CN110224075B - 一种有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明涉及光电器件技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法。
背景技术
钙钛矿发光材料由于具有色彩纯度高、发光颜色可调、以及易于湿法制备,近年来被越来越多作为有机发光二极管的发光材料被产业界所关注。现有有机发光二极管中的钙钛矿发光层一般通过涂布等湿法制备。然而,一方面,钙钛矿发光材料的前驱体在其溶剂中溶解度较低,且该溶剂在钙钛矿薄膜易于挥发;另一方面,钙钛矿在涂布过程中有可能快速自组装成纳米级的微小晶粒,该晶粒的成核和生长方向是随机的。这两方面的原因将会造成,钙钛矿发光层薄膜缺陷较多、规整度差,难以形成均匀致密的高质量钙钛矿发光层。而发光层薄膜的质量和有机发光二极管的光电性能有着密切关系。因此,如何提高钙钛矿发光层的薄膜质量成为产业界急需解决的课题。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种钙钛矿发光层的制备方法,以提高钙钛矿薄膜质量,进而提高钙钛矿发光二极管发光效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种有机发光二极管,包括衬底、以及依次层叠于该衬底上的第一电极、第一功能层、发光层、第二功能层、第二电极;其中发光层包括钙钛矿以及以下化学式1-1表示的化合物:
[化学式1-1]
一种如上述所述的有机发光二极管的制备方法,其包括在衬底上依次形成第一电极、第一功能层、发光层、第二功能层、第二电极层的步骤;其中,发光层的制备包括将钙钛矿的前驱体、化学式1-1表示的化合物、以及溶剂混合获得混合液的步骤。
根据上述所述的制备方法,混合液中所述钙钛矿前驱体的浓度为0.1-50mol/L,以及所述化学式1-1表示的化合物的浓度为1-200mg/mL。
根据上述所述的制备方法,其特征在于,所述混合液所使用的溶剂为二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺和丁内酯中的一种。
通过在发光层中引入化学公式1-1的化合物,作为有机发光二极管的发光层的钙钛矿薄膜的形貌从不连续、多针孔、不均匀变得连续、均匀、平整。同时,基于这种钙钛矿薄膜的有机发光二极管器件在工作过程中,开启电压降低、电流效率明显提高。
附图说明
图1是现有技术制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜的扫描电子显。
图2是CsPbBr3钙钛矿薄膜加入化学式1-1a的扫描电子显。
图3一种钙钛矿有机发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
实施例用到的化合物1-1a的结构式如下所示:
首先提供一种有机发光二极管中钙钛矿发光层的制备方法,包括以下步骤:以丁内酯为溶剂,配置CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液。其中前驱体溶液中溴化铯和溴化铅的摩尔比为1:1,溴化铯和溴化铅的浓度均为0.2mol/L,化合物1-1a的含量为10mg/mL。以上配制的前驱体溶液在90℃下加热搅拌4小时。将配置好的前驱体溶液旋涂在石英玻璃片上,转速为4500转/min,旋涂时间为80秒,150℃下退火3分钟,得到钙钛矿薄膜。
从图1-2所示的上述钙钛矿薄膜的样品的扫描电镜形貌图上来看,化合物1-1a加入,很大程度上提高的薄膜的连续性、均匀性、平整度。
另外,提供了一种钙钛矿薄膜作为发光层的有机发光二极管,包括自下而上依次设置在衬底10上阳极层11、空穴传输层12、发光层13、电子传输层14、电子注入层15、以及阴极16。其制备方法包括以下步骤:
步骤1,以丁内酯为溶剂,配置CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液。其中前驱体溶液中溴化铯和溴化铅的摩尔比为1:1,溴化铯和溴化铅的浓度均为0.2mol/L,化合物1-1a的含量为10mg/mL。以上配制的前驱体溶液在90℃下加热搅拌4小时,待用。
步骤2,采用市场上购买的ITO玻璃衬底作为衬底和阳极。ITO玻璃衬底依次用丙酮、酒精、去离子水分别超声清洗30分钟,用氮气吹干后放置于氮气手套箱内制备器件。
步骤3,制备空穴传输层。在ITO玻璃衬底上旋涂体PVK前驱体溶液,转速为4500转每分钟,时间为50秒,之后120摄氏度退火15分钟。
步骤4,发光层的制备。PVK空穴传输层制备完成后,通过旋涂法制备钙钛矿发光层3,将以上制备的钙钛矿前驱体溶液在转速为4500转每分钟条件下旋涂80秒,氮气氛围中150℃下退火3分钟,得到钙钛矿薄膜。
步骤5,制备电子传输层、电子注入层、以及阴极。接着转移到真空蒸镀仪中依次蒸镀厚度4TPBi电子传输层,LiF电子注入层,Al阴极。得到以钙钛矿薄膜为发光层的有机发光二极管。
采用未参杂化合物1-1a的钙钛矿前驱体溶液,按照上述方法制备有机发光二极管,作为对照。
表1不同钙钛矿发光二极管器件性能参数。
以上结果表明,加入化合物1-1a的钙钛矿薄膜作为发光层的有机发光二极管开启电压降低、电流效率提高。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,并不用于限制本发明,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
2.一种如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法,其包括在衬底上依次形成第一电极、第一功能层、发光层、第二功能层、第二电极层的步骤;其特征在于,发光层的制备包括将钙钛矿的前驱体、化学式1-1表示的化合物、以及溶剂混合获得混合液的步骤。
3.一种如权利要求2所述的制备方法,混合液中所述钙钛矿前驱体的浓度为0.1-50mol/L,以及所述化学式1-1表示的化合物的浓度为1-200mg/mL。
4.一种如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述混合液所使用的溶剂为二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺和丁内酯中的一种。
Priority Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN110224075B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107452895A (zh) * | 2016-05-27 | 2017-12-08 | 株式会社Lg化学 | 有机发光元件 |
CN108832029A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-11-16 | 浙江理工大学 | 一种钙钛矿薄膜的原位法生长方法与应用 |
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---|---|---|---|---|
TWI657123B (zh) * | 2016-01-27 | 2019-04-21 | 國立交通大學 | 鈣鈦礦型發光元件及其製造方法 |
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