CN108878257B - 一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 - Google Patents
一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108878257B CN108878257B CN201810418560.7A CN201810418560A CN108878257B CN 108878257 B CN108878257 B CN 108878257B CN 201810418560 A CN201810418560 A CN 201810418560A CN 108878257 B CN108878257 B CN 108878257B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- substrate
- hydrogen
- reaction chamber
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical group C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02634—Homoepitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
- H01L21/02661—In-situ cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,通过外延生长前采用调制氢氩混合气氛的原位复合刻蚀处理碳化硅衬底,通过引入相对温和的氩气解决了纯氢气刻蚀导致衬底表面破坏大的问题,且温场与纯氢气刻蚀相比更加均匀,在有效处理衬底化学机械抛光引入的损伤层的同时,减少甚至消除了外延初期衬底表面的不稳定性,从而极大减少了由于衬底原因引伸到外延层中的表面缺陷,可以有效降低外延层中的表面缺陷密度。本发明方法工艺简单易行且兼容现有外延工艺,具有较高的推广价值。
Description
技术领域
本发明属于半导体外延材料技术领域,尤其涉及一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法。
背景技术
第三代宽禁带半导体材料中,碳化硅(SiC)具有宽禁带、高击穿场强和高热导率等优异的物理性能和电学性能,使其在高温、高压和高频器件等领域具有十分广阔的应用前景。4H-SiC是SiC多型中性能最优异的材料,具有更大的带隙以及体电子迁移率,较小的各项异性,是研制电力电子器件的首选材料。
目前,SiC电力电子器件已被广泛用于混合动力汽车、电动汽车设备、SiC器件电源模块、SiC变频空调、SiC逆变器等领域。对比传统的硅器件,4H-SiC电力电子器件最大的优势就是能够高压、超高压工作,其研制需要高质量的碳化硅外延材料。目前4H-SiC电力电子器件用外延材料主要采用化学气相沉积的方法在低偏角(主要是4°)衬底上制备,随着关键技术的突破,可以在衬底上生长高质量的外延材料,工程化的4H-SiC外延材料可以达到表面外延缺陷密度<1cm-2的水平。
在常规的SiC外延工艺中,在开始外延生长之前,一般都会对衬底进行原位高温氢气刻蚀处理,以提高外延片表面质量。尽管如此,常规工艺刻蚀处理后,外延后外延片表面仍然存在一定量的衬底引入的表面缺陷。
发明内容
发明目的:针对以上问题,本发明提出一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法。
技术方案:为实现本发明的目的,本发明所采用的技术方案是:一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,包括步骤:
(1)将清洗过的碳化硅衬底置于化学气相沉积设备内的基座上;
(2)设置反应室压力为80-150mbar,氢气流量为80-150L/min,升温至温度1400-1500℃;
(3)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行纯氢气刻蚀1-10分;
(4)保持反应室压力和氢气流量不变,向反应室通入氩气,Ar/H2流量比范围为0.5%-5.0%;
(5)保持反应室压力不变,继续升温至温度1550-1680℃,温度的升高过程中,采用线性缓变的方式降低氢气流量至50-80L/min,同时采用线性缓变的方式提高氩气流量,Ar/H2流量比为10%-50%;
(6)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行氢氩混合气氛原位复合刻蚀1-10分钟;
(7)采用线性缓变的方式提高氢气流量,同时降低氩气流量至零,恢复反应室气氛为纯氢气;
(8)向反应室通入碳源、硅源和掺杂源,生长相应结构的碳化硅外延层;
(9)外延生长完成之后,关闭生长源和掺杂源,设置氢气流量为100~200slm,降温至装取片温度,而后氩气置换氢气并充填至大气压,取出碳化硅外延片。
进一步地,所述步骤(1)中,碳化硅衬底可以选取偏向<11-20>方向4°的3~8英寸碳化硅衬底。
进一步地,所述步骤(7)中,H2流量同步骤(2)设置,时间为2-10分钟。
进一步地,硅源为硅烷、二氯氢硅、三氯氢硅或四氯氢硅,碳源为甲烷、乙烯、乙炔或丙烷。
进一步地,采用多周期的调制氢氩混合气氛进行原位复合刻蚀处理碳化硅衬底。
有益效果:本发明的方法采用调制的氢氩混合气的复合刻蚀处理外延前衬底,有效降低了由于纯氢气刻蚀刻蚀速率高而导致对衬底的非故意损伤,同时结合氩气刻蚀温和、温场更加均匀的优点,实现了无损、均匀的原位刻蚀,达到了减少甚至消除衬底引入的表面缺陷的目的,可以有效降低外延层中的表面缺陷密度。采用本发明专利提供的外延方法简单易行,兼容于现有商业化碳化硅外延炉的基础工艺,具有极大的推广价值。
附图说明
图1是本发明调制氢氩混合气的复合刻蚀工艺示意图;
图2是碳化硅外延片表面缺陷分布图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
如图1所示,本发明所述的降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,包括步骤:
(1)将清洗过的SiC衬底置于化学气相沉积(CVD)设备内的基座上,碳化硅衬底可以选取偏向<11-20>方向4°的3~8英寸碳化硅衬底;
(2)设置反应室压力为80-150mbar,氢气(H2)流量为80-150L/min,系统升温至温度1400-1500℃;
(3)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行纯氢气刻蚀1-10分;
(4)保持压力和H2流量不变,向反应室通入小流量氩气(Ar)辅助刻蚀,形成低Ar/H2比的混合气,初始Ar/H2流量比范围为0.5%-5.0%;
(5)保持反应室压力不变,继续升温至生长温度1550-1680℃,温度的升高过程中,采用线性缓变的方式降低H2流量至50-80L/min,同时采用线性缓变的方式提高Ar流量使最终的Ar/H2流量比为10%-50%,形成高Ar/H2比的混合气进行调制Ar/H2混合气氛,开始对衬底表面进行调制氢氩混合气氛的原位复合刻蚀;
(6)达到生长温度后,保持温度和反应室压力不变,采用调制氢氩混合气氛的原位复合刻蚀继续对衬底进行原位刻蚀1-10分钟;
(7)而后采用线性缓变的方式提高H2流量,同时降低Ar流量至零,恢复反应室气氛为纯H2,H2流量同步骤二设置,该步骤时间为2-10分钟;
(8)纯H2气氛,向反应室通入碳源、硅源和掺杂源,生长相应结构的碳化硅外延层,具体流量和生长时间根据实际的外延速率及所需外延结构设定;硅源可以采用硅烷、二氯氢硅、三氯氢硅或四氯氢硅等,碳源可以采用甲烷、乙烯、乙炔或丙烷等;
(9)外延生长完成之后,关闭生长源和掺杂源,设置氢气流量为100~200slm,降温至装取片温度,而后氩气置换氢气并充填至大气压,取出碳化硅外延片。
也可根据实际需要采用多个周期的调制氢氩混合气氛的原位复合刻蚀处理碳化硅衬底,以期达到更好的预处理效果。
如图2所示,碳化硅外延片表面缺陷分布图,可以看出采用本方法制备的碳化硅外延片表面缺陷密度为0.44cm-2,远小于常规工艺的<1cm-2的水平,表明采用本专利提供的方法,可以有效降低碳化硅外延表面缺陷密度。
本发明通过外延生长前在SiC衬底上进行调制的氢氩混合气的复合刻蚀处理,有效处理了衬底化学机械抛光引入的损伤层,并减少外延初期衬底表面的不稳定性,极大减少了由于衬底原因引伸到外延层中的表面缺陷,有效降低了外延层的表面缺陷密度。
Claims (3)
1.一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,其特征在于:包括步骤:
(1)将清洗过的碳化硅衬底置于化学气相沉积设备内的基座上,碳化硅衬底选取偏向<11-20>方向4°的3~8英寸碳化硅衬底;
(2)设置反应室压力为80-150mbar,氢气流量为80-150L/min,升温至温度1400-1500℃;
(3)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行纯氢气刻蚀1-10分钟;
(4)保持反应室压力和氢气流量不变,向反应室通入氩气,Ar/H2流量比范围为0.5%-5.0%;
(5)保持反应室压力不变,继续升温至温度1550-1680℃,温度的升高过程中,采用线性缓变的方式降低氢气流量至50-80L/min,同时采用线性缓变的方式提高氩气流量,Ar/H2流量比为10%-50%;
(6)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行氢氩混合气氛原位复合刻蚀1-10分钟;
(7)采用线性缓变的方式提高氢气流量,同时降低氩气流量至零,恢复反应室气氛为纯氢气,H2流量同步骤(2)设置,时间为2-10分钟;
(8)向反应室通入碳源、硅源和掺杂源,生长相应结构的碳化硅外延层;
(9)外延生长完成之后,关闭生长源和掺杂源,设置氢气流量为100~200slm,降温至装取片温度,而后氩气置换氢气并充填至大气压,取出碳化硅外延片。
2.根据权利要求1所述的降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,其特征在于:硅源为硅烷、二氯氢硅、三氯氢硅或四氯氢硅,碳源为甲烷、乙烯、乙炔或丙烷。
3.根据权利要求1所述的降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,其特征在于:采用多周期的调制氢氩混合气氛进行原位复合刻蚀处理碳化硅衬底。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810418560.7A CN108878257B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810418560.7A CN108878257B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108878257A CN108878257A (zh) | 2018-11-23 |
CN108878257B true CN108878257B (zh) | 2020-09-22 |
Family
ID=64326949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810418560.7A Active CN108878257B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108878257B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112466745B (zh) * | 2020-11-26 | 2021-10-08 | 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 | 一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片 |
CN112490117B (zh) * | 2020-12-08 | 2021-08-10 | 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 | 一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法 |
CN115584478B (zh) * | 2022-09-27 | 2024-08-13 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法 |
CN116613056B (zh) * | 2023-07-21 | 2023-10-10 | 瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 | 一种降低碳化硅外延薄膜表面缺陷的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103938268A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-07-23 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种降低碳化硅外延片表面颗粒密度的方法 |
JP2017059670A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | ローム株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置 |
CN107068539A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-08-18 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 降低碳化硅外延基平面位错密度的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845553B (zh) * | 2016-04-01 | 2018-06-01 | 江苏大学 | 基于碳化硅衬底的石墨烯场效应晶体管阵列的制备方法 |
CN106783540B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-08-20 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 减少外延片表面划痕的方法 |
CN106803479B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种提高有效面积的碳化硅外延片的制备方法 |
-
2018
- 2018-05-04 CN CN201810418560.7A patent/CN108878257B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103938268A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-07-23 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种降低碳化硅外延片表面颗粒密度的方法 |
JP2017059670A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | ローム株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置 |
CN107068539A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-08-18 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 降低碳化硅外延基平面位错密度的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108878257A (zh) | 2018-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108878257B (zh) | 一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法 | |
CN111029246B (zh) | 一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法 | |
CN108538707B (zh) | 一种二维黑磷晶体制备方法 | |
CN109722712B (zh) | 一种SiC单晶金属杂质的均匀掺杂的方法 | |
KR101951838B1 (ko) | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 | |
WO2014021365A1 (ja) | 半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法 | |
WO2023016158A1 (zh) | 非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法 | |
JP4853364B2 (ja) | SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法 | |
CN112701031A (zh) | 一种碳化硅外延材料的缓冲层生长方法 | |
CN104779141A (zh) | 低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法 | |
CN112466745A (zh) | 一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片 | |
CN107601473B (zh) | 一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法 | |
CN116613056B (zh) | 一种降低碳化硅外延薄膜表面缺陷的方法 | |
CN104264219A (zh) | 一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法 | |
CN102064187B (zh) | 一种碳化硅同质pin微结构材料及其制作方法 | |
CN114481307B (zh) | 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用 | |
CN108046246B (zh) | 一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法 | |
CN113488375B (zh) | 一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法 | |
CN114032616B (zh) | 非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流低速生长方法 | |
TWI698397B (zh) | 碳化矽粉體的純化方法 | |
CN115584478B (zh) | 一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法 | |
CN112136203B (zh) | SiC外延基板的制造方法 | |
KR102399813B1 (ko) | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
CN114959898B (zh) | 一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法 | |
CN111293037B (zh) | 一种P型SiC外延及其生长方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |