1100nm的近红外发射，发射光谱范围偏窄且不能被蓝光激发同时发光强度偏低。
非专利文献《Ca3Sc2Si3O12:Ce3+，Nd3+近红外荧光粉的制备和发光性质》(硅酸盐学报，2010年第38卷第10期)中认为，在蓝光激发下，荧光粉Ca3Sc2Si3O12:Ce3+，Nd3+可产生800nm-1100nm之间的近红外发射，但却存在着发射光谱范围偏窄且发光强度偏低。
另外，由于Cr元素的离子有丰富可变的价态，这些价态包括+2、+3、+4、+5和+6价等，但上述价态的发光性能在不同的晶体环境中并不相同。非专利文献《The photophysicsof Chromium(III)complexes，Chemical Reviews》(Volume 90，Number 2，March/April1990)中明确指出，+3价的Cr离子不可能存在于四面体的配位环境中，而在6配位/八面体的晶体学环境中才能发光；又如非专利文献《Spectroscopy of lanthanum lutetiumgallium garnet crystals doped with chromium》(J.Opt.Soc.Am.B，Vol.20，No.3，March2003)及非专利文献《Electronic and vibronic transitions of the Cr4+doped garnetsLu3Al5O12，Y3Al5O12，Y3Ga5O12and Gd3Al5O12》(J.Lumin.68，1-14，1996)中明确指出，+4价的Cr离子在四面体的配位环境才有发光特性。
综上，现有技术中一方面尚缺乏单一化学成分却可产生超宽红光及近红外发射的材料，尤其是高强度超宽红光及近红外发射的材料；另一方面，尚缺乏可被技术成熟的蓝光光源激发产生超宽红光及近红外发射的材料，尤其是荧光寿命短却可产生高强度超宽红光及近红外发射的材料；再者，尚缺乏基于单一激发光源、封装形式简单的可产生超宽红光及近红外发射的器件，以及基于不同价态的Cr离子在不同的晶体环境中发光完全不同，还没有混合价态Cr的发光材料发现。因此，非常有必要研发一种具有单一组分、能被多种光源/波段激发、具有较高发光强度的且荧光寿命短(不超过秒级)能产生超宽红光及近红外发射的材料，对于石油化工、高分子、制药、临床医学、环境科学、纺织工业和食品检测等领域，具有积极的意义。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种宽谱带发射近红外发光物质，该发光物质具有可被波长范围丰富(紫外或紫光或蓝光)的光谱激发而产生极其宽广的红光及近红外光谱(700nm-1600nm)的发射性能，解决了现有技术中单一组分发光材料发光强度较弱、荧光寿命长以及发射光谱范围偏窄的问题；
本发明所要解决的第二个技术问题在于提供一种含有上述发光物质的发光器件，该发光器件使用单一激发光源及本发明所述的发光物质，能产生700nm-1600nm范围的红光及近红外光。
为解决上述技术问题，本发明所述的一种宽谱带发射近红外发光物质，该发光物质包括分子式为AaDbMcEdOe:xCr的无机化合物，其中，
所述A元素包括Ca、Sr或Ba元素中的一种或两种；
所述D元素包括Nb和/或Ta元素；
所述M元素包括Ga、Al或Sc元素中的一种或两种；
所述E元素包括Si和/或Ge元素；
且所述参数a、b、c、d、e和x满足如下条件：其中2.8≤a≤3.2；0.9≤b≤1.1；2.5≤c≤3.5；1.5≤d≤2.5；13.5≤e≤14.5；0.002≤x≤0.2。
优选的，所述的宽谱带发射近红外发光物质，所述D元素占据该材料晶体学八面体位置，所述M元素和E元素占据该材料晶体学四面体位置，所述发光物质为四面体/八面体占位严格有序的晶体结构。
具体的，所述的红光及近红外发射材料中，该材料晶体结构中，D所代表的元素严格占据晶体学八面体位置，M所代表的元素严格占据晶体学四面体位置，E所代表的元素严格占据晶体学较小的四面体位置，即该材料为四面体/八面体占位严格有序的晶体结构；即其中D元素(Nb和/或Ta)严格占据八面体晶体学位置，即D元素与6个O离子配位，并形成八面体；M元素(Ga、Al、Sc中的一种或两种)严格占据四面体晶体学位置，即M元素与4个O离子配位，并形成四面体；E元素(Si、Ge中的一种或两种)严格占据较小的四面体晶体学位置，即M元素与4个O离子配位，并形成较小的四面体。
所述的宽谱带发射近红外发光物质中，所述Cr元素包括Cr3+离子和Cr4+离子。
更优的，所述Cr3+离子占据所述D元素所在的晶体学位置，即八面体晶体学位置；所述Cr4+离子占据所述M元素所在的晶体学位置，即四面体晶体学位置。
反之，如果不按照上述配位占据，即若是Cr4+离子占据D元素所在的晶体学位置，即八面体晶体学位置，而Cr3+离子占据M元素所在的晶体学位置，即四面体晶体学位置。那么，由于D元素的离子半径(八面体晶体学位置，6配位)为左右，Cr4+离子的离子半径(八面体晶体学位置，6配位)只有当发生了Cr4+离子取代D元素的情况时，由于两者离子半径的巨大差距，达40％以上，依据晶体化学的一般原理，通常情况下只有离子半径相差15％以下时才有可能发生相互取代。显然，若是Cr4+离子占据D元素的晶体学位置(八面体晶体学位置，6配位)，则不符合一般的晶体学规律；即便发生了，也必然导致占据D元素的晶体学位置(八面体晶体学位置，6配位)的Cr4+离子与周围配位的O离子所构成的八面体发生强烈收缩、扭曲，进而破坏晶胞内临近离子的配位环境，最终导致材料晶体结构的破坏，即致使材料的晶体对称性发生改变。此时AaDbMcEdOe:xCr将不再是四面体/八面体占位严格有序的晶体结构，也将不是本发明所涉及的化学式为AaDbMcEdOe:xCr且四面体/八面体占位严格有序的晶体结构，并无法产生相应的技术效果。
最优的，所述的宽谱带发射近红外发光物质，所述A元素为Ca元素，所述D元素为Nb元素，所述E元素为Ge元素。
本发明还公开了一种制备所述的宽谱带发射近红外发光物质的方法，包括如下步骤：
(1)以选定的A、D、M、E、Cr元素所对应的化合物(O元素来自A或D或E或M或Cr对应的化合物)，按选定的化学计量比(摩尔比)混合均匀，得到混合体；
(2)将所得混合体于800-1100℃，在空气气氛下进行烧结，获得焙烧产物；
(3)将所得焙烧产物重新粉碎后，并将所得粉末在氢气、氮气/氢气混合气、一氧化碳或氨气气氛下进行烧结，经常规处理，得到所需的发光物质。
所述步骤(2)中，所述烧结步骤的时间为4-24小时；
所述步骤(3)中，所述烧结步骤的时间为4-24小时。
本发明所涉及发光物质的化学分子式，均是由原料配比得出，Cr元素化合价不同造成的差异，可用O元素的含量进行微调。
本发明中所述的近红外发光物质可使用现有技术的方法或将来发现的新方法进行制备。
本发明所述的近红外发光物质可以制造发光器件，采用本发明的近红外发光材料所制造的发光器件可以用于石油化工、高分子、制药、临床医学、环境科学、纺织工业和食品检测等领域。
本发明还公开了一种发光器件，至少包含发光光源和荧光体，所述荧光体至少包括所述的宽谱带发射近红外发光物质。
更优的，所述荧光体还包含具有如Y3-yGa5-xO12:xCr,yYb、Y3-xAl5O12:x(Ce,Nd)、La3GeGa5-xO14:xCr、La3-xSi6N11:x(Ce,Er)或CaxSr1-x-yAlSiN3:y(Er,Ce,Eu)所示化学式的近红外发光材料。
作为优选，所述的发光器件，所述发光光源包括发光二极管、激光二极管或有机EL发光器件。优选地，发光光源为发光二极管，其发射峰值波长范围为250nm-500nm，优选440nm-470nm。
本发明所述的发光器件，能产生包括但不限于700nm-1600nm范围的红光-近红外红外发射。
本发明所述的宽谱带发射近红外发光物质，包括分子式为AaDbMcEdOe:xCr的无机化合物，该发光物质具有严格占位的有序结构，且该材料为单一物质，以Cr为光学活性中心，能很好的吸收紫外光、蓝光和红光，在紫外或紫光或蓝光激发下，可以实现700nm-1600nm范围的宽谱带红光及近红外发射；相对于无序占位的该类结构发光材料有更强和更宽的近红外发光，且具有更短的荧光寿命。
本发明所述发光器件，其荧光体包含所述的宽谱带发射近红外发光物质，该发光器件使用单一激发光源，即可获得能产生700nm-1600nm超宽范围的红光及近红外发射的器件，具有更优质的应用效果，可满足石油化工、高分子、制药、临床医学、环境科学、纺织工业和食品检测等多领域的应用需求。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，
图1为本发明实施例1中得到的荧光粉在450nm激发下的发射光谱图；
图2为本发明实施例1中得到的荧光粉在880nm监测波长下的激发光谱图；
图3为本发明实施例1中得到的荧光粉在930nm监测波长下的激发光谱图；
图4为本发明实施例2中得到的荧光粉在450nm激发下的发射光谱图；
图5为本发明对比例1中得到的荧光粉在450nm激发下的发射光谱图；
图6为本发明对比例2中得到的荧光粉在450nm激发下的发射光谱图；
图7为本发明所述发光器件的示意图；
图中附图标记表示为：1-第一导线，2-热沉，3-发光二极管，4-荧光粉涂层，5-灌封胶，6-反光碗，7-第二导线，8-金线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下实施例中所用的器件和试剂均为市售。
实施例1
本实施例所述的宽谱带发射近红外发光物质，其包含的化合物组成式为Ca3Ta0.98Ga3Si2O13.98:0.02Cr。
按化学式Ca3Ta0.98Ga3Si2O13.98:0.02Cr的化学计量比，准确称量Ga2O3、Ta2O5、CaCO3、SiO2、Cr2O3原料，将上述原料研磨混匀装入坩埚，在空气气氛下，在高温炉内，980℃烧结10小时，随炉冷却到室温，然后将样品粉碎后再于氮气/氢气混合气氛下烧结，烧结温度为1400℃，烧结时间为10小时，样品经过球磨、水洗和筛分得到所需的宽谱带发射近红外发光物质。
利用荧光光谱仪对实施例1中得到的荧光材料进行分析，在蓝光450nm激发，得到其发射光谱图，如图1所示。可见该材料在蓝光激发下的红光及近红外光谱非常宽，达到700nm-1600nm，强度也较高。
利用荧光光谱仪对实施例1中得到的荧光材料进行分析，分别测量其880nm和930nm的激发光谱图，分别如图2和3所示。可见该荧光粉能有效地被紫外、紫光和蓝光激发。测量该材料的荧光寿命，寿命范围在数微秒至数毫秒左右。
实施例2
本实施例所述的宽谱带发射近红外发光物质，其包含的化合物组成式为Ca3Nb0.9Ga3Si2O13.9:0.1Cr。
按化学式Ca3Nb0.9Ga3Si2O13.9:0.1Cr的化学计量比，准确称量Ga2O3、Nb2O5、CaCO3、SiO2、Cr2O3原料，将上述原料研磨混匀装入坩埚，在空气气氛下，在高温炉内，950℃烧结10小时，随炉冷却到室温，然后将样品粉碎后再于氨气混合气下烧结，烧结温度为1400℃，烧结时间为10小时，样品经过球磨、水洗和筛分得到所需的宽谱带发射近红外发光材料。
利用荧光光谱仪对实施例2中得到的荧光材料进行分析，在蓝光450nm激发，得到其发射光谱图，如图4所示。可见该材料在蓝光激发下的红光及近红外光谱非常宽，达到700nm-1600nm，强度也较高。测量该材料的荧光寿命，寿命范围在数微秒至数毫秒左右。
实施例3-14
实施例3-14所述的宽谱带发射近红外发光物质，其化合物组成式分别见下表1中列出，各实施例中材料的制备方法同实施例1，只需根据各实施例中目标化合物的化学式组成，选择适当计量的化合物进行混合、研磨、焙烧，得到所需的宽谱带发射近红外发光物质。对各实施例中制得发光物质的性能进行检测，其测试结果见下表1所示。
对比例1
按化学式La3GeGa4.998O14:0.002Cr的化学计量比，准确称量原料La2O3、Ga2O3和GeO2、Cr2O3，将上述原料研磨混匀装入坩埚，空气气氛下，在高温炉内，980℃烧结10小时，随炉冷却到室温，然后将样品粉碎后再于氮气/氢气气氛下烧结，烧结温度为1400℃，烧结时间为8小时，样品经过球磨、水洗和筛分得到所需的发光材料。
利用荧光光谱仪对对比例1中得到的荧光材料进行分析，在蓝光450nm激发，得到其发射光谱图，如图5所示。可见该材料在蓝光激发下的红光及近红外光谱较窄，强度较低。测量该材料的荧光寿命，寿命范围在数十秒左右。
将对比例1和实施例1-14中制得发光材料在450nm蓝光激发下进行性能检测，记录其检测结果如下表1。
表1发光材料性能测试结果
对比例2
按化学式Ca3Ta0.98Ga3Si2O13.98:0.02Cr的化学计量比，准确称量Ca2O3、Ta2O5、GaCO3、SiO2、Cr2O3原料，将上述原料研磨混匀装入坩埚，在空气气氛下，在高温炉内，980℃烧结10小时，随炉冷却到室温，然后将样品粉碎后再于空气气氛下烧结，烧结温度为1400℃，烧结时间为10小时，样品经过球磨、水洗和筛分得到所需的发光物质。
利用荧光光谱仪对对比例2中得到的发光材料进行分析，在蓝光450nm激发，得到其发射光谱图，如图6所示。可见该材料在蓝光激发下的红光及近红外光谱峰的形状与实施例1有一定的差别，红光及近红外光谱峰的强度远低于实施例1，测量该材料的荧光寿命，寿命范围在数秒左右。
实施例15
如图7所示的器件结构，将460nm蓝光发光二极管3固定于反光碗6上，反光碗6下有热沉2，蓝光发光二极管3的正极连接到第一导线1，发光二极管3的负极通过金线8连接到第二导线7。
将实施例1化学成分为Ca3Ta0.98Ga3Si2O13.98:0.02Cr的荧光粉与环氧树脂混合涂覆到蓝光发光二极管3上得到荧光粉涂层4，最后再使用灌封胶5将荧光粉涂层4和蓝光发光二极管3和金线8保护起来。
经检测，该器件最终得到能产生包括但不限于700nm-1600nm范围的红光-近红外红外发射器件。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种宽谱带发射近红外发光物质，其特征在于，该发光物质包括分子式为AaDbMcEdOe:xCr的无机化合物，其中，
所述A元素包括Ca、Sr或Ba元素中的一种或两种；
所述D元素包括Nb和/或Ta元素；
所述M元素包括Ga、Al或Sc元素中的一种或两种；
所述E元素包括Si和/或Ge元素；
且所述参数a、b、c、d、e和x满足如下条件：其中2.8≤a≤3.2；0.9≤b≤1.1；2.5≤c≤3.5；1.5≤d≤2.5；13.5≤e≤14.5；0.002≤x≤0.2。
2.根据权利要求1所述的宽谱带发射近红外发光物质，其特征在于，所述D元素占据该材料晶体学八面体位置，所述M元素和E元素占据该材料晶体学四面体位置，所述发光物质为四面体/八面体占位严格有序的晶体结构。
3.根据权利要求1或2所述的宽谱带发射近红外发光物质，其特征在于，所述Cr元素包括Cr3+离子和Cr4+离子。
4.根据权利要求3所述的宽谱带发射近红外发光物质，其特征在于，所述Cr3+离子占据所述D元素所在的晶体学位置，所述Cr4+离子占据所述M元素所在的晶体学位置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的宽谱带发射近红外发光物质，其特征在于，所述A元素为Ca元素，所述D元素为Nb元素，所述E元素为Ge元素。
6.一种制备权利要求1-5任一项所述的宽谱带发射近红外发光物质的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)以选定的A、D、M、E、Cr元素所对应的化合物，按选定的化学计量比混合均匀，得到混合体；
(2)将所得混合体于800-1100℃，在空气气氛下进行烧结，获得焙烧产物；
(3)将所得焙烧产物重新粉碎后，并将所得粉末在氢气、氮气/氢气混合气、一氧化碳或氨气气氛下进行烧结，经常规处理，得到所需的发光物质。
7.根据权利要求6所述的制备所述宽谱带发射近红外发光物质的方法，其特征在于：
所述步骤(2)中，所述烧结步骤的时间为4-24小时；
所述步骤(3)中，所述烧结步骤的时间为4-24小时。
8.一种发光器件，至少包含发光光源和荧光体，其特征在于，所述荧光体至少包括权利要求1-5中任一项所述的宽谱带发射近红外发光物质。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述荧光体还包含具有如Y3-yGa5-xO12:xCr,yYb、Y3-xAl5O12:x(Ce,Nd)、La3GeGa5-xO14:xCr、La3-xSi6N11:x(Ce,Er)或CaxSr1-x-yAlSiN3:y(Er,Ce,Eu)所示化学式的近红外发光材料。
10.根据权利要求8或9所述的发光器件，其特征在于，所述发光光源包括发光二极管、激光二极管或有机EL发光器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811069082.XA CN108913135B (zh) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811069082.XA CN108913135B (zh) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108913135A true CN108913135A (zh) | 2018-11-30 |
| CN108913135B CN108913135B (zh) | 2020-06-23 |
Family
ID=64408713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811069082.XA Active CN108913135B (zh) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108913135B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110408393A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-05 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 |
| CN110444651A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-12 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种光学装置 |
| CN112225560A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-15 | 陕西天璇涂层科技有限公司 | 一种固相法制备低热导高温热障陶瓷CaMoNb2O9的方法 |
| KR20210015919A (ko) * | 2019-07-09 | 2021-02-10 | 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 | 적색광 및 근적외선 발광재료와 발광소자 |
| JP2021532205A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-11-25 | 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 | 赤色光・近赤外発光材料および発光デバイス |
| WO2021243521A1 (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 苏州君诺新材科技有限公司 | 一种过渡金属为发光中心的氮氧化物荧光粉及其制备方法 |
| CN115125002A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种硅基石榴石近红外荧光材料及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101029417A (zh) * | 2007-01-25 | 2007-09-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一类压电单晶体及其生长方法 |
| CN104560041A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 华南理工大学 | 具备近红外长余辉和下转换荧光双模式生物成像材料及制备方法 |
| CN104987057A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-10-21 | 安徽工业大学 | 一种高发射率红外节能材料及其应用 |
| CN108467733A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-08-31 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种近红外荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 |
-
2018
- 2018-09-13 CN CN201811069082.XA patent/CN108913135B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101029417A (zh) * | 2007-01-25 | 2007-09-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一类压电单晶体及其生长方法 |
| CN104560041A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 华南理工大学 | 具备近红外长余辉和下转换荧光双模式生物成像材料及制备方法 |
| CN104987057A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-10-21 | 安徽工业大学 | 一种高发射率红外节能材料及其应用 |
| CN108467733A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-08-31 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种近红外荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| XU JUN等: "Optical Absorption Spectra of Cr3+ and Cr4+ in Sr3Ga2Ge4O14 Garnet Crystals", 《CHIN.PHYS.LETT.》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110408393A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-05 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 |
| CN110444651A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-12 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种光学装置 |
| KR20210015919A (ko) * | 2019-07-09 | 2021-02-10 | 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 | 적색광 및 근적외선 발광재료와 발광소자 |
| JP2021532205A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-11-25 | 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 | 赤色光・近赤外発光材料および発光デバイス |
| JP7231660B2 (ja) | 2019-07-09 | 2023-03-01 | 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 | 近赤外発光材料および発光デバイス |
| KR102554970B1 (ko) | 2019-07-09 | 2023-07-11 | 그리렘 어드밴스드 머티리얼스 캄파니 리미티드 | 적색광 및 근적외선 발광재료와 발광소자 |
| WO2021243521A1 (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 苏州君诺新材科技有限公司 | 一种过渡金属为发光中心的氮氧化物荧光粉及其制备方法 |
| CN112225560A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-15 | 陕西天璇涂层科技有限公司 | 一种固相法制备低热导高温热障陶瓷CaMoNb2O9的方法 |
| CN115125002A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种硅基石榴石近红外荧光材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108913135B (zh) | 2020-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108865139A (zh) | 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 | |
| CN108913135A (zh) | 一种宽谱带发射近红外发光物质及包含该物质的发光器件 | |
| Xiao et al. | An efficient green phosphor of Ce 3+ and Tb 3+-codoped Ba 2 Lu 5 B 5 O 17 and a model for elucidating the high thermal stability of the green emission | |
| JP7062693B6 (ja) | 近赤外発光材料および当該材料で作製された発光装置 | |
| KR20200023265A (ko) | 근적외선 형광 분말 및 상기 형광 분말을 함유하는 발광 장치 | |
| CN110330970B (zh) | 一种红光及近红外发光材料、制备方法及发光器件 | |
| Zhiping et al. | Synthesis and luminescence properties of a novel red Sr3Bi (PO4) 3: Sm3+ phosphor | |
| Zhang et al. | A novel Cr3+-activated far-red titanate phosphor: synthesis, luminescence enhancement and application prospect | |
| Nagpure et al. | Combustion synthesis of Na2Sr (PO4) F: Dy3+ white light emitting phosphor | |
| Huang et al. | Efficient and thermally stable broadband near-infrared emission from near zero thermal expansion AlP 3 O 9: Cr 3+ phosphors | |
| Kadyan et al. | Optical and structural investigations of MLaAlO 4: Eu 3+(M= Mg 2+, Ca 2+, Sr 2+, and Ba 2+) nanophosphors for full-color displays | |
| CN115558491B (zh) | 一种宽带短波红外荧光粉及其制备方法和发光器件 | |
| CN112342021A (zh) | 一种近红外宽带发射的发光材料、其制备方法及包含该材料的发光装置 | |
| CN101391803A (zh) | 一种制备白光led荧光粉的助熔剂及方法 | |
| Lu et al. | Eu3+-based efficient red phosphors Y1-xEuxGa3 (BO3) 4 (0< x≤ 1): A potential candidate for near ultraviolet LEDs with high thermal stability | |
| CN106381145A (zh) | 一种NaY（MoO4）2:Eu3+,Tb3+系列荧光粉的制备方法 | |
| US9163175B2 (en) | β-sialon and method of manufacturing thereof, and light-emitting device | |
| Chen et al. | Novel orange-red phosphor Sr3Al2Si3O12: Eu3+ excited by ultraviolet or blue light with excellent thermal stability and color purity | |
| Xiao et al. | Study on the influence of Bi 3+ and Sm 3+ doping on the luminescence properties of Ba 2 SiO 4: Eu 3+ red phosphor | |
| CN103275713A (zh) | 一种稀土钼酸盐红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| Lu et al. | Novel color tunable LaCaGaO4: Bi3+, Eu3+ phosphors for high color rendering warm white LEDs | |
| CN110408393B (zh) | 一种红光及近红外发光材料和发光器件 | |
| CN101892052A (zh) | 红光荧光材料及其制造方法、及白光发光装置 | |
| Zhao et al. | Preparation and luminescence properties of Ba3P4O13: Sm3+ orange-red phosphors with high thermal stability | |
| CN110157431A (zh) | 一种红外荧光材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |