CN108832029A - 一种钙钛矿薄膜的原位法生长方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种原位法制备小尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法。在制备多晶钙钛矿薄膜时，通过向前驱体溶液中引入一定物质的量的烷基胺，通过烷基胺修饰钙钛矿晶粒表面，阻碍晶粒生长，获得了小尺寸晶粒的薄膜。并以该种钙钛矿薄膜作为LED器件发光层，实现了EQE的提升。
Description
技术领域
本发明属于光电器件领域，涉及一种原位法生长小尺寸晶粒钙钛矿薄膜，引入烷基胺减小晶粒尺寸，并应用于LED中提高器件性能。
背景技术
近年来，有机金属卤化物钙钛矿发光二极管迅速成为光电领域的研究热点。有机金属卤化钙钛矿材料具有制备工艺简单、禁带宽度可调、发光色纯度高、光致发光效率高、载流子迁移率高等优点。但是在三维钙钛矿(甲基胺碘化铅:MAPbI3和甲基胺溴化铅:MAPbBr3)中，由于钙钛矿的结晶速度较快，一步或两步溶液工艺制备的薄膜晶粒尺寸通常为几百纳米，表面粗糙度大。并且在三维钙钛矿中激子结合能小，较大的晶粒尺寸不利于电子-空穴辐射复合。为了解决这些缺点，有一些课题组通过制备晶粒尺寸略小的MAPbBr3薄膜，来增大激子结合能，从而提高薄膜的辐射复合率，制备出的LED外量子效率(EQE)高达14％。因此，可以采用小尺寸钙钛矿晶粒或者超薄的钙钛矿层来限制电子和空穴，从而促进辐射复合。目前小尺寸晶粒的钙钛矿薄膜通常使用反溶剂法，增大成膜时的形核速率来获得；也可以通过添加有机胺卤化物形成准二维结构的钙钛矿薄膜。
发明内容
本发明的目的在于：解决了三维钙钛矿中激子结合能小，电子空穴容易发生非辐射复合的难点。创造性的提出一种引入烷基胺，采用原位生长的方法制备出晶粒尺寸小的钙钛矿薄膜，提高薄膜的光致发光效率，制备高效的钙钛矿LED。
本发明采用如下技术方案：一种原位法生长钙钛矿薄膜的方法，所述钙钛矿薄膜由小尺寸小的钙钛矿晶粒构成。配置钙钛矿前驱体溶液时，引入烷基胺，烷基胺的添加量与前驱体溶液溶质的摩尔比控制在：1:200～1:10；利用一步反溶剂法旋涂成膜，加热退火后得钙钛矿薄膜。
进一步地，所述钙钛矿为CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)。
进一步地，所述烷基胺选自丙胺、丁胺、戊胺、已胺。
进一步地，随着烷基胺溶液含量的增多钙钛矿晶粒逐渐减小。
如上所述的方法制备得到的钙钛矿薄膜在钙钛矿LED中的应用，所述钙钛矿LED的结构包括：透明导电衬底、空穴传输层、权利要求1所述方法制备得到的钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极。
进一步地，所述的透明导电衬底为FTO、ITO、AZO等透明导电玻璃。
进一步地，所述的空穴传输层可以是NiO、PEDOT:PSS、CBP、Spiro-oMeTAD等。
进一步地，所述的电子传输层可以是TPBi、BCP、ZnO、F8、TiO2等。
进一步地，所述的金属电极可以是金、银、铝、钙、镍、钛、钠等。
本发明获得的效果:烷基胺钝化了钙钛矿晶粒表面，抑制了钙钛矿晶粒的生长，生成晶粒尺寸小的薄膜。通过钝化缺陷，提高电子-空穴复合速率，提高了薄膜及LED器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明的钙钛矿LED的结构示意图。
图2是本发明实施例中小尺寸晶粒钙钛矿的扫描电镜图。
图3是本发明实施例中采用上述方法制备的钙钛矿材料制备的LED器件的外量子效率-电压曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步阐述，但本发明并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径而得。
实施例1:
将覆盖有掺氟氧化锡的玻璃基底依次用洗涤剂水溶液、丙酮、无水乙醇和去离子水超声洗涤后，在基底上旋涂PEDOT:PSS，厚度为50nm。配置6份浓度为1.5M的CH3NH3PbBr3前驱体溶液，溶质为370mg PbBr2，115mg CH3NH3Br，溶剂为690μL DMSO(二甲基亚砜)，120μLDMF(二甲基甲酰胺)。向其中5份CH3NH3PbBr3前驱体溶液中分别以丁胺/前驱体(1.215mol)摩尔比1:200、1:100、1:50、1:30、1:10滴加丁胺，搅拌15min。旋涂法制备厚度为400nm的CH3NH3PbBr3钙钛矿层，旋涂完成后100℃下加热30分钟。不同滴加溶度下获得的钙钛矿薄膜见图2。从图中可以看出，随着烷基胺含量增多晶粒尺寸逐渐减小。
然后用离子束蒸发法蒸镀TPBi，厚度为40nm。最后用离子束热蒸发蒸镀150nm厚的阴电极。LED结构见图1左。当加入适量烷基胺丁胺后所制备的含有小尺寸晶粒的钙钛矿LED的最高效率为0.073％，未经过修饰的钙钛矿LED效率为0.0222％，超过适量值之后LED器件性能开始下降。LED器件的外部量子效率-电压曲线见图3，主要原因是适量的烷基胺可以钝化晶粒内部缺陷，降低器件的非辐射复合。
实施例2:
将覆盖有掺氟氧化铟锡的玻璃基底依次用洗涤剂水溶液、丙酮、无水乙醇和去离子水超声洗涤后，在基底上旋涂一层PEDOT:PSS，厚度为50nm。配置两份浓度为1.3M的CH3NH3PbBr3钙钛矿前驱体溶液，溶质为370mg PbBr2，115mg CH3NH3Br，溶剂为690μL DMSO(二甲基甲酰胺)，120μL DMF(二甲基亚砜)。向其中一份CH3NH3PbBr3前驱体溶液中引入己胺，其中己胺/前驱体(1.053mol)摩尔比为：1:150，搅拌15min。旋涂法制备厚度为400nm的CH3NH3PbBr3钙钛矿层，旋涂完成后100℃下加热30分钟。随后用离子束热蒸发蒸镀TPBi，厚度为40nm。最后离子束热蒸发蒸镀150nm厚的阴电极。LED结构见图1左。当加入适量有机胺己胺后所制备的含有小尺寸晶粒的钙钛矿LED的最高效率为0.071％，未经过修饰的钙钛矿LED效率为0.0218％，主要原因是适量的烷基胺可以钝化晶粒内部缺陷，降低器件的非辐射复合。
实施案例3:
将覆盖有掺氟氧化铟锡的玻璃基底依次用洗涤剂水溶液、丙酮、无水乙醇和去离子水超声洗涤后，在基底上旋涂一层PCBM，厚度为40nm。配置两份浓度为1.6M的CH3NH3PbI3钙钛矿前驱体溶液，溶质为465mg PbI2，150mg CH3NH3I，溶剂为630μL DMF(二甲基甲酰胺)，75μL DMSO(二甲基亚砜)。向其中一份CH3NH3PbI3前驱体溶液中引入烷基胺丁胺，其中丁胺/前驱体(1.128mol)摩尔比为：1:100，搅拌15min。旋涂法制备厚度为400nm的CH3NH3PbI3钙钛矿层，旋涂完成后100℃下加热30分钟。然后旋涂2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、双三氟甲烷磺酰亚胺锂和4-叔丁基吡啶的混合溶液，厚度为200nm，最后用离子束热蒸发蒸镀150nm厚的阴电极。LED结构见图1右。当加入适量烷基胺丁胺后所制备的含有小尺寸晶粒的钙钛矿LED的最高效率为0.068％，未经修饰的钙钛矿LED效率0.0205％。
Claims (9)
1.一种原位法生长钙钛矿薄膜的方法，所述钙钛矿薄膜由小尺寸的钙钛矿晶粒构成，其特征在于：配置钙钛矿前驱体溶液时，引入烷基胺，烷基胺的添加量与前驱体溶液溶质的摩尔比控制在：1:200～1:10；利用一步反溶剂法旋涂成膜，加热退火后得钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钙钛矿为CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述烷基胺选自丙胺、丁胺、戊胺、已胺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：随着烷基胺含量的增多钙钛矿晶粒逐渐减小。
5.根据权利要求1所述方法制备得到的钙钛矿薄膜应用于钙钛矿LED，所述钙钛矿LED的结构包括：透明导电衬底、空穴传输层、权利要求1所述方法制备得到的钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极。
6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于:所述的透明导电衬底可以是FTO、ITO、AZO等透明导电玻璃。
7.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述的空穴传输层可以是NiO、PEDOT:PSS、CBP、Spiro-oMeTAD等。
8.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述的电子传输层可以是TPBi、BCP、ZnO、F8、TiO2等。
9.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述的金属电极可以是金、银、铝、钙、镍、钛、钠等。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109599490A (zh) * | 2019-01-11 | 2019-04-09 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 二元混合溶剂体系及其在制备钙钛矿材料中的用途 |
| CN109686841A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-04-26 | 浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司 | 一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法及其应用 |
| CN109904330A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-18 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 | 一种基于钝化材料Me4NBr制备锡铅杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN110224083A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-09-10 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110224075A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-09-10 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110311060A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-10-08 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种钙钛矿led器件及其抑制晶体尺寸的制备方法 |
| CN110305660A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-08 | 上海大学 | 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法 |
| CN110416439A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-11-05 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种钙钛矿led器件结构及其制备方法 |
| CN110684528A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-14 | 太原科技大学 | 一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法 |
| CN111509129A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-07 | 中南大学 | 一种制备高结晶度钙钛矿的方法及其产品应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106025067A (zh) * | 2016-07-30 | 2016-10-12 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 一种溶液法生成钙钛矿薄膜的成膜方法及其器件应用 |
| CN108057590A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-05-22 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 喷涂液、钙钛矿层及其制备方法、钙钛矿电池 |
-
2018
- 2018-06-11 CN CN201810596783.2A patent/CN108832029A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106025067A (zh) * | 2016-07-30 | 2016-10-12 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 一种溶液法生成钙钛矿薄膜的成膜方法及其器件应用 |
| CN108057590A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-05-22 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 喷涂液、钙钛矿层及其制备方法、钙钛矿电池 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PENGFEI等: ""Perovskite nanocrvstals：synthesis,properties and applications"", 《SCIENCE BULLETIN》 * |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109686841A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-04-26 | 浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司 | 一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法及其应用 |
| CN109599490A (zh) * | 2019-01-11 | 2019-04-09 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 | 二元混合溶剂体系及其在制备钙钛矿材料中的用途 |
| CN109904330A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-18 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 | 一种基于钝化材料Me4NBr制备锡铅杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN109904330B (zh) * | 2019-02-28 | 2022-04-15 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 | 一种基于钝化材料Me4NBr制备锡铅杂化钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN110224075B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-04-16 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110224083A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-09-10 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110224075A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-09-10 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110224083B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-04-16 | 新昌县厚泽科技有限公司 | 一种有机发光二极管及其制备方法 |
| CN110305660B (zh) * | 2019-06-14 | 2022-07-12 | 上海大学 | 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法 |
| CN110305660A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-08 | 上海大学 | 基于甲磺酸阴离子诱导的低缺陷准二维钙钛矿薄膜的制备方法 |
| CN110416439B (zh) * | 2019-08-05 | 2022-04-08 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种钙钛矿led器件结构及其制备方法 |
| CN110416439A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-11-05 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种钙钛矿led器件结构及其制备方法 |
| CN110311060A (zh) * | 2019-08-05 | 2019-10-08 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种钙钛矿led器件及其抑制晶体尺寸的制备方法 |
| CN110684528A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-14 | 太原科技大学 | 一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法 |
| CN110684528B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-08-16 | 太原科技大学 | 一种基于离子束辐照提高钙钛矿量子点稳定性的方法 |
| CN111509129A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-07 | 中南大学 | 一种制备高结晶度钙钛矿的方法及其产品应用 |
| CN111509129B (zh) * | 2020-04-21 | 2022-07-08 | 中南大学 | 一种制备高结晶度钙钛矿的方法及其产品应用 |
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