CN113594383A - 基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法，器件包括阳极基板、修饰空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层以及阴极。本发明创造性的引入丙醇胺分子添加剂，可以有效调控蓝光钙钛矿发光层的结晶生长，使之形成高均匀度、高结晶性和低缺陷密度的高质量发光薄膜，薄膜光致发光特性和光谱稳定性都得到增强，所制备的蓝光钙钛矿发光二极管的亮度、外量子效率和工作寿命明显提升。本发明中的修饰方法成本低廉，操作简单，效果显著，适用于旋涂、刮涂、印刷以及喷墨打印等多种现行的制备工艺。
Description
技术领域
本发明涉及钙钛矿光电器件制备领域，具体涉及一种基于空穴传输层界面修饰的蓝光钙钛矿发光二极管制备方法。
背景技术
金属卤化物钙钛矿（Perovskite）是继石墨烯之后国际研究的热门材料，其具有优良的光电性质，成本低廉而且可溶液加工，在光电器件技术领域被广泛研究；其中，钙钛矿太阳能电池已经实现商业化大规模制备，钙钛矿发光二极管在近10年也取得快速发展，在显示和照明领域具有很好的应用前景。
钙钛矿发光二极管具有的突出优点是色纯度高、溶液法加工。目前，绿光和红光钙钛矿发光二极管的外量子效率已经突破20%，器件寿命也提高到了几百个小时；但是蓝光钙钛矿发光二极管的器件性能还很差，限制了钙钛矿发光二极管的全色显示及其实际应用，因此，寻找合适的方法提高蓝光钙钛矿发光二极管的性能具有重要意义。
制备蓝光钙钛矿常见的方法是在溴体系的钙钛矿中引入一定量的氯离子调节发光光谱，但氯离子的引入会使钙钛矿薄膜的均匀性和结晶性变差，极大地降低器件的发光性能。目前，反溶剂法常被用来改善钙钛矿薄膜的结晶质量，但此法增加了操作复杂性，且难适用于工业上溶液法的大面积器件制备工艺，如印刷和喷墨打印；在器件中引入微纳结构增强光耦合，能提高器件的出光，但加工工艺复杂，增加制造成本；对钙钛矿层进行组分调节，与前两种方法相比更有优势，但实际操作也比较复杂，容易使钙钛矿的发光波长产生大的偏移。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的是提供一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法，适用于溶液法加工的旋涂、刮涂、印刷以及喷墨打印等多种现行的制备工艺技术。
本发明所采取的技术方案是：
一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其空穴传输层为醇胺修饰空穴传输层。进一步的，所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管还包括蓝光钙钛矿发光层、电子传输层、阳极和阴极，都为常规技术，根据现有材料以及制备方法得到。
本发明的创造性在于以醇胺修饰空穴传输层作为钙钛矿发光器件中的空穴传输层，其他结构或者组成都是现有技术，所述醇胺优选为丙醇胺（Propanolamine）。优选的，醇胺的体积为空穴传输层原液体积的1~3‰。
本发明将醇胺与空穴传输层原液按1~3:1000的体积比混合并搅拌均匀，得到修饰的空穴传输层溶液，其中醇胺掺杂浓度为1~3μl/ml。将修饰的空穴传输层溶液根据常规方法制备成膜，作为钙钛矿发光器件中的空穴传输层。
本发明中，醇胺修饰空穴传输层的厚度为30~40 nm，蓝光钙钛矿发光层厚度为20~25 nm，电子传输层厚度为40~50 nm，LiF厚度为1 nm，Al厚度为90~120 nm。
本发明公开了上述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤，将醇胺加入空穴传输层原液中，得到修饰的空穴传输层溶液，然后将修饰的空穴传输层溶液旋涂于阳极表面，退火处理，得到空穴传输层，再制备蓝光钙钛矿发光层、电子传输层和阴极，得到基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管。
本发明公开的空穴传输层原液、蓝光钙钛矿发光层、电子传输层、阳极和阴极都为现有技术，举例而言，空穴传输层原液为PEDOT:PSS原液，蓝光钙钛矿发光层的制备原料包括CsBr、PbBr2、PbCl2、KBr、对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）、甲脒氢溴酸盐（FABr），优选的，所述蓝光钙钛矿发光层的组成，CsBr、(PbBr2+PbCl2)、KBr、对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）、甲脒氢溴酸盐（FABr）的摩尔比为1.4:1:0.25:0.4:0.15~0.16，进一步优选的，所述PbBr2、PbCl2的摩尔比为2~2.2:1；所述电子传输层为TPBi，分别设置ITO和LiF/Al作为钙钛矿发光二极管的阳极和阴极。蓝光钙钛矿发光层、电子传输层、阳极和阴极的制备方法也为现有技术。
本发明有以下优点和有益效果：
（1）本发明的修饰材料成本低廉，修饰空穴传输层的方法操作简单，修饰前后不影响器件结构和制备工艺；
（2）本发明所修饰的空穴传输层，表面存在丙醇胺分子，能提高蓝光钙钛矿薄膜的成膜均匀性，兼容刮涂、印刷和喷墨打印技术工艺，适用于工业上制备大面积钙钛矿发光器件；
（3）本发明的修饰材料丙醇胺，能调控钙钛矿结晶，有效钝化钙钛矿缺陷，稳定钙钛矿结构，增强钙钛矿薄膜发光特性和稳定性。所制备的蓝光钙钛矿发光二极管的亮度和外量子效率都得到有效提升，工作寿命达到相关领域研究的先进水平。
附图说明
图1为本发明制备的基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管截面扫描电子显微镜测试结果。
图2为本发明实施例1和对比例1中PEDOT:PSS层的接触角测试结果。
图3是本发明实施例1和对比例1中蓝光钙钛矿发光层的稳态光致发光光谱测试结果。
图4为本发明实施例1和对比例1中蓝光钙钛矿发光层的瞬态荧光寿命测试结果。
图5为本发明实施例1和对比例1中蓝光钙钛矿发光层的X射线衍射谱图。
图6为本发明实施例1和对比例1中制备的蓝光钙钛矿发光二极管的电致发光光谱图。
图7为本发明实施例1和对比例1中制备的蓝光钙钛矿发光二极管电压-电流密度曲线和电压-亮度曲线。
图8为本发明实施例1和对比例1中制备的蓝光钙钛矿发光二极管电流密度-外量子效率曲线。
图9为本发明实施例1和对比例1中制备的蓝光钙钛矿发光二极管在100 cd/m2的初始发光亮度下随时间衰减的曲线。
图10为本发明实施例2中制备的大面积（100 mm2）蓝光钙钛矿发光二极管的工作照片。
图11为本发明实施例2中制备的大面积（100 mm2）蓝光钙钛矿发光二极管的电压-电流密度曲线和电压-亮度曲线。
图12为本发明实施例2中制备的大面积（100 mm2）蓝光钙钛矿发光二极管的电流密度-外量子效率曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的解释和说明。应当理解，以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。本发明可采用其它的实施例，并且可以以各种方式被实施或被执行。本发明具体制备方法以及测试方法为本领域常规方法；采用的原料都是现有产品，符合钙钛矿发光二极管的常规要求，比如PEDOT:PSS原液为应用广泛的Al4083，溶剂为水，固含量为1.5wt.%，PEDOT与PSS的质量比为1∶6；丙醇胺的化学结构式如下：
作为具体的实施例，以丙醇胺为例，本发明基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法为以下详细步骤：
S1. 用稀释的Decon水溶液超声清洗阳极基板，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5~10分钟，最后用烘箱烘干；
S2. 将丙醇胺添加剂掺入PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为1~3μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
S3. 将PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
S4. 在手套箱（氮气保护）中将CsBr、PbBr2、PbCl2、KBr、对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和甲脒氢溴酸盐（FABr）按所述比例溶于DMSO中，20~30℃加热搅拌3~5小时，制成蓝光钙钛矿溶液，再将其涂在所述S3制备的PEDOT:PSS层上，制成蓝光钙钛矿发光层；
S5. 将S4得到的样品薄膜移入真空蒸镀设备中，依次热蒸镀电子传输层和阴极层，制成基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管。
本发明的创造性不在于制备钙钛矿发光二极管具体原料的选择以及制备参数的限定，在于首次利用醇胺尤其是丙醇胺作为修饰剂掺入空穴传输层，从而有效提高基于该修饰空穴传输层的器件的性能。
实施例1 一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其制备方法具体如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将2μL丙醇胺加入1 mL的PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为2μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
对比例1
本对比例的其他步骤与实施例1完全一致，区别在于：PEDOT:PSS原液无需掺杂处理。如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将PEDOT:PSS原液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（3）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（4）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
性能测试结果：
实施例1制备的基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的截面扫描电子显微镜图如图1所示，空穴传输层、蓝光钙钛矿发光层的厚度分别为34nm、24 nm，其他实施例、对比例一致。
接触角测试是通过接触角测试仪（DataPhysics Instruments GmbH）测量的；稳态光致发光光谱是用FluoroMax-4荧光光谱仪 (Horiba Jobin Yvon) 测量的；瞬态荧光寿命测试是使用Quantaurus-Tau荧光寿命光谱仪（C11367-32，Hamamatsu Photonics）测量的；钙钛矿薄膜的X射线衍射谱图是使用衍射仪 (D8 Discover)的平面模式记录的；蓝光钙钛矿发光二极管器件性能测试是使用计算机控制的可编程电源（Keithley 2400 型）和一个亮度计/光谱仪（PhotoResearch PR655）同时测量器件的电流密度-电压-亮度（J-V-L）特性和电致发光光谱，测试系统根据测量的 J-V-L 特性和具有朗伯分布的电致发光光谱，自动给出器件的外量子效率（EQE）。
如图2所示，实施例1丙醇胺修饰后的PEDOT:PSS层接触角明显小于对比例1中未经修饰的PEDOT:PSS层，表明本发明公开的空穴传输层具有好的亲水性。如图3和图4所示，经过丙醇胺修饰，蓝光钙钛矿发光层光致发光强度增强了一倍左右，载流子寿命也大大增长，表明丙醇胺修饰能钝化钙钛矿层，抑制非辐射复合。如图5所示，图中带括号的数字表示晶面，经过丙醇胺修饰，蓝光钙钛矿发光层的结晶性增强。
由图6～9得到实施例1和对比例1中蓝光钙钛矿发光二极管的性能参数如下表1所示：
如表1所示，经过丙醇胺修饰，器件开启电压从4 V降到3.4 V，表明器件中载流子注入平衡改善；本实例1制备的基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管发光波长为479 nm，最高亮度为620 cd/m2，最高外量子效率为6.6%，在100 cd/m2的初始亮度下的T50工作寿命（亮度降到一半所用的时间）长达420 s。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于：步骤（1）中，所用的ITO阳极基板的有效面积不同，最终制成器件的发光面积大小不同。本实施例中基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的发光面积是100 mm2。其余参数都一样。如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将2μL丙醇胺加入1mL的PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为2 μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为100 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
本实施例的器件工作照片如图10所示，发光面积是个1 cm*1 cm的正方形。本实施例的器件性能参数如图11和图12所示，器件最高亮度为627 cd/m2，最高外量子效率为5.1%。
对比例2 一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其制备方法具体如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将2 mg醋酸锌（Zn(CH3COO)2）加入1 mL的PEDOT:PSS原液中，制备PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
器件最高亮度为268 cd/m2，最高外量子效率为3.6 %，发光波长为479 nm。
实施例3 一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其制备方法具体如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将1μL丙醇胺加入1L的PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为1μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
器件最高亮度为473 cd/m2，最高外量子效率为4.9%，发光波长为481nm。
实施例4 一种基于修饰P EDOT:PSS层的蓝光钙钛矿发光二极管，其制备方法具体如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将3μL丙醇胺加入1L的PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为3μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
器件最高亮度为383 cd/m2，最高外量子效率为4.3%，发光波长为476 nm。
实施例5 一种基于修饰P EDOT:PSS层的蓝光钙钛矿发光二极管，其制备方法具体如下：
（1）用稀释20倍的Decon水溶液超声清洗ITO阳极基板5分钟，之后用去离子水将ITO阳极基板冲洗干净，接着置于乙醇、异丙醇中依次超声清洗5分钟，最后在烘箱烘干；
（2）将4μL丙醇胺加入1L的PEDOT:PSS原液中，制备掺杂浓度为4μl/ml的PEDOT:PSS溶液；
（3）将上述PEDOT:PSS溶液在4000 rpm/min，40 s条件下旋涂在ITO阳极表面，随后在140℃高温退火15分钟，制成空穴传输层；
（4）在手套箱（氮气保护）中将0.282 mmol的CsBr、0.067 mmol的PbBr2、0.134mmol的PbCl2、0.05 mmol的KBr、0.08 mmol的对氟苯乙胺溴（p-f-PEABr）和0.03 mmol的甲脒氢溴酸盐（FABr）溶于1.8 ml的DMSO中，30℃加热搅拌4小时，制成蓝光钙钛矿溶液，以3000 rpm/min的速度旋涂60s，将其涂在上述空穴传输层上，再65℃退火7分钟后制成蓝光钙钛矿发光层；
（5）将上述样品薄膜移入真空蒸镀设备中，在蓝光钙钛矿发光层上依次热蒸镀45nm厚的TPBi、1 nm厚的LiF和100 nm厚的Al，制成发光面积为10 mm2的蓝光钙钛矿发光二极管；从真空蒸镀设备中取出器件后立即在手套箱中进行封装。
器件最高亮度为256 cd/m2，最高外量子效率为4.0%，发光波长为473 nm。
除了旋涂和热蒸镀，以上各层结构的具体制作工艺也可选择溶液法刮涂、印刷、喷墨打印等公知方法；本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的空穴传输层为醇胺修饰空穴传输层。
2.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管还包括蓝光钙钛矿发光层、电子传输层、阳极和阴极。
3.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述醇胺为丙醇胺。
4.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于，将醇胺与空穴传输层原液按1~3:1000的体积比混合并搅拌均匀，得到修饰的空穴传输层溶液，再将修饰的空穴传输层溶液制备成膜，作为基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的空穴传输层。
5.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管，其特征在于，醇胺修饰空穴传输层的厚度为30~40 nm，蓝光钙钛矿发光层厚度为20~25 nm。
6.权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，将醇胺加入空穴传输层原液中，得到修饰的空穴传输层溶液，然后将修饰的空穴传输层溶液涂于阳极表面，退火处理，得到空穴传输层，再制备蓝光钙钛矿发光层、电子传输层和阴极，得到基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管。
7.根据权利要求6所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，醇胺的体积为空穴传输层原液体积的1~3‰。
8.一种蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层溶液，其特征在于，包括醇胺与空穴传输层原液。
9.一种蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层，其特征在于，将醇胺与空穴传输层原液按1~3:1000的体积比混合并搅拌均匀，得到修饰的空穴传输层溶液，再将修饰的空穴传输层溶液制备成膜，作为蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层。
10.醇胺在制备蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层中的应用；或者醇胺在制备蓝光钙钛矿发光二极管中的应用。
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| WO2023000280A1 (zh) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | 苏州大学 | 基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
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